JPS6117151A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6117151A JPS6117151A JP13833284A JP13833284A JPS6117151A JP S6117151 A JPS6117151 A JP S6117151A JP 13833284 A JP13833284 A JP 13833284A JP 13833284 A JP13833284 A JP 13833284A JP S6117151 A JPS6117151 A JP S6117151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- gas
- cylindrical
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、円筒状基板上に放膜するためのプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
Ｄ装置に関する。
（従来技術）
プラズマＣＶＤ技術は、薄膜を比較的低温で成長できる
ことを特長とする成膜技術である。プラズマＣＶＤ技術
において、たと〜えば高周波放戴により反応ガスを放電
プラズマ状態におくことにより、反応ガスの化学結合は
低温で分解され、活性化された粒子が作り出され、そし
て、この活性化された粒子間の反応により、ＣＶＤ膜が
形成される。
ことを特長とする成膜技術である。プラズマＣＶＤ技術
において、たと〜えば高周波放戴により反応ガスを放電
プラズマ状態におくことにより、反応ガスの化学結合は
低温で分解され、活性化された粒子が作り出され、そし
て、この活性化された粒子間の反応により、ＣＶＤ膜が
形成される。
プラズマＣＶＤ膜の性質は、多数の因子に影響を受ける
。この因子には、生成温度、生成ガス比、生成圧力、電
極構造、反応容器構造、排気速度、生成ＲＦパワー、Ｒ
Ｆ周波数、プラズマ発生方式等がある。したがって、プ
ラズマＣＶＤ膜の成膜のためには、多くの因子を制御せ
ねばならない。
。この因子には、生成温度、生成ガス比、生成圧力、電
極構造、反応容器構造、排気速度、生成ＲＦパワー、Ｒ
Ｆ周波数、プラズマ発生方式等がある。したがって、プ
ラズマＣＶＤ膜の成膜のためには、多くの因子を制御せ
ねばならない。
プラズマＣＶＤ技術は、種々の物質の成膜に利用されて
いて、たとえば非晶質シリコン（ａ−８ｉ）を成膜する
こともできる。ａ−８ｉは、電子写真用感光体としても
適している。電子写真用感光体として使用する場合、ａ
−８ｉ膜は、大面積の円筒状基板上に、比較的厚く（２
０〜５０μｍ）、且つ、均一に成膜されねばならない。
いて、たとえば非晶質シリコン（ａ−８ｉ）を成膜する
こともできる。ａ−８ｉは、電子写真用感光体としても
適している。電子写真用感光体として使用する場合、ａ
−８ｉ膜は、大面積の円筒状基板上に、比較的厚く（２
０〜５０μｍ）、且つ、均一に成膜されねばならない。
第５図は、従来のａ−８ｉ用プラズマＣＶＤ装置の一例
を図式的に示す。アルミニウム円筒からなる基板１は、
その軸の周りに回転可能に、円筒状の電極２の内部に設
けられる。電極２は、この基板１と軸を共通に配置され
た二枚の円筒板２ａ、 ２ｂからなり、ガス室３かこの
二枚の円筒板２ａ、 ２ｂにより区画される。外側の円
筒板２ａには、図示しないガス供給装置から原料ガスを
導入するための導入口４が設けられ、一方、内側の円筒
板？１）には、この円筒板２ｂの内部の空間（放電領域
）に原料ガスを導入するための図示しない多数の小さな
供給口が設けられる。チャンバー（真空槽）５は、電極
２、上部５ａ、下部５ｂとからなり、上部５ａと下部５
ｂとは、電極２に対して絶縁されている。
を図式的に示す。アルミニウム円筒からなる基板１は、
その軸の周りに回転可能に、円筒状の電極２の内部に設
けられる。電極２は、この基板１と軸を共通に配置され
た二枚の円筒板２ａ、 ２ｂからなり、ガス室３かこの
二枚の円筒板２ａ、 ２ｂにより区画される。外側の円
筒板２ａには、図示しないガス供給装置から原料ガスを
導入するための導入口４が設けられ、一方、内側の円筒
板？１）には、この円筒板２ｂの内部の空間（放電領域
）に原料ガスを導入するための図示しない多数の小さな
供給口が設けられる。チャンバー（真空槽）５は、電極
２、上部５ａ、下部５ｂとからなり、上部５ａと下部５
ｂとは、電極２に対して絶縁されている。
チャンバー５内に上記の供給口から導入されるガスは、
チャンバー５の下部か呟排気口６を介して真空ポンプ７
により排気される。ＲＦ電源８は、導入口４を介して電
極２に接続され、一方、基板１は、接地される。図示し
ないか、ヒーターは、それぞれ、基板１と電極２に取り
付けられ、ヒーター用電源に接続される。
チャンバー５の下部か呟排気口６を介して真空ポンプ７
により排気される。ＲＦ電源８は、導入口４を介して電
極２に接続され、一方、基板１は、接地される。図示し
ないか、ヒーターは、それぞれ、基板１と電極２に取り
付けられ、ヒーター用電源に接続される。
プラズマＣＶＤによるａ−８ｉの成膜は、次のように行
われる。パッシェン則か呟自続放電開始報参照）では、
排気口６は、−個所のみに、通常は真空槽の下端部に設
けられている。このため、基板１と電極２との開め放電
