JPH0689671A - 陰極線管装置 - Google Patents
陰極線管装置Info
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- JPH0689671A JPH0689671A JP23831892A JP23831892A JPH0689671A JP H0689671 A JPH0689671 A JP H0689671A JP 23831892 A JP23831892 A JP 23831892A JP 23831892 A JP23831892 A JP 23831892A JP H0689671 A JPH0689671 A JP H0689671A
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- Japan
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- shadow mask
- magnetic shield
- frame
- ray tube
- permeability
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 テレビなどに用いる陰極線管装置において、
地磁気によるランディングミスを防ぎ色ズレを無くす。 【構成】 シャドウマスク3と内部磁気シールド7に炭
素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼を、フレーム4
にはCr,Mo,Mnを一種以上含有する炭素鋼を用
い、印加磁界が800A/m(10Oe)程度の場合に
シャドウマスク3の非履歴比透磁率が5000以上、内
部磁気シールド7の非履歴比透磁率が10000以上、
フレーム4の非履歴比透磁率が1000以上とした。
地磁気によるランディングミスを防ぎ色ズレを無くす。 【構成】 シャドウマスク3と内部磁気シールド7に炭
素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼を、フレーム4
にはCr,Mo,Mnを一種以上含有する炭素鋼を用
い、印加磁界が800A/m(10Oe)程度の場合に
シャドウマスク3の非履歴比透磁率が5000以上、内
部磁気シールド7の非履歴比透磁率が10000以上、
フレーム4の非履歴比透磁率が1000以上とした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、テレビジョン(T
V)などに用いられる陰極線管装置(CRT)に関する
ものである。
V)などに用いられる陰極線管装置(CRT)に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、例えば特開平3−263736
号公報に示された従来の陰極線管装置の断面構成図であ
る。図において、1は蛍光面2を有するフェイスプレー
トパネル、3はフェイスプレートパネルの内側に設けら
れたシャドウマスク、4はシャドウマスクを支持するフ
レーム、5は電子ビーム6を発射する電子銃、7は電子
ビームを取り囲むように配設した内部磁気シールド、8
はフェイスプレートパネル1に接合され、シャドウマス
ク3、フレーム4、内部磁気シールド7、及び電子銃5
を覆うファンネル、9はシャドウマスク3の孔、10は
電子ビーム6のランディング点である。
号公報に示された従来の陰極線管装置の断面構成図であ
る。図において、1は蛍光面2を有するフェイスプレー
トパネル、3はフェイスプレートパネルの内側に設けら
れたシャドウマスク、4はシャドウマスクを支持するフ
レーム、5は電子ビーム6を発射する電子銃、7は電子
ビームを取り囲むように配設した内部磁気シールド、8
はフェイスプレートパネル1に接合され、シャドウマス
ク3、フレーム4、内部磁気シールド7、及び電子銃5
を覆うファンネル、9はシャドウマスク3の孔、10は
電子ビーム6のランディング点である。
【0003】従来の陰極線管装置は上記のように構成さ
れ、例えば電子銃5から発射された電子ビーム6はシャ
ドウマスクの孔9を通って電子ビーム6のランディング
点10にある蛍光面2を打ち、所望のカラーを発光させ
る。ところが、電子ビーム6は電子銃5から蛍光面2に
到達するまでの間に、地磁気の作用により軌道が曲がり
電子ビーム6のランディング点10が変わり、色ズレを
起こす。そのため、特開平3−263736号公報で
は、フレーム4、内部磁気シールド7、シャドウマスク
3のそれぞれを800A/mで磁化したときの保磁力を
90A/mよりも小さく、補強バンドの保磁力を印加磁
界が800A/mとした場合に250A/mよりも小さ
くしている。
