JPH0689948A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0689948A JPH0689948A JP24043892A JP24043892A JPH0689948A JP H0689948 A JPH0689948 A JP H0689948A JP 24043892 A JP24043892 A JP 24043892A JP 24043892 A JP24043892 A JP 24043892A JP H0689948 A JPH0689948 A JP H0689948A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低応力性、耐熱性に優れた封止樹脂により樹
脂封止された半導体を提供するものであり、特に、低応
力性、耐熱性に優れた透明封止樹脂により樹脂封止され
た光半導体を提供する。 【構成】 熱硬化性樹脂、硬化剤成分、および水酸基量
が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、かつ粒子径が０．
１μｍ以下であるシリカ粒子を含む樹脂組成物によって
半導体素子を封止して半導体装置とする。
脂封止された半導体を提供するものであり、特に、低応
力性、耐熱性に優れた透明封止樹脂により樹脂封止され
た光半導体を提供する。 【構成】 熱硬化性樹脂、硬化剤成分、および水酸基量
が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、かつ粒子径が０．
１μｍ以下であるシリカ粒子を含む樹脂組成物によって
半導体素子を封止して半導体装置とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性および低応力性
に優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体装置に関
するものであり、特に透明封止樹脂により樹脂封止され
た光半導体装置に関するものである。
に優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体装置に関
するものであり、特に透明封止樹脂により樹脂封止され
た光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、多くの光半導体装置は透明エポキ
シ樹脂で封止されているが、樹脂硬化体の内部応力によ
り、素子が劣化する問題がある。例えば，ＬＥＤ（発光
ダイオ−ド）の場合、輝度が低下する。そこで、本発明
者達は、透明かつ低応力の樹脂硬化体を得るために、光
の波長よりも充分に小さい、具体的には粒子径が０．１
μｍ以下のシリカ超微粒子を樹脂に充填することを提案
した。（特願平３−１３３４１８）
シ樹脂で封止されているが、樹脂硬化体の内部応力によ
り、素子が劣化する問題がある。例えば，ＬＥＤ（発光
ダイオ−ド）の場合、輝度が低下する。そこで、本発明
者達は、透明かつ低応力の樹脂硬化体を得るために、光
の波長よりも充分に小さい、具体的には粒子径が０．１
μｍ以下のシリカ超微粒子を樹脂に充填することを提案
した。（特願平３−１３３４１８）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにシリカ超微粒子を樹脂に添加する方法は、樹脂硬
化体の内部応力を低減し、かつ透明性を維持することは
出来ても、未だ耐熱性において満足できるものではな
い。
ようにシリカ超微粒子を樹脂に添加する方法は、樹脂硬
化体の内部応力を低減し、かつ透明性を維持することは
出来ても、未だ耐熱性において満足できるものではな
い。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、シリカ超微粒子を充填した低応力性、耐熱性に
優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体装置を提供
するものであり、特に低応力性、耐熱性に優れた透明封
止樹脂により樹脂封止された光半導体装置を提供するも
のである。
もので、シリカ超微粒子を充填した低応力性、耐熱性に
優れた封止樹脂により樹脂封止された半導体装置を提供
するものであり、特に低応力性、耐熱性に優れた透明封
止樹脂により樹脂封止された光半導体装置を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含む熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
するという構成をとる。 （Ａ）熱硬化性樹脂。 （Ｂ）硬化剤成分。 （Ｃ）水酸基量が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、か
つ粒子径が０．１μｍ以下であるシリカ粒子。
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含む熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
するという構成をとる。 （Ａ）熱硬化性樹脂。 （Ｂ）硬化剤成分。 （Ｃ）水酸基量が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、か
つ粒子径が０．１μｍ以下であるシリカ粒子。
【０００６】本発明者らは、一連の研究の過程で、シリ
カ粒子上への硬化剤成分の吸着には、シリカ粒子表面の
