JPH0689478B2 - 樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0689478B2 JPH0689478B2 JP58207555A JP20755583A JPH0689478B2 JP H0689478 B2 JPH0689478 B2 JP H0689478B2 JP 58207555 A JP58207555 A JP 58207555A JP 20755583 A JP20755583 A JP 20755583A JP H0689478 B2 JPH0689478 B2 JP H0689478B2
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- resin
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は樹脂封止半導体装置の製造方法に関するもの
である。
である。
（技術的背景） 従来、樹脂封止半導体集積回路装置（以下ICという）の
製造に際して、特にリードフレームに生ずる後記各種問
題を回避すべくメッキ処理を行っているが、該メッキ
は、主としてその素材、例えばFe−Ni合金に直接Auまた
はAgなどの貴金属メッキを経済性を考慮して必要部分に
部分的に行っていた。ここで部分メッキとは、具体的に
は例えば第１図のアイランド１と、リードポスト部分と
いわれるリード２の先端部2aに、IC組立上必要最小限の
メッキ処理することを意味する。また、上記Agメッキの
場合予めCuメッキの下地メッキ上にAgメッキを行うこと
もあった。
製造に際して、特にリードフレームに生ずる後記各種問
題を回避すべくメッキ処理を行っているが、該メッキ
は、主としてその素材、例えばFe−Ni合金に直接Auまた
はAgなどの貴金属メッキを経済性を考慮して必要部分に
部分的に行っていた。ここで部分メッキとは、具体的に
は例えば第１図のアイランド１と、リードポスト部分と
いわれるリード２の先端部2aに、IC組立上必要最小限の
メッキ処理することを意味する。また、上記Agメッキの
場合予めCuメッキの下地メッキ上にAgメッキを行うこと
もあった。
ところで、かかる部分にメッキを行ったリードフレーム
を用いて、1Cを組立て樹脂封止を行った第２図の如き樹
脂封止半導体装置の外殻３から突出する外部導出リード
２には、上記組立工程中にその表面に酸化皮膜が生成さ
れることが多い。即ち、半導体素子５をアイランド１に
固定する際に使用されるAu−Si共晶ボンディング、また
は、金属粉末入りエポキシ樹脂ペースト等によるダイボ
ンドに際しての高温加熱、及び上記封止樹脂を硬化させ
る為のベーキング加熱温度は、概ね150℃〜500℃にも達
し、該リード２がかかる高温下にさらされることにより
その表面に酸化皮膜が生成される。又更にこのリード２
には、上記樹脂封止の際に用いる樹脂封止用金型と、リ
ードフレーム間にわずかな隙間があり、圧入される封止
樹脂の該間隙からの小量の浸出に起因して該リード２と
封止樹脂外殻３との界面部分６のリード表面に、封止樹
脂の浸出皮膜７、所謂モールドフラッシュが形成される
のが避けられない。
を用いて、1Cを組立て樹脂封止を行った第２図の如き樹
脂封止半導体装置の外殻３から突出する外部導出リード
２には、上記組立工程中にその表面に酸化皮膜が生成さ
れることが多い。即ち、半導体素子５をアイランド１に
固定する際に使用されるAu−Si共晶ボンディング、また
は、金属粉末入りエポキシ樹脂ペースト等によるダイボ
ンドに際しての高温加熱、及び上記封止樹脂を硬化させ
る為のベーキング加熱温度は、概ね150℃〜500℃にも達
し、該リード２がかかる高温下にさらされることにより
その表面に酸化皮膜が生成される。又更にこのリード２
には、上記樹脂封止の際に用いる樹脂封止用金型と、リ
ードフレーム間にわずかな隙間があり、圧入される封止
樹脂の該間隙からの小量の浸出に起因して該リード２と
封止樹脂外殻３との界面部分６のリード表面に、封止樹
脂の浸出皮膜７、所謂モールドフラッシュが形成される
のが避けられない。
そして又、IC完成品のリード部２は、基板搭載時のハン
ダ付け性、及び電気的接触性の向上、更に該リードフレ
ーム素材の腐食防止等を目的として、ハンダメッキ、Sn
メッキ、ハンダディップ（溶融ハンダメッキ）等各種の
リード表面処理が施される。
ダ付け性、及び電気的接触性の向上、更に該リードフレ