れ、例えば電子銃5から発射された電子ビーム6はシャ
ドウマスクの孔9を通って電子ビーム6のランディング
点10にある蛍光面2を打ち、所望のカラーを発光させ
る。ところが、電子ビーム6は電子銃5から蛍光面2に
到達するまでの間に、地磁気の作用により軌道が曲がり
電子ビーム6のランディング点10が変わり、色ズレを
起こす。そのため、特開平3−263736号公報で
は、フレーム4、内部磁気シールド7、シャドウマスク
3のそれぞれを800A/mで磁化したときの保磁力を
90A/mよりも小さく、補強バンドの保磁力を印加磁
界が800A/mとした場合に250A/mよりも小さ
くしている。
【0004】また、特開昭60−255924号公報で
は、磁気シールド部材のみを適当な熱処理により地磁気
程度の低磁場においても比透磁率が900程度以上に
し、陰極線管装置の内部に封入して磁気シールドをして
いる。
は、磁気シールド部材のみを適当な熱処理により地磁気
程度の低磁場においても比透磁率が900程度以上に
し、陰極線管装置の内部に封入して磁気シールドをして
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の陰
極線管装置において、特開平3−263736号公報で
は、フレーム、内部磁気シールド、シャドウマスクの保
磁力を90A/mよりも小さく、補強バンドの保磁力を
250A/mよりも小さくしており、フレーム、内部磁
気シールド、シャドウマスク、補強バンドの磁気シール
ド効果により電子ビームに作用する地磁気を遮蔽してい
る。ところが、磁気シールド効果は透磁率によって支配
されるものであり、保磁力が小さくても透磁率が高くな
ければ磁気シールド効果が十分でなく地磁気の作用によ
る色ズレが防止でないという問題点があった。
極線管装置において、特開平3−263736号公報で
は、フレーム、内部磁気シールド、シャドウマスクの保
磁力を90A/mよりも小さく、補強バンドの保磁力を
250A/mよりも小さくしており、フレーム、内部磁
気シールド、シャドウマスク、補強バンドの磁気シール
ド効果により電子ビームに作用する地磁気を遮蔽してい
る。ところが、磁気シールド効果は透磁率によって支配
されるものであり、保磁力が小さくても透磁率が高くな
ければ磁気シールド効果が十分でなく地磁気の作用によ
る色ズレが防止でないという問題点があった。
【0006】また、特開昭60−255924号公報で
は磁気シールド部材のみを地磁気程度の低磁場において
も比透磁率が900程度以上にし、陰極線管装置の内部
に封入して磁気シールドをしている。ところが、フレー
ムやシャドウマスクの透磁率も高くなければ、磁気シー
ルド効果が十分でなく地磁気の作用による色ズレが防止
でないという問題点があった。
は磁気シールド部材のみを地磁気程度の低磁場において
も比透磁率が900程度以上にし、陰極線管装置の内部
に封入して磁気シールドをしている。ところが、フレー
ムやシャドウマスクの透磁率も高くなければ、磁気シー
ルド効果が十分でなく地磁気の作用による色ズレが防止
でないという問題点があった。
【0007】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、陰極線管装置に地磁気が作用し
てもフレーム、内部磁気シールド、シャドウマスクの磁
気シールド効果により地磁気を遮蔽し、電子ビームのラ
ンディングミスを防いで色ズレの無い陰極線管装置を提
供することを目的としている。
になされたものであり、陰極線管装置に地磁気が作用し
てもフレーム、内部磁気シールド、シャドウマスクの磁
気シールド効果により地磁気を遮蔽し、電子ビームのラ
ンディングミスを防いで色ズレの無い陰極線管装置を提
供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る陰極線管
装置は、印加磁界が800A/m(10Oe)の場合に
シャドウマスクの非履歴比透磁率を4000以上、内部
磁気シールドの非履歴比透磁率を8000以上、フレー
ムの非履歴比透磁率を800以上にしたものである。
装置は、印加磁界が800A/m(10Oe)の場合に
シャドウマスクの非履歴比透磁率を4000以上、内部
磁気シールドの非履歴比透磁率を8000以上、フレー
ムの非履歴比透磁率を800以上にしたものである。
【0009】また、このシャドウマスクおよび内部磁気
シールドを炭素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼に
した。
シールドを炭素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼に
した。
【0010】また、このフレームをCr,Mo及びMn
