JPH0690369B2 - 半導体光変調器 - Google Patents
半導体光変調器Info
- Publication number
- JPH0690369B2 JPH0690369B2 JP61035096A JP3509686A JPH0690369B2 JP H0690369 B2 JPH0690369 B2 JP H0690369B2 JP 61035096 A JP61035096 A JP 61035096A JP 3509686 A JP3509686 A JP 3509686A JP H0690369 B2 JPH0690369 B2 JP H0690369B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- modulation
- optical waveguide
- optical modulator
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/168—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising current blocking layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は、半導体光変調器に係わり、特に変調速度の改
善に関するものである。
善に関するものである。
（従来技術とその問題点） 近年、光情報処理や光通信用の半導体光変調器の開発が
活発に行われている。中でも、応答速度が極めて速い電
気光学効果や電気吸収効果を用いた電圧駆動型の半導体
光変調器が高束変調用として注目されている。
活発に行われている。中でも、応答速度が極めて速い電
気光学効果や電気吸収効果を用いた電圧駆動型の半導体
光変調器が高束変調用として注目されている。
第１図は従来の電圧駆動型半導体光変調器の断面図であ
り、１はn+型InP基板、２はｎ型InP下部クラッド層、３
はn-型GaInAsP光導波路層、４はn-型InP上部クラッド
層、５はp+型InP層、６はｎ側電極、７はｐ側電極を、
それぞれ、示している。
り、１はn+型InP基板、２はｎ型InP下部クラッド層、３
はn-型GaInAsP光導波路層、４はn-型InP上部クラッド
層、５はp+型InP層、６はｎ側電極、７はｐ側電極を、
それぞれ、示している。
この構造では、電極6,7間に逆方向電圧（Ｖ）を印加
し、光導波路層３内の電界強度値を増加させ、電気光学
効果による屈折率あるいは電気吸収効果による吸収係数
値の変化を利用して変調を行うものである。また、変調
の深さは逆方向電圧をかけて生じた光導波路層３内の電
界強度に応じて変化する屈折率変化または吸収係数の変
化量によって決定される。
し、光導波路層３内の電界強度値を増加させ、電気光学
効果による屈折率あるいは電気吸収効果による吸収係数
値の変化を利用して変調を行うものである。また、変調
の深さは逆方向電圧をかけて生じた光導波路層３内の電
界強度に応じて変化する屈折率変化または吸収係数の変
化量によって決定される。
第２図は第１図に示した従来の半導体光変調器に逆電圧
を印加した場合における各層の電界強度分布を示したも
ので、ｐ−ｎ接合面であるｐ型InP層５とn-型InP上部ク
ラッド層４との間に最も高電界がかかり、ｐ−ｎ接合面
から離れるに従って電界強度も弱くなっている。なお、
縦軸はｐ−ｎ接合面を基点にした各層までの距離を表し
たもので、電界がかかっている下部クラッド層２の幅W1
が下部クラッド層２の空乏層幅を意味している。
を印加した場合における各層の電界強度分布を示したも
ので、ｐ−ｎ接合面であるｐ型InP層５とn-型InP上部ク
ラッド層４との間に最も高電界がかかり、ｐ−ｎ接合面
から離れるに従って電界強度も弱くなっている。なお、
縦軸はｐ−ｎ接合面を基点にした各層までの距離を表し
たもので、電界がかかっている下部クラッド層２の幅W1
が下部クラッド層２の空乏層幅を意味している。
このような従来の電圧駆動型の半導体光変調器でさらに
高速変調を行うためには、下部クラッド層２の層厚を厚
くして、電極6,7間に印加する逆電圧（以下、「変調電
圧」と称す）を上げなければならなかった。しかし、高
い変調電圧は現在開発されている高速パルス発生器では
発生が容易ではないため、駆動が困難となってしまう欠
点がある。
高速変調を行うためには、下部クラッド層２の層厚を厚
くして、電極6,7間に印加する逆電圧（以下、「変調電
圧」と称す）を上げなければならなかった。しかし、高
い変調電圧は現在開発されている高速パルス発生器では
発生が容易ではないため、駆動が困難となってしまう欠
点がある。
従って、変調電圧を高くすることなく高速変調する半導
体光変調器が強く望まれていたが、今まで何ら開示され
ていなかった。
体光変調器が強く望まれていたが、今まで何ら開示され
ていなかった。
（発明の目的及び特徴） 本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するために
なされたもので、変調電圧を増加させることなく高速変
調が可能な半導体光変調器を提供することを目的とす
る。
なされたもので、変調電圧を増加させることなく高速変
調が可能な半導体光変調器を提供することを目的とす
る。
本発明の特徴は、光導波路層３に隣接しているクラッド
層のキャリア濃度をｐ−ｎ接合もしくはショットキー接
合すなわち光導波路層３に向かって徐々に大きくするこ
とによって空乏層幅を広げ、接合容量を低下させたこと