ーム素材の腐食防止等を目的として、ハンダメッキ、Sn
メッキ、ハンダディップ（溶融ハンダメッキ）等各種の
リード表面処理が施される。
かかる表面処理に際して上記樹脂皮膜いわゆるフラッシ
ュは、上記処理作業を阻害する原因となるのでこれを予
め除去しなければならず、例えばホーニング処理、又は
ワイヤブラシによる削り取り処理を行っている。そして
各種酸、例えば塩酸、硫酸等および金属表面化学研摩液
処理等によって、該リードフレーム素材上に残っている
酸化皮膜を除去した後上述のいずれかの表面処理を行っ
ていた。しかし樹脂外殻３には、封止樹脂の収縮に伴な
う該樹脂のリード２からの剥離による隙間が生じ、この
隙間に対しては、上記表面処理による金属が入り込ま
ず、必ずしも該金属では完全に被覆保護されずに、リー
ドフレーム素材の一部露出部分の発生が免れなかった。
特に、該隙間に酸処理での処理液が入り込んだ状態で
は、著しく腐食を生じ易い欠点も免がれなかった。そし
て又、上記リード表面処理工程の前処理であるホーニン
グ処理、酸洗浄及び金属表面の化学研摩処理等は、著し
くわずらわしい工程であり、作業性及び経済性の点でも
その改善が強く望まれていた。
ュは、上記処理作業を阻害する原因となるのでこれを予
め除去しなければならず、例えばホーニング処理、又は
ワイヤブラシによる削り取り処理を行っている。そして
各種酸、例えば塩酸、硫酸等および金属表面化学研摩液
処理等によって、該リードフレーム素材上に残っている
酸化皮膜を除去した後上述のいずれかの表面処理を行っ
ていた。しかし樹脂外殻３には、封止樹脂の収縮に伴な
う該樹脂のリード２からの剥離による隙間が生じ、この
隙間に対しては、上記表面処理による金属が入り込ま
ず、必ずしも該金属では完全に被覆保護されずに、リー
ドフレーム素材の一部露出部分の発生が免れなかった。
特に、該隙間に酸処理での処理液が入り込んだ状態で
は、著しく腐食を生じ易い欠点も免がれなかった。そし
て又、上記リード表面処理工程の前処理であるホーニン
グ処理、酸洗浄及び金属表面の化学研摩処理等は、著し
くわずらわしい工程であり、作業性及び経済性の点でも
その改善が強く望まれていた。
（発明の目的） この発明は、半導体装置の製造に際して、特に上記リー
ド基部のリードフレーム素材の露出による上述の諸問題
を解決すると共に、上記作業性及び経済性に優れた半導
体装置の製造方法を提供しようとするものである。
ド基部のリードフレーム素材の露出による上述の諸問題
を解決すると共に、上記作業性及び経済性に優れた半導
体装置の製造方法を提供しようとするものである。
（発明の概要） この発明は、半導体装置を得るに際して、特に上述の部
分的な貴金属メッキに先立って、封止樹脂から導出され
たリードフレーム部分に、予めSn−Ni合金メッキを行う
ことを特徴とする方法である。
分的な貴金属メッキに先立って、封止樹脂から導出され
たリードフレーム部分に、予めSn−Ni合金メッキを行う
ことを特徴とする方法である。
以下更に詳細に本発明を説明する。
第４図に本発明方法により得られた部分メッキされたリ
ードフレームの断面図を示す。図において11はアイラン
ド、20はリードフレーム、８は、本発明による予め被覆
されたSn−Ni合金メッキ層、９は部分貴金属メッキ層で
ある。即ち図の例の場合の本発明は、リードフレームの
必要最小限の部分、すなわち樹脂封止予定のない領域
（外部導出リード）にSn−Ni合金をメッキした後従来と
同一部分に貴金属の部分メッキを行ったものである。
ードフレームの断面図を示す。図において11はアイラン
ド、20はリードフレーム、８は、本発明による予め被覆
されたSn−Ni合金メッキ層、９は部分貴金属メッキ層で
ある。即ち図の例の場合の本発明は、リードフレームの
必要最小限の部分、すなわち樹脂封止予定のない領域
（外部導出リード）にSn−Ni合金をメッキした後従来と
同一部分に貴金属の部分メッキを行ったものである。
この発明におけるSn−Ni合金メッキの組成は、特にSn含
有量が60％前後が好ましいがこれに限定されず、また該
Sn−Ni合金メッキは、リード20の必要最小限の部分のみ
にメッキすれば、樹脂封止されたリードの表面は、その
加熱により酸化被膜が生成されるので、 封止樹脂は、酸化皮膜と密着されることから、全面メ
ッキの場合における封止樹脂とSn−Ni合金との密着に比
べて高い密着性が得られ、 また、リードフレームの半導体チップの固着部および
半導体チップとの電気的接続部（例えばワイヤボンディ
