JPH04209624A - 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH04209624A JPH04209624A JP2409742A JP40974290A JPH04209624A JP H04209624 A JPH04209624 A JP H04209624A JP 2409742 A JP2409742 A JP 2409742A JP 40974290 A JP40974290 A JP 40974290A JP H04209624 A JPH04209624 A JP H04209624A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- anhydride
- present
- epoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、透明性に優れた光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。 [0002] 【従来の技術】発光ダイオード等の発光装置は、種々の
表示用として使用されている。この発光装置は、主に透
明エポキシ樹脂で封止されている。透明エポキシ樹脂の
多くは、酸無水物系を硬化剤とするエポキシ樹脂に、硬
化促進剤としてジアザビシクロウンデセン(DBU)系
、イミダゾール系等が使用されている。 [0003]Lかしながら、これらの硬化促進剤を用い
た場合、硬化時のエポキシ樹脂の温度が130℃以上に
なると、硬化物が着色する欠点がある。このため硬化物
の透明性を損なわないように低温で、長時間かけ硬化さ
せて、実用に供する樹脂強度を有するように成形されて
いる。 [0004]
体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。 [0002] 【従来の技術】発光ダイオード等の発光装置は、種々の
表示用として使用されている。この発光装置は、主に透
明エポキシ樹脂で封止されている。透明エポキシ樹脂の
多くは、酸無水物系を硬化剤とするエポキシ樹脂に、硬
化促進剤としてジアザビシクロウンデセン(DBU)系
、イミダゾール系等が使用されている。 [0003]Lかしながら、これらの硬化促進剤を用い
た場合、硬化時のエポキシ樹脂の温度が130℃以上に
なると、硬化物が着色する欠点がある。このため硬化物
の透明性を損なわないように低温で、長時間かけ硬化さ
せて、実用に供する樹脂強度を有するように成形されて
いる。 [0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、透明性、広範囲な硬化温度条
件に対応できる、信頼性の高い光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供することを目的としている。 [00051
に鑑みてなされたもので、透明性、広範囲な硬化温度条
件に対応できる、信頼性の高い光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供することを目的としている。 [00051
【課題を解決するための手段]本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、硬化促進剤と
してテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
トを用いることによって上記目的が達成されることを見
いだし、本発明を完成したものである。 [0006]すなわち、本発明は、 (A)エポキシ樹脂、 (B)フタル酸系無水物及び (C)次の化学式化1で示されるテトラフェニルホスホ
ニウムテトラフェニルボレート [0007] 【化1】 を必須成分としてなることを特徴とする光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物である。 [00081以下、本発明を説明する。 [00091本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノール
AD型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
、脂環式エポキシ樹脂等の透明性を有するエポキシ樹脂
が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用す
ることができる。また、本発明の目的に反しない範囲に
おいて他のエポキシ樹脂、例えばフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
、含複素環式エポキシ樹脂、水添型ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、芳香族、脂肪族も
しくは脂環式のカルボン酸とエピクロルヒドリンとの反
応によって得られるエポキシ樹脂、スピロ環含有エポキ
シ樹脂等を適宜併用することができる。 [00101本発明に用いる (B)フタル酸系無水物
は、硬化剤として使用されるもので、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等
の無色又は淡黄色の酸無水物が挙げられ、これらは単独
又は2種以上混合して使用することができる。フタル酸
系無水物の配合割合は、前述した(A)エポキシ樹脂の
エポキシ基1当量に対し、0.5〜1.8当量配合する
ことが望ましい。この範囲を外れると好ましい反応が行
われず、硬化物の特性に悪影響を及ぼし好ましくない。 [00111本発明に用いる(C)テトラフェニルホス
ホニウムテトラフェニルボレートは硬化促進剤として使
用されるもので、前記の化1で示されるものを使用する
。テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルポレート
の配合割合は、前述したフタル酸系無水物100重量部
に対して1.0〜540重量部配合することが望ましい
。配合量が1.0重量部未満では、樹脂組成物の初期硬
化速度が遅く実用に適さず、また、5.OM量部を超え
ると硬化物の信頼性に悪影響を及ぼし好ましくない。 [0012]本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、エポキシ樹脂、フタル酸系無水物、およびテトラ
フェニルホスホニウムテトラフェニルポレートを必須成
分とするが、本発明の目的に反しない限度において、ま
た必要に応じて変色防止剤、光散乱剤、染料等の他の成
分を添加配合することができる。こうした各成分は、そ
れらを均一に混合して、容易に光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造することができる。この組成物は、能
動もしくは受動の光半導体、その他の半導体素子の封止
用として好適なものである。 [0013]
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、硬化促進剤と
してテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
トを用いることによって上記目的が達成されることを見
いだし、本発明を完成したものである。 [0006]すなわち、本発明は、 (A)エポキシ樹脂、 (B)フタル酸系無水物及び (C)次の化学式化1で示されるテトラフェニルホスホ
ニウムテトラフェニルボレート [0007] 【化1】 を必須成分としてなることを特徴とする光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物である。 [00081以下、本発明を説明する。 [00091本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノール
AD型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