のいずれか一種以上を含有する炭素鋼にした。
のいずれか一種以上を含有する炭素鋼にした。
【0011】
【作用】上記のように構成された陰極線管装置で、印加
磁界が800A/m(10Oe)程度の場合にシャドウ
マスクの非履歴比透磁率が4000以上、内部磁気シー
ルドの非履歴比透磁率が8000以上、フレームの非履
歴比透磁率が800以上としたので、地磁気が作用して
もシャドウマスク、内部磁気シールド、フレームの磁気
シールド効果により、地磁気を遮蔽する。
磁界が800A/m(10Oe)程度の場合にシャドウ
マスクの非履歴比透磁率が4000以上、内部磁気シー
ルドの非履歴比透磁率が8000以上、フレームの非履
歴比透磁率が800以上としたので、地磁気が作用して
もシャドウマスク、内部磁気シールド、フレームの磁気
シールド効果により、地磁気を遮蔽する。
【0012】また、シャドウマスク、内部磁気シールド
を、資源希少で高価なニッケルを含有するパーマロイを
用いず極低炭素鋼にしたので、安定供給が受けられ安価
にできる。
を、資源希少で高価なニッケルを含有するパーマロイを
用いず極低炭素鋼にしたので、安定供給が受けられ安価
にできる。
【0013】また、フレームをCr,Mo,Mnを一種
以上含有する炭素鋼にしたので透磁率を低下すること無
く強度を保つことができる。
以上含有する炭素鋼にしたので透磁率を低下すること無
く強度を保つことができる。
【0014】
実施例1.図1はこの発明の一実施例の陰極線管装置を
示す断面構成図であり、1〜10は従来装置と同一のも
のである。ただし、シャドウマスク3と内部磁気シール
ド7に炭素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼を用い
ており、印加磁界が800A/m(10Oe)程度の場
合にシャドウマスク3の非履歴比透磁率が5000以
上、内部磁気シールド7の非履歴比透磁率が10000
以上ある。また、フレーム4にはCr,Mo,Mnを一
種以上含有する炭素鋼を用い、印加磁界が800A/m
程度の場合に非履歴比透磁率が1000以上としてい
る。
示す断面構成図であり、1〜10は従来装置と同一のも
のである。ただし、シャドウマスク3と内部磁気シール
ド7に炭素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼を用い
ており、印加磁界が800A/m(10Oe)程度の場
合にシャドウマスク3の非履歴比透磁率が5000以
上、内部磁気シールド7の非履歴比透磁率が10000
以上ある。また、フレーム4にはCr,Mo,Mnを一
種以上含有する炭素鋼を用い、印加磁界が800A/m
程度の場合に非履歴比透磁率が1000以上としてい
る。
【0015】前記のように構成された陰極線管装置にお
いて、例えば電子銃5から発射された電子ビーム6はシ
ャドウマスクの孔9を通って電子ビームのランディング
点10にある蛍光面2を打ち、所望のカラーを発光させ
る。電子ビーム6が電子銃5から蛍光面2に到達するま
での間に、陰極線管装置の外部に地磁気が作用したとし
ても、印加磁界が800A/m(10Oe)程度の場合
にシャドウマスク3の非履歴比透磁率が5000以上、
内部磁気シールド7の非履歴比透磁率が10000以
上、フレーム4の非履歴比透磁率が1000以上として
いるので、シャドウマスク3、内部磁気シールド7、フ
レーム4の磁気シールド効果により、地磁気を遮蔽す
る。そのため、電子ビーム6の軌道は地磁気の作用によ
って曲げられることもなく正しいランディング点10に
ある蛍光面2を打ち所望のカラーを発光させる。
いて、例えば電子銃5から発射された電子ビーム6はシ
ャドウマスクの孔9を通って電子ビームのランディング
点10にある蛍光面2を打ち、所望のカラーを発光させ
る。電子ビーム6が電子銃5から蛍光面2に到達するま
での間に、陰極線管装置の外部に地磁気が作用したとし
ても、印加磁界が800A/m(10Oe)程度の場合
にシャドウマスク3の非履歴比透磁率が5000以上、
内部磁気シールド7の非履歴比透磁率が10000以
上、フレーム4の非履歴比透磁率が1000以上として
いるので、シャドウマスク3、内部磁気シールド7、フ
レーム4の磁気シールド効果により、地磁気を遮蔽す
る。そのため、電子ビーム6の軌道は地磁気の作用によ
って曲げられることもなく正しいランディング点10に
ある蛍光面2を打ち所望のカラーを発光させる。
【0016】ここで、高透磁率材による磁気遮蔽の効果
について説明する。参考文献(ALBRECHT J.MAGER 「Magn
etic Shields」 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL.