ングされるリード内側の先端部）に例えばAuがメッキさ
れた場合でも、全面メッキの場合におけるAuとSn−Ni合
金との共晶による固着力の低下或いは不安定化なる問題
が生じず、 更に、このAuとSn−Ni合金との共晶問題を回避するた
めにAuとSn−Ni合金との間に共晶を防止するためのバリ
ア層を形成する必要もなく、 加えて、AuからSn−Ni合金との共晶問題のないAgペー
ストに変更する必要もなく、もって材料選択の自由度が
全面メッキの場合に比べ大きいなどの効果があるもので
ある。但し、比較的安価なメッキ金属であることから全
面メッキが経済的である。
有量が60％前後が好ましいがこれに限定されず、また該
Sn−Ni合金メッキは、リード20の必要最小限の部分のみ
にメッキすれば、樹脂封止されたリードの表面は、その
加熱により酸化被膜が生成されるので、 封止樹脂は、酸化皮膜と密着されることから、全面メ
ッキの場合における封止樹脂とSn−Ni合金との密着に比
べて高い密着性が得られ、 また、リードフレームの半導体チップの固着部および
半導体チップとの電気的接続部（例えばワイヤボンディ
ングされるリード内側の先端部）に例えばAuがメッキさ
れた場合でも、全面メッキの場合におけるAuとSn−Ni合
金との共晶による固着力の低下或いは不安定化なる問題
が生じず、 更に、このAuとSn−Ni合金との共晶問題を回避するた
めにAuとSn−Ni合金との間に共晶を防止するためのバリ
ア層を形成する必要もなく、 加えて、AuからSn−Ni合金との共晶問題のないAgペー
ストに変更する必要もなく、もって材料選択の自由度が
全面メッキの場合に比べ大きいなどの効果があるもので
ある。但し、比較的安価なメッキ金属であることから全
面メッキが経済的である。
本発明方法において、必要部分にSn−Ni合金によるメッ
キ８が施され、そのメッキ層上に貴金属の部分メッキ９
が施されたリード20は、該Sn−Ni合金メッキが、具体的
に約300℃の恒温放置５時間後にも全く酸化等による変
色が生じない。従って、そのまま該リードにフラックス
を塗布し、例えばハンダディップ槽内にディッピングす
ることによりリードの全長面積の95％〜100％にハンダ
が付着する等良好なハンダ付着性を示すことが確認され
た。
キ８が施され、そのメッキ層上に貴金属の部分メッキ９
が施されたリード20は、該Sn−Ni合金メッキが、具体的
に約300℃の恒温放置５時間後にも全く酸化等による変
色が生じない。従って、そのまま該リードにフラックス
を塗布し、例えばハンダディップ槽内にディッピングす
ることによりリードの全長面積の95％〜100％にハンダ
が付着する等良好なハンダ付着性を示すことが確認され
た。
（実施例） Sn含量60％の組成のSn−Ni合金のメッキを必要最小限の
部分、すなわち樹脂封止予定のない領域（外部導出リー
ド）に行い、常法の如くしてAgによる部分貴金属メッキ
を行った第４図の如きリードフレームを得、これをAgペ
ーストを用いてIC組立を行った。上記Agペーストによる
ダイボンディングに際し、Agペーストの硬化は150℃×
１時間の熱処理、その後200℃×２時間のベーキングを
行った。そして以下通常の如くワイヤーボンディング、
及び樹脂封止を行ない、最後に該封止樹脂を完全に硬化
させる目的で、150℃×４時間〜５時間エージングさ
せ、フレームを切断して第２図の如き加工を行ないICを
完成させた。
部分、すなわち樹脂封止予定のない領域（外部導出リー
ド）に行い、常法の如くしてAgによる部分貴金属メッキ
を行った第４図の如きリードフレームを得、これをAgペ
ーストを用いてIC組立を行った。上記Agペーストによる
ダイボンディングに際し、Agペーストの硬化は150℃×
１時間の熱処理、その後200℃×２時間のベーキングを
行った。そして以下通常の如くワイヤーボンディング、
及び樹脂封止を行ない、最後に該封止樹脂を完全に硬化
させる目的で、150℃×４時間〜５時間エージングさ
せ、フレームを切断して第２図の如き加工を行ないICを
完成させた。
ここで、上述した従来のリードフレームを同様の工程で
組立、樹脂封止した後、上記の酸化皮膜、フラッシュ等
を除去しないままのものを得、上記本発明品と比較して
ハンダディップを行いハンダ付着性を調べた。尚このハ
ンダ付着性テストは、ハンダ槽温度250℃、ディッピン
グ時間５秒の条件で行った。実施例品は、Sn−Ni合金メ
ッキされた全表面積に対して平均95％〜100％のハンダ
付着性であったのに対し、従来品はこれが20〜50％と著