にある。
層のキャリア濃度をｐ−ｎ接合もしくはショットキー接
合すなわち光導波路層３に向かって徐々に大きくするこ
とによって空乏層幅を広げ、接合容量を低下させたこと
にある。
（発明の原理） 一般に、変調電圧を変えずに高速変調を行うためにはｐ
−ｎ接合容量を低減すれば良いことが知られている。本
発明者等は、この前提に立ちｐ−ｎ接合容量Ｃと、光導
波路層３に隣接するクラッド層の空乏層の幅Ｗとの関係
が近似的に次式で表されるものと考えた。
−ｎ接合容量を低減すれば良いことが知られている。本
発明者等は、この前提に立ちｐ−ｎ接合容量Ｃと、光導
波路層３に隣接するクラッド層の空乏層の幅Ｗとの関係
が近似的に次式で表されるものと考えた。
但し、ε0は誘電率、εは光導波路層３の比誘電率であ
る。（１）式から明らかなように、ｐ−ｎ接合容量Ｃは
クラッド層の空乏層幅Ｗに反比率する。従って、光導波
路層３内の電界強度を変えずにクラッド層の空乏層幅Ｗ
を大きくすれば、ｐ−ｎ接合容量が低下し高速変調が可
能となる。そこで、本発明はクラッド層内のキャリア濃
度を変化させ、クラッド層内の電界強度分布を変えるこ
とによって空乏層幅を大きくし、ｐ−ｎ接合容量を低下
させたものである。
る。（１）式から明らかなように、ｐ−ｎ接合容量Ｃは
クラッド層の空乏層幅Ｗに反比率する。従って、光導波
路層３内の電界強度を変えずにクラッド層の空乏層幅Ｗ
を大きくすれば、ｐ−ｎ接合容量が低下し高速変調が可
能となる。そこで、本発明はクラッド層内のキャリア濃
度を変化させ、クラッド層内の電界強度分布を変えるこ
とによって空乏層幅を大きくし、ｐ−ｎ接合容量を低下
させたものである。
（発明の構成） 以下に図面を用いて本発明を詳細に説明する。
なお、以下の説明では従来と同一構成部分には同一番号
を付し説明の重複を省く。
を付し説明の重複を省く。
第３図は本発明による実施例であり、電圧駆動型半導体
光変調器の断面図である。第１図の従来構造と異なると
ころは、キャリア濃度が均一なｎ型InP下部クラッド層
２をキャリア濃度が変化しているｎ型InP下部クラッド
層８に置き換えた点にある。この下部クラッド層８は、
InP基板１側から光導波路層３へ近づくに従ってキャリ
ア濃度が大きくなるように変化させて形成してある。こ
のように下部クラッド層８のキャリア濃度を変化させれ
ば、変調電圧を増加させることなく下部クラッド層８の
層厚を厚くしても下部クラッド層８の全体に電界がかか
り、空乏層の幅Ｗを大きくすることができる。ｐ−ｎ接
合容量の大きさは（１）式で述べたように空乏層の幅Ｗ
に反比例して小さくなるため、逆電圧を増加することな
く高速変調が可能となる。
光変調器の断面図である。第１図の従来構造と異なると
ころは、キャリア濃度が均一なｎ型InP下部クラッド層
２をキャリア濃度が変化しているｎ型InP下部クラッド
層８に置き換えた点にある。この下部クラッド層８は、
InP基板１側から光導波路層３へ近づくに従ってキャリ
ア濃度が大きくなるように変化させて形成してある。こ
のように下部クラッド層８のキャリア濃度を変化させれ
ば、変調電圧を増加させることなく下部クラッド層８の
層厚を厚くしても下部クラッド層８の全体に電界がかか
り、空乏層の幅Ｗを大きくすることができる。ｐ−ｎ接
合容量の大きさは（１）式で述べたように空乏層の幅Ｗ
に反比例して小さくなるため、逆電圧を増加することな
く高速変調が可能となる。
第４図は本発明による半導体光変調器の電界強度分布図
である。同図の電界強度分布は、従来の構造と比較する
ため、第２図の電界強度測定時と同一の変調電圧（9v）
で下部クラッド層８のキャリア濃度を例えば基板１側の
1014cm-3から光導波路層３側の5X1015cm-3までほぼ連続
的に変化させ、かつ下部クラッド層厚を従来のほぼ0.5
μｍから本発明のほぼ1.4μｍに変えた場合のものであ
る。
である。同図の電界強度分布は、従来の構造と比較する
ため、第２図の電界強度測定時と同一の変調電圧（9v）
で下部クラッド層８のキャリア濃度を例えば基板１側の
1014cm-3から光導波路層３側の5X1015cm-3までほぼ連続
的に変化させ、かつ下部クラッド層厚を従来のほぼ0.5
μｍから本発明のほぼ1.4μｍに変えた場合のものであ
る。
同図から、次のことが理解される。
変調電圧が従来と同一のため、光導波路層３の電界強
度値も変化しない。すなわち、変調の深さは変化しな
い。
度値も変化しない。すなわち、変調の深さは変化しな
い。
キャリア濃度が大きい光導波路層３側で電界強度分布
の傾きも大きく、キャリア濃度の小さい方では電界強度
分布の傾きも小さくなり、キャリア濃度の変化によって
電界が加わる距離（ｐ−ｎ接合面からの距離）を大きく
することができる。従って、電界強度の加わる距離が大
きくなるということは空乏層幅も大きくできることを意
味している。
の傾きも大きく、キャリア濃度の小さい方では電界強度
分布の傾きも小さくなり、キャリア濃度の変化によって
電界が加わる距離（ｐ−ｎ接合面からの距離）を大きく
することができる。従って、電界強度の加わる距離が大
きくなるということは空乏層幅も大きくできることを意
味している。
従来のクラッド層２内の斜線領域と本発明のクラッド
層８内の斜線領域との面積は等しい。これは、同一変調
電圧であるということを意味している。従って、このこ
とからも同一変調電圧で空乏層の幅が大きくなっている
ことがわかる。
層８内の斜線領域との面積は等しい。これは、同一変調
電圧であるということを意味している。従って、このこ
