JPH0689457B2 - プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極Info
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- JPH0689457B2 JPH0689457B2 JP31569087A JP31569087A JPH0689457B2 JP H0689457 B2 JPH0689457 B2 JP H0689457B2 JP 31569087 A JP31569087 A JP 31569087A JP 31569087 A JP31569087 A JP 31569087A JP H0689457 B2 JPH0689457 B2 JP H0689457B2
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- Japan
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- gas
- shower electrode
- shutter
- plasma cvd
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば磁気ディスクの保護膜作成用等に使用
するプラズマCVD装置用シャワー電極に関するものであ
る。
するプラズマCVD装置用シャワー電極に関するものであ
る。
［従来技術］ 従来、プラズマCVD（chemical Vapour Deposition）法
により、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置は、
第14図に示すように、真空反応容器１内の基板ヒータ２
上に処理すべきドーナツ状基板３を寝かせて設置し、基
板３の上方には基板ヒータ２に対向させてシャワー電極
４を設置し、該シャワー電極４と基板ヒータ２との間に
高周波電源等のプラズマ電源５から高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、またシャワー電極４からは原料
ガスをシャワー状にプラズマ中に流出させ、該原料ガス
をプラズマで反応させて基板３上に成膜を行わせる構造
になっていた。この場合、シャワー電極４は、多数のガ
ス流出孔６を分散して設けたシャワー電極板７と、該シ
ャワー電極板７の裏側にガス分配室８を形成して該ガス
分配室８に供給される原料ガスを各ガス流出孔６に分配
する分配室形成体９により構成されていた。なお、10は
真空反応容器１内を真空引きするための配管、11はシャ
ワー電極４に原料ガスを供給するための配管である。
により、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置は、
第14図に示すように、真空反応容器１内の基板ヒータ２
上に処理すべきドーナツ状基板３を寝かせて設置し、基
板３の上方には基板ヒータ２に対向させてシャワー電極
４を設置し、該シャワー電極４と基板ヒータ２との間に
高周波電源等のプラズマ電源５から高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、またシャワー電極４からは原料
ガスをシャワー状にプラズマ中に流出させ、該原料ガス
をプラズマで反応させて基板３上に成膜を行わせる構造
になっていた。この場合、シャワー電極４は、多数のガ
ス流出孔６を分散して設けたシャワー電極板７と、該シ
ャワー電極板７の裏側にガス分配室８を形成して該ガス
分配室８に供給される原料ガスを各ガス流出孔６に分配
する分配室形成体９により構成されていた。なお、10は
真空反応容器１内を真空引きするための配管、11はシャ
ワー電極４に原料ガスを供給するための配管である。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、従来のシャワー電極４では、原料ガスの
オン，オフは真空反応容器１から離れた所にあるバルブ
のオン，オフにより行っていたので、成膜が終った後の
ガス切れが悪く、プラズマ・オフにする時も原料ガスが
バルブからシャワー電極までの部分内に存在し、成膜終
了時に不安定な膜ができる問題点があった。
オン，オフは真空反応容器１から離れた所にあるバルブ
のオン，オフにより行っていたので、成膜が終った後の
ガス切れが悪く、プラズマ・オフにする時も原料ガスが
バルブからシャワー電極までの部分内に存在し、成膜終
了時に不安定な膜ができる問題点があった。
本発明の目的は、原料ガスの遮断を急激に行うことがで
きるプラズマCVD装置用シャワー電極を提供することに
ある。
きるプラズマCVD装置用シャワー電極を提供することに
ある。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の構成を説明する