しく低く、本発明の良好なハンダ付着性が確認された。
同様にして、上記Sn−Ni合金メッキに代えてNiメッキを
用いたが、これはリードのSn−Ni合金メッキされた全表
面積に対して平均50〜70％のハンダ付着性であった。
組立、樹脂封止した後、上記の酸化皮膜、フラッシュ等
を除去しないままのものを得、上記本発明品と比較して
ハンダディップを行いハンダ付着性を調べた。尚このハ
ンダ付着性テストは、ハンダ槽温度250℃、ディッピン
グ時間５秒の条件で行った。実施例品は、Sn−Ni合金メ
ッキされた全表面積に対して平均95％〜100％のハンダ
付着性であったのに対し、従来品はこれが20〜50％と著
しく低く、本発明の良好なハンダ付着性が確認された。
同様にして、上記Sn−Ni合金メッキに代えてNiメッキを
用いたが、これはリードのSn−Ni合金メッキされた全表
面積に対して平均50〜70％のハンダ付着性であった。
次に本発明の上述したSn−Ni合金メッキ層を形成したサ
ンプルの例えばNi及びSn層に対する耐蝕性を調べるべ
く、各同一形状サンプルを各種酸等に30℃、24時間浸漬
し、その重量減少量を調べ結果を下表に示した。この表
によれば、Sn−Ni合金によるメッキ層が著しく良好な耐
蝕性を示すことが確認された。
ンプルの例えばNi及びSn層に対する耐蝕性を調べるべ
く、各同一形状サンプルを各種酸等に30℃、24時間浸漬
し、その重量減少量を調べ結果を下表に示した。この表
によれば、Sn−Ni合金によるメッキ層が著しく良好な耐
蝕性を示すことが確認された。
以上、この発明を半導体装置のリード即ちリボンのメッ
キの場合について説明したが、他にセラミックパッケー
ジのリードのメッキ方法についても同様に適用できる。
即ち、該リードの同様にFe−Ni合金からなり、通常Niメ
ッキを行ないその上に金メッキを行っている。従って、
かかるFe−Ni合金のリード端子に上記と同様にして直接
Ni−Sn合金メッキ、具体的には電解メッキで容易にメッ
キ層厚３〜５μを形成することができる。
キの場合について説明したが、他にセラミックパッケー
ジのリードのメッキ方法についても同様に適用できる。
即ち、該リードの同様にFe−Ni合金からなり、通常Niメ
ッキを行ないその上に金メッキを行っている。従って、
かかるFe−Ni合金のリード端子に上記と同様にして直接
Ni−Sn合金メッキ、具体的には電解メッキで容易にメッ
キ層厚３〜５μを形成することができる。
かかる適用により該リードの組立工程において、熱履歴
による変色を防止でき、更に良好な半田付着性が得ら
れ、高価な金の使用量を低減し、更に有害なシアン廃液
を激減させ得る。
による変色を防止でき、更に良好な半田付着性が得ら
れ、高価な金の使用量を低減し、更に有害なシアン廃液
を激減させ得る。
又上述の従来例の説明のごとく、Agメッキの場合、予め
Cuメッキの下地メッキ上に行うようにしても良い。
Cuメッキの下地メッキ上に行うようにしても良い。
（発明の効果） 本発明は上記のように樹脂封止半導体装置を得るに際し
て、そのリード部の樹脂封止部より導出する部分がSn−
Ni合金メッキで被覆されたものを組立てることになり、
上述の封止樹脂外殻から突出したリードとの界面部分
に、素材Fe−Ni合金の露出に起因する腐食発生を減少さ
せることができ、その耐食性が著しく向上する。
て、そのリード部の樹脂封止部より導出する部分がSn−
Ni合金メッキで被覆されたものを組立てることになり、
上述の封止樹脂外殻から突出したリードとの界面部分
に、素材Fe−Ni合金の露出に起因する腐食発生を減少さ
せることができ、その耐食性が著しく向上する。
又、上記のホーニング、各種酸処理及び化学研摩液によ
る前処理工程が省略でき、作業性が向上するばかりでな
くコストを低下させ、かつ信頼性の高い半導体装置を得
ることができる等その工業的利用価値は極めて高い。
る前処理工程が省略でき、作業性が向上するばかりでな
くコストを低下させ、かつ信頼性の高い半導体装置を得
ることができる等その工業的利用価値は極めて高い。
第１図は従来の部分メッキを施したリードフレームの平
面図、第２図はIC組立完成品の斜視図、第３図は第２図
のリード部分の拡大図、第４図は本発明方法による部分
メッキされたリードフレームの断面図である。 1,11…アイランド、2,20…リード、2a…リード先端メッ
キ部、３…封止樹脂外殻、５…半導体素子、６…界面
部、７…モールドフラッシュ、８…Sn−Niメッキ層、９