とからも同一変調電圧で空乏層の幅が大きくなっている
ことがわかる。
なお、従来構造と本発明による空乏層の幅の差W0はInP
下部クラッド層８の層厚が1.4μｍであることにより、
変調帯域幅を20GHz程度にすることができることにな
る。
下部クラッド層８の層厚が1.4μｍであることにより、
変調帯域幅を20GHz程度にすることができることにな
る。
以上のように、本発明は変調電圧を増加させることな
く、変調速度を速くすることができる効果がある。な
お、上述の説明では一層の下部クラッド層８内で連続的
にキャリア濃度を変化する例について述べたが、下部ク
ラッド層８をキャリア濃度の異なる複数の層で形成し、
キャリア濃度順に順次積層した構造にしても良い。ま
た、下部クラッド層の層厚を厚くした場合には、キャリ
ア濃度を大きくすれば良い。以上はInP/GaInAsP系を例
にとり説明したが、本発明はこの半導体層に限定される
ことなく、他の半導体層にも適用することができる。
く、変調速度を速くすることができる効果がある。な
お、上述の説明では一層の下部クラッド層８内で連続的
にキャリア濃度を変化する例について述べたが、下部ク
ラッド層８をキャリア濃度の異なる複数の層で形成し、
キャリア濃度順に順次積層した構造にしても良い。ま
た、下部クラッド層の層厚を厚くした場合には、キャリ
ア濃度を大きくすれば良い。以上はInP/GaInAsP系を例
にとり説明したが、本発明はこの半導体層に限定される
ことなく、他の半導体層にも適用することができる。
（応用例） 次に、本発明による半導体光変調器を用いた応用例につ
いて説明する。
いて説明する。
第５図は本発明の応用例であり、分布帰還型半導体レー
ザ（以下、「DFBレーザ」と称す）と半導体光変調器と
をモノリシックに集積化した高速光信号源装置の断面図
である。
ザ（以下、「DFBレーザ」と称す）と半導体光変調器と
をモノリシックに集積化した高速光信号源装置の断面図
である。
同図において、レーザ領域はInP基板１上に周期的な凹
凸を有するInPクラッド層8,GaxIn1-xAsyP1-yレーザ領域
光導波路層13,GarIn1-rAssP1-s活性層14およびGatIn1-t
AsuP1-uコンタクト層15が順次積層された構造となって
いる。なお、11はSi3N4絶縁膜、12はλ/4シフト回折格
子であり、各組成比は０x,y,r,s,t,u１で、かつ光
導波路層13とコンタクト層15の禁制帯幅が活性層14の禁
制帯幅よりも大きいという条件を満たしている。また、
ｐ型InP層９及びｎ型InP層10はレーザ領域の端面におけ
る反射を無くするように設けられた窓領域である。
凸を有するInPクラッド層8,GaxIn1-xAsyP1-yレーザ領域
光導波路層13,GarIn1-rAssP1-s活性層14およびGatIn1-t
AsuP1-uコンタクト層15が順次積層された構造となって
いる。なお、11はSi3N4絶縁膜、12はλ/4シフト回折格
子であり、各組成比は０x,y,r,s,t,u１で、かつ光
導波路層13とコンタクト層15の禁制帯幅が活性層14の禁
制帯幅よりも大きいという条件を満たしている。また、
ｐ型InP層９及びｎ型InP層10はレーザ領域の端面におけ
る反射を無くするように設けられた窓領域である。
一方、変調領域は、レーザ領域の同一基板１上にキャリ
ア濃度を変化させたInPクラッド層８と、レーザ領域の
光導波路層13と活性層14とを含むような層厚を有するGa
xIn1-xAsyP1-y変調領域光導波路層３と、InP上部クラッ
ド層４とInPクラッド層５と、GatIn1-tAsuP1-uコンタク
ト層15とが積層され、さらに、Si3N4絶縁膜11と窓領域
とが付加された電気吸収効果を有した構造となってい
る。なお、６及び７は電極である。
ア濃度を変化させたInPクラッド層８と、レーザ領域の
光導波路層13と活性層14とを含むような層厚を有するGa
xIn1-xAsyP1-y変調領域光導波路層３と、InP上部クラッ
ド層４とInPクラッド層５と、GatIn1-tAsuP1-uコンタク
ト層15とが積層され、さらに、Si3N4絶縁膜11と窓領域
とが付加された電気吸収効果を有した構造となってい
る。なお、６及び７は電極である。
レーザ領域で安定な単一波長発展した光は、レーザ領域
の光導波路部と直接結合された変調領域光導波路層３に
より導波され、変調領域の電極６及び７に印加された変
調電圧によって、強度変調される。このとき、下部クラ
ッド層８のキャリア濃度が基板１側から空光導波路層３
側に近づくに従って大きくなるように構成されているた
め、ｐ−ｎ接合容量が低減され、高消光比，低変調電圧
でかつ高速変調が可能となる。
の光導波路部と直接結合された変調領域光導波路層３に
より導波され、変調領域の電極６及び７に印加された変
調電圧によって、強度変調される。このとき、下部クラ
ッド層８のキャリア濃度が基板１側から空光導波路層３
側に近づくに従って大きくなるように構成されているた
め、ｐ−ｎ接合容量が低減され、高消光比，低変調電圧
でかつ高速変調が可能となる。
（発明の効果） 以上のように、本発明は光導波路層３に隣接した下部ク
ラッド層８のキャリア濃度を変化させることにより、空
乏層幅を広げて、ｐ−ｎ接合容量を低減し、低変調電圧
で高速変調が可能となるため、光通信用あるいは光情報
処理等の半導体光変調器として適用でき、その効果は極
めて大である。
ラッド層８のキャリア濃度を変化させることにより、空
乏層幅を広げて、ｐ−ｎ接合容量を低減し、低変調電圧
