JPH0690232B2 - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
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- JPH0690232B2 JPH0690232B2 JP63304562A JP30456288A JPH0690232B2 JP H0690232 B2 JPH0690232 B2 JP H0690232B2 JP 63304562 A JP63304562 A JP 63304562A JP 30456288 A JP30456288 A JP 30456288A JP H0690232 B2 JPH0690232 B2 JP H0690232B2
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Description
本発明は、被測定物の所定部分の電圧により屈折率が変
化する電気光学材料を用いて、電気−光変換により前記
電圧を検出する電圧検出装置に係り、特に、時間分解能
が高く、検出感度の高い電圧検出装置に関するものであ
る。
化する電気光学材料を用いて、電気−光変換により前記
電圧を検出する電圧検出装置に係り、特に、時間分解能
が高く、検出感度の高い電圧検出装置に関するものであ
る。
MODFET等の超高速トランジスタや、超格子型光検出器、
高速集積回路等のピコ秒オーダで作動する高速装置上の
所定部分の電界（電気力線）を、ピコ秒オーダの時間分
解能とマイクロボルトオーダの感度により非接触で高速
測定する技術として、ポツケルス効果を利用し、被測定
物の所定部分の電界によつて屈折率が変化する電気光学
材料、例えばLiTaO3結晶を用いて、電気−光変換により
前記電界を検出する電界検出装置が開発されている。即
ち、前記電気光学材料を偏光方向が互いに直交する偏光
子と検光子の間に配置することにより、電界の変化を光
ビームの透過光量の変化として検出することができる。 このポツケルス効果を利用した電界検出装置には、例え
ば板状の電気光学材料に電極を設けて被測定物の電極と
接続する電極型と、電気光学材料をプローブ状として、
任意の被測定部分に外部から容易に接近できるようにし
たプローブ型とがある。前者は、例えば、米国特許第46
03293号、米国特許第4618819号、ヨーロツパ特許出願公
開第197196号、IEEE Journal of Quantum Electron
ics.vol.QE−22.No.1.Jan.1986 PP69〜78に開示されて
いる。 一方、後者のプローブ型は、例えば、CLEO-87 PP352〜
353、LLE Review.Vol.32.July-Sep.1987 PP158〜163
に開示されている。後者において、被測定部分に接近さ
せる光プローブとしては、CLEO-87 PP352〜353に、第1
1図に示す如く、シリカサポート12の先端に、裁頭４面
ピラミツド形状からなるチツプ状のLiTaO3結晶14を取付
け、更にその底面に、検出用の光ビーム18を反射するた
めの誘電体多層膜による全反射ミラー16が蒸着された光
プローブ10が開示されている。例えば集積回路である被
測定物20には、複数の電極22が二次元的に配置されてい
るので、その電極22の間の回路表面上には電気力線で示
される電界が存在する。従つて、前記光プローブ10の先
端を被測定物20に接近させれば、LiTaO3結晶14の屈折率
が変化するので、これによつて光ビーム18の偏光状態が
変調される。従つて、偏光子と検光子を用いて透過光量
の変化に変換することによつて、被測定物20の電極22間
に生じる電界を検出することができる。 又、光プローブ10の他の例としては、LLE Review.Vol.
