JPH04209624A - 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

光半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPH04209624A
JPH04209624A JP2409742A JP40974290A JPH04209624A JP H04209624 A JPH04209624 A JP H04209624A JP 2409742 A JP2409742 A JP 2409742A JP 40974290 A JP40974290 A JP 40974290A JP H04209624 A JPH04209624 A JP H04209624A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
anhydride
present
epoxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2409742A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshie Fujita
藤田 良枝
Naoki Takeda
直樹 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Corp filed Critical Toshiba Chemical Corp
Priority to JP2409742A priority Critical patent/JPH04209624A/ja
Publication of JPH04209624A publication Critical patent/JPH04209624A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、透明性に優れた光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。 [0002] 【従来の技術】発光ダイオード等の発光装置は、種々の
表示用として使用されている。この発光装置は、主に透
明エポキシ樹脂で封止されている。透明エポキシ樹脂の
多くは、酸無水物系を硬化剤とするエポキシ樹脂に、硬
化促進剤としてジアザビシクロウンデセン(DBU)系
、イミダゾール系等が使用されている。 [0003]Lかしながら、これらの硬化促進剤を用い
た場合、硬化時のエポキシ樹脂の温度が130℃以上に
なると、硬化物が着色する欠点がある。このため硬化物
の透明性を損なわないように低温で、長時間かけ硬化さ
せて、実用に供する樹脂強度を有するように成形されて
いる。 [0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、透明性、広範囲な硬化温度条
件に対応できる、信頼性の高い光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供することを目的としている。 [00051
【課題を解決するための手段]本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、硬化促進剤と
してテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
トを用いることによって上記目的が達成されることを見
いだし、本発明を完成したものである。 [0006]すなわち、本発明は、 (A)エポキシ樹脂、 (B)フタル酸系無水物及び (C)次の化学式化1で示されるテトラフェニルホスホ
ニウムテトラフェニルボレート [0007] 【化1】 を必須成分としてなることを特徴とする光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物である。 [00081以下、本発明を説明する。 [00091本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノール
AD型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
、脂環式エポキシ樹脂等の透明性を有するエポキシ樹脂
が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用す
ることができる。また、本発明の目的に反しない範囲に
おいて他のエポキシ樹脂、例えばフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
、含複素環式エポキシ樹脂、水添型ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、芳香族、脂肪族も
しくは脂環式のカルボン酸とエピクロルヒドリンとの反
応によって得られるエポキシ樹脂、スピロ環含有エポキ
シ樹脂等を適宜併用することができる。 [00101本発明に用いる (B)フタル酸系無水物
は、硬化剤として使用されるもので、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等
の無色又は淡黄色の酸無水物が挙げられ、これらは単独
又は2種以上混合して使用することができる。フタル酸
系無水物の配合割合は、前述した(A)エポキシ樹脂の
エポキシ基1当量に対し、0.5〜1.8当量配合する
ことが望ましい。この範囲を外れると好ましい反応が行
われず、硬化物の特性に悪影響を及ぼし好ましくない。 [00111本発明に用いる(C)テトラフェニルホス
ホニウムテトラフェニルボレートは硬化促進剤として使
用されるもので、前記の化1で示されるものを使用する
。テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルポレート
の配合割合は、前述したフタル酸系無水物100重量部
に対して1.0〜540重量部配合することが望ましい
。配合量が1.0重量部未満では、樹脂組成物の初期硬
化速度が遅く実用に適さず、また、5.OM量部を超え
ると硬化物の信頼性に悪影響を及ぼし好ましくない。 [0012]本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、エポキシ樹脂、フタル酸系無水物、およびテトラ
フェニルホスホニウムテトラフェニルポレートを必須成
分とするが、本発明の目的に反しない限度において、ま
た必要に応じて変色防止剤、光散乱剤、染料等の他の成
分を添加配合することができる。こうした各成分は、そ
れらを均一に混合して、容易に光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造することができる。この組成物は、能
動もしくは受動の光半導体、その他の半導体素子の封止
用として好適なものである。 [0013]
【作用】本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は
、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルポレートを所定の割合用いたことによって、優
れた透明性と、従来光半導体封止には困難であった13
0℃以上にわたる広範囲な適合硬化温度を付与すること
ができたものである。 [0014]
【実施例】次に本発明を実施例によって具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 [0015]実施例1 ビスフェノールA型エポキシ樹脂のエピコート828(
油化シェルエポキシ社製、商品名)100部に硬化剤の
メチルへキサヒドロフタル酸100部を加え、更に硬化
促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート1部を加えて均一に混合して光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を製造した。 [0016]実施例2〜3 表1に示した組成によって硬化促進剤の配合割合を変え
た以外は実施例1と同様にして光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造した。 [0017]比較例 1 * *実施例1においてテトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルポレートの替わりに1,8−ジアザ−ビシクロ
(5゜4.0)ウンデセン−7を用いた以外はすべて実
施例1同様にして光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
製造した。 [0018]比較例2 実施例1においてテトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルポレートの替わりに1−シアンエチル−4−イミ
ダゾールを用いた以外はすべて実施例1と同様にして光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。 [0019]実施例1〜3および比較例1〜2で製造し
た光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体
素子を封止して成形品(封止品)を得た。この成形品に
ついて硬化温度条件による変色性の試験を行ったのでそ
の結果を表1に示したが、いずれも本発明が優れており
、本発明の効果を確認することができた。
【0020】
【表1】 [00211 【発明の効果]以上の説明および表1の結果から明らか
なように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、透明性に優れ、広範囲な硬化温度条件に対応する信
頼性の高いものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)エポキシ樹脂、 (B)フタル酸系無水物及び (C)次の化学式化1で示されるテトラフェニルホスホ
    ニウムテトラフェニルボ レート 【化1】 ▲数式、化学式、表等があります▼ を必須成分としてなることを特徴とする光半導体封止用
    エポキシ樹脂組成物。
JP2409742A 1990-12-10 1990-12-10 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPH04209624A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2409742A JPH04209624A (ja) 1990-12-10 1990-12-10 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2409742A JPH04209624A (ja) 1990-12-10 1990-12-10 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04209624A true JPH04209624A (ja) 1992-07-31

Family

ID=18519029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2409742A Pending JPH04209624A (ja) 1990-12-10 1990-12-10 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04209624A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002019440A1 (en) * 2000-09-01 2002-03-07 General Electric Company Encapsulants for solid state devices
EP1285938A1 (en) * 2001-08-23 2003-02-26 General Electric Company Epoxy resin encapsulation compositions
US6617400B2 (en) * 2001-08-23 2003-09-09 General Electric Company Composition of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride curing agent and boron catalyst
WO2005092980A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Matsushita Electric Works Ltd. 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び光半導体装置
US7112636B2 (en) 2002-12-06 2006-09-26 Nichia Corporation Epoxy resin composition
US20100104864A1 (en) * 2007-04-05 2010-04-29 Tesa Se Thermally crosslinking polyacrylates and method for producing the same
JP2023093108A (ja) * 2021-12-22 2023-07-04 株式会社レゾナック 樹脂組成物、電子部品装置、電子部品装置の製造方法及び樹脂組成物の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002019440A1 (en) * 2000-09-01 2002-03-07 General Electric Company Encapsulants for solid state devices
EP1285938A1 (en) * 2001-08-23 2003-02-26 General Electric Company Epoxy resin encapsulation compositions
US6617401B2 (en) 2001-08-23 2003-09-09 General Electric Company Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst
US6617400B2 (en) * 2001-08-23 2003-09-09 General Electric Company Composition of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride curing agent and boron catalyst
US6809162B2 (en) * 2001-08-23 2004-10-26 General Electric Company Solid state device with encapsulant of cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride and boron catalyst
US6878783B2 (en) * 2001-08-23 2005-04-12 General Electric Company Solid state device with encapsulant of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride, and boron catalyst
US7112636B2 (en) 2002-12-06 2006-09-26 Nichia Corporation Epoxy resin composition
WO2005092980A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Matsushita Electric Works Ltd. 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び光半導体装置
US20100104864A1 (en) * 2007-04-05 2010-04-29 Tesa Se Thermally crosslinking polyacrylates and method for producing the same
US8802777B2 (en) * 2007-04-05 2014-08-12 Tesa Se Thermally crosslinking polyacrylates and method for producing the same
JP2023093108A (ja) * 2021-12-22 2023-07-04 株式会社レゾナック 樹脂組成物、電子部品装置、電子部品装置の製造方法及び樹脂組成物の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5985954A (en) Epoxy resin composition for sealing photo-semiconductor element and photo-semiconductor device sealed with the epoxy resin composition
JPH0725987A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
CN106479128A (zh) 一种光半导体器件封装用环氧树脂组合物及其制备方法
JP3623530B2 (ja) 光半導体装置
JPH04209648A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH06100762A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPS6225686B2 (ja)
JPH05206523A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH04142070A (ja) 光半導体装置
JPH03237749A (ja) 光半導体装置
JPH05136300A (ja) 光半導体装置
JP2724499B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH059268A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH03201470A (ja) 光半導体装置
JPH0689948A (ja) 半導体装置
JPH0463860A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS60140884A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH04363054A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH10158474A (ja) 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いて封止された光半導体装置
JP2002030133A (ja) 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPH03166221A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3392012B2 (ja) 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0234627A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS62128161A (ja) 光半導体装置
JP3644711B2 (ja) 光半導体装置