で高速変調が可能となるため、光通信用あるいは光情報
処理等の半導体光変調器として適用でき、その効果は極
めて大である。
第１図は従来の電圧駆動型半導体光変調器の断面図、第
２図は従来の半導体光変調器の電界強度分布図、第３図
は本発明による半導体光変調器の断面図、第４図は本発
明による半導体光変調器の電界強度分布図、第５図は本
発明の応用例としての高速光信号源装置の断面図であ
る。 １…n+型InP基板、2,8…ｎ型Inp下部クラッド層、3,13
…n-型GaxIn1-xAAsyP1-y光導波路層、４…n-型InP上部
クラッド層、５…p+型InP層、6,7…電極、９…ｐ型InP
層、10…ｎ型InP層、11…Si3N4絶縁膜、12…λ/4シフト
回折格子、14…GarIn1-rAssP1-s活性層、15…GatIn1-tA
suP1-uコンタクト層。
２図は従来の半導体光変調器の電界強度分布図、第３図
は本発明による半導体光変調器の断面図、第４図は本発
明による半導体光変調器の電界強度分布図、第５図は本
発明の応用例としての高速光信号源装置の断面図であ
る。 １…n+型InP基板、2,8…ｎ型Inp下部クラッド層、3,13
…n-型GaxIn1-xAAsyP1-y光導波路層、４…n-型InP上部
クラッド層、５…p+型InP層、6,7…電極、９…ｐ型InP
層、10…ｎ型InP層、11…Si3N4絶縁膜、12…λ/4シフト
回折格子、14…GarIn1-rAssP1-s活性層、15…GatIn1-tA
suP1-uコンタクト層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋葉 重幸 東京都目黒区中目黒２丁目１番23号 国際 電信電話株式会社研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−60726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−32485（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に少なくとも１層以上からなるクラ
ッド層と、光を制御する光導波路層と、該光導波路層に
隣接してｐ−ｎ接合もしくはショットキー接合とを少な
くとも有し、該接合には逆バイアス電圧が印加され、該
クラッド層のキャリア濃度が前記光導波路層に近づくに
従って徐々に大きくなるように構成された電圧駆動型の
半導体光変調器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035096A JPH0690369B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体光変調器 |
| US07/015,954 US4811353A (en) | 1986-02-21 | 1987-02-18 | Semiconductor optical modulator |
| GB8703890A GB2187300B (en) | 1986-02-21 | 1987-02-19 | Semiconductor optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035096A JPH0690369B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62194218A JPS62194218A (ja) | 1987-08-26 |
| JPH0690369B2 true JPH0690369B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12432411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61035096A Expired - Lifetime JPH0690369B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体光変調器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4811353A (ja) |
| JP (1) | JPH0690369B2 (ja) |
| GB (1) | GB2187300B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0816743B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-02-21 | 国際電信電話株式会社 | 光変調素子 |
| JPH0816744B2 (ja) * | 1988-12-01 | 1996-02-21 | 国際電信電話株式会社 | 光変調素子 |
| US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
| JPH04243216A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 |
| JP2973794B2 (ja) * | 1993-09-24 | 1999-11-08 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体レーザー |