32.July-Sep.1987 PP158〜163に、第12図に示す如く、
LiTaO3結晶30の内面で光ビーム18を３回全反射してビー
ム方向を変えることにより、結晶底面の反射膜を不要と
したものが開示されている。この光プローブ10において
は、LiTaO3結晶30の底面近傍で、Ｚ軸と平行の電界によ
り該LiTaO3結晶30の屈折率が変調される。
高速集積回路等のピコ秒オーダで作動する高速装置上の
所定部分の電界（電気力線）を、ピコ秒オーダの時間分
解能とマイクロボルトオーダの感度により非接触で高速
測定する技術として、ポツケルス効果を利用し、被測定
物の所定部分の電界によつて屈折率が変化する電気光学
材料、例えばLiTaO3結晶を用いて、電気−光変換により
前記電界を検出する電界検出装置が開発されている。即
ち、前記電気光学材料を偏光方向が互いに直交する偏光
子と検光子の間に配置することにより、電界の変化を光
ビームの透過光量の変化として検出することができる。 このポツケルス効果を利用した電界検出装置には、例え
ば板状の電気光学材料に電極を設けて被測定物の電極と
接続する電極型と、電気光学材料をプローブ状として、
任意の被測定部分に外部から容易に接近できるようにし
たプローブ型とがある。前者は、例えば、米国特許第46
03293号、米国特許第4618819号、ヨーロツパ特許出願公
開第197196号、IEEE Journal of Quantum Electron
ics.vol.QE−22.No.1.Jan.1986 PP69〜78に開示されて
いる。 一方、後者のプローブ型は、例えば、CLEO-87 PP352〜
353、LLE Review.Vol.32.July-Sep.1987 PP158〜163
に開示されている。後者において、被測定部分に接近さ
せる光プローブとしては、CLEO-87 PP352〜353に、第1
1図に示す如く、シリカサポート12の先端に、裁頭４面
ピラミツド形状からなるチツプ状のLiTaO3結晶14を取付
け、更にその底面に、検出用の光ビーム18を反射するた
めの誘電体多層膜による全反射ミラー16が蒸着された光
プローブ10が開示されている。例えば集積回路である被
測定物20には、複数の電極22が二次元的に配置されてい
るので、その電極22の間の回路表面上には電気力線で示
される電界が存在する。従つて、前記光プローブ10の先
端を被測定物20に接近させれば、LiTaO3結晶14の屈折率
が変化するので、これによつて光ビーム18の偏光状態が
変調される。従つて、偏光子と検光子を用いて透過光量
の変化に変換することによつて、被測定物20の電極22間
に生じる電界を検出することができる。 又、光プローブ10の他の例としては、LLE Review.Vol.
32.July-Sep.1987 PP158〜163に、第12図に示す如く、
LiTaO3結晶30の内面で光ビーム18を３回全反射してビー
ム方向を変えることにより、結晶底面の反射膜を不要と
したものが開示されている。この光プローブ10において
は、LiTaO3結晶30の底面近傍で、Ｚ軸と平行の電界によ
り該LiTaO3結晶30の屈折率が変調される。
【発明が達成しようとする課題】 しかしながら、電気光学材料であるLiTaO3結晶は、その
非誘電率εが40と空気より大きいため、この結晶を被測
定物に接近させると、被測定物20の電極22によつて生じ
る電界Ｅが変化し、Ｅ＝D/ε（Ｄは電束密度）に従つて
弱くなるという問題点を有していた。 即ち、結晶がない場合に、例えば第13図に示す如くであ
つた被測定物20上の電界が、LiTaO3結晶32がある場合に
は、第14図に示す如く、被測定物20上の電界が、その等
電位線が結晶32を避けるように変化する。そのため、結
晶32中に生じる電界は、結晶がない場合に比べて小さく
なる。即ち、結晶32に電圧が印加され難くなるため、こ
のような電気光学材料からなる光プローブでは、効率良
く被測定物の電圧を検出することができず、検出感度を
向上させることが難しいという問題点を有していた。 このような問題点を解消するべく、電子情報通信学会論
文誌Ｃ Vol.J71−Ｃ No.7（1988年７月）PP1076〜107
7には、LiTaO3結晶に電界集中板を付加して感度を向上
することが開示されているが、これは空間電界を測定す
るためのもので、本発明のように、例えば、高速集積回
路のような、被測定物の電圧を測定するための光プロー
ブに関するものではなかつた。 本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、検出感度の高いプローブ型の電圧検出装置を提供
することを目的とする。
非誘電率εが40と空気より大きいため、この結晶を被測
定物に接近させると、被測定物20の電極22によつて生じ