MAG-6,NO.1, MARCH 1970)に示すように、図2の説明図
の円筒の場合、円筒の長さを無限大として、円筒材の厚
さをd、半径をD、円筒材の透磁率をμとすれば、この
円筒の軸に直角に均一な外部磁界の強さHoと円筒内の
磁界の強さHiの比S=Ho/Hi(磁気遮蔽度)は、下
記の数1式で与えられる。
について説明する。参考文献(ALBRECHT J.MAGER 「Magn
etic Shields」 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL.
MAG-6,NO.1, MARCH 1970)に示すように、図2の説明図
の円筒の場合、円筒の長さを無限大として、円筒材の厚
さをd、半径をD、円筒材の透磁率をμとすれば、この
円筒の軸に直角に均一な外部磁界の強さHoと円筒内の
磁界の強さHiの比S=Ho/Hi(磁気遮蔽度)は、下
記の数1式で与えられる。
【0017】
【数1】
【0018】透磁率が高いほど外部磁界と内部磁界の比
が高くなる。外部磁界が地磁気で一定であるので透磁率
が高いほど磁気遮蔽度が高くなり、内部磁界が小さくな
る。このように、この実施例では陰極線管装置の外部に
は地磁気が作用したとしても、印加磁界が800A/m
(10Oe)程度の場合にシャドウマスク3の非履歴比
透磁率が5000以上、内部磁気シールド7の非履歴比
透磁率が10000以上、フレーム4の非履歴比透磁率
が1000以上であるので、磁気遮蔽度が高くなり陰極
線管装置の内部の磁界は小さくなって電子銃5より発射
した電子ビーム6は地磁気の作用を受けること無く、正
しいランディング点10にある蛍光面2を打ち所望のカ
ラーを発光させる。
が高くなる。外部磁界が地磁気で一定であるので透磁率
が高いほど磁気遮蔽度が高くなり、内部磁界が小さくな
る。このように、この実施例では陰極線管装置の外部に
は地磁気が作用したとしても、印加磁界が800A/m
(10Oe)程度の場合にシャドウマスク3の非履歴比
透磁率が5000以上、内部磁気シールド7の非履歴比
透磁率が10000以上、フレーム4の非履歴比透磁率
が1000以上であるので、磁気遮蔽度が高くなり陰極
線管装置の内部の磁界は小さくなって電子銃5より発射
した電子ビーム6は地磁気の作用を受けること無く、正
しいランディング点10にある蛍光面2を打ち所望のカ
ラーを発光させる。
【0019】ここで、この発明で印加磁界が800A/
m(10Oe)程度の場合にシャドウマスク3の非履歴
比透磁率が4000以上、内部磁気シールド7の非履歴
比透磁率が8000以上、フレーム4の非履歴比透磁率
が800以上としたのは、陰極線管装置ではそれまでの
磁気的な履歴を消去するため電源のON時に消磁を行う
が、消磁の間も地磁気が作用しているため、磁気的な動
作点が変わりシールド効果を支配するのは非履歴透磁率
となるからである。内部磁気シールド7の非履歴比透磁
率が8000以上としたのは、数式1にμ=8000を
代入し板厚をd=0.1mm、直径を20インチ程度の
陰極線管装置としてD=250mmとしてSを求める
と、S=4.2となり磁気シールド性能が十分になるか
らである。この実施例のμ=10000の場合はS=5
となり十分なシールド効果を現す。ところが従来のよう
にμ=1000程度ではS=1.4となりシールド効果
がほとんど見込めない。内部磁気シールド7の非履歴比
透磁率は8000以下では実用上十分なシールド効果が
得られない。また、シャドウマスク3の非履歴比透磁率
が4000以上としているのは、内部磁気シールド7に
高透磁率材で蓋をした構造となり、この場合下記の数2
式で示される球状の磁気シールドと同程度の高い磁気シ
ールド性能が得られるからであり、これ以下では実用上
十分なシールド効果が得られないからである。
m(10Oe)程度の場合にシャドウマスク3の非履歴
比透磁率が4000以上、内部磁気シールド7の非履歴
比透磁率が8000以上、フレーム4の非履歴比透磁率
が800以上としたのは、陰極線管装置ではそれまでの
磁気的な履歴を消去するため電源のON時に消磁を行う
が、消磁の間も地磁気が作用しているため、磁気的な動
作点が変わりシールド効果を支配するのは非履歴透磁率
となるからである。内部磁気シールド7の非履歴比透磁
率が8000以上としたのは、数式1にμ=8000を
代入し板厚をd=0.1mm、直径を20インチ程度の
陰極線管装置としてD=250mmとしてSを求める
と、S=4.2となり磁気シールド性能が十分になるか
