JPH069041U - イオン源 - Google Patents

イオン源

Info

Publication number
JPH069041U
JPH069041U JP4741992U JP4741992U JPH069041U JP H069041 U JPH069041 U JP H069041U JP 4741992 U JP4741992 U JP 4741992U JP 4741992 U JP4741992 U JP 4741992U JP H069041 U JPH069041 U JP H069041U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
wave guide
chamber
plasma generation
generation chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4741992U
Other languages
English (en)
Inventor
昌平 奥田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP4741992U priority Critical patent/JPH069041U/ja
Publication of JPH069041U publication Critical patent/JPH069041U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 マグネトロン1とプラズマ生成室7を形成す
るプラズマチャンバ4との間には、マグネトロン1から
出力されたマイクロ波をプラズマ生成室7へと伝導する
ウェイブガイド3が設けられている。このウェイブガイ
ド3は、プラズマチャンバ4側端部近傍で、第1ウェイ
ブガイド3aと第2ウェイブガイド3bとに分割されて
いる。 【効果】 第1ウェイブガイド3aと第2ウェイブガイ
ド3bとの間で熱伝導効率の低下が生じ、この結果、プ
ラズマ生成室7からウェイブガイド3全体への熱伝導効
率が従来よりも低下する。したがって、プラズマ生成室
7を含む系が略熱平衡に達するまでの時間が従来よりも
短縮され、ビーム立ち上げ時のビーム電流安定待ち時間
が短縮される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、マイクロ波放電によりプラズマを発生させ、プラズマからイオンを 引き出してイオンビームを生成する、例えばイオン注入装置等に具備されるマイ クロ波型のイオン源に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、元素をイオン化し、イオンビームとして引き出すイオン源は、イオン注 入装置をはじめとして様々な分野に利用されている。このイオン源には、磁界中 のマイクロ波放電によりプラズマを発生させるマイクロ波型イオン源がある。上 記マイクロ波型イオン源は、図2に示すように、プラズマ生成室56を形成する プラズマチャンバ53と、マイクロ波を出力するマグネトロン51と、マグネト ロン51から出力されたマイクロ波をプラズマ生成室56側へ伝える円柱状のウ ェイブガイド52と、プラズマ生成室56内に軸方向(ビーム引き出し方向)と 略平行な磁界を形成するソレノイドコイル55a・55aを有したソースマグネ ット55とを有している。
【0003】 そして、このイオン源は、マグネトロン51から出力されたマイクロ波をウェ イブガイド52を介してプラズマ生成室56に導入させ、上記ソースマグネット 55の形成する磁界中において、プラズマ生成室56内に導入されているイオン 種(BF3 等のガスイオン種や蒸気状の金属イオン種)をマイクロ波放電により プラズマ化するようになっている。また、イオン源は、プラズマチャンバ53と 引出電極57との間に電位差を生じさせてプラズマ生成室56に強い外部電界を かけ、この外部電界によりイオン引出孔54aからイオンを引き出すことにより 、イオンビームを形成するようになっている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