る電界Ｅが変化し、Ｅ＝D/ε（Ｄは電束密度）に従つて
弱くなるという問題点を有していた。 即ち、結晶がない場合に、例えば第13図に示す如くであ
つた被測定物20上の電界が、LiTaO3結晶32がある場合に
は、第14図に示す如く、被測定物20上の電界が、その等
電位線が結晶32を避けるように変化する。そのため、結
晶32中に生じる電界は、結晶がない場合に比べて小さく
なる。即ち、結晶32に電圧が印加され難くなるため、こ
のような電気光学材料からなる光プローブでは、効率良
く被測定物の電圧を検出することができず、検出感度を
向上させることが難しいという問題点を有していた。 このような問題点を解消するべく、電子情報通信学会論
文誌Ｃ Vol.J71−Ｃ No.7（1988年７月）PP1076〜107
7には、LiTaO3結晶に電界集中板を付加して感度を向上
することが開示されているが、これは空間電界を測定す
るためのもので、本発明のように、例えば、高速集積回
路のような、被測定物の電圧を測定するための光プロー
ブに関するものではなかつた。 本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、検出感度の高いプローブ型の電圧検出装置を提供
することを目的とする。
本発明は、被測定物の所定部分の電圧により屈折率が変
化する電気光学材料を用いて、電気−光変換により前記
電圧を検出する電圧検出装置において、被測定部分に接
近させるための、電気光学材料を含む光プローブを備
え、該光プローブに、被測定物からの電気力線を集中さ
せる電界集中電極を設けることにより、前記目的を達成
したものである。 又、前記電界集中電極の少くとも一部を、前記電気光学
材料の表面に接して設けたものである。 又、前記電界集中電極の一部を、前記電気光学材料の表
面から空中に突出して設けたものである。 又、前記光プローブへの入射光源をパルス光源として、
サンプリング検出するようにしたものである。 又、前記光プローブからの出射光の光検出器を、高速光
検出器として高時間分解能としたものである。 又、記高速光検出器を、ストリークカメラ技術を応用し
た高速光検出器としたものである。
化する電気光学材料を用いて、電気−光変換により前記
電圧を検出する電圧検出装置において、被測定部分に接
近させるための、電気光学材料を含む光プローブを備
え、該光プローブに、被測定物からの電気力線を集中さ
せる電界集中電極を設けることにより、前記目的を達成
したものである。 又、前記電界集中電極の少くとも一部を、前記電気光学
材料の表面に接して設けたものである。 又、前記電界集中電極の一部を、前記電気光学材料の表
面から空中に突出して設けたものである。 又、前記光プローブへの入射光源をパルス光源として、
サンプリング検出するようにしたものである。 又、前記光プローブからの出射光の光検出器を、高速光
検出器として高時間分解能としたものである。 又、記高速光検出器を、ストリークカメラ技術を応用し
た高速光検出器としたものである。
まず、水平方向の電界を検出するための、光の進行方向
と電界の方向（等電位線に垂直な方向）が垂直な横型変
調器の場合を例にとつて、本発明の作用を説明する。 この横型変調器において、電界集中電極を持たない従来
例においては、第２図に示す如く、等電位線が結晶32の
側面を横切つてしまい、結晶上部ではその間隔が広く、
印加電圧が小さくなる。これに対して、第１図に示す本
発明に係る光プローブの第１実施例の如く、結晶32の側
面に接して電界集中電極34を設けると、等電位線が該電
界集中電極34に平行となるので、結晶32の上部まで均一
の電界が得られ、結晶中の等電位線の数が増加し、結晶
32内の電界が強められる。従つて、第２図に示した従来
例と比べて検出感度が向上する。 更に、第３図に示す光プローブの第２実施例の如く、電
界集中電極34の先端を結晶32の表面から空中に突出させ
た場合には、光プローブが、結晶と空気の部分を持つこ
とになり、その合成誘電率ε′が第１実施例の場合より
小さくなり、電界ＥがD/ε′に従つて強くなるので、検
出感度が一層向上する。 次に、垂直方向の電界を検出するための、光の進行方向
と電界の方向が平行な縦型変調器の場合を例にとつて、
本発明の作用を説明する。 この縦型変調器の場合、第５図に示す如く、電界集中電
極を持たない従来例においては、等電位線が結晶32の底
面を横切るため、結晶32中の等電位線の数が少く、効率
良く電界を検出することができない。これに対して、第
４図に示す本発明に係る光プローブの第３実施例の如
く、結晶32の底面に接して電界集中電極34を設けると、
等電位線が結晶32の底面に平行になり、閉じ込められる
ので、結晶32中の等電位線の数が増加し、電界が強めら
れる。従つて、第５図に示した従来例と比べて検出感度
が向上する。 更に、第６図に示す光プローブの第４実施例の如く、結