らである。この実施例のμ=10000の場合はS=5
となり十分なシールド効果を現す。ところが従来のよう
にμ=1000程度ではS=1.4となりシールド効果
がほとんど見込めない。内部磁気シールド7の非履歴比
透磁率は8000以下では実用上十分なシールド効果が
得られない。また、シャドウマスク3の非履歴比透磁率
が4000以上としているのは、内部磁気シールド7に
高透磁率材で蓋をした構造となり、この場合下記の数2
式で示される球状の磁気シールドと同程度の高い磁気シ
ールド性能が得られるからであり、これ以下では実用上
十分なシールド効果が得られないからである。
【0020】
【数2】
【0021】更に、シャドウマスク3と内部磁気シール
ド7の接合部分になるフレーム4の非履歴比透磁率が8
00以上としたので数2式で示されるシャドウマスク3
と内部磁気シールド7の磁気シールド性能が十分得られ
る。800以下では実用上十分なシールド効果が得られ
ない。
ド7の接合部分になるフレーム4の非履歴比透磁率が8
00以上としたので数2式で示されるシャドウマスク3
と内部磁気シールド7の磁気シールド性能が十分得られ
る。800以下では実用上十分なシールド効果が得られ
ない。
【0022】なお、この磁気遮蔽度には数1式に示され
るように透磁率と円筒の厚さや半径のみが関与し、保磁
力が関与することはない。更に、内部磁気シールド7だ
けでなく電子ビーム6の軌道を取り囲むように、内部磁
気シールド7、フレーム4、シャドウマスク3の透磁率
を高くしているので、十分な磁気シールド効果が得られ
る。
るように透磁率と円筒の厚さや半径のみが関与し、保磁
力が関与することはない。更に、内部磁気シールド7だ
けでなく電子ビーム6の軌道を取り囲むように、内部磁
気シールド7、フレーム4、シャドウマスク3の透磁率
を高くしているので、十分な磁気シールド効果が得られ
る。
【0023】また、高透磁率材には通常パーマロイが用
いられるが、パーマロイは資源希少で高価なニッケルを
含有しているためコストが高いが、この実施例では、シ
ャドウマスク3と内部磁気シールド7に炭素含有率が
0.01%以下の極低炭素鋼を用いたので、印加磁界が
800A/m(10Oe)程度の場合にシャドウマスク
の非履歴比透磁率が5000以上、内部磁気シールドの
非履歴比透磁率が10000以上あり、磁気シールド効
果が高くしかも低コストである。
いられるが、パーマロイは資源希少で高価なニッケルを
含有しているためコストが高いが、この実施例では、シ
ャドウマスク3と内部磁気シールド7に炭素含有率が
0.01%以下の極低炭素鋼を用いたので、印加磁界が
800A/m(10Oe)程度の場合にシャドウマスク
の非履歴比透磁率が5000以上、内部磁気シールドの
非履歴比透磁率が10000以上あり、磁気シールド効
果が高くしかも低コストである。
【0024】また、フレームには、Cr,Mo,Mnを
一種以上含有する炭素鋼にしたので透磁率を低下するこ
と無く強度を保つことができる。
一種以上含有する炭素鋼にしたので透磁率を低下するこ
と無く強度を保つことができる。
【0025】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されような効果を奏する。
れているので、以下に記載されような効果を奏する。
【0026】印加磁界が800A/m(10Oe)の場
合にシャドウマスクの非履歴比透磁率が4000以上、
内部磁気シールドの非履歴比透磁率が8000以上、フ
レームの非履歴比透磁率が800以上としたので、陰極
線管装置の外部から地磁気が作用してもシャドウマス
ク、内部磁気シールド、フレームの磁気シールド効果に
より、地磁気を遮蔽し、電子銃より発射した電子ビーム
は地磁気の作用を受けること無く、正しいランディング
点にある蛍光面を打ち所望のカラーを発光させることが
できる。
合にシャドウマスクの非履歴比透磁率が4000以上、
内部磁気シールドの非履歴比透磁率が8000以上、フ
レームの非履歴比透磁率が800以上としたので、陰極
線管装置の外部から地磁気が作用してもシャドウマス
ク、内部磁気シールド、フレームの磁気シールド効果に
より、地磁気を遮蔽し、電子銃より発射した電子ビーム
は地磁気の作用を受けること無く、正しいランディング
点にある蛍光面を打ち所望のカラーを発光させることが
できる。
【0027】また、シャドウマスク、内部磁気シールド
を極低炭素鋼にしたので、資源希少で高価なニッケルを
含まず、安定供給が受けられる。製造コストを安価にで
きる。
を極低炭素鋼にしたので、資源希少で高価なニッケルを