水酸基が大きく関与していることを突き止めた。すなわ
ち、水酸基量が少ないシリカを用いた場合、Ｔｇは低下
しないことを見出し、この発明に到達した。
カ粒子上への硬化剤成分の吸着には、シリカ粒子表面の
水酸基が大きく関与していることを突き止めた。すなわ
ち、水酸基量が少ないシリカを用いた場合、Ｔｇは低下
しないことを見出し、この発明に到達した。
【０００７】本発明に用いる熱硬化性樹脂組成物は、熱
硬化性樹脂（Ａ成分）、硬化剤成分（Ｂ成分）及び、水
酸基量が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、かつ粒子径
が０．１μｍ以下であるシリカ粒子（Ｃ成分）とを用い
て得られるものであって、通常、液状、粉末状もしく
は、この粉末を打錠したタブレット状になっている。
硬化性樹脂（Ａ成分）、硬化剤成分（Ｂ成分）及び、水
酸基量が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、かつ粒子径
が０．１μｍ以下であるシリカ粒子（Ｃ成分）とを用い
て得られるものであって、通常、液状、粉末状もしく
は、この粉末を打錠したタブレット状になっている。
【０００８】上記熱硬化性樹脂（Ａ成分）としては、特
にエポキシ樹脂が好適であり、ビスフェノ−ル型エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、など特に限定しないが、光半導体用の透明樹脂とし
ては、ビスフェノ−ル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ
樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、一
般に、エポキシ当量１００〜１０００、軟化点１２０℃
以下のものが用いられる。光半導体用の透明樹脂として
は、前二者のエポキシ樹脂に、他のエポキシ樹脂を併用
しても良いが、その使用割合は、エポキシ樹脂全体の５
０重量％以下に設定するのが好適である。
にエポキシ樹脂が好適であり、ビスフェノ−ル型エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、など特に限定しないが、光半導体用の透明樹脂とし
ては、ビスフェノ−ル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ
樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、一
般に、エポキシ当量１００〜１０００、軟化点１２０℃
以下のものが用いられる。光半導体用の透明樹脂として
は、前二者のエポキシ樹脂に、他のエポキシ樹脂を併用
しても良いが、その使用割合は、エポキシ樹脂全体の５
０重量％以下に設定するのが好適である。
【０００９】硬化剤成分としては、硬化剤および硬化促
進剤が含まれる。硬化剤としては、アミン系、酸無水物
系、フェノ−ル系硬化剤など特に限定しないが、光半導
体用の透明樹脂としては、好ましくは、酸無水物系硬化
剤が用いられ、その分子量は１４０〜２００程度のもの
が好適である。例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テ
トラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタ
ル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラ
ヒドロ無水フタル酸等の無色ないし淡黄色の酸無水物が
挙げられる。上記酸無水物系硬化剤の配合量は、透明性
エポキシ樹脂とともに用いられ、透明性エポキシ樹脂１
００重量部（以下、「部」と略す）に対して、５０〜２
００部の範囲に設定することが好ましい。また、硬化触
媒としては、三級アミン、イミダゾ−ル化合物及び有機
金属錯塩等が挙げられる
進剤が含まれる。硬化剤としては、アミン系、酸無水物
系、フェノ−ル系硬化剤など特に限定しないが、光半導
体用の透明樹脂としては、好ましくは、酸無水物系硬化
剤が用いられ、その分子量は１４０〜２００程度のもの
が好適である。例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テ
トラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタ
ル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラ
ヒドロ無水フタル酸等の無色ないし淡黄色の酸無水物が
挙げられる。上記酸無水物系硬化剤の配合量は、透明性
エポキシ樹脂とともに用いられ、透明性エポキシ樹脂１
００重量部（以下、「部」と略す）に対して、５０〜２
００部の範囲に設定することが好ましい。また、硬化触
媒としては、三級アミン、イミダゾ−ル化合物及び有機
金属錯塩等が挙げられる
【００１０】（Ｃ）成分としてのシリカ粒子を得るには
通常、シリカ粒子を高温で処理することにより、表面の
水酸基を少なくすることができる。また、他の方法とし
てはヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳという）
あるいはシランカップリング剤で、通常のシリカ粒子表
面の水酸基を処理することで、水酸基量を少なくするこ
とが可能である。さらに、高温処理済みのシリカ粒子を
ＨＭＤＳあるいはシランカップリング剤で処理すること
で、より効果的に水酸基量を少なくすることも可能であ