上記プラズマ生成室56に接続されているウェイブガイド52は、マイクロ波 が通過可能な高い誘電率を有する材質、例えばアルミナ(Al2 3 )等の材質 から形成されている。このため、プラズマ生成室56内の熱は、アルミナ等の熱 伝導度が高い材質から成るウェイブガイド52に伝導されて逃げ易い。また、上 記ウェイブガイド52は、プラズマチャンバ53からマグネトロン51まで延び る比較的大きな体積(質量)を有し、熱容量が大きいため、プラズマ生成室56 とウェイブガイド52とが熱平衡状態になるまでに長時間を要することになる。 また、略熱平衡状態に達した後も、プラズマ生成室56内の温度は、ウェイブガ イド52の温度変化の影響を受けるので、例えば1時間というように比較的長い 時間単位でプラズマ生成室56内の温度変化をみると、その変化率はかなり大き くなっている。
【0005】 プラズマ生成室56内の温度が安定しない場合、生成されるプラズマも安定し ないので、このプラズマから引き出されるイオンビームの電流量の変化も大きく なり、安定したイオンビームを得ることができない。即ち、上記従来のイオン源 は、ビームの立ち上げ時において、プラズマ生成室56を含む系が略熱平衡状態 に達し、比較的安定したイオンビームが得られるようになるまでに長時間を要す ると共に、ビーム立ち上げ後もプラズマ生成室56内の温度変化が大きくビーム の安定度が低いという問題を有している。
【0006】 本考案は、上記に鑑みなされたものであり、その目的は、ビーム立ち上げ時に おけるビーム電流の安定待ち時間の短縮を図れると共に、ビーム立ち上げ後のビ ームの安定度の向上を図れるイオン源を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本考案のイオン源は、上記の課題を解決するために、プラズマ生成室を形成す るプラズマチャンバと、一端がプラズマチャンバに接続され、マイクロ波発生手 段から出力されたマイクロ波をプラズマ生成室へと伝導するウェイブガイドとを 備えているイオン源において、上記ウェイブガイドがプラズマチャンバの近傍で 分割された複数の分割部から形成されていることを特徴としている。
【0008】
【作用】
上記の構成によれば、一端がプラズマチャンバに接続されたウェイブガイドは 、プラズマチャンバの近傍で複数の分割部に分割されており、各分割部同士の間 の熱伝導効率(熱伝達速度)は、非分割部位よりも当然小さくなる。したがって 、本イオン源においては、プラズマ生成室からウェイブガイドへの熱伝導効率( 熱伝達速度)が、従来の非分割のウェイブガイドを有するイオン源よりも低下し 、プラズマ生成室を含む系が略熱平衡に達するまでの時間が従来よりも短縮され る。したがって、本イオン源においては比較的安定したイオンビームが得られる ようになるまでの待ち時間が従来よりも短縮される。
【0009】 また、上記の如くプラズマ生成室からウェイブガイドへの熱伝導効率が従来よ りも低下することにより、ウェイブガイドがプラズマ生成室内の温度変化に及ぼ す影響が少なくなってプラズマ生成室内の温度変化が低減されるので、プラズマ 生成室内で生成されるプラズマが安定し、このプラズマから引き出されるイオン ビームの安定度が向上する。
【0010】
【実施例】
本考案の一実施例について図1に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0011】 本実施例のイオン源は、電子サイクロトロン共鳴(ECR:Electron Cyclotr on Resonance)条件の磁界中でマイクロ波放電を生じさせてプラズマを生成し、 このプラズマからイオンをビームとして引き出すマイクロ波型のイオン源(EC Rイオン源)であり、例えばイオン注入装置に搭載されるようになっている。
【0012】 上記イオン源は、図1に示すように、例えば2.45GHzのマイクロ波を出力 するマグネトロン(マイクロ波発生手段)1と、このマグネトロン1を作動させ るマグネトロン電源(マイクロ波発生手段)2とを有している。上記マグネトロ ン1には、マイクロ波が通過可能な高い誘電率を有する材質、例えばアルミナ( Al2 3 )等の材質で形成された円柱状のウェイブガイド3の一端が接続され ている。上記ウェイブガイド3の他端は、プラズマ生成室7を形成するプラズマ チャンバ4に接続されており、ウェイブガイド3は、マグネトロン1から出力さ れたマイクロ波をプラズマ生成室7へと伝導するようになっている。