含まず、安定供給が受けられる。製造コストを安価にで
きる。
【0028】また、フレームをCr,Mo,Mnを一種
以上含有する炭素鋼にしたので透磁率を低下すること無
く強度を保つことができる。
以上含有する炭素鋼にしたので透磁率を低下すること無
く強度を保つことができる。
【図1】この発明の一実施例の陰極線管装置を示す断面
構成図である。
構成図である。
【図2】この発明に係わる高透磁率材による磁気遮蔽の
様子を説明する説明図である。
様子を説明する説明図である。
【図3】従来の陰極線管装置を示す断面構成図である。
1 フェイスプレートパネル 2 蛍光面 3 シャドウマスク 4 フレーム 5 電子銃 6 電子ビーム 7 内部磁気シールド 8 ファンネル
Claims (3)
- 【請求項1】 蛍光面を有するフェイスプレートパネ
ル、このフェイスプレートパネルの内側に設けられたシ
ャドウマスク、このシャドウマスクを支持するフレー
ム、電子銃から発射される電子ビームを取り囲むように
配設された内部磁気シールド、並びに上記フェイスプレ
ートパネルに接合され、上記シャドウマスク、フレー
ム、内部磁気シールド及び電子銃を覆うファンネルから
なる陰極線管装置において、印加磁界を800A/m
(10Oe)とした場合に上記シャドウマスクの非履歴
比透磁率が4000以上、上記内部磁気シールドの非履
歴比透磁率が8000以上、上記フレームの非履歴比透
磁率が800以上としたことを特徴とする陰極線管装
置。 - 【請求項2】 シャドウマスク及び内部磁気シールドが
炭素含有率が0.01%以下の極低炭素鋼からなること
を特徴とする請求項第1項記載の陰極線管装置。 - 【請求項3】 フレームがCr、Mo及びMnのいずれ
か一種以上を含有する炭素鋼からなることを特徴とする
請求項第1項または第2項記載の陰極線管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23831892A JP3148393B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 陰極線管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23831892A JP3148393B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 陰極線管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689671A true JPH0689671A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3148393B2 JP3148393B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=17028431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23831892A Expired - Fee Related JP3148393B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 陰極線管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3148393B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784607B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color cathode ray tube |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23831892A patent/JP3148393B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784607B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color cathode ray tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3148393B2 (ja) | 2001-03-19 |
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