と、本発明は多数のガス流出孔を分散して設けたシャワ
ー電極板と、前記シャワー電極板の裏側にガス分配室を
形成して該ガス分配室に供給されるガスを前記各ガス流
出孔に分配する分配室形成体とを備えたプラズマCVD装
置用シャワー電極において、前記ガス分配室内に前記各
ガス流出孔を開閉するシャッターが設けられ、前記シャ
ッターにはこれを操作するための操作手段が接続されて
いることを特徴とする。
と、本発明は多数のガス流出孔を分散して設けたシャワ
ー電極板と、前記シャワー電極板の裏側にガス分配室を
形成して該ガス分配室に供給されるガスを前記各ガス流
出孔に分配する分配室形成体とを備えたプラズマCVD装
置用シャワー電極において、前記ガス分配室内に前記各
ガス流出孔を開閉するシャッターが設けられ、前記シャ
ッターにはこれを操作するための操作手段が接続されて
いることを特徴とする。
［作用］ このようにシャッターをガス分配室内に設けておくと、
操作手段によって該シャッターを操作することにより、
シャワー電極板の各ガス流出孔をすべて瞬間的に閉じる
ことができ、従って原料ガスの遮断を瞬間的に行える。
操作手段によって該シャッターを操作することにより、
シャワー電極板の各ガス流出孔をすべて瞬間的に閉じる
ことができ、従って原料ガスの遮断を瞬間的に行える。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図乃至第12図を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明に係るプラズマCVD装置用シャワー電極
の第１実施例を示したものである。なお、前述した第14
図のシャワー電極４と対応した部分には同一符号をつけ
て示している。本実施例のシャワー電極４においては、
ガス分配室８内にシャワー電極板７のガス流出孔６を開
閉するための円板よりなるシャッター12がシャワー電極
板７に対して近接して回転自在に配設されている。シャ
ワー電極板７の裏面には、テトラフルオロエチレンより
なる滑板13が貼付けられ、該滑板にもシャワー電極板７
の各ガス流出孔６に一致してガス流出孔７があけられて
いる。シャワー電極板７に対向するシャッター12の面に
も同様の滑板14が貼付けられ、両滑板13,14は相互に密
着した状態に接触され、シャッター12が円滑に回転し得
るようにされている。シャッター12及び滑板14にもシャ
ワー電極板７と同じ位置にガス通過孔15が設けられてい
る。シャッター12には回転軸16が取付けられ、該回転軸
16は分配室形成体９のガス導入管部9Aを通り、該ガス導
入管部9Aの末端の軸受兼シール部17を気密に貫通して外
部に導出されている。外部に出た回転軸16の末端には該
回転軸16を介してシャッター12を回転操作するモータ18
が接続されている。これら、回転軸16及びモータ18にて
シャッター操作手段19が構成されている。ガス導入管部
9Aに配管11が接続されている。
の第１実施例を示したものである。なお、前述した第14
図のシャワー電極４と対応した部分には同一符号をつけ
て示している。本実施例のシャワー電極４においては、
ガス分配室８内にシャワー電極板７のガス流出孔６を開
閉するための円板よりなるシャッター12がシャワー電極
板７に対して近接して回転自在に配設されている。シャ
ワー電極板７の裏面には、テトラフルオロエチレンより
なる滑板13が貼付けられ、該滑板にもシャワー電極板７
の各ガス流出孔６に一致してガス流出孔７があけられて
いる。シャワー電極板７に対向するシャッター12の面に
も同様の滑板14が貼付けられ、両滑板13,14は相互に密
着した状態に接触され、シャッター12が円滑に回転し得
るようにされている。シャッター12及び滑板14にもシャ
ワー電極板７と同じ位置にガス通過孔15が設けられてい
る。シャッター12には回転軸16が取付けられ、該回転軸
16は分配室形成体９のガス導入管部9Aを通り、該ガス導
入管部9Aの末端の軸受兼シール部17を気密に貫通して外
部に導出されている。外部に出た回転軸16の末端には該
回転軸16を介してシャッター12を回転操作するモータ18
が接続されている。これら、回転軸16及びモータ18にて
シャッター操作手段19が構成されている。ガス導入管部
9Aに配管11が接続されている。
このようなシャワー電極４においては、成膜時にはシャ
ワー電極板７のガス流出孔６とシャッター12のガス通過
孔15とが合致する位置にシャッター12を回転させてお
き、ガス流出孔６から原料ガスを基板３（第14図参照）
に向けて流出させる。原料ガスの流出を遮断する時に
は、シャッター12をわずかに回転させ、ガス流出孔６と
ガス通過孔15との孔の位置をずらしてガス流出孔６をシ
ャッター12で塞ぐ。このようにすると、原料ガスの流出
をシャワー電極４で急激に止めることができる。
ワー電極板７のガス流出孔６とシャッター12のガス通過
孔15とが合致する位置にシャッター12を回転させてお