…部分貴金属メッキ。
面図、第２図はIC組立完成品の斜視図、第３図は第２図
のリード部分の拡大図、第４図は本発明方法による部分
メッキされたリードフレームの断面図である。 1,11…アイランド、2,20…リード、2a…リード先端メッ
キ部、３…封止樹脂外殻、５…半導体素子、６…界面
部、７…モールドフラッシュ、８…Sn−Niメッキ層、９
…部分貴金属メッキ。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップが固着される固着部と、 固着される半導体チップと電気的に接続されるリードと
を備えたリードフレームを準備する工程と、 前記リードフレームを加熱して前記固着部に前記半導体
チップを固着する工程と、 前記半導体チップと前記リードの一部とを樹脂封止する
工程とを備えた樹脂封止半導体装置の製造方法であっ
て、 前記樹脂封止工程で樹脂封止されない前記リードの他部
を成す外部導出リードの表面のみを、前記半導体チップ
の固着工程における加熱より前に、予めSn−Ni合金にて
メッキする工程を有することを特徴とする樹脂封止半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記メッキ工程によりSn−Ni合金メッキさ
れた外部導出リードを、前記樹脂封止工程の後に、金属
にて表面処理する工程を備えたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207555A JPH0689478B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207555A JPH0689478B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100695A JPS60100695A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH0689478B2 true JPH0689478B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=16541670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58207555A Expired - Lifetime JPH0689478B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689478B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150949A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | Nippon Chem Denshi Kk | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
| JPS6418749U (ja) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | ||
| JP4260826B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2009-04-30 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ用部品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529357B2 (ja) * | 1972-04-26 | 1977-03-15 | ||
| JPS5760097A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-10 | Hitachi Cable Ltd | Heat resistant silver coated conductor |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP58207555A patent/JPH0689478B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100695A (ja) | 1985-06-04 |
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