領域にあるガスは、排気口６に近い側からは流れ出てい
くが、一方、排気口に遠い側からは流れ出にくく、基板
１の排気口から遠い側の端部近傍において（第５図と第
６図とにおいて、Ｐで示す。）、ガスの滞留が生しやす
い。また、基板１と電極２との端部には、その構造のた
め、不均一電界による放電の集中部が生じる。このガス
の滞留は、放電の集中と相まって、ガス滞留部Ｐの近傍
で、（ＳｉＨ２）ｎの微粉を発生させやすく、また、放
電集中部では膜を剥離させやすい。発生した剥離片や微
粉は、基板１と電極２との間の放電領域中のガスの流れ
にのり、基板１上の膜中に取り込まれ、膜質を悪化させ
、このため、たとえば、電子写真における白斑点ノイズ
の原因となる。 また、特開昭５８−５２６５０号公
報の第４図に示されるプラズマＣＶＤ装置においては、
排気口は、基板の上下端から大略等しい位置に設けられ
ている。また、特開昭５９−７０７６０号公報に開示さ
れたプラズマＣＶＤ装置においては、同じく基板の上下
端がら大略等しい位置に二つの排気口が設けられている
。しがしなが呟後者の装置の電極は、ガス導入用のガス
室とガス排気口とからなる複雑な構造を備えており、電
極の製作が困難となる難点がある。
われる。パッシェン則か呟自続放電開始報参照）では、
排気口６は、−個所のみに、通常は真空槽の下端部に設
けられている。このため、基板１と電極２との開め放電
領域にあるガスは、排気口６に近い側からは流れ出てい
くが、一方、排気口に遠い側からは流れ出にくく、基板
１の排気口から遠い側の端部近傍において（第５図と第
６図とにおいて、Ｐで示す。）、ガスの滞留が生しやす
い。また、基板１と電極２との端部には、その構造のた
め、不均一電界による放電の集中部が生じる。このガス
の滞留は、放電の集中と相まって、ガス滞留部Ｐの近傍
で、（ＳｉＨ２）ｎの微粉を発生させやすく、また、放
電集中部では膜を剥離させやすい。発生した剥離片や微
粉は、基板１と電極２との間の放電領域中のガスの流れ
にのり、基板１上の膜中に取り込まれ、膜質を悪化させ
、このため、たとえば、電子写真における白斑点ノイズ
の原因となる。 また、特開昭５８−５２６５０号公
報の第４図に示されるプラズマＣＶＤ装置においては、
排気口は、基板の上下端から大略等しい位置に設けられ
ている。また、特開昭５９−７０７６０号公報に開示さ
れたプラズマＣＶＤ装置においては、同じく基板の上下
端がら大略等しい位置に二つの排気口が設けられている
。しがしなが呟後者の装置の電極は、ガス導入用のガス
室とガス排気口とからなる複雑な構造を備えており、電
極の製作が困難となる難点がある。
本発明の目的は、プラズマＣＶ Ｄ装置において、円筒
状基板の端部の近傍での力スの滞留をなくし、微粉の発
生を抑制するとともに、放電の集中部で膜の剥離が生じ
たとしても、膜剥離片をすみやかに放電領域から排出す
ることにより、膜質の悪化を防止することである。
状基板の端部の近傍での力スの滞留をなくし、微粉の発
生を抑制するとともに、放電の集中部で膜の剥離が生じ
たとしても、膜剥離片をすみやかに放電領域から排出す
ることにより、膜質の悪化を防止することである。
本発明は、上記の従来例とは異った構成でこの目的を達
成する。
成する。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係るプラズマＣＶ Ｄ装置は、真空槽内に、両
端が開口した円筒状電極とその内部に軸を共通にして回
転可能に設けた円筒状の基板とを配置し、電極の内周面
に設けた多数の開口から原料ガスを放出し、対向する基
板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置において、上記の円
筒状電極の両端開口の近傍にそれぞれ真空槽からの排気
口を設けたことを特徴とする。
端が開口した円筒状電極とその内部に軸を共通にして回
転可能に設けた円筒状の基板とを配置し、電極の内周面
に設けた多数の開口から原料ガスを放出し、対向する基
板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置において、上記の円
筒状電極の両端開口の近傍にそれぞれ真空槽からの排気
口を設けたことを特徴とする。
（作用）
基板と電極との両端近傍にそれぞれ排出口を設けたこと
により、ガスの滞留部がなくなり、ガスは、放電領域か
ら両端方向へ流れる。このため、微粉や剥離片は、基板
上の膜にとりこまれることがない。
により、ガスの滞留部がなくなり、ガスは、放電領域か
ら両端方向へ流れる。このため、微粉や剥離片は、基板
上の膜にとりこまれることがない。
（実施例）
以下、添付の図面を参照して、本発明の詳細な説明する
。
。
第１図に示す第一の実施例は、２個の排気口を設けたこ
と以外は、第５図に示した例と同じである。第一の排気
口６は、円筒状基板１とこれと軸を共通に配置した円筒
状電極２との両者の下端部の下側に設けられ、一方、第
二の排気口６゛は、上端部の上側に設けられる。各排気
口６，６゛は、それぞれ、排気調節弁９，９゛を介して
共通の真空ポンプ７に接続されている。ガスは、第１図
において矢印で示すように、導入口４からガス室３を経
て均一に混合拡散した後、電極２と基板１との間の放電
領域に吹き付けられ、次いで、上下の端部からそれぞれ
排出口６，６゛を経て排気される。