る。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、β−（３．４エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシランなどのアルコキシシランな
どが挙げられる。なお処理剤としてのＨＭＤＳとシラン
カップリング剤を比較した場合、ＨＭＤＳの方が好適で
ある。その理由は、ＨＭＤＳの方が得られる半導体装置
の耐熱性および低応力性に優れるようになるからであ
る。
通常、シリカ粒子を高温で処理することにより、表面の
水酸基を少なくすることができる。また、他の方法とし
てはヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳという）
あるいはシランカップリング剤で、通常のシリカ粒子表
面の水酸基を処理することで、水酸基量を少なくするこ
とが可能である。さらに、高温処理済みのシリカ粒子を
ＨＭＤＳあるいはシランカップリング剤で処理すること
で、より効果的に水酸基量を少なくすることも可能であ
る。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、β−（３．４エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシランなどのアルコキシシランな
どが挙げられる。なお処理剤としてのＨＭＤＳとシラン
カップリング剤を比較した場合、ＨＭＤＳの方が好適で
ある。その理由は、ＨＭＤＳの方が得られる半導体装置
の耐熱性および低応力性に優れるようになるからであ
る。
【００１１】本発明において用いるシリカ粒子は、上述
の如き数値範囲の水酸基量と粒子径を有しているが、こ
の数値範囲を外れると、透明性、耐熱性、低応力性が劣
るという不都合が生ずるからである。
の如き数値範囲の水酸基量と粒子径を有しているが、こ
の数値範囲を外れると、透明性、耐熱性、低応力性が劣
るという不都合が生ずるからである。
【００１２】なお上記シリカ粒子（Ｃ成分）としては、
単独で使っても良いし、通常のシリカと併用しても良
い。その場合も、混在シリカの水酸基量は５×１０-5ｍ
ｏｌ／ｇ以下が好ましく、１×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下で
あれば、なお好適である。その時の通常シリカの使用割
合は、総シリカ量にたいして５０重量％以下が望まし
い。また、その場合のシリカ粒子の総量は、熱硬化性樹
脂組成物全体の１０〜９０重量％の範囲に設定すること
が望ましい。ただし、シリカの粒子径は、熱硬化性樹脂
組成物が透明封止樹脂の場合は、透明性を保持するため
に、光の波長よりも充分に小さい粒子が必要のため、
０．１μｍ以下であることが望ましい。なお、光半導体
用透明樹脂の透明性とは、着色透明の場合も含み、硬化
体の厚さ１ｍｍ相当で、６００ｎｍの波長の光透過率が
８０〜１００％であるものをいう。（測定は分光光度計
による）。
単独で使っても良いし、通常のシリカと併用しても良
い。その場合も、混在シリカの水酸基量は５×１０-5ｍ
ｏｌ／ｇ以下が好ましく、１×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下で
あれば、なお好適である。その時の通常シリカの使用割
合は、総シリカ量にたいして５０重量％以下が望まし
い。また、その場合のシリカ粒子の総量は、熱硬化性樹
脂組成物全体の１０〜９０重量％の範囲に設定すること
が望ましい。ただし、シリカの粒子径は、熱硬化性樹脂
組成物が透明封止樹脂の場合は、透明性を保持するため
に、光の波長よりも充分に小さい粒子が必要のため、
０．１μｍ以下であることが望ましい。なお、光半導体
用透明樹脂の透明性とは、着色透明の場合も含み、硬化
体の厚さ１ｍｍ相当で、６００ｎｍの波長の光透過率が
８０〜１００％であるものをいう。（測定は分光光度計
による）。
【００１３】シリカの水酸基量は次のような滴定で求め
ることができる。 １．既知量（２ｇ）のシリカ、エタノ−ル１０ｍｌ、界
面活性剤１０重量％水溶液２．５ｇ、および塩化ナトリ
ウム２０重量％水溶液１４０ｍｌを混合し、シリカ分散
液を作製する。界面活性剤はエマルゲン９１０（花王
（株）製）を使用する。 ２．上記シリカ分散液を攪拌しながら０．０５Ｎ塩酸で
ｐＨを４．００に調製する。 ３．次に、０．０５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液をビュレ
ットで徐々に滴下し、ｐＨが９．００を３０秒間保つ点
を終点とし、その時の０．０５Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液の消費量から水酸基量を数１により算出する。
ることができる。 １．既知量（２ｇ）のシリカ、エタノ−ル１０ｍｌ、界
面活性剤１０重量％水溶液２．５ｇ、および塩化ナトリ
ウム２０重量％水溶液１４０ｍｌを混合し、シリカ分散
液を作製する。界面活性剤はエマルゲン９１０（花王
（株）製）を使用する。 ２．上記シリカ分散液を攪拌しながら０．０５Ｎ塩酸で
ｐＨを４．００に調製する。 ３．次に、０．０５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液をビュレ
ットで徐々に滴下し、ｐＨが９．００を３０秒間保つ点
を終点とし、その時の０．０５Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液の消費量から水酸基量を数１により算出する。
