JPH0689972A - サージ吸収回路 - Google Patents
サージ吸収回路Info
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- JPH0689972A JPH0689972A JP5106291A JP5106291A JPH0689972A JP H0689972 A JPH0689972 A JP H0689972A JP 5106291 A JP5106291 A JP 5106291A JP 5106291 A JP5106291 A JP 5106291A JP H0689972 A JPH0689972 A JP H0689972A
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- Japan
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- voltage
- load
- switching element
- zener diode
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】インダクタンス負荷を駆動した場合に発生する
サージのクランプ電圧を精度良く制御する。 【構成】サージ電圧を検出する分圧抵抗、その分圧点に
接続された、トランジスタのベース，エミッタに接続さ
れたツェナーダイオード、そのアノードが接続されたパ
ワーＭＯＳＦＥＴのゲート、ゲートを駆動するドライブ
回路。 【効果】クランプ電圧の精度を高める事ができる。
サージのクランプ電圧を精度良く制御する。 【構成】サージ電圧を検出する分圧抵抗、その分圧点に
接続された、トランジスタのベース，エミッタに接続さ
れたツェナーダイオード、そのアノードが接続されたパ
ワーＭＯＳＦＥＴのゲート、ゲートを駆動するドライブ
回路。 【効果】クランプ電圧の精度を高める事ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインダクタンスを持つ負
荷を駆動する駆動回路に関する。
荷を駆動する駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の駆動回路は、ＣＱ出版社発行トラ
ンジスタ技術１９８６年２月号に記載のようにツェナー
ダイオードを使ったものであった。この場合インダクタ
ンス負荷を通電から非通電にした瞬間に発生するサージ
電圧は、ツェナーダイオードでクランプされる。クラン
プされる電圧はツェナーダイオードで決定される。
ンジスタ技術１９８６年２月号に記載のようにツェナー
ダイオードを使ったものであった。この場合インダクタ
ンス負荷を通電から非通電にした瞬間に発生するサージ
電圧は、ツェナーダイオードでクランプされる。クラン
プされる電圧はツェナーダイオードで決定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術はインダクタ
ンス負荷を通電から非通電にした瞬間に発生するサージ
電圧を精度よくするためにはツェナーダイオードの精度
の良いものが必要である。ところが高電圧になると精度
の良いものは製作が困難であるため、結局クランプ電圧
の精度をあげることは困難であるという問題があった。
ンス負荷を通電から非通電にした瞬間に発生するサージ
電圧を精度よくするためにはツェナーダイオードの精度
の良いものが必要である。ところが高電圧になると精度
の良いものは製作が困難であるため、結局クランプ電圧
の精度をあげることは困難であるという問題があった。
【０００４】本発明の目的はクランプ電圧を精度良くす
ることにある。
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にクランプ電圧を抵抗の比で設定できるようにしたもの
である。
にクランプ電圧を抵抗の比で設定できるようにしたもの
である。
【０００６】
【作用】クランプ電圧は分圧抵抗で分圧される。分圧さ
れた電圧と定電圧素子に発生する電圧を第２のスイッチ
ング素子により比較し、もし分圧された電圧が高ければ
第１のスイッチング素子を通して負荷に流れる電流を増
加させ、クランプ電圧を低下させる。逆の場合は同様に
負荷に流れる電流を減少させ、クランプ電圧を上昇させ
る。この場合、定電圧素子は精度の良い低電圧のものが
使用できるため、クランプ電圧の精度を向上させること
ができる。
れた電圧と定電圧素子に発生する電圧を第２のスイッチ
ング素子により比較し、もし分圧された電圧が高ければ
第１のスイッチング素子を通して負荷に流れる電流を増
加させ、クランプ電圧を低下させる。逆の場合は同様に
負荷に流れる電流を減少させ、クランプ電圧を上昇させ
る。この場合、定電圧素子は精度の良い低電圧のものが
使用できるため、クランプ電圧の精度を向上させること
ができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。インダクタンスを持つ負荷：ＲＬはパワーモスＦＥ
Ｔ：ＴＲ１により駆動され、さらにパワーモスＦＥＴ：
ＴＲ１は抵抗：Ｒ３を介してドライブ回路：１により駆
動される。パワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のドレインとアー
ス間には抵抗：Ｒ１と抵抗：Ｒ２が接続され、その分圧
点には、トランジスタ：ＴＲ２のベースが接続される。
トランジスタ：ＴＲ２のコレクタは電源：ＶＢに接続さ
れ、エミッタはツェナーダイオード：ＺＤのカソードに
接続される。ツェナーダイオード：ＺＤのアノードはパ
ワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のゲートに接続される。
る。インダクタンスを持つ負荷：ＲＬはパワーモスＦＥ
Ｔ：ＴＲ１により駆動され、さらにパワーモスＦＥＴ：
ＴＲ１は抵抗：Ｒ３を介してドライブ回路：１により駆
動される。パワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のドレインとアー
ス間には抵抗：Ｒ１と抵抗：Ｒ２が接続され、その分圧
点には、トランジスタ：ＴＲ２のベースが接続される。
トランジスタ：ＴＲ２のコレクタは電源：ＶＢに接続さ
れ、エミッタはツェナーダイオード：ＺＤのカソードに
接続される。ツェナーダイオード：ＺＤのアノードはパ
ワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のゲートに接続される。
【０００８】以下、各素子は記号で表記する。
【０００９】さてドライブ回路：１が通電信号をだすと
（すなわＨＩレベル）Ｒ３を通してＴＲ１はＯＮする。
このためＴＲ１のドレイン電圧：Ｅ１はＬＯとなる。こ
の状態を図２に示す。次にドライブ回路：１が非通電信
号をだすと（すなわちＬＯレベル）ＴＲ１はＯＦＦしよ
うとする。ところがＲＬはインダクタンスを持っている
ので逆起電圧によりサージ電圧が発生しＥ１は上昇す
る。この時Ｒ１とＲ２の分圧点の電圧も上昇する。ＴＲ
１がＯＮを開始する電圧をＶＴＨ，ＺＤの発生する電圧
をＶＺ，ＴＲ２のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥとす
る。
（すなわＨＩレベル）Ｒ３を通してＴＲ１はＯＮする。
このためＴＲ１のドレイン電圧：Ｅ１はＬＯとなる。こ
の状態を図２に示す。次にドライブ回路：１が非通電信
号をだすと（すなわちＬＯレベル）ＴＲ１はＯＦＦしよ
うとする。ところがＲＬはインダクタンスを持っている
ので逆起電圧によりサージ電圧が発生しＥ１は上昇す
る。この時Ｒ１とＲ２の分圧点の電圧も上昇する。ＴＲ
１がＯＮを開始する電圧をＶＴＨ，ＺＤの発生する電圧
をＶＺ，ＴＲ２のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥとす
る。
【００１０】分圧点の電圧がＶＴＨ＋ＶＺ＋ＶＢＥを越
えた時ＴＲ１はＯＮを始める。そのためＲＬにながれ電
流が増加するのでＥ１は低下する。すると、Ｒ１とＲ２
の分圧点の電圧も低下しＶＴＨ＋ＶＺ＋ＶＢＥを下回り
ＴＲ１はＯＦＦ方向になる。以上を繰り返しＥ１は一定
に保たれる。
えた時ＴＲ１はＯＮを始める。そのためＲＬにながれ電
流が増加するのでＥ１は低下する。すると、Ｒ１とＲ２
の分圧点の電圧も低下しＶＴＨ＋ＶＺ＋ＶＢＥを下回り
ＴＲ１はＯＦＦ方向になる。以上を繰り返しＥ１は一定
に保たれる。
【００１１】この時Ｅ１は図２に示す式で表される。こ
こで、ＶＴＨとＶＢＥは負の温度特性を持ち、ＶＺは電
圧により正及び負の特性を持つ。すなわちＶＺを適当に
選択することでＥ１のクランプ電圧：ＥＰの温度依存性
を無くすことができる。
こで、ＶＴＨとＶＢＥは負の温度特性を持ち、ＶＺは電
圧により正及び負の特性を持つ。すなわちＶＺを適当に
選択することでＥ１のクランプ電圧：ＥＰの温度依存性
を無くすことができる。
【００１２】またクランプ電圧：ＥＰは図２の式よりＲ
１とＲ２により、所望の値に選択することができるた
め、高電圧が必要な時でもＺＤは低電圧の精度の良いも
のを使用することが可能になり、高電圧にもかかわらず
クランプ電圧は高精度を実現できる。
１とＲ２により、所望の値に選択することができるた
め、高電圧が必要な時でもＺＤは低電圧の精度の良いも
のを使用することが可能になり、高電圧にもかかわらず
クランプ電圧は高精度を実現できる。
【００１３】また、クランプ電圧が高電圧の場合はＲ１
とＲ２に流れる電流により、Ｒ１とＲ２が発熱するた
め、Ｒ１とＲ２の抵抗値は小さくできない。この場合Ｚ
Ｄにながれる電流が不足し、ＶＺが所定の電圧値になら
ない恐れがある。しかし、TR2の増幅作用によりＺＤに
流れる電流を確保できるため問題無い。
とＲ２に流れる電流により、Ｒ１とＲ２が発熱するた
め、Ｒ１とＲ２の抵抗値は小さくできない。この場合Ｚ
Ｄにながれる電流が不足し、ＶＺが所定の電圧値になら
ない恐れがある。しかし、TR2の増幅作用によりＺＤに
流れる電流を確保できるため問題無い。
【００１４】ＴＲ２をパワーＭＯＳＦＥＴで構成した場
合は、図２の式でＶＢＥがＶＴＨとなる。またＴＲ１を
トランジスタ構成した場合は、同様にＶＴＨがＶＢＥと
なる。
合は、図２の式でＶＢＥがＶＴＨとなる。またＴＲ１を
トランジスタ構成した場合は、同様にＶＴＨがＶＢＥと
なる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、インダクタンスを持つ
負荷を駆動した場合に発生するサージ電圧を、精度良く
制御することが可能となる。このため、負荷をＤＵＴＹ
駆動した場合、ＯＦＦ時に負荷に流れる電流が持続する
時間を精度良く制御できるので、制御精度が向上すると
いう効果がある。
負荷を駆動した場合に発生するサージ電圧を、精度良く
制御することが可能となる。このため、負荷をＤＵＴＹ
駆動した場合、ＯＦＦ時に負荷に流れる電流が持続する
時間を精度良く制御できるので、制御精度が向上すると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】図１の動作波形図である。
ＲＬ…負荷、ＴＲ１…パワーＭＯＳＦＥＴ、Ｒ１，Ｒ２
…分圧抵抗、ＴＲ２…トランジスタ、ＺＤ…ツェナーダ
イオード。
…分圧抵抗、ＴＲ２…トランジスタ、ＺＤ…ツェナーダ
イオード。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 サージ吸収回路
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインダクタンスを持つ負
荷を駆動する駆動回路に関する。
荷を駆動する駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の駆動回路は、ＣＱ出版社発行トラ
ンジスタ技術１９８６年２月号に記載のようにツェナー
ダイオードを使ったものであった。この場合インダクタ
ンス負荷を通電から非通電した瞬間に発生するサージ電
圧は、ツェナーダイオードでクランプされる。クランプ
される電圧はツェナーダイオードで決定される。
ンジスタ技術１９８６年２月号に記載のようにツェナー
ダイオードを使ったものであった。この場合インダクタ
ンス負荷を通電から非通電した瞬間に発生するサージ電
圧は、ツェナーダイオードでクランプされる。クランプ
される電圧はツェナーダイオードで決定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術はインダクタ
ンス負荷を通電から非通電にした瞬間に発生するサージ
電圧を精度よくするためにはツェナーダイオードの精度
の良いものが必要である。ところが高電圧になると精度
の良いものは製作が困難であるため、結局クランプ電圧
の精度をあげることは困難であるという問題があった。
ンス負荷を通電から非通電にした瞬間に発生するサージ
電圧を精度よくするためにはツェナーダイオードの精度
の良いものが必要である。ところが高電圧になると精度
の良いものは製作が困難であるため、結局クランプ電圧
の精度をあげることは困難であるという問題があった。
【０００４】本発明の目的はクランプ電圧を精度良くす
ることにある。
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にクランプ電圧を抵抗の比で設定できるようにしたもの
である。
にクランプ電圧を抵抗の比で設定できるようにしたもの
である。
【０００６】
【作用】クランプ電圧は分圧抵抗で分圧される。分圧さ
れた電圧と定電圧素子に発生する電圧を第２のスイッチ
ング素子により比較し、もし分圧された電圧が高ければ
第１のスイッチング素子を通して負荷に流れる電流を増
加させ、クランプ電圧を低下させる。逆の場合は同様に
負荷に流れる電流を減少させ、クランプ電圧を上昇させ
る。この場合、定電圧素子は精度の良い低電圧のものが
使用できるため、クランプ電圧の精度を向上させること
ができる。
れた電圧と定電圧素子に発生する電圧を第２のスイッチ
ング素子により比較し、もし分圧された電圧が高ければ
第１のスイッチング素子を通して負荷に流れる電流を増
加させ、クランプ電圧を低下させる。逆の場合は同様に
負荷に流れる電流を減少させ、クランプ電圧を上昇させ
る。この場合、定電圧素子は精度の良い低電圧のものが
使用できるため、クランプ電圧の精度を向上させること
ができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。インダクタンスを持つ負荷：ＲＬはパワーモスＦＥ
Ｔ：ＴＲ１により駆動され、さらにパワーモスＦＥＴ：
ＴＲ１は抵抗：Ｒ３を介してドライブ回路：１により駆
動される。パワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のドレインとアー
ス間には抵抗：Ｒ１と抵抗：Ｒ２が接続され、その分圧
点には、トランジスタ：ＴＲ２のベースが接続される。
トランジスタ：ＴＲ２のコレクタは電源：ＶＢに接続さ
れ、エミッタはツェナーダイオード：ＺＤのカソードに
接続される。ツェナーダイオード：ＺＤのアノードはパ
ワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のゲートに接続される。
る。インダクタンスを持つ負荷：ＲＬはパワーモスＦＥ
Ｔ：ＴＲ１により駆動され、さらにパワーモスＦＥＴ：
ＴＲ１は抵抗：Ｒ３を介してドライブ回路：１により駆
動される。パワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のドレインとアー
ス間には抵抗：Ｒ１と抵抗：Ｒ２が接続され、その分圧
点には、トランジスタ：ＴＲ２のベースが接続される。
トランジスタ：ＴＲ２のコレクタは電源：ＶＢに接続さ
れ、エミッタはツェナーダイオード：ＺＤのカソードに
接続される。ツェナーダイオード：ＺＤのアノードはパ
ワーモスＦＥＴ：ＴＲ１のゲートに接続される。
【０００８】以下、各素子は記号で表記する。
【０００９】さてドライブ回路：１が通電信号をだすと
（すなわちＨＩレベル）Ｒ３を通してＴＲ１はＯＮす
る。このためＴＲ１のドレイン電圧：Ｅ１はＬＯとな
る。この状態を図２に示す。次にドライブ回路：１が非
通電信号をだすと（すなわちＬＯレベル）ＴＲ１はＯＦ
Ｆしようとする。ところがＲＬはインダクタンスを持っ
ているので逆起電圧によりサージ電圧が発生しＥ１は上
昇する。この時Ｒ１とＲ２の分圧点の電圧も上昇する。
ＴＲ１がＯＮを開始する電圧をＶＴＨ，ＺＤの発生する
電圧をＶＺ，ＴＲ２のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ
とする。
（すなわちＨＩレベル）Ｒ３を通してＴＲ１はＯＮす
る。このためＴＲ１のドレイン電圧：Ｅ１はＬＯとな
る。この状態を図２に示す。次にドライブ回路：１が非
通電信号をだすと（すなわちＬＯレベル）ＴＲ１はＯＦ
Ｆしようとする。ところがＲＬはインダクタンスを持っ
ているので逆起電圧によりサージ電圧が発生しＥ１は上
昇する。この時Ｒ１とＲ２の分圧点の電圧も上昇する。
ＴＲ１がＯＮを開始する電圧をＶＴＨ，ＺＤの発生する
電圧をＶＺ，ＴＲ２のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ
とする。
【００１０】分圧点の電圧がＶＴＨ＋ＶＺ＋ＶＢＥを越
えた時ＴＲ１はＯＮを始める。そのためＲＬにながれ電
流が増加するのでＥ１は低下する。すると、Ｒ１とＲ２
の分圧点の電圧も低下しＶＴＨ＋ＶＺ＋ＶＢＥを下回り
ＴＲ１はＯＦＦ方向になる。以上を繰り返しＥ１は一定
に保たれる。
えた時ＴＲ１はＯＮを始める。そのためＲＬにながれ電
流が増加するのでＥ１は低下する。すると、Ｒ１とＲ２
の分圧点の電圧も低下しＶＴＨ＋ＶＺ＋ＶＢＥを下回り
ＴＲ１はＯＦＦ方向になる。以上を繰り返しＥ１は一定
に保たれる。
【００１１】この時Ｅ１は図２に示す式で表される。こ
こで、ＶＴＨとＶＢＥは負の温度特性を持ち、ＶＺは電
圧により正及び負の特性を持つ。すなわちＶＺを適当に
選択することでＥ１のクランプ電圧：ＥＰの温度依存性
を無くすことができる。
こで、ＶＴＨとＶＢＥは負の温度特性を持ち、ＶＺは電
圧により正及び負の特性を持つ。すなわちＶＺを適当に
選択することでＥ１のクランプ電圧：ＥＰの温度依存性
を無くすことができる。
【００１２】またクランプ電圧：ＥＰは図２の式よりＲ
１とＲ２により、所望の値に選択することができるた
め、高電圧が必要な時でもＺＤは低電圧の精度の良いも
のを使用することが可能になり、高電圧にもかかわらず
クランプ電圧は高精度を実現できる。
１とＲ２により、所望の値に選択することができるた
め、高電圧が必要な時でもＺＤは低電圧の精度の良いも
のを使用することが可能になり、高電圧にもかかわらず
クランプ電圧は高精度を実現できる。
【００１３】また、クランプ電圧が高電圧の場合はＲ１
とＲ２に流れる電流により、Ｒ１とＲ２が発熱するた
め、Ｒ１とＲ２の抵抗値は小さくできない。この場合Ｚ
Ｄにながれる電流が不足し、ＶＺが所定の電圧値になら
ない恐れがある。しかし、ＴＲ２の増幅作用によりＺＤ
に流れる電流を確保できるため問題無い。
とＲ２に流れる電流により、Ｒ１とＲ２が発熱するた
め、Ｒ１とＲ２の抵抗値は小さくできない。この場合Ｚ
Ｄにながれる電流が不足し、ＶＺが所定の電圧値になら
ない恐れがある。しかし、ＴＲ２の増幅作用によりＺＤ
に流れる電流を確保できるため問題無い。
【００１４】ＴＲ２をパワーＭＯＳＦＥＴで構成した場
合は、図２の式でＶＢＥがＶＴＨとなる。またＴＲ１を
トランジスタ構成した場合は、同様にＶＴＨがＶＢＥと
なる。
合は、図２の式でＶＢＥがＶＴＨとなる。またＴＲ１を
トランジスタ構成した場合は、同様にＶＴＨがＶＢＥと
なる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、インダクタンスを持つ
負荷を駆動した場合に発生するサージ電圧を、精度良く
制御することが可能となる。このため、負荷をＤＵＴＹ
駆動した場合、ＯＦＦ時に負荷に流れる電流が持続する
時間を精度良く制御できるので、制御精度が向上すると
いう効果がある。
負荷を駆動した場合に発生するサージ電圧を、精度良く
制御することが可能となる。このため、負荷をＤＵＴＹ
駆動した場合、ＯＦＦ時に負荷に流れる電流が持続する
時間を精度良く制御できるので、制御精度が向上すると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】図１の動作波形図である。
【符号の説明】 ＲＬ…負荷、ＴＲ１…パワーＭＯＳＦＥＴ、Ｒ１，Ｒ２
…分圧抵抗、ＴＲ２…トランジスタ、ＺＤ…ツェナーダ
イオード。
…分圧抵抗、ＴＲ２…トランジスタ、ＺＤ…ツェナーダ
イオード。
Claims (3)
- 【請求項１】負荷を駆動する第１のスイッチング素子
と、駆動回路と、スイッチング素子の出力端とグランド
間に設けられた分圧抵抗と、分圧抵抗の分圧点に入力端
が接続される第２のスイッチング素子と、第２のスイッ
チング素子と第１のスイッチング素子の入力端間に接続
される定電圧素子を持つことを特徴とするサージ吸収回
路。 - 【請求項２】請求項第１項において、スイッチング素子
はバイポーラトランジスタまたは、ＭＯＳトランジスタ
であることを特徴とするサージ吸収回路。 - 【請求項３】請求項第１項において、定電圧素子はツェ
ナーダイオードであることを特徴とするサージ吸収回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106291A JPH0689972A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | サージ吸収回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106291A JPH0689972A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | サージ吸収回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689972A true JPH0689972A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=12876320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5106291A Pending JPH0689972A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | サージ吸収回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689972A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207553A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2013207552A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Denso Corp | 半導体装置 |
| WO2016114416A1 (ko) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 주식회사 실리콘웍스 | 클램핑 회로에 대한 밸런싱 회로를 포함하는 인덕티브 로드 구동 회로 및 그 제어 방법 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5106291A patent/JPH0689972A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207553A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2013207552A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Denso Corp | 半導体装置 |
| WO2016114416A1 (ko) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 주식회사 실리콘웍스 | 클램핑 회로에 대한 밸런싱 회로를 포함하는 인덕티브 로드 구동 회로 및 그 제어 방법 |
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