と以外は、第５図に示した例と同じである。第一の排気
口６は、円筒状基板１とこれと軸を共通に配置した円筒
状電極２との両者の下端部の下側に設けられ、一方、第
二の排気口６゛は、上端部の上側に設けられる。各排気
口６，６゛は、それぞれ、排気調節弁９，９゛を介して
共通の真空ポンプ７に接続されている。ガスは、第１図
において矢印で示すように、導入口４からガス室３を経
て均一に混合拡散した後、電極２と基板１との間の放電
領域に吹き付けられ、次いで、上下の端部からそれぞれ
排出口６，６゛を経て排気される。
排気調節バルブ９，９゛は、排気の流量を調整する。
第５図に示した従来の装置の場合と異なり、チャンバー
５の上端部でのガスの滞留はなくなり、微粉は発生しな
くなる。また、放電集中部で生じるａ Ｓｉ膜の剥離
片は、ガスの流れにのり、放電領域の外へ運ばれる。こ
うして、膜質異常の発生は防止できる。
５の上端部でのガスの滞留はなくなり、微粉は発生しな
くなる。また、放電集中部で生じるａ Ｓｉ膜の剥離
片は、ガスの流れにのり、放電領域の外へ運ばれる。こ
うして、膜質異常の発生は防止できる。
第２図に示す第二の実施例は、２個の排気口を設けたこ
と以外は、第６図に示した例と同じである。第一の排気
口６は、円筒状基板１とこれと軸を共通に配置した円筒
状電極２との両者の下端部の下側に設けられ、一方、第
二の排気口６゛は、上端部の上側に設けられる。排気口
６は、排気調節弁９を介して、真空ポンプ７に接続され
、一方、排気口６゛は、排気調節弁９゛を介して、別の
真空ポンプ７゛に接続される。第２図において、ガスは
、矢印で示されるように流れ、ガスの滞留は生じない。
と以外は、第６図に示した例と同じである。第一の排気
口６は、円筒状基板１とこれと軸を共通に配置した円筒
状電極２との両者の下端部の下側に設けられ、一方、第
二の排気口６゛は、上端部の上側に設けられる。排気口
６は、排気調節弁９を介して、真空ポンプ７に接続され
、一方、排気口６゛は、排気調節弁９゛を介して、別の
真空ポンプ７゛に接続される。第２図において、ガスは
、矢印で示されるように流れ、ガスの滞留は生じない。
第３図に示す第三の実施例は、第１図に示した第一の実
施例において、基板１と電極２とを水平に配置したこと
に相当する。一方の排気口６は、円筒状の基板１と電極
２の両者の右端部の下側近傍に設けられ、他方の排気口
６゛は、これと対称的に、左端部の下側近傍に設けられ
る。図示しないが、排気口６，６゛は、それぞれ、排気
調節弁を介して真空ポンプに接続される。第３図におい
て、ガスは、矢印で示されるように流れ、ガスの滞留は
生しない。
施例において、基板１と電極２とを水平に配置したこと
に相当する。一方の排気口６は、円筒状の基板１と電極
２の両者の右端部の下側近傍に設けられ、他方の排気口
６゛は、これと対称的に、左端部の下側近傍に設けられ
る。図示しないが、排気口６，６゛は、それぞれ、排気
調節弁を介して真空ポンプに接続される。第３図におい
て、ガスは、矢印で示されるように流れ、ガスの滞留は
生しない。
第４図に示す第四の実施例は、第２図に示した第二の実
施例において、基板１と電極２とを水平に配置したこと
に相当する。一方の排気口６は、円筒状の基板１と電極
２の両者の右端部の下側近傍に設けられ、他方の排気口
６゛は、これと対称的に、左端部の下側近傍に設けられ
る。図示しないが、排気口６，６゛は、それぞれ、排気
調節弁を介して真空ポンプに接続される。第４図におい
て、ガスは、矢印で示されるように流れ、ガスの滞留は
生巳ない。
施例において、基板１と電極２とを水平に配置したこと
に相当する。一方の排気口６は、円筒状の基板１と電極
２の両者の右端部の下側近傍に設けられ、他方の排気口
６゛は、これと対称的に、左端部の下側近傍に設けられ
る。図示しないが、排気口６，６゛は、それぞれ、排気
調節弁を介して真空ポンプに接続される。第４図におい
て、ガスは、矢印で示されるように流れ、ガスの滞留は
生巳ない。
（発明の効果）
円筒状基板の端部近傍でのガスの滞留はなくなる。この
ため、微粉の発生が防止でとる。
ため、微粉の発生が防止でとる。
放電の集中により生じる膜の剥離片は、ガスの流れにの
って運ばれるので、基板上の膜にはとりこまれない。
って運ばれるので、基板上の膜にはとりこまれない。
この結果、基板上の膜の両端での成膜性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図から第４図までは、それぞれ、本発明の実施例の
図式的な断面図である。 第５図と第６図とは、それぞれ、従来のプラズマＣＶＤ
装置の図式的な断面図である。 １・・・円筒状基板、 ２・・・円筒状電極、３
・・・ガス室、 ４・・・導入口、５・・・
チャンバー、 ６，６゛・・・排気口、７．７゛
・・・真空ポンプ、 訃・・ＲＦ電源。 第３因 ６′ 第４図 第５図
図式的な断面図である。 第５図と第６図とは、それぞれ、従来のプラズマＣＶＤ
装置の図式的な断面図である。 １・・・円筒状基板、 ２・・・円筒状電極、３
・・・ガス室、 ４・・・導入口、５・・・
チャンバー、 ６，６゛・・・排気口、７．７゛
・・・真空ポンプ、 訃・・ＲＦ電源。 第３因 ６′ 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）真空槽内に、両端が開口した円筒状電極とその内
