JPS6050343B2 - 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置製造用リードフレームに関し、特に
樹脂封止型半導体装置用リードフレームの構成に関する
ものである。

樹脂封止型の半導体装置のリードフレームは主として鉄
−ニッケル系合金および銅系合金から構成される。

これらの素材により構成されたリードフレームは半導体
素子を搭載する必要上、種々の表面処理を行なう必要が
あり従来はリードフレームの全表面に数〔μｍ〕の金（
Ａｕ）または銀（Ａｇ）めつきを施すことが行なわれて
きた。しかし全面銀めつきのリードフレームでは半導体
装置組立時、特に半導体素子接合時に大気中で加熱する
ため銀皮膜とリードフレーム素材との間に素材の酸化皮
膜を生成し、このため特に外部リード部のはんだ付け性
を著しく低下させることが多かつた。そのためおよび銀
のマイグレーションの問題をさけるために、通常組立封
止完了後樹脂封止部より露出している外部リード上の銀
皮膜を剥離し、スズ、鉛等のはんだ付け性の良いめつき
を行なう方法が行なわれていた。

一方、コストダウンの要請から、半導体素子を搭載固着
するステージ部および半導体素子の電極と電気的接続を
する接続細線（リード線）が接続される内部リード部に
のみ金または銀の部分めつきが行なわれるようになつた
。

しかしながら外部リード部にめつきを施さない部分めつ
きの場合には、半導体素子固着時の熱により該外部リー
ド部表面に生成した酸化皮膜の除去が必要であり、さら
に封止樹脂のバリが非常に多く出ることからバリ取りも
必要である。また、半導体装置の組立後にこのような表
面処理をウェットプロセスで行なうことは組立工程以ノ
前に一括して必要な表面処理工程を行なつておく方法に
比べて工程およびコスト面で無駄が多い。

本発明はこのような従来のリードフレームの構成に代え
て、より安価に構成されるリードフレームを提供しよう
とするものてある。５ このため本発明によれば、半導
体素子が固着されるステージ部、該半導体素子の電極か
ら導出されるリード線が接続される内部リード部、該内
部リード部から延長された外部接続リード部とを有する
半導体装置製造用リードフレームにおいて、前記ステー
ジ部及び内部リード部を構成する金属基体表面には銅、
銅合金あるいはナルミニウムのいずれかが被覆され、前
記外部接続リード部を構成する金属基体表面には半田付
け性の良好な被覆が施されてなることを特徴とする半導
体装置製造用リードフレームが提供される。

次に本発明を実施例をもつて詳細に説明する。

第１図は本発明による半導体装置製造用リードフレーム
を示す。第２図は第１図のａ−ａ″断面を示す。本実施
例にあつては、当該リードフレーム素材（基体）として
、鉄一ニッケル合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）が使用さ
れる。

図において１は半導体集積回路素子が搭載、固着される
ステージ、２は該ステージ１の周囲に配設され外部接続
リード部へ延在された内部リード、３は内部接続リード
２から延長された外部接続リードである。また４は封止
用樹脂の流れ止め用タイバー、５はリードフレーム外枠
である。本発明によれば、図において破線枠によつて囲
んだ樹脂封止部１のやや内側の内部リード部及び外部接
続リード部表面に半田付けの容易な金属例，えは錫（Ｓ
ｎ）６が厚さ４〔μｍ〕程に被覆される。

また一点鎖線枠によつて囲んだステージ部及びステージ
近傍の内部リード部■には例えば銅（Ｃｕ）７が厚さ２
〔μｍ〕程に被覆される。内部リードの他の部分は基体
が表出されたものとされこる。これら各被覆は周知のめ
つき法により行うことができる。このような本発明によ
るリードフレームは、その素材として前述の如く鉄−ニ
ッケル合金を用い、またその表面へ選択的に被覆される
金属層も３錫等の半田付け性の良好な金属及び銅のみて
ある。

したがつて、前記従来の如く貴金属の被覆処理がなされ
るリードフレームに比較して、価格を大幅に低下させる
ことができる。本発明によるリードフレームへの半導体
素子の４，搭載固着は、２００〔℃〕以下の低温で熱硬
化可能な樹脂例えば米国デュポン社製エポキシ樹脂５５
０４等を接着剤として、該半導体素子をステージ１上に
接着することにより行なうことができる。

また、該半導体素子の電極と内部リードとの接続は、金
線あるいはアルミニウム線等のリード線を超音波振動併
用の熱圧着によつて接続することにより行なうことがで
きる。かかる超音波振動併用の熱圧着法は２００〔℃〕
以下の低温でリード線接続作業を行うことができる。ノ
したがつて、本発明によるリードフレームにあつては
、前記錫被覆層６の融解、変色等を招かす良好な半田付
け性が維持される。

また本発明によるリードフレームにおいては、樹脂封止
部１内まで錫被覆層６が存在するために該錫が軟質であ
ることから封止樹脂との密着が良好で、両者のバッキン
グ効果が良好であり、樹脂封止の際発生する樹脂バリを
極めて少量にすることができる。

よつて本発明によるリードフレームにおいては、半導体
装置の組立て後に、リードフレーム表面の酸化皮膜の除
去、封止樹脂のバリ取り等のウェットプロセス等を必要
としない。

なお、本発明によるリードフレームにおいては半田付け
性の良好な金属６として、前記錫に代えて、鉛又は半田
を使用してもよい。

また、ステージ部及び該ステージ部近傍の内部リード部
の金属被覆７は銅被覆に代えて、銅合金被覆又はアルミ
ニウム被覆を施してもよい。

更にかかる金属被覆７は、内部リードのうち前記半田付
け性の良好な金属６に被覆されていない部分全体に施し
てもよい。また、かかる金属被覆７を金属基体の表面全
体に施し、半田付け性の良好な金属６を該金属被覆７上
の所望の領域に被覆してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるリードフレームの構成を示す平面
図、第２図は第１図のａ−ａ″断面である。 図において、１・・・・・・ステージ、２・・・・・・
内部リード、３・・・・・・外部接続リード、４・・・
・・・タイバー、５・・・リードフレーム外枠。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体素子が固着されるステージ部、該半導体素子
   の電極から導出されるリード線が接続される内部リード
   部、該内部リード部から延長された外部接続リード部と
   を有する半導体装置製造用リードフレームにおいて、前
   記ステージ部及び内部リード部を構成する金属基体表面
   には銅、銅合金あるいはアルミニウムのいずれかが被覆
   され、前記外部接続リード部を構成する金属基体表面に
   は半田付け性の良好な被覆が施されてなることを特徴と
   する半導体装置製造用リードフレーム。