晶32を細くして、電極34を空中に突出させると、光プロ
ーブの誘電率は、電界集中電極34より上の部分（結晶32
と空気）によつて決まるので、その合成誘電率ε′は、
第３実施例の場合より減少する。このとき、電界ＥはＥ
＝D/ε′に従つて強くなるので、検出感度は一層向上す
る。 更に、第７図に示す光プローブの第５実施例の如く、結
晶32の先端を鋭くすると、より電界が集中するので、検
出感度は更に向上する。 以上説明したように、電界集中電極34を結晶32に設ける
ことによつて、光プローブの検出における等電界線を集
中できるようになり、光プローブの検出感度を向上させ
ることができる。
と電界の方向（等電位線に垂直な方向）が垂直な横型変
調器の場合を例にとつて、本発明の作用を説明する。 この横型変調器において、電界集中電極を持たない従来
例においては、第２図に示す如く、等電位線が結晶32の
側面を横切つてしまい、結晶上部ではその間隔が広く、
印加電圧が小さくなる。これに対して、第１図に示す本
発明に係る光プローブの第１実施例の如く、結晶32の側
面に接して電界集中電極34を設けると、等電位線が該電
界集中電極34に平行となるので、結晶32の上部まで均一
の電界が得られ、結晶中の等電位線の数が増加し、結晶
32内の電界が強められる。従つて、第２図に示した従来
例と比べて検出感度が向上する。 更に、第３図に示す光プローブの第２実施例の如く、電
界集中電極34の先端を結晶32の表面から空中に突出させ
た場合には、光プローブが、結晶と空気の部分を持つこ
とになり、その合成誘電率ε′が第１実施例の場合より
小さくなり、電界ＥがD/ε′に従つて強くなるので、検
出感度が一層向上する。 次に、垂直方向の電界を検出するための、光の進行方向
と電界の方向が平行な縦型変調器の場合を例にとつて、
本発明の作用を説明する。 この縦型変調器の場合、第５図に示す如く、電界集中電
極を持たない従来例においては、等電位線が結晶32の底
面を横切るため、結晶32中の等電位線の数が少く、効率
良く電界を検出することができない。これに対して、第
４図に示す本発明に係る光プローブの第３実施例の如
く、結晶32の底面に接して電界集中電極34を設けると、
等電位線が結晶32の底面に平行になり、閉じ込められる
ので、結晶32中の等電位線の数が増加し、電界が強めら
れる。従つて、第５図に示した従来例と比べて検出感度
が向上する。 更に、第６図に示す光プローブの第４実施例の如く、結
晶32を細くして、電極34を空中に突出させると、光プロ
ーブの誘電率は、電界集中電極34より上の部分（結晶32
と空気）によつて決まるので、その合成誘電率ε′は、
第３実施例の場合より減少する。このとき、電界ＥはＥ
＝D/ε′に従つて強くなるので、検出感度は一層向上す
る。 更に、第７図に示す光プローブの第５実施例の如く、結
晶32の先端を鋭くすると、より電界が集中するので、検
出感度は更に向上する。 以上説明したように、電界集中電極34を結晶32に設ける
ことによつて、光プローブの検出における等電界線を集
中できるようになり、光プローブの検出感度を向上させ
ることができる。
以下、図面を参照して、本発明に係る光プローブが、電
気光学効果を利用した変調器として採用された電圧測定
装置の実施例を詳細に説明する。 本発明の第１実施例は、電気−光学（Ｅ−Ｏ）サンプリ
ング測定法を利用したもので、第８図に示す如く、光源
として、例えばCPMレーザ40からの超短パルス光（例え
ば繰返しレート100MHzの70フエムト秒パルス）を使用
し、検出器として通常の一対のホトダイオード（例えば
PINホトダイオード）42、44を使用している。 光変調器は、第１図、第３図、第４図、第６図又は第７
図に示したような電気光学材料からなる光プローブ46
と、一対の偏光子48、検光子50、及び光バイアスを与え
るための光学素子、例えばソレイユ・バビネ補償板52か
ら構成されている。 被測定物20は、例えば光検出器（図示省略）を内蔵して
おり、この光検出器は、前記CPMレーザ40から出射さ
れ、ハーフミラー53を透過した後、遅延量を変えて走査
するための光デイレイ54を通つたトリガ用の光ビーム55
によつて励起されて、前記被測定物20を駆動する。この
ように、被測定物20は、前記CPMレーザ40と同期して動
作状態となる。なお、被測定物20に光検出器を内蔵する
ことなく、トリガ用光ビーム55で被測定物20のゲートと
共通電極間のギヤツプを照射することにより、前記ゲー
トを瞬間的にアースにスイツチしてもよい。 一方、前記CPMレーザ40から出射され、ハーフミラー53
で反射された後、光プローブ46の光軸に対して45゜の偏
光方向に設定された偏光子48を通つたプローブ用の光ビ
ーム47は、光プローブ46に集束される。 光プローブ46で電界により変調を受けたプローブ光は、