【数１】 Ｘ：水酸化ナトリウム水溶液の規定度、上記の場合Ｘ＝
０．０５ Ｙ：水酸化ナトリウム水溶液の滴下量（ｍｌ） Ｚ：シリカの質量（ｇ）
０．０５ Ｙ：水酸化ナトリウム水溶液の滴下量（ｍｌ） Ｚ：シリカの質量（ｇ）
【００１４】なお、本発明に用いる熱硬化性樹脂組成物
には、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外に、必要に応じて染
料、変性剤、変色防止剤、老化防止剤、離型剤、反応性
ないし非反応性の希釈剤などの従来公知の添加剤を適宜
配合することができる。
には、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外に、必要に応じて染
料、変性剤、変色防止剤、老化防止剤、離型剤、反応性
ないし非反応性の希釈剤などの従来公知の添加剤を適宜
配合することができる。
【００１５】上記熱硬化性樹脂組成物は、例えば次のよ
うに製造することができる。すなわち、上記各成分の原
料を適宜配合し、予備混合した後、混練機に掛けて混練
して溶融混合する。そして、これを室温に冷却した後、
公知の手段によって、粉砕し、必要に応じて打錠すると
いう一連の工程により製造することができる。熱硬化性
樹脂組成物が液状の場合は、上記各成分を混合するだけ
でよい。ただし、シリカ粒子が超微粒子の場合、特願平
４−１１６８２２のようにあらかじめ有機溶媒にシリカ
超微粒子を分散させ、ついでこのシリカ超微粒子の分散
液と樹脂成分を混合させ、その後、脱溶媒するとよい。
うに製造することができる。すなわち、上記各成分の原
料を適宜配合し、予備混合した後、混練機に掛けて混練
して溶融混合する。そして、これを室温に冷却した後、
公知の手段によって、粉砕し、必要に応じて打錠すると
いう一連の工程により製造することができる。熱硬化性
樹脂組成物が液状の場合は、上記各成分を混合するだけ
でよい。ただし、シリカ粒子が超微粒子の場合、特願平
４−１１６８２２のようにあらかじめ有機溶媒にシリカ
超微粒子を分散させ、ついでこのシリカ超微粒子の分散
液と樹脂成分を混合させ、その後、脱溶媒するとよい。
【００１６】このような熱硬化性樹脂組成物を用いて
の、半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、
通常のトランスファ−成形、注型などの公知のモ−ルド
方法により行うことができる。
の、半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、
通常のトランスファ−成形、注型などの公知のモ−ルド
方法により行うことができる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を説明する。 実施例１ 粒子径が０．０７μｍで水酸基量が２０×１０-5ｍｏｌ
／ｇであるシリカ超微粒子をＨＭＤＳで表面処理するこ
とにより、水酸基量を０．８×１０-5ｍｏｌ／ｇまで減
少させた。このシリカ超微粒子２００部、エポキシ当量
１８５のビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂（液状樹脂）
１００部、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１００
部、２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４部、お
よび酸化防止剤２．５部を混合し、シリカ超微粒子を含
有するエポキシ樹脂組成物を得た。 実施例２ 実施例１のＨＭＤＳで表面処理したシリカ超微粒子１５
０部、エポキシ当量６５０のビスフェノ−ルＡ型エポキ
シ樹脂（固形樹脂）８０部、トリグリシジルイソシアヌ
レ−ト（固形樹脂）２０部、テトラヒドロ無水フタル酸
４４部、２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４
部、および酸化防止剤２．５部を混合し、シリカ超微粒
子を含有するエポキシ樹脂組成物を得た。 実施例３ メチルイソブチルケトンに分散した粒子径が０．０１μ
ｍで水酸基量が４０×１０-5ｍｏｌ／ｇであるシリカ超
微粒子（溶媒中のシリカ超微粒子は３０重量％であっ
た）をＨＭＤＳで表面処理することにより、水酸基量を
０．５×１０-5ｍｏｌ／ｇまで減少させた。このシリカ
超微粒子のメチルイソブチルケトン分散液２００部にエ
ポキシ当量６５０のビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂４
０部、トリグリシジルイソシアヌレ−ト１０部、テトラ
ヒドロ無水フタル酸２２部を溶解させた。そして、これ
を減圧して脱溶媒した後、硬化触媒として２−エチル−
４−メチルイミダゾ−ル０．２部、および酸化防止剤
１．２部を混合し、シリカ超微粒子を含有するエポキシ
樹脂組成物を得た。 実施例４ 実施例３において表面処理をＨＭＤＳからγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシランに変えた以外は同様に
して水酸基量４．６×１０-5ｍｏｌ／ｇのシリカ超微粒
子を得て、実施例３と同様の作業により、シリカ超微粒
子を含有するエポキシ樹脂組成物を得た。 比較例１ 実施例１において、シリカをＨＭＤＳで表面処理しなか
った。 比較例２ 実施例２において、シリカをＨＭＤＳで表面処理しなか
った。 比較例３ 実施例３において、シリカをＨＭＤＳで表面処理しなか
った。
／ｇであるシリカ超微粒子をＨＭＤＳで表面処理するこ