【0013】 上記ウェイブガイド3は、プラズマチャンバ4側端部近傍で、マグネトロン1 側に接続された第1ウェイブガイド(分割部)3aと、プラズマチャンバ4側に 接続された第2ウェイブガイド(分割部)3bとに2分割されている。ウェイブ ガイド3を切り離して成る第1ウェイブガイド3aおよび第2ウェイブガイド3 bは接触しているものの、対向面は粗面であり、両者間の実質接触面積は非常に 小さい(両者間には微小な隙間が形成されている)。したがって、第2ウェイブ ガイド3bから第1ウェイブガイド3aへの熱伝達速度は非常に遅くなる。
【0014】 また、上記プラズマチャンバ4には、図示しない金属蒸気発生炉(ベーパライ ザ)や動作ガス導入管が接続され、固体状の金属イオン種を金属蒸気発生炉によ って蒸発させた動作ガスや、ガスボンベに充填されたBF3 等のガスイオン種か らなる動作ガスが、プラズマ生成室7内に導入されるようになっている。
【0015】 また、プラズマチャンバ4のウェイブガイド3側の内壁面には、BN等の材質 で形成されたウインドウ5が配設されており、このウインドウ5は、ウェイブガ イド3とプラズマ生成室7とを隔離するようになっていると共に、ウェイブガイ ド3に伝導されたマイクロ波をプラズマ生成室7に導入させるようになっている 。また、プラズマチャンバ4の他の内壁面には、BF3 等のガスに対して耐蝕性 を有した、例えばBN等の材質で形成されたライナー13…が設けられている。
【0016】 上記のプラズマチャンバ4は、後述の引出電極8および減速電極9等と共に、 気密状態にされたイオン源チャンバ12に内蔵されており、このイオン源チャン バ12は、図示しない真空排気手段によって高真空状態にされるようになってい る。
【0017】 また、プラズマチャンバ4の周囲には、ソレノイドコイル6a・6bを備えた ソースマグネット6が配設されており、このソースマグネット6は、プラズマ生 成室7内に、ビーム引き出し方向と平行な磁界を形成するようになっている。上 記ソレノイドコイル6a・6bには、図示しないソースマグネット電源が接続さ れており、ソースマグネット電源よりソースマグネット電流が供給されるように なっている。
【0018】 また、プラズマチャンバ4のウインドウ5と対向する壁面には、外部にイオン を放出させるイオン引出スリット4aが形成されている。このイオン引出スリッ ト4aからイオンの放出方向には、ビーム通過孔8aが形成された引出電極8お よびビーム通過孔9aが形成された減速電極9がこの順に配設されている。
【0019】 上記減速電極9は接地されて大地電位に、そして、引出電極8は減速電極9よ りも負電位になるように、減速電源10より負電圧が印加されている。そして、 プラズマチャンバ4には、引出電源11の正極端子が接続されており、この引出 電源11より高電圧の引出電圧が印加されるようになっている。これにより、プ ラズマチャンバ4と引出電極8との間に所定の電位差が生じ、プラズマ生成室7 に強い外部電界が形成され、この外部電界により、プラズマ生成室7内のプラズ マからイオンが引き出され、イオンビームが形成されるようになっている。また 、上記のように、引出電極8を減速電極9よりも負電位にすることにより、引出 電極8よりも下流で発生した電子の逆流を防ぐことができるようになっている。
【0020】 上記の構成において、イオン源の動作を以下に説明する。
【0021】 先ず、イオン源チャンバ12内が図示しない真空排気手段によって排気され、 高真空状態にされる。次に、プラズマ生成室7内に、BF3 等のガスイオン種や 蒸気状金属イオン種から成る動作ガスが導入される。この後、ソースマグネット 6によってプラズマ生成室7内にビーム引き出し方向と平行な磁界が形成される と共に、マグネトロン1が作動され、マイクロ波電力の出力が開始される。この マイクロ波電力は、ウェイブガイド3を介してプラズマ生成室7に導入されるこ とになる。そして、ECR現象によるマイクロ波放電によって、プラズマ生成室 7に導入されているイオン種がプラズマ化される。そして、引出電源13が投入 されることにより、上記プラズマチャンバ4と引出電極8との間に所定の電位差 が生じ、プラズマ生成室7に強い外部電界が形成され、この外部電界により、プ ラズマ生成室7内のプラズマからイオンが引き出され、イオンビームが形成され るようになっている。
【0022】 ところで、プラズマ生成室7の熱は、プラズマチャンバ4に接続されたアルミ ナ等の熱伝導度の高い材質から成るウェイブガイド3に伝導されるが、本実施例 のようにウェイブガイド3をプラズマチャンバ4側端部近傍で切り離した分割構 造にすることにより、第2ウェイブガイド3bと第1ウェイブガイド3aとの間 で熱伝導効率の低下が生じ、プラズマ生成室7からウェイブガイド3の大部分を 占める第1ウェイブガイド3aへ伝導される熱は少なくなる。