ハーフミラー51で反射された後、ソレイユ・バビネ補償
板52で、線形の応答と最大の電圧感度を得るべく、バイ
アス量が1/4波長になるよう調整され、検光子50に入射
される。該検光子50からの出力光は、一対のホトダイオ
ード42、44によつて検出され、検出信号が、差動増幅器
56A、ロツクインアンプ56B、必要に応じてS/Nを向上す
るための信号平均化回路56C及び前記光デイレイ54を制
御する遅延量制御回路56Dを含むサンプリング検出装置5
6によつて処理され、例えば横軸を光デイレイ54の遅延
量（即ち光路差）、縦軸を検出信号とした出力波形が、
表示装置（例えばCRT）57に表示される。このとき、光
デイレイ54とサンプリング検出装置56は同期して作動す
る。これによつて、未知の電気信号の時間−電圧表示が
可能となる。 なお、信号平均化回路56Cは省略することもできる。 次に、第９図を参照して、例えばストリークカメラの技
術を応用した高速光検出器を用いた電圧測定装置の第２
実施例を詳細に説明する。 この第２実施例において、光変調器は前記第１実施例と
同様のものであるが、光源としては、例えばHe−Neレー
ザ70のような連続（CW）レーザ光源を用い、検出器とし
て、例えばストリークカメラ技術を応用した高速光検出
器72を用いている。 又、前記高速光検出器72としては、例えば、出願人が特
願昭63−116732で提案したものを用いることもできる。 他の構成及び作用は、前記第１実施例と同様であるので
説明は省略する。 本実施例においては、光デイレイ、サンプリング検出装
置、ホトダイオード等が不要であるため、構成が簡略で
ある。 次に、第10図を参照して、レーザダイオードと電気的な
デイレイを用いた電圧測定装置の第３実施例を詳細に説
明する。 この第３実施例においても、光変調器は前記第１実施例
と同様のものであるが、光源としては、レーザダイオー
ド80が用いられている。このレーザダイオード80は、駆
動回路82により、被測定物20の駆動と同期してパルス駆
動される。駆動回路82とレーザダイオード80の間に電気
デイレイ84が設けられており、両者のタイミング、即
ち、走査タイミングを順次ずらすことができる。 出力光は、ホトダイオード42、44のような光検出器で検
出され、前記第１実施例と同様のサンプリング検出装置
56で処理された後、表示装置57に出力波形として表示さ
れる。このとき、電気デイレイ84とサンプリング検出装
置56は同期して作動する。 他の点については、前記第１実施例と同様であるので詳
細な説明は省略する。
気光学効果を利用した変調器として採用された電圧測定
装置の実施例を詳細に説明する。 本発明の第１実施例は、電気−光学（Ｅ−Ｏ）サンプリ
ング測定法を利用したもので、第８図に示す如く、光源
として、例えばCPMレーザ40からの超短パルス光（例え
ば繰返しレート100MHzの70フエムト秒パルス）を使用
し、検出器として通常の一対のホトダイオード（例えば
PINホトダイオード）42、44を使用している。 光変調器は、第１図、第３図、第４図、第６図又は第７
図に示したような電気光学材料からなる光プローブ46
と、一対の偏光子48、検光子50、及び光バイアスを与え
るための光学素子、例えばソレイユ・バビネ補償板52か
ら構成されている。 被測定物20は、例えば光検出器（図示省略）を内蔵して
おり、この光検出器は、前記CPMレーザ40から出射さ
れ、ハーフミラー53を透過した後、遅延量を変えて走査
するための光デイレイ54を通つたトリガ用の光ビーム55
によつて励起されて、前記被測定物20を駆動する。この
ように、被測定物20は、前記CPMレーザ40と同期して動
作状態となる。なお、被測定物20に光検出器を内蔵する
ことなく、トリガ用光ビーム55で被測定物20のゲートと
共通電極間のギヤツプを照射することにより、前記ゲー
トを瞬間的にアースにスイツチしてもよい。 一方、前記CPMレーザ40から出射され、ハーフミラー53
で反射された後、光プローブ46の光軸に対して45゜の偏
光方向に設定された偏光子48を通つたプローブ用の光ビ
ーム47は、光プローブ46に集束される。 光プローブ46で電界により変調を受けたプローブ光は、
ハーフミラー51で反射された後、ソレイユ・バビネ補償
板52で、線形の応答と最大の電圧感度を得るべく、バイ
アス量が1/4波長になるよう調整され、検光子50に入射
される。該検光子50からの出力光は、一対のホトダイオ
ード42、44によつて検出され、検出信号が、差動増幅器
56A、ロツクインアンプ56B、必要に応じてS/Nを向上す
るための信号平均化回路56C及び前記光デイレイ54を制
御する遅延量制御回路56Dを含むサンプリング検出装置5
6によつて処理され、例えば横軸を光デイレイ54の遅延
量（即ち光路差）、縦軸を検出信号とした出力波形が、