とにより、水酸基量を０．８×１０-5ｍｏｌ／ｇまで減
少させた。このシリカ超微粒子２００部、エポキシ当量
１８５のビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂（液状樹脂）
１００部、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１００
部、２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４部、お
よび酸化防止剤２．５部を混合し、シリカ超微粒子を含
有するエポキシ樹脂組成物を得た。 実施例２ 実施例１のＨＭＤＳで表面処理したシリカ超微粒子１５
０部、エポキシ当量６５０のビスフェノ−ルＡ型エポキ
シ樹脂（固形樹脂）８０部、トリグリシジルイソシアヌ
レ−ト（固形樹脂）２０部、テトラヒドロ無水フタル酸
４４部、２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４
部、および酸化防止剤２．５部を混合し、シリカ超微粒
子を含有するエポキシ樹脂組成物を得た。 実施例３ メチルイソブチルケトンに分散した粒子径が０．０１μ
ｍで水酸基量が４０×１０-5ｍｏｌ／ｇであるシリカ超
微粒子（溶媒中のシリカ超微粒子は３０重量％であっ
た）をＨＭＤＳで表面処理することにより、水酸基量を
０．５×１０-5ｍｏｌ／ｇまで減少させた。このシリカ
超微粒子のメチルイソブチルケトン分散液２００部にエ
ポキシ当量６５０のビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂４
０部、トリグリシジルイソシアヌレ−ト１０部、テトラ
ヒドロ無水フタル酸２２部を溶解させた。そして、これ
を減圧して脱溶媒した後、硬化触媒として２−エチル−
４−メチルイミダゾ−ル０．２部、および酸化防止剤
１．２部を混合し、シリカ超微粒子を含有するエポキシ
樹脂組成物を得た。 実施例４ 実施例３において表面処理をＨＭＤＳからγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシランに変えた以外は同様に
して水酸基量４．６×１０-5ｍｏｌ／ｇのシリカ超微粒
子を得て、実施例３と同様の作業により、シリカ超微粒
子を含有するエポキシ樹脂組成物を得た。 比較例１ 実施例１において、シリカをＨＭＤＳで表面処理しなか
った。 比較例２ 実施例２において、シリカをＨＭＤＳで表面処理しなか
った。 比較例３ 実施例３において、シリカをＨＭＤＳで表面処理しなか
った。
【００１８】次に、実施例１〜４及び比較例１〜３で得
られたエポキシ樹脂組成物を用いて、硬化温度１５０℃
で、ＬＥＤを樹脂封止して光半導体装置を作製し、この
光半導体装置の高温での通電輝度劣化を測定した。その
結果を下記の表１に示す。なお、通電輝度劣化の測定
は、次のようにして行った。すなわち、光半導体装置
（ＬＥＤデバイス）に定電流を流し、輝度として電流印
加後５秒後の受光素子の出力電流値を求め劣化率を測定
した。測定条件は、評価素子０．５×０．５ｍｍのＧａ
Ａｓ、パッケ−ジとしては、直径５ｍｍのパイロットラ
ンプを用い、８０℃雰囲気下において、２０ｍＡ通電の
１０００時間後の輝度劣化率である。
られたエポキシ樹脂組成物を用いて、硬化温度１５０℃
で、ＬＥＤを樹脂封止して光半導体装置を作製し、この
光半導体装置の高温での通電輝度劣化を測定した。その
結果を下記の表１に示す。なお、通電輝度劣化の測定
は、次のようにして行った。すなわち、光半導体装置
（ＬＥＤデバイス）に定電流を流し、輝度として電流印
加後５秒後の受光素子の出力電流値を求め劣化率を測定
した。測定条件は、評価素子０．５×０．５ｍｍのＧａ
Ａｓ、パッケ−ジとしては、直径５ｍｍのパイロットラ
ンプを用い、８０℃雰囲気下において、２０ｍＡ通電の
１０００時間後の輝度劣化率である。
【００１９】
【表１】
【００２０】上記表１の結果から、比較例１〜３の樹脂
はＴｇが低いため、、樹脂の耐熱性が低く、樹脂が熱劣
化で黄変し、樹脂の光透過率が大きく低下したため輝度
が劣化した。それに対し、各実施例は樹脂の耐熱性が高
いので熱劣化もなく、輝度劣化が抑制された。
はＴｇが低いため、、樹脂の耐熱性が低く、樹脂が熱劣
化で黄変し、樹脂の光透過率が大きく低下したため輝度
が劣化した。それに対し、各実施例は樹脂の耐熱性が高
いので熱劣化もなく、輝度劣化が抑制された。
【００２１】
【発明の効果】以上の如く、本発明においては、水酸基
量５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下かつ粒子径０．１μｍ以下
のシリカ粒子を用いてなる透明封止樹脂組成物により光
半導体素子を封止しているので、得られる光半導体装置
は耐熱性、低応力性および透明性に優れる。なお今迄の
説明では、熱硬化性樹脂として透明封止樹脂を取り上げ
て説明してきたが、本発明の技術思想は樹脂封止半導体
全般の耐熱性、低応力性を良好にするためにも適用可能
であり、従って透明な熱硬化性樹脂以外の熱硬化性樹脂
を用いる場合にも有用である。
量５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下かつ粒子径０．１μｍ以下
のシリカ粒子を用いてなる透明封止樹脂組成物により光
半導体素子を封止しているので、得られる光半導体装置
は耐熱性、低応力性および透明性に優れる。なお今迄の
説明では、熱硬化性樹脂として透明封止樹脂を取り上げ
て説明してきたが、本発明の技術思想は樹脂封止半導体