| JP2004179274A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| KR100712460B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2007-04-27 | 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 | 반도체 광변조기 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844785A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
| JPS5860726A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
| JPS6072283A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS6132485A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6155981A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光素子 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP61035096A patent/JPH0690369B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-18 US US07/015,954 patent/US4811353A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-19 GB GB8703890A patent/GB2187300B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8703890D0 (en) | 1987-03-25 |
| JPS62194218A (ja) | 1987-08-26 |
| GB2187300B (en) | 1989-11-08 |
| GB2187300A (en) | 1987-09-03 |
| US4811353A (en) | 1989-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6281030B1 (en) | Fabrication of semiconductor Mach-Zehnder modulator | |
| EP0483687B1 (en) | Optical device with an asymmetric dual quantum well structure | |
| US5165105A (en) | Separate confinement electroabsorption modulator utilizing the Franz-Keldysh effect | |
| JPH0715000A (ja) | 複量子井戸構造を有する集積モノリシックレーザ−モデュレーター構成 | |
| US5519721A (en) | Multi-quantum well (MQW) structure laser diode/modulator integrated light source | |
| JPH0732279B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0194689A (ja) | 光半導体素子 | |
| US4811353A (en) | Semiconductor optical modulator | |
| JPH01319986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH07231132A (ja) | 半導体光装置 | |
| EP0369706B1 (en) | Optical intensity modulator | |
| JPH02149818A (ja) | 光変調素子 | |
| EP0354058B1 (en) | Optical modulation element | |
| WO2022033684A1 (en) | High speed modulated laser | |
| JP2574806B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0582907A (ja) | 半導体レーザアレイおよびその駆動方法 | |
| JP2508332B2 (ja) | 集積型光変調器 | |
| JPH06100737B2 (ja) | 光変調素子 | |
| JP2605911B2 (ja) | 光変調器及び光検出器 | |
| JPS6012294Y2 (ja) | 複合型光半導体素子 | |
| JPS6218782A (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザ | |
| JP2528886B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2776381B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04345081A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH04291780A (ja) | 半導体発光装置 |