部に軸を共通にして回転可能に設けた円筒状の基板とを
配置し、電極の内周面に設けた多数の開口から原料ガス
を放出し、対向する基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装
置において、上記の円筒状電極の両端開口の近傍に、そ
れぞれ真空槽からの排気口を設けたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13833284A JPS6117151A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13833284A JPS6117151A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117151A true JPS6117151A (ja) | 1986-01-25 |
Family
ID=15219428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13833284A Pending JPS6117151A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6117151A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839145A (en) * | 1986-08-27 | 1989-06-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Chemical vapor deposition reactor |
| US6312526B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-11-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2009031520A1 (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子 |
| WO2002084709A3 (en) * | 2001-04-10 | 2012-02-16 | Supercritical Systems Inc. | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features |
| US20120240348A1 (en) * | 2002-03-28 | 2012-09-27 | Kazuyuki Okuda | Substrate processing apparatus |
| US20160047046A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| WO2018039578A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Low pressure lift pin cavity hardware |
| US10422035B2 (en) * | 2012-12-18 | 2019-09-24 | Tokyo Electron Limited | Thin film forming method and thin film forming appartus |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13833284A patent/JPS6117151A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839145A (en) * | 1986-08-27 | 1989-06-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Chemical vapor deposition reactor |
| US6312526B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-11-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device |
| US6638880B2 (en) | 1999-06-03 | 2003-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2002084709A3 (en) * | 2001-04-10 | 2012-02-16 | Supercritical Systems Inc. | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features |
| US20120240348A1 (en) * | 2002-03-28 | 2012-09-27 | Kazuyuki Okuda | Substrate processing apparatus |
| US8366868B2 (en) * | 2002-03-28 | 2013-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| WO2009031520A1 (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子 |