表示装置（例えばCRT）57に表示される。このとき、光
デイレイ54とサンプリング検出装置56は同期して作動す
る。これによつて、未知の電気信号の時間−電圧表示が
可能となる。 なお、信号平均化回路56Cは省略することもできる。 次に、第９図を参照して、例えばストリークカメラの技
術を応用した高速光検出器を用いた電圧測定装置の第２
実施例を詳細に説明する。 この第２実施例において、光変調器は前記第１実施例と
同様のものであるが、光源としては、例えばHe−Neレー
ザ70のような連続（CW）レーザ光源を用い、検出器とし
て、例えばストリークカメラ技術を応用した高速光検出
器72を用いている。 又、前記高速光検出器72としては、例えば、出願人が特
願昭63−116732で提案したものを用いることもできる。 他の構成及び作用は、前記第１実施例と同様であるので
説明は省略する。 本実施例においては、光デイレイ、サンプリング検出装
置、ホトダイオード等が不要であるため、構成が簡略で
ある。 次に、第10図を参照して、レーザダイオードと電気的な
デイレイを用いた電圧測定装置の第３実施例を詳細に説
明する。 この第３実施例においても、光変調器は前記第１実施例
と同様のものであるが、光源としては、レーザダイオー
ド80が用いられている。このレーザダイオード80は、駆
動回路82により、被測定物20の駆動と同期してパルス駆
動される。駆動回路82とレーザダイオード80の間に電気
デイレイ84が設けられており、両者のタイミング、即
ち、走査タイミングを順次ずらすことができる。 出力光は、ホトダイオード42、44のような光検出器で検
出され、前記第１実施例と同様のサンプリング検出装置
56で処理された後、表示装置57に出力波形として表示さ
れる。このとき、電気デイレイ84とサンプリング検出装
置56は同期して作動する。 他の点については、前記第１実施例と同様であるので詳
細な説明は省略する。
以上説明した通り、本発明によれば、電気光学効果を利
用する電圧検出装置において、電界を検出するためのプ
ローブに用いられる電気光学材料、例えばLiTaO3結晶
に、電界集中電極を設けたので、被測定物によつて生じ
る電界を効率良く検出することができる。従つて、検出
できる最小感度を向上させることができる。更に、光プ
ローブと被測定物の間隔を広げることができ、光プロー
ブを誤つて被測定物に接触させ、双方を破損する等の事
故を防止することができる等の優れた効果を有する。
用する電圧検出装置において、電界を検出するためのプ
ローブに用いられる電気光学材料、例えばLiTaO3結晶
に、電界集中電極を設けたので、被測定物によつて生じ
る電界を効率良く検出することができる。従つて、検出
できる最小感度を向上させることができる。更に、光プ
ローブと被測定物の間隔を広げることができ、光プロー
ブを誤つて被測定物に接触させ、双方を破損する等の事
故を防止することができる等の優れた効果を有する。
第１図は、本発明に係る光プローブの第１実施例の構成
を示す断面図、 第２図は、横型変調器の従来例を示す断面図、 第３図は、本発明に係る光プローブの第２実施例を示す
断面図、 第４図は、同じく第３実施例を示す断面図、 第５図は、縦型変調器の従来例を示す断面図、 第６図は、本発明に係る光プローブの第４実施例を示す
断面図、 第７図は、同じく第５実施例を示す断面図、 第８図は、本発明に係る光プローブが採用された電圧測
定装置の第１実施例の構成を示すブロツク線図、 第９図は、同じく第２実施例の構成を示すブロツク線
図、 第10図は、同じく第３実施例の構成を示すブロツク線
図、 第11図は、光プローブの従来例を示す断面図、 第12図は、光プローブの他の従来例を示す斜視図、 第13図及び第14図は、電気光学材料の無有による電界の
変化を比較して示す線図である。 20……被測定物、 22……電極、 32……LiTaO3結晶、 34……電界集中電極、 40……CPMレーザ、 42、44……ホトダイオード、 46……光プローブ、 47……プローブ用光ビーム、 48……偏光子、 50……検光子、 52……ソレイユ・バビネ補償板、 54……光デイレイ、 55……トリガ用光ビーム、 56……サンプリング検出装置、 57……表示装置、 70……He−Neレーザ、 72……高速光検出器、 80……レーザダイオード、 82……駆動回路、 84……電気デイレイ。
を示す断面図、 第２図は、横型変調器の従来例を示す断面図、 第３図は、本発明に係る光プローブの第２実施例を示す
断面図、 第４図は、同じく第３実施例を示す断面図、 第５図は、縦型変調器の従来例を示す断面図、 第６図は、本発明に係る光プローブの第４実施例を示す
断面図、 第７図は、同じく第５実施例を示す断面図、 第８図は、本発明に係る光プローブが採用された電圧測