き、ガス流出孔６から原料ガスを基板３（第14図参照）
に向けて流出させる。原料ガスの流出を遮断する時に
は、シャッター12をわずかに回転させ、ガス流出孔６と
ガス通過孔15との孔の位置をずらしてガス流出孔６をシ
ャッター12で塞ぐ。このようにすると、原料ガスの流出
をシャワー電極４で急激に止めることができる。
第２図（Ａ）（Ｂ）は、ガス量（圧力にて測定）を縦
軸、時間を横軸にして、ガスを遮断した時の特性を比較
したものである。第２図（Ａ）は真空反応容器１から50
cm離れた所にあるバルブによってガスを遮断した時の従
来タイプのガス遮断特性図、第２図（Ｂ）は本発明のシ
ャワー電極のシャッターでガスを遮断した時のガス遮断
特性図である。図から明らかなように、本発明によれ
ば、従来の約1/10の時間でガスを遮断できることが判明
した。このとき、ガスの遮断の直後に、プラズマをオフ
にすることにより、所望の特性の膜のみを得ることが可
能になった。
軸、時間を横軸にして、ガスを遮断した時の特性を比較
したものである。第２図（Ａ）は真空反応容器１から50
cm離れた所にあるバルブによってガスを遮断した時の従
来タイプのガス遮断特性図、第２図（Ｂ）は本発明のシ
ャワー電極のシャッターでガスを遮断した時のガス遮断
特性図である。図から明らかなように、本発明によれ
ば、従来の約1/10の時間でガスを遮断できることが判明
した。このとき、ガスの遮断の直後に、プラズマをオフ
にすることにより、所望の特性の膜のみを得ることが可
能になった。
第３図乃至第５図は本発明の第２実施例を示したもので
ある。本実施例のシャワー電極４では、シャワー電極板
７には同一円周上に円形の複数のガス流出孔６が設けら
れ、シャッター12にはシャワー電極板７と同一円周上に
各ガス流出孔６に対応して涙滴形のガス通過孔15が設け
られている。これらガス通過孔15は、シャッター12の径
方向の幅はガス流出孔６と略等しいが、シャッター12の
周方向の長さがガス流出孔６より長く、且つその周方向
の一方に向うにつれて幅が徐々に狭くなるように形成さ
れている。そのたの構成は、第１実施例と同様になって
いる。
ある。本実施例のシャワー電極４では、シャワー電極板
７には同一円周上に円形の複数のガス流出孔６が設けら
れ、シャッター12にはシャワー電極板７と同一円周上に
各ガス流出孔６に対応して涙滴形のガス通過孔15が設け
られている。これらガス通過孔15は、シャッター12の径
方向の幅はガス流出孔６と略等しいが、シャッター12の
周方向の長さがガス流出孔６より長く、且つその周方向
の一方に向うにつれて幅が徐々に狭くなるように形成さ
れている。そのたの構成は、第１実施例と同様になって
いる。
このようなシャワー電極４においては、シャッター12の
回転につれてシャワー電極７におけるガス流出孔６の有
効孔面積6Aが連続的に変化し、従ってガスの流出量を連
続的に調整できる。一般に、プラズマ重合等では、真空
反応容器１内の圧力が低い方が硬い膜が得られるという
性質がある。このため、シャッター12を回転させて第６
図に示すように成膜停止前に低圧出処理することによ
り、膜の表層のみ硬い、２層膜を成膜することができた
（高周波電力 300W、モノマー＋キャリアガス80cc
m）。
回転につれてシャワー電極７におけるガス流出孔６の有
効孔面積6Aが連続的に変化し、従ってガスの流出量を連
続的に調整できる。一般に、プラズマ重合等では、真空
反応容器１内の圧力が低い方が硬い膜が得られるという
性質がある。このため、シャッター12を回転させて第６
図に示すように成膜停止前に低圧出処理することによ
り、膜の表層のみ硬い、２層膜を成膜することができた
（高周波電力 300W、モノマー＋キャリアガス80cc
m）。
第７図及び第８図は本発明の第３実施例を示したもので
ある。本実施例のシャワー電極４においては、第７図に
示すように大小の円形のガス流出孔６を設けたシャワー
電極板７の裏側に、第８図に示すような三角形のスリッ
ト状をしたガス通過孔15を有するシャッター12を設けた
構造になっている。そのたの構成は第１実施例と同様に
なっている。
ある。本実施例のシャワー電極４においては、第７図に
示すように大小の円形のガス流出孔６を設けたシャワー
電極板７の裏側に、第８図に示すような三角形のスリッ
ト状をしたガス通過孔15を有するシャッター12を設けた
構造になっている。そのたの構成は第１実施例と同様に
なっている。
このようなシャワー電極４においては、成膜中にシャッ
ター12をゆっくり回転させることにより、シャワー電極
板７のガス流出孔６のパターンを第９図に示す第１のパ
ターンから第10図に示す第２のパターンに変化させるこ
とができる。第９図に示す第１のパターンのときには第
11図に示すような膜厚分布を基板３に得ることができ、
第10図に示す第２のパターンのときは第12図に示すよう
な膜厚分布を得ることができる。このため、シャッター
12の回転により第13図に示すような膜厚分布を合成する
ことができた（圧力0.1Torr、他の条件は第２実施例と
同様）。第13図の場合の膜は、基板３の95％にわたって
±８％の均一性が得られた。
ター12をゆっくり回転させることにより、シャワー電極
板７のガス流出孔６のパターンを第９図に示す第１のパ
ターンから第10図に示す第２のパターンに変化させるこ
とができる。第９図に示す第１のパターンのときには第
11図に示すような膜厚分布を基板３に得ることができ、
第10図に示す第２のパターンのときは第12図に示すよう
な膜厚分布を得ることができる。このため、シャッター
12の回転により第13図に示すような膜厚分布を合成する
ことができた（圧力0.1Torr、他の条件は第２実施例と
同様）。第13図の場合の膜は、基板３の95％にわたって
±８％の均一性が得られた。
なお、シャッター12の操作はモータによらず、手動で回
転軸16を回転して行うこともできる。
転軸16を回転して行うこともできる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係るプラズマCVD装置用シ
ャワー電極においては、ガス分配室内にシャッターを設
けて、該シャッターを操作手段により操作できるように
したので、シャワー電極板の各ガス流出孔をすべて瞬間
的に閉じることができ、原料ガスの遮断を瞬間的に行う
ことができる。従って、成膜が終った後のガス切れが良
くなり、プラズマ・オフにする時に原料ガスが流出しな
いようにすることができ、プラズマオフ時に不安定な膜
ができる問題点を解決できる。
ャワー電極においては、ガス分配室内にシャッターを設
けて、該シャッターを操作手段により操作できるように
したので、シャワー電極板の各ガス流出孔をすべて瞬間
的に閉じることができ、原料ガスの遮断を瞬間的に行う
ことができる。従って、成膜が終った後のガス切れが良
くなり、プラズマ・オフにする時に原料ガスが流出しな
いようにすることができ、プラズマオフ時に不安定な膜
ができる問題点を解決できる。
第１図は本発明に係るプラズマCVD装置用シャワー電極
の第１実施例を示す縦断面図、第２図（Ａ）（Ｂ）は従
来と本発明のシャワー電極によるガス遮断特性図、第３
図及び第４図は本発明の第２実施例のシャワー電極板と
シャッターの各正面図、第５図は第２実施例におけるガ
ス流出孔とガス通過孔との関係を示す説明図、第６図は
第２実施例におけるガス圧の調整状態を示すガス圧特性
図、第７図及び第８図は本発明の第３実施例のシャワー
電極板とシャッターの各正面図、第９図及び第10図は第
３実施例出シャッターを回転させることにより得られる
シャワー電極板のガス流出孔の第1,第２のパターン図、
第11図及び第12図は第1,第２のパターンで得られる膜厚
分布図、第13図は第1,第２のパターンを組合せたときの
膜厚分布図、第14図は従来のプラズマCVD装置の縦断面
図である。 １……真空反応容器、２……基板ヒータ、３……基板、
４……シャワー電極、５……プラズマ電源、６……ガス
流出孔、７……シャワー電極板、８……ガス分配室、９
……分配室形成体、12……シャッター、15……ガス通過
孔、16……回転軸、17……軸受兼シール部、18……モー
タ、19……シャッター操作手段。
の第１実施例を示す縦断面図、第２図（Ａ）（Ｂ）は従
来と本発明のシャワー電極によるガス遮断特性図、第３
図及び第４図は本発明の第２実施例のシャワー電極板と
シャッターの各正面図、第５図は第２実施例におけるガ
ス流出孔とガス通過孔との関係を示す説明図、第６図は
第２実施例におけるガス圧の調整状態を示すガス圧特性
図、第７図及び第８図は本発明の第３実施例のシャワー
電極板とシャッターの各正面図、第９図及び第10図は第
３実施例出シャッターを回転させることにより得られる
シャワー電極板のガス流出孔の第1,第２のパターン図、
第11図及び第12図は第1,第２のパターンで得られる膜厚
分布図、第13図は第1,第２のパターンを組合せたときの
膜厚分布図、第14図は従来のプラズマCVD装置の縦断面
図である。 １……真空反応容器、２……基板ヒータ、３……基板、
４……シャワー電極、５……プラズマ電源、６……ガス
流出孔、７……シャワー電極板、８……ガス分配室、９
……分配室形成体、12……シャッター、15……ガス通過
孔、16……回転軸、17……軸受兼シール部、18……モー
タ、19……シャッター操作手段。
Claims (3)
- 【請求項１】多数のガス流出孔を分散して設けたシャワ
ー電極板と、前記シャワー電極板の裏側にガス分配室を
形成して該ガス分配室に供給されるガスを前記各ガス流
出孔に分配する分配室形成体とを備えたプラズマCVD装
置用シャワー電極において、前記ガス分配室内に前記各
ガス流出孔を開閉するシャッターが設けられ、前記シャ
ッターにはこれを操作するための操作手段が接続されて
いることを特徴とするプラズマCVD装置用シャワー電
極。 - 【請求項２】前記シャッターは板からなり、前記板には
前記シャワー電極板の前記ガス流出孔の大きさを連続的
に変化させる孔が設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のプラズマCVD装置用シャワー電
極。 - 【請求項３】前記シャッターは板からなり、前記板には
前記シャワー電極の前記ガス流出孔の孔パターンを変更
する孔が設けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のプラズマCVD装置用シャワー電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31569087A JPH0689457B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31569087A JPH0689457B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156477A JPH01156477A (ja) | 1989-06-20 |
| JPH0689457B2 true JPH0689457B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=18068385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31569087A Expired - Fee Related JPH0689457B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689457B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101157395B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-25 | 주식회사 테스 | 가스유압조절이 용이한 기판처리장치 |
| CN106350864A (zh) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3268866B2 (ja) * | 1993-02-08 | 2002-03-25 | 三洋電機株式会社 | 二次電池の充電方法 |
| JPH076961A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Nec Yamaguchi Ltd | プラズマ気相成長装置 |
| JPH0936050A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 常圧ｃｖｄ装置 |
| JP2008266794A (ja) * | 1997-09-10 | 2008-11-06 | Sony Corp | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
| JP4196138B2 (ja) * | 1997-09-10 | 2008-12-17 | ソニー株式会社 | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
| JP5964107B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-08-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US9818601B1 (en) | 2016-09-28 | 2017-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of processing substrate |
| KR102225657B1 (ko) * | 2019-11-14 | 2021-03-10 | 피에스케이 주식회사 | 배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31569087A patent/JPH0689457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101157395B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-25 | 주식회사 테스 | 가스유압조절이 용이한 기판처리장치 |
| CN106350864A (zh) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01156477A (ja) | 1989-06-20 |
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