| EP2202785A4 (en) * | 2007-09-04 | 2010-11-10 | Sharp Kk | PLASMA TREATMENT DEVICE, PLASMA TREATMENT METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| US8395250B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-03-12 | Kabushiki Kaisha Sharp | Plasma processing apparatus with an exhaust port above the substrate |
| US10422035B2 (en) * | 2012-12-18 | 2019-09-24 | Tokyo Electron Limited | Thin film forming method and thin film forming appartus |
| US20160047046A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| US9920425B2 (en) * | 2014-08-13 | 2018-03-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| WO2018039578A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Low pressure lift pin cavity hardware |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100229704B1 (ko) | 균일한 기체흐름 패턴을 위한 배출배플 | |
| US8236106B2 (en) | Shower head and substrate processing apparatus | |
| JPS6117151A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| WO2021055990A1 (en) | Ald cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping | |
| JPH0473289B2 (ja) | ||
| CN113205995B (zh) | 气体分配装置、等离子体处理装置、方法及半导体结构 | |
| JPH02234419A (ja) | プラズマ電極 | |
| JPS61110768A (ja) | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 | |
| JP2550037B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6353932A (ja) | 半導体ウエハ−の薄膜成長装置 | |
| JP3498255B2 (ja) | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH02184022A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| JPH0565590B2 (ja) | ||
| JPS62210623A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
| JPH032377A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6115974A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02200784A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| JPS60123033A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6115977A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH04211115A (ja) | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置ならびに該装置による薄膜形成方法 | |
| JPS5974632A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS5832413A (ja) | グロ−放電による膜形成装置 | |
| JPS61174634A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS60162777A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6115973A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |