JPH0690032A - 超伝導薄膜層間配線 - Google Patents
超伝導薄膜層間配線Info
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- JPH0690032A JPH0690032A JP4240501A JP24050192A JPH0690032A JP H0690032 A JPH0690032 A JP H0690032A JP 4240501 A JP4240501 A JP 4240501A JP 24050192 A JP24050192 A JP 24050192A JP H0690032 A JPH0690032 A JP H0690032A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、層間配線の細線化と上下集積回路
内の細線化を同時に実現できる超伝導薄膜層間配線を提
供することを目的とする。 【構成】 本発明は、酸化物超伝導体を用いた三次元集
積回路において、ＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（Ｌｎ：Ｙまた
はびランタニド元素の中で超伝導となる元素）との格子
不整合率が異なる二種以上の材料をそれぞれ一箇所以上
堆積した部分上に堆積したＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ超伝導
薄膜の結晶学的配向軸を変化させ、コヒーレンス長の長
い軸方向を配向軸（縦方向）とする部分を下部集積回路
と上部集積回路をつなぐ層間配線とすることを特徴とす
る。
内の細線化を同時に実現できる超伝導薄膜層間配線を提
供することを目的とする。 【構成】 本発明は、酸化物超伝導体を用いた三次元集
積回路において、ＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（Ｌｎ：Ｙまた
はびランタニド元素の中で超伝導となる元素）との格子
不整合率が異なる二種以上の材料をそれぞれ一箇所以上
堆積した部分上に堆積したＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ超伝導
薄膜の結晶学的配向軸を変化させ、コヒーレンス長の長
い軸方向を配向軸（縦方向）とする部分を下部集積回路
と上部集積回路をつなぐ層間配線とすることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏx超伝
導薄膜を用いた三次元集積回路の層間配線に関するもの
である。
導薄膜を用いた三次元集積回路の層間配線に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】１９８６年に発見されたＬａ1-xＭxＣｕ
Ｏ4-y（Ｍ：Ｓｒ，Ｂａ，０＜ｘ＜１）は、超伝導転移
温度（Ｔｃ）が３０〜４０Ｋと従来の金属超伝導体のＴ
C と比較して著しく高いことから、酸化物超伝導体の探
索が進められ、ＴC 〜９０Ｋを有するＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ
X酸化物超伝導体（Ｌｎ：Ｙ及びランタニド元素）、ＴC
〜１１０Ｋを有するＢｉＳｒＣａＣｕＯX系酸化物超伝
導体、ＴC 〜１２０Ｋを有するＴｌＢａＣａＣｕＯX 系
酸化物超伝導体の発見が相次いだ。ところが、これらの
超伝導薄膜は異方性が強く、たとえば、コヒーレンス長
の短いｃ−軸方向においてはコヒーレンス長の長いａ−
軸方向に比べて、超伝導の臨界電流密度が数桁以上小さ
い。そのため、ｃ−軸配向膜で構成された積層構造の三
次元高集積回路内では下部回路層から上部回路層への信
号の受渡し時にコヒーレンス長の短いａ−軸配向部分を
通過せざるを得ない。この層間配線領域では信号の電流
が臨界電流密度を越えないために、断面積を大きくする
必要が生ずる。そのため、高集積化ができないという重
大な問題点に遭遇する。
Ｏ4-y（Ｍ：Ｓｒ，Ｂａ，０＜ｘ＜１）は、超伝導転移
温度（Ｔｃ）が３０〜４０Ｋと従来の金属超伝導体のＴ
C と比較して著しく高いことから、酸化物超伝導体の探
索が進められ、ＴC 〜９０Ｋを有するＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ
X酸化物超伝導体（Ｌｎ：Ｙ及びランタニド元素）、ＴC
〜１１０Ｋを有するＢｉＳｒＣａＣｕＯX系酸化物超伝
導体、ＴC 〜１２０Ｋを有するＴｌＢａＣａＣｕＯX 系
酸化物超伝導体の発見が相次いだ。ところが、これらの
超伝導薄膜は異方性が強く、たとえば、コヒーレンス長
の短いｃ−軸方向においてはコヒーレンス長の長いａ−
軸方向に比べて、超伝導の臨界電流密度が数桁以上小さ
い。そのため、ｃ−軸配向膜で構成された積層構造の三
次元高集積回路内では下部回路層から上部回路層への信
号の受渡し時にコヒーレンス長の短いａ−軸配向部分を
通過せざるを得ない。この層間配線領域では信号の電流
が臨界電流密度を越えないために、断面積を大きくする
必要が生ずる。そのため、高集積化ができないという重
大な問題点に遭遇する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、下地材料に
より超伝導薄膜の結晶学的配向軸を制御し、コヒーレン
ス長の長い方向を平面内に持つ超伝導薄膜において、層
間配線となる領域のみ、コヒーレンス長の長い方向を超
伝導配線層に垂直にし、層間配線の面積を減少させ、高
集積酸化物超伝導体回路を実現するものである。
より超伝導薄膜の結晶学的配向軸を制御し、コヒーレン
ス長の長い方向を平面内に持つ超伝導薄膜において、層
間配線となる領域のみ、コヒーレンス長の長い方向を超
伝導配線層に垂直にし、層間配線の面積を減少させ、高
集積酸化物超伝導体回路を実現するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物超伝導
体を用いた三次元集積回路において、ＬｎＢａ２Ｃｕ ３
Ｏｘ（Ｌｎ：Ｙまたはびランタニド元素の中で超伝導と
なる元素）との格子不整合率が異なる二種以上の材料を
それぞれ一箇所以上堆積した部分上に堆積したＬｎＢａ
２Ｃｕ３Ｏｘ超伝導薄膜の結晶学的配向軸を変化させ、
コヒーレンス長の長い軸方向を配向軸（縦方向）とする
部分を下部集積回路と上部集積回路をつなぐ層間配線と
することを特徴とする。
体を用いた三次元集積回路において、ＬｎＢａ２Ｃｕ ３
Ｏｘ（Ｌｎ：Ｙまたはびランタニド元素の中で超伝導と
なる元素）との格子不整合率が異なる二種以上の材料を
それぞれ一箇所以上堆積した部分上に堆積したＬｎＢａ
２Ｃｕ３Ｏｘ超伝導薄膜の結晶学的配向軸を変化させ、
コヒーレンス長の長い軸方向を配向軸（縦方向）とする
部分を下部集積回路と上部集積回路をつなぐ層間配線と
することを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明ではＬｎＢａ2Ｃｕ3ＯX超伝導薄膜内の
所望の層間配線となる箇所におい て、配向軸１方向を
コヒーレンス長の長い方向を軸方向に持つａ−軸配向薄
膜を成長させることができる所に特徴がある。
所望の層間配線となる箇所におい て、配向軸１方向を
コヒーレンス長の長い方向を軸方向に持つａ−軸配向薄
膜を成長させることができる所に特徴がある。
【０００６】従来技術では層内の回路部分がｃ−軸配向
膜すなわち、電流の流れ易い（臨界電流密度の高い）ａ
／ｂ面を薄膜面内に持っているとすれば、層間配線膜は
電流の流れ難い（臨界電流密度の低い）ｃ軸方向を電流
が流れる方向に持っていることになる。そのため、信号
電流が超伝導を破壊する臨界電流密度を越えないために
は層間配線膜を太くする必要が生じ、集積回路の微細化
ができないという問題点が生ずる。一方、本発明を用い
れば、集積回路内では電流の流れ易い（臨界電流密度の
高い）ａ／ｂ面を薄膜表面内に持ちながら、層間配線膜
では電流の流れ易い（臨界電流密度の高い）ａ−軸方向
を電流の流れる向きに成長できるため、今までできなか
った高集積化が実現できる。
膜すなわち、電流の流れ易い（臨界電流密度の高い）ａ
／ｂ面を薄膜面内に持っているとすれば、層間配線膜は
電流の流れ難い（臨界電流密度の低い）ｃ軸方向を電流
が流れる方向に持っていることになる。そのため、信号
電流が超伝導を破壊する臨界電流密度を越えないために
は層間配線膜を太くする必要が生じ、集積回路の微細化
ができないという問題点が生ずる。一方、本発明を用い
れば、集積回路内では電流の流れ易い（臨界電流密度の
高い）ａ／ｂ面を薄膜表面内に持ちながら、層間配線膜
では電流の流れ易い（臨界電流密度の高い）ａ−軸方向
を電流の流れる向きに成長できるため、今までできなか
った高集積化が実現できる。
【０００７】
【実施例】実施例１を説明する前に、本発明に密接に関
連する実験事実を説明する。図１は基板材料ＭｇＯ，Ｓ
ｒＴｉＯ3，ＬａＳｒＧａＯ4，ＰｒＧａＯ3，ＮｄＧａ
Ｏ3，ＬａＡｌＯ3，ＹＡｌＯ3 などのＹＢａ2ＣｕＯX超
伝導体との格子不整合率が異なる基板上にＹＢａ2Ｃｕ3
ＯX超伝導薄膜を作製した時の薄膜の結晶学的配向軸の
基板温度依存性を求めたものであり、図中、ａはａ−軸
配向、ｃはｃ−軸配向、ａ＋ｃはａ−軸配向とｃ−軸配
向が混在する薄膜の成長する領域である。図から基板温
度が同じであっても異なる基板上ではＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
X超伝導薄膜の結晶方位（配向）は基板格子の不整合率
で決まり、不整合率が大きいときはＹＢａ2Ｃｕ3ＯX超
伝導薄膜はｃ−軸配向となり、不整合率が小さいときは
ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx超伝導薄膜はａ−軸配向となることを
示している。すなわち、例えば、ＮｄＧａＯ3（ＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏxとの格子不整合率が０．３％）とＳｒＴｉＯ3
（同１．１％）が表面に存在する下地上にヽ図１に示し
た点線の堆積温度でＹＢａ 2Ｃｕ3ＯX薄膜を堆積すれ
ば、ＮｄＧａＯ3上に蒸着されたＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜は
ａ−軸配向となり、一方ＳｒＴｉＯ3 上に蒸着されたＹ
Ｂａ2Ｃｕ3ＯX薄膜はｃ−軸配向となることを示してい
る。
連する実験事実を説明する。図１は基板材料ＭｇＯ，Ｓ
ｒＴｉＯ3，ＬａＳｒＧａＯ4，ＰｒＧａＯ3，ＮｄＧａ
Ｏ3，ＬａＡｌＯ3，ＹＡｌＯ3 などのＹＢａ2ＣｕＯX超
伝導体との格子不整合率が異なる基板上にＹＢａ2Ｃｕ3
ＯX超伝導薄膜を作製した時の薄膜の結晶学的配向軸の
基板温度依存性を求めたものであり、図中、ａはａ−軸
配向、ｃはｃ−軸配向、ａ＋ｃはａ−軸配向とｃ−軸配
向が混在する薄膜の成長する領域である。図から基板温
度が同じであっても異なる基板上ではＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
X超伝導薄膜の結晶方位（配向）は基板格子の不整合率
で決まり、不整合率が大きいときはＹＢａ2Ｃｕ3ＯX超
伝導薄膜はｃ−軸配向となり、不整合率が小さいときは
ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx超伝導薄膜はａ−軸配向となることを
示している。すなわち、例えば、ＮｄＧａＯ3（ＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏxとの格子不整合率が０．３％）とＳｒＴｉＯ3
（同１．１％）が表面に存在する下地上にヽ図１に示し
た点線の堆積温度でＹＢａ 2Ｃｕ3ＯX薄膜を堆積すれ
ば、ＮｄＧａＯ3上に蒸着されたＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜は
ａ−軸配向となり、一方ＳｒＴｉＯ3 上に蒸着されたＹ
Ｂａ2Ｃｕ3ＯX薄膜はｃ−軸配向となることを示してい
る。
【０００８】（実施例１）この実験事実を基に、図２を
もって、本発明の実施例１を説明する。この図は本発明
による層間配線を説明する断面図であって、図中１はＳ
ｒＴｉＯ3 基板、２はＮｄＧａＯ3 薄膜、３は下部集積
回路のｃ−軸配向ＹＢａ2 Ｃｕ3ＯX薄膜、４は層間配線
となるａ−軸配向ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜、５はＳｒＴｉ
Ｏ3 層 間絶縁膜、６は上部電極のｃ−軸配向ＹＢａ2
Ｃｕ3ＯX薄膜である。ここで、集積回路内の薄膜はｃ−
軸配向膜（コヒーレンス長の短い方向が基板面に垂
直）、層間配線部分４はａ−軸配向膜（コヒーレンス長
の短い方向が平面内）である。この層間配線を通る電流
は、例えば下部の集積回路の薄膜３から層間配線４、そ
の後上部の集積回路の薄膜６に流れる。この時、薄膜３
中は電流は面内に流れやすく（ｃ−軸配向膜）、層間配
線４では基板面と垂直方向に流れ易く（ａ−軸配向
膜）、さらに上部の集積回路である薄膜６中では電流は
面内に流れやすく（ｃ−軸配向膜）なっていることに特
徴がある。
もって、本発明の実施例１を説明する。この図は本発明
による層間配線を説明する断面図であって、図中１はＳ
ｒＴｉＯ3 基板、２はＮｄＧａＯ3 薄膜、３は下部集積
回路のｃ−軸配向ＹＢａ2 Ｃｕ3ＯX薄膜、４は層間配線
となるａ−軸配向ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜、５はＳｒＴｉ
Ｏ3 層 間絶縁膜、６は上部電極のｃ−軸配向ＹＢａ2
Ｃｕ3ＯX薄膜である。ここで、集積回路内の薄膜はｃ−
軸配向膜（コヒーレンス長の短い方向が基板面に垂
直）、層間配線部分４はａ−軸配向膜（コヒーレンス長
の短い方向が平面内）である。この層間配線を通る電流
は、例えば下部の集積回路の薄膜３から層間配線４、そ
の後上部の集積回路の薄膜６に流れる。この時、薄膜３
中は電流は面内に流れやすく（ｃ−軸配向膜）、層間配
線４では基板面と垂直方向に流れ易く（ａ−軸配向
膜）、さらに上部の集積回路である薄膜６中では電流は
面内に流れやすく（ｃ−軸配向膜）なっていることに特
徴がある。
【０００９】次に図３から図６をもって実施例１の層間
配線の作製例を説明する。これらの図中１から６は図２
で説明したものと同じであり、７はマスク材である。図
３は例えば、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxとの格子不整合率が１．
１％のＳｒＴｉＯ3基板上にマスク材７を乗せた状態を
示している。次にマスクしたところ以外の部分に例え
ば、ＹＢａ2Ｃｕ3ＯXとの格子不整合率が０．３％のＮ
ｄＧａＯ3２を堆積する。この状態からマスク材７を取
り去ったものが図４である。次に図４の基板上全面にＹ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜を図１の点線で示した基板温度例え
ば７５０℃で堆積する。すると、図５に示したようにＳ
ｒＴｉＯ3 基板上にはａ−軸配向ＹＢａ2Ｃｕ3ＯX薄膜
３が堆積され、ＮｄＧａＯ3 薄膜２上にはａ−軸配向し
たＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜４が堆積される。次にマスク材
７を層間配線となるａ−軸配向ＹＢａＣｕ3Ｏx薄膜４上
に配置する。これが図６である。次にＳｒＴｉＯ3 層間
絶縁膜５を堆積し、マスク材７を取り去り、上部集積回
路のＹＢａ2Ｃｕ3ＯX薄膜６を堆積する。するとＳｒＴ
ｉＯ3 層間絶縁膜５上にはｃ−軸配向ＹＢａ2ＣｕＯX薄
膜６が、層間配線４上にはそのままａ−軸配向膜が成長
する。これが図２である。以上により層間配線部のみに
ａ−軸配向薄膜を持つｃ−軸配向膜の下部薄膜３及び上
部薄膜６が実現できる。
配線の作製例を説明する。これらの図中１から６は図２
で説明したものと同じであり、７はマスク材である。図
３は例えば、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxとの格子不整合率が１．
１％のＳｒＴｉＯ3基板上にマスク材７を乗せた状態を
示している。次にマスクしたところ以外の部分に例え
ば、ＹＢａ2Ｃｕ3ＯXとの格子不整合率が０．３％のＮ
ｄＧａＯ3２を堆積する。この状態からマスク材７を取
り去ったものが図４である。次に図４の基板上全面にＹ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜を図１の点線で示した基板温度例え
ば７５０℃で堆積する。すると、図５に示したようにＳ
ｒＴｉＯ3 基板上にはａ−軸配向ＹＢａ2Ｃｕ3ＯX薄膜
３が堆積され、ＮｄＧａＯ3 薄膜２上にはａ−軸配向し
たＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜４が堆積される。次にマスク材
７を層間配線となるａ−軸配向ＹＢａＣｕ3Ｏx薄膜４上
に配置する。これが図６である。次にＳｒＴｉＯ3 層間
絶縁膜５を堆積し、マスク材７を取り去り、上部集積回
路のＹＢａ2Ｃｕ3ＯX薄膜６を堆積する。するとＳｒＴ
ｉＯ3 層間絶縁膜５上にはｃ−軸配向ＹＢａ2ＣｕＯX薄
膜６が、層間配線４上にはそのままａ−軸配向膜が成長
する。これが図２である。以上により層間配線部のみに
ａ−軸配向薄膜を持つｃ−軸配向膜の下部薄膜３及び上
部薄膜６が実現できる。
【００１０】（実施例２）図７は実施例２を説明する断
面図であって、図中１はＳｒＴｉＯ3 基板、２はＮｄＧ
ａＯ3 薄膜、３は下部集積回路のｃ−軸配向ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3ＯX薄膜、４は層間配線となるａ−軸配向ＹＢａＣｕ
3 Ｏx薄膜、５はＳｒＴｉＯ3 層間絶縁 膜、６は上部電
極のｃ−軸配向ＹＢａ2 Ｃｕ3ＯX薄膜である。実施例１
における基板上のＮｄＧａＯ3 薄膜２を堆積する前にマ
スクを用いて次に堆積するＳｒＴｉＯ3 薄膜２の膜厚分
だけエッチングにより掘り下げた点のみ異なる。これに
より層間配線となるａ−軸配向部分と集積回路となるｃ
−軸配向部分との境界領域の接触面積を増大すなわち、
電流密度を向上させ、かつプロセスマージンを増大させ
る平坦化を実現する付加的効果がある。ここでは下部集
積回路の薄膜の埋め込みを例として説明したが、上部集
積回路直下の層間絶縁膜を埋め込めば、層間配線となる
ａ−軸配向部分と上部集積回路のｃ−軸配向部分との境
界領域の接触面積を増大できることは言うまでもない。
面図であって、図中１はＳｒＴｉＯ3 基板、２はＮｄＧ
ａＯ3 薄膜、３は下部集積回路のｃ−軸配向ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3ＯX薄膜、４は層間配線となるａ−軸配向ＹＢａＣｕ
3 Ｏx薄膜、５はＳｒＴｉＯ3 層間絶縁 膜、６は上部電
極のｃ−軸配向ＹＢａ2 Ｃｕ3ＯX薄膜である。実施例１
における基板上のＮｄＧａＯ3 薄膜２を堆積する前にマ
スクを用いて次に堆積するＳｒＴｉＯ3 薄膜２の膜厚分
だけエッチングにより掘り下げた点のみ異なる。これに
より層間配線となるａ−軸配向部分と集積回路となるｃ
−軸配向部分との境界領域の接触面積を増大すなわち、
電流密度を向上させ、かつプロセスマージンを増大させ
る平坦化を実現する付加的効果がある。ここでは下部集
積回路の薄膜の埋め込みを例として説明したが、上部集
積回路直下の層間絶縁膜を埋め込めば、層間配線となる
ａ−軸配向部分と上部集積回路のｃ−軸配向部分との境
界領域の接触面積を増大できることは言うまでもない。
【００１１】本実施例では、例として、ＳｒＴｉＯ
3（格子不整合率１．１％）、ＮｄＧａＯ3（同０．３
％）、超伝導材料としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxを用いて説明
したが、格子不整合率の異なる２種の材料上に堆積した
超伝導薄膜が不整合率の小きい方の材料上ではａ−軸配
向、不整合率が大きい方の材料上ではｃ−軸配向となる
堆積温度が設定できれば全く同じ効果が得られることは
あきらかである。また本実施例では下部薄膜堆積前の異
なる２種の基板表面材料として、基板と薄膜を用いたが
２種類以上の格子不整合率の異なる薄膜材料を堆積した
上でも同じ効果が得られることは言うまでもない。
3（格子不整合率１．１％）、ＮｄＧａＯ3（同０．３
％）、超伝導材料としてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏxを用いて説明
したが、格子不整合率の異なる２種の材料上に堆積した
超伝導薄膜が不整合率の小きい方の材料上ではａ−軸配
向、不整合率が大きい方の材料上ではｃ−軸配向となる
堆積温度が設定できれば全く同じ効果が得られることは
あきらかである。また本実施例では下部薄膜堆積前の異
なる２種の基板表面材料として、基板と薄膜を用いたが
２種類以上の格子不整合率の異なる薄膜材料を堆積した
上でも同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による、層
間配線の構造によれば、層間配線部においてはコヒーレ
ンス長の長い軸（電流の流れ易いａ−ｂ面）を配向軸
に、集積回路の薄膜部ではコヒーレンス長の短い軸（電
流の流れ難いｃ軸）を配向軸に持つ薄膜（薄膜表面内に
電流の流れ易いａ−ｂ面を持つ薄膜）を用いられるた
め、層間配線の細線化と上下集積回路内の細線化を同時
に実現できる効果がある。
間配線の構造によれば、層間配線部においてはコヒーレ
ンス長の長い軸（電流の流れ易いａ−ｂ面）を配向軸
に、集積回路の薄膜部ではコヒーレンス長の短い軸（電
流の流れ難いｃ軸）を配向軸に持つ薄膜（薄膜表面内に
電流の流れ易いａ−ｂ面を持つ薄膜）を用いられるた
め、層間配線の細線化と上下集積回路内の細線化を同時
に実現できる効果がある。
【図１】格子不整合率とａ−軸配向／ｃ−軸配向となる
基板温度との関係を示したものであって、縦軸は基板温
度、横軸はＹＢａ2 Ｃｕ3ＯX薄膜との格子不整合率であ
る。
基板温度との関係を示したものであって、縦軸は基板温
度、横軸はＹＢａ2 Ｃｕ3ＯX薄膜との格子不整合率であ
る。
【図２】実施例１の縦型超伝導接合素子の構造及び製造
例の概略図である。
例の概略図である。
【図３】実施例１の縦型超伝導接合素子の構造及び製造
例の概略図である。
例の概略図である。
【図４】実施例１の縦型超伝導接合素子の構造及び製造
例の概略図である。
例の概略図である。
【図５】実施例１の縦型超伝導接合素子の構造及び製造
例の概略図である。
例の概略図である。
【図６】実施例１の縦型超伝導接合素子の構造及び製造
例の概略図である。
例の概略図である。
【図７】実施例２の縦型超伝導接合素子の構造及び製造
例の概略図である。
例の概略図である。
１ ＳｒＴｉＯ3 基板、 ２ ＮｄＧａＯ3 薄膜、 ３ 下部のｃ−軸配向ＹＢａ2ＣｕＯX薄膜、 ４ 層間配線ａ−軸配向ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx薄膜、 ５ 層間絶縁膜のＳｒＴｉＯ3 薄膜、 ６ 上部のｃ−軸配向ＹＢａ2Ｃｕ3ＯX薄膜、 ７ マスク、 ｃ ｃ−軸配向となる領域、 ａ ａ−軸配向となる領域、 ａ＋ｃ ａ−軸配向とｃ−軸配向とが混在する領域。
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物超伝導体を用いた三次元集積回路
において、ＬｎＢａ 2Ｃｕ3Ｏx（Ｌｎ：Ｙまたはびラン
タニド元素の中で超伝導となる元素）との格子不整合率
が異なる二種以上の材料をそれぞれ一箇所以上堆積した
部分上に堆積したＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏx 超伝導薄膜の結晶
学的配向軸を変化させ、コヒーレンス長の長い軸方向を
配向軸（縦方向）とする部分を下部集積回路と上部集積
回路をつなぐ層間配線とすることを特徴とする超伝導薄
膜層間配線。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240501A JP2708675B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 超伝導薄膜層間配線の製造方法 |
| EP93111981A EP0582889B1 (en) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | Junction device with lattice matching and method for fabricating the same |
| EP05005034A EP1544926A3 (en) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | Superconducting thin film device comprising superconducting oxide multilayer interconnections and method for fabricating the same |
| DE69328278T DE69328278T2 (de) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | Übergangsvorrichtung mit Gitteranpassung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP99118017A EP0973208B1 (en) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | Lattice matching device and method for fabricating the same |
| DE69333799T DE69333799T2 (de) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | Bauelement mit Gitteranpassung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US08/097,235 US5593950A (en) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | Lattice matching super conducting device with a- and c- axes |
| US08/479,751 US5821200A (en) | 1992-07-28 | 1995-06-07 | Lattice matching device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240501A JP2708675B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 超伝導薄膜層間配線の製造方法 |
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| JP2708675B2 JP2708675B2 (ja) | 1998-02-04 |
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ID=17060458
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0446098A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Toshiba Corp | 超電導部材 |
| JPH04144994A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
| JPH04167578A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導回路とその作製方法 |
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-
1992
- 1992-09-09 JP JP4240501A patent/JP2708675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0446098A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Toshiba Corp | 超電導部材 |
| JPH04144994A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
| JPH04167578A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導回路とその作製方法 |
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| JP2708675B2 (ja) | 1998-02-04 |
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