定装置の第１実施例の構成を示すブロツク線図、 第９図は、同じく第２実施例の構成を示すブロツク線
図、 第10図は、同じく第３実施例の構成を示すブロツク線
図、 第11図は、光プローブの従来例を示す断面図、 第12図は、光プローブの他の従来例を示す斜視図、 第13図及び第14図は、電気光学材料の無有による電界の
変化を比較して示す線図である。 20……被測定物、 22……電極、 32……LiTaO3結晶、 34……電界集中電極、 40……CPMレーザ、 42、44……ホトダイオード、 46……光プローブ、 47……プローブ用光ビーム、 48……偏光子、 50……検光子、 52……ソレイユ・バビネ補償板、 54……光デイレイ、 55……トリガ用光ビーム、 56……サンプリング検出装置、 57……表示装置、 70……He−Neレーザ、 72……高速光検出器、 80……レーザダイオード、 82……駆動回路、 84……電気デイレイ。
Claims (6)
- 【請求項１】被測定物の所定部分の電圧により屈折率が
変化する電気光学材料を用いて、電気−光変換により前
記電圧を検出する電圧検出装置において、 被測定部分に接近させるための、電気光学材料を含む光
プローブを備え、 該光プローブに、被測定物からの電気力線を集中させる
電界集中電極を設けたことを特徴とする電圧検出装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の電圧検出装置において、
前記電界集中電極の少くとも一部が、前記電気光学材料
の表面に接して設けられていることを特徴とする電圧検
出装置。 - 【請求項３】請求項２に記載の電圧検出装置において、
前記電界集中電極の一部が、前記電気光学材料の表面か
ら空中に突出して設けられていることを特徴とする電圧
検出装置。 - 【請求項４】請求項１に記載の電気検出装置において、
前記光プローブへの入射光源はパルス光源であり、サン
プリング検出することを特徴とする高時間分解能の電圧
検出装置。 - 【請求項５】請求項１に記載の電圧検出装置において、
前記光プローブからの出射光の光検出器が、高速光検出
器であることを特徴とする高時間分解能の電圧検出装
置。 - 【請求項６】請求項５に記載の電圧検出装置において、
前記高速光検出器が、ストリークカメラ技術を応用した
高速光検出器であることを特徴とする電圧検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304562A JPH0690232B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304562A JPH0690232B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150776A JPH02150776A (ja) | 1990-06-11 |
| JPH0690232B2 true JPH0690232B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17934489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63304562A Expired - Fee Related JPH0690232B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690232B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547883A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積回路の回路試験装置および回路試験方法 |
| JP3419715B2 (ja) | 1999-10-14 | 2003-06-23 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタにおけるロック機構 |
| CN112424614B (zh) * | 2018-07-18 | 2024-11-05 | 日本电产理德股份有限公司 | 探针、检查治具、检查装置以及探针的制造方法 |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP63304562A patent/JPH0690232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02150776A (ja) | 1990-06-11 |
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|---|---|---|---|
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