全般の耐熱性、低応力性を良好にするためにも適用可能
であり、従って透明な熱硬化性樹脂以外の熱硬化性樹脂
を用いる場合にも有用である。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 （Ａ）熱硬化性樹脂。 （Ｂ）硬化剤成分。 （Ｃ）水酸基量が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であり、か
つ粒子径が０．１μｍ以下であるシリカ粒子。 - 【請求項２】 （Ｃ）成分のシリカ粒子がヘキサメチル
ジシラザンあるいはシランカップリング剤でシリカ粒子
を処理してなるものである請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む半導体
素子封止用熱硬化性樹脂組成物。 （Ａ）熱硬化性樹脂。 （Ｂ）硬化剤成分。 （Ｃ）水酸基量が５×１０-5ｍｏｌ／ｇ以下であリ、か
つ粒子径が０．１μｍ以下であるシリカ粒子。 - 【請求項４】 （Ｃ）成分のシリカ粒子がヘキサメチル
ジシラザンあるいはシランカップリング剤でシリカ粒子
を処理してなるものである請求項３記載の半導体素子封
止用熱硬化性樹脂組成物。
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|---|---|---|---|
| JP4240438A JP3017888B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240438A JP3017888B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689948A true JPH0689948A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3017888B2 JP3017888B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=17059498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4240438A Expired - Lifetime JP3017888B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3017888B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000078871A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Daikin Industries, Ltd. | Composition elastomere reticulable et article moule produit a partir de cette composition |
| JP2008537761A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-09-25 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 硬化システム、接着システム及び電子装置の製造方法 |
| WO2009008283A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | 光半導体封止用組成物 |
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-
1992
- 1992-09-09 JP JP4240438A patent/JP3017888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000078871A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Daikin Industries, Ltd. | Composition elastomere reticulable et article moule produit a partir de cette composition |
| JP2008537761A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-09-25 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 硬化システム、接着システム及び電子装置の製造方法 |
| WO2009008283A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | 光半導体封止用組成物 |
| JPWO2009008283A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2010-09-09 | 荒川化学工業株式会社 | 光半導体封止用組成物 |
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| JP2016074918A (ja) * | 2009-03-31 | 2016-05-12 | 日立化成株式会社 | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
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