、脂環式エポキシ樹脂等の透明性を有するエポキシ樹脂
が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用す
ることができる。また、本発明の目的に反しない範囲に
おいて他のエポキシ樹脂、例えばフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
、含複素環式エポキシ樹脂、水添型ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、芳香族、脂肪族も
しくは脂環式のカルボン酸とエピクロルヒドリンとの反
応によって得られるエポキシ樹脂、スピロ環含有エポキ
シ樹脂等を適宜併用することができる。 [00101本発明に用いる (B)フタル酸系無水物
は、硬化剤として使用されるもので、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等
の無色又は淡黄色の酸無水物が挙げられ、これらは単独
又は2種以上混合して使用することができる。フタル酸
系無水物の配合割合は、前述した(A)エポキシ樹脂の
エポキシ基1当量に対し、0.5〜1.8当量配合する
ことが望ましい。この範囲を外れると好ましい反応が行
われず、硬化物の特性に悪影響を及ぼし好ましくない。 [00111本発明に用いる(C)テトラフェニルホス
ホニウムテトラフェニルボレートは硬化促進剤として使
用されるもので、前記の化1で示されるものを使用する
。テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルポレート
の配合割合は、前述したフタル酸系無水物100重量部
に対して1.0〜540重量部配合することが望ましい
。配合量が1.0重量部未満では、樹脂組成物の初期硬
化速度が遅く実用に適さず、また、5.OM量部を超え
ると硬化物の信頼性に悪影響を及ぼし好ましくない。 [0012]本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、エポキシ樹脂、フタル酸系無水物、およびテトラ
フェニルホスホニウムテトラフェニルポレートを必須成
分とするが、本発明の目的に反しない限度において、ま
た必要に応じて変色防止剤、光散乱剤、染料等の他の成
分を添加配合することができる。こうした各成分は、そ
れらを均一に混合して、容易に光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造することができる。この組成物は、能
動もしくは受動の光半導体、その他の半導体素子の封止
用として好適なものである。 [0013]
【作用】本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は
、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルポレートを所定の割合用いたことによって、優
れた透明性と、従来光半導体封止には困難であった13
0℃以上にわたる広範囲な適合硬化温度を付与すること
ができたものである。 [0014]
、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルポレートを所定の割合用いたことによって、優
れた透明性と、従来光半導体封止には困難であった13
0℃以上にわたる広範囲な適合硬化温度を付与すること
ができたものである。 [0014]
【実施例】次に本発明を実施例によって具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 [0015]実施例1 ビスフェノールA型エポキシ樹脂のエピコート828(
油化シェルエポキシ社製、商品名)100部に硬化剤の
メチルへキサヒドロフタル酸100部を加え、更に硬化
促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート1部を加えて均一に混合して光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を製造した。 [0016]実施例2〜3 表1に示した組成によって硬化促進剤の配合割合を変え
た以外は実施例1と同様にして光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造した。 [0017]比較例 1 * *実施例1においてテトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルポレートの替わりに1,8−ジアザ−ビシクロ
(5゜4.0)ウンデセン−7を用いた以外はすべて実
施例1同様にして光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
製造した。 [0018]比較例2 実施例1においてテトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルポレートの替わりに1−シアンエチル−4−イミ
ダゾールを用いた以外はすべて実施例1と同様にして光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。 [0019]実施例1〜3および比較例1〜2で製造し
た光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体
素子を封止して成形品(封止品)を得た。この成形品に
ついて硬化温度条件による変色性の試験を行ったのでそ
の結果を表1に示したが、いずれも本発明が優れており
、本発明の効果を確認することができた。
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 [0015]実施例1 ビスフェノールA型エポキシ樹脂のエピコート828(
油化シェルエポキシ社製、商品名)100部に硬化剤の
メチルへキサヒドロフタル酸100部を加え、更に硬化
促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート1部を加えて均一に混合して光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を製造した。 [0016]実施例2〜3 表1に示した組成によって硬化促進剤の配合割合を変え
た以外は実施例1と同様にして光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造した。 [0017]比較例 1 * *実施例1においてテトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルポレートの替わりに1,8−ジアザ−ビシクロ
(5゜4.0)ウンデセン−7を用いた以外はすべて実
施例1同様にして光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
製造した。 [0018]比較例2 実施例1においてテトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルポレートの替わりに1−シアンエチル−4−イミ
ダゾールを用いた以外はすべて実施例1と同様にして光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。 [0019]実施例1〜3および比較例1〜2で製造し
た光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体
素子を封止して成形品(封止品)を得た。この成形品に
ついて硬化温度条件による変色性の試験を行ったのでそ
の結果を表1に示したが、いずれも本発明が優れており
、本発明の効果を確認することができた。
【0020】
【表1】
[00211
【発明の効果]以上の説明および表1の結果から明らか
なように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、透明性に優れ、広範囲な硬化温度条件に対応する信
頼性の高いものである。
なように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、透明性に優れ、広範囲な硬化温度条件に対応する信
頼性の高いものである。
Claims (1)
- 【請求項1】(A)エポキシ樹脂、 (B)フタル酸系無水物及び (C)次の化学式化1で示されるテトラフェニルホスホ
ニウムテトラフェニルボ レート 【化1】 ▲数式、化学式、表等があります▼ を必須成分としてなることを特徴とする光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409742A JPH04209624A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2409742A JPH04209624A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209624A true JPH04209624A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18519029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2409742A Pending JPH04209624A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209624A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019440A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-07 | General Electric Company | Encapsulants for solid state devices |
| EP1285938A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-02-26 | General Electric Company | Epoxy resin encapsulation compositions |
| US6617400B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-09 | General Electric Company | Composition of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride curing agent and boron catalyst |
| WO2005092980A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Works Ltd. | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び光半導体装置 |
| US7112636B2 (en) | 2002-12-06 | 2006-09-26 | Nichia Corporation | Epoxy resin composition |
| US20100104864A1 (en) * | 2007-04-05 | 2010-04-29 | Tesa Se | Thermally crosslinking polyacrylates and method for producing the same |
| JP2023093108A (ja) * | 2021-12-22 | 2023-07-04 | 株式会社レゾナック | 樹脂組成物、電子部品装置、電子部品装置の製造方法及び樹脂組成物の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-10 JP JP2409742A patent/JPH04209624A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002019440A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-07 | General Electric Company | Encapsulants for solid state devices |
| EP1285938A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-02-26 | General Electric Company | Epoxy resin encapsulation compositions |
| US6617401B2 (en) | 2001-08-23 | 2003-09-09 | General Electric Company | Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst |
| US6617400B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-09 | General Electric Company | Composition of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride curing agent and boron catalyst |
| US6809162B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-10-26 | General Electric Company | Solid state device with encapsulant of cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride and boron catalyst |
| US6878783B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-04-12 | General Electric Company | Solid state device with encapsulant of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride, and boron catalyst |
| US7112636B2 (en) | 2002-12-06 | 2006-09-26 | Nichia Corporation | Epoxy resin composition |
| WO2005092980A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Works Ltd. | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び光半導体装置 |
| US20100104864A1 (en) * | 2007-04-05 | 2010-04-29 | Tesa Se | Thermally crosslinking polyacrylates and method for producing the same |
| US8802777B2 (en) * | 2007-04-05 | 2014-08-12 | Tesa Se | Thermally crosslinking polyacrylates and method for producing the same |
| JP2023093108A (ja) * | 2021-12-22 | 2023-07-04 | 株式会社レゾナック | 樹脂組成物、電子部品装置、電子部品装置の製造方法及び樹脂組成物の製造方法 |
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