【0023】 上記のように、プラズマ生成室7からウェイブガイド3全体への熱伝導効率( 熱伝達速度)が従来よりも低下するので、プラズマ生成室7を含む系が略熱平衡 に達するまでの時間が従来よりも短縮され、イオン源において比較的安定したイ オンビームが得られるようになるまでの待ち時間(ビーム立ち上げ時のビーム電 流安定待ち時間)が短縮される。
【0024】 また、上述のようにプラズマ生成室7からウェイブガイド3への熱伝導効率が 従来よりも低下することにより、ウェイブガイド3がプラズマ生成室7内の温度 変化に及ぼす影響も少なくなり、プラズマ生成室7内の温度変化が低減される。 この結果、プラズマ生成室7内で生成されるプラズマが安定し、このプラズマか ら引き出されるイオンビームの安定度が向上する。尚、従来のイオン源と本イオ ン源とのビーム安定度の違いは、例えば1時間というように比較的長い時間単位 でのプラズマ生成室内の温度変化をみれば明らかである。
【0025】 尚、第2ウェイブガイド3bの体積(質量)が小さい程、プラズマ生成室7を 含む系が熱平衡状態に達し易く、また、プラズマ生成室7内の温度変化も少なく なるのは明らかであり、したがって、ウェイブガイド3の分割位置はできるだけ プラズマチャンバ4に近い方がよい。第2ウェイブガイド3bの厚さは、例えば 1mm程度に設定することができる。
【0026】 尚、本実施例では、ウェイブガイド3は、第1ウェイブガイド3aと第2ウェ イブガイド3bとに2分割された構成になっているが、これに限定されない。即 ち、ウェイブガイドをプラズマチャンバ4の近傍でさらに複数に分割した構成に することもできる。
【0027】
【考案の効果】
本考案のイオン源は、以上のように、プラズマ生成室を形成するプラズマチャ ンバと、一端が上記プラズマチャンバに接続され、マイクロ波発生手段から出力 されたマイクロ波をプラズマ生成室へと伝導するウェイブガイドとを備えている イオン源であって、上記ウェイブガイドは、プラズマチャンバの近傍で分割され た複数の分割部から形成されている構成である。
【0028】 それゆえ、プラズマ生成室からウェイブガイドへの熱伝導効率が低下し、プラ ズマ生成室を含む系が略熱平衡に達するまでの時間が従来よりも短縮されるので 、比較的安定したイオンビームが得られるようになるまでの待ち時間が従来より も短縮される。また、プラズマ生成室からウェイブガイドへの熱伝導効率が従来 よりも低下することにより、ウェイブガイドがプラズマ生成室内の温度変化に及 ぼす影響が減少し、ビーム立ち上げ後のプラズマ生成室内の温度変化が低減され るので、プラズマ生成室内で生成されるプラズマが安定し、このプラズマから引 き出されるイオンビームの安定度が従来よりも向上する等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例を示すものであり、マイクロ
波型イオン源の要部の構成を示す概略の横断面図であ
る。
【図2】従来例を示すものであり、マイクロ波型イオン
源の要部の構成を示す概略の横断面図である。
【符号の説明】
1 マグネトロン(マイクロ波発生手段) 2 マグネトロン電源 (マイクロ波発生手段) 3 ウェイブガイド 3a 第1ウェイブガイド(分割部) 3b 第2ウェイブガイド(分割部) 4 プラズマチャンバ 7 プラズマ生成室

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】プラズマ生成室を形成するプラズマチャン
    バと、一端が上記プラズマチャンバに接続され、マイク
    ロ波発生手段から出力されたマイクロ波をプラズマ生成
    室へと伝導するウェイブガイドとを備えているイオン源
    において、 上記ウェイブガイドは、プラズマチャンバの近傍で分割
    された複数の分割部から形成されていることを特徴とす
    るイオン源。
JP4741992U 1992-07-07 1992-07-07 イオン源 Pending JPH069041U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4741992U JPH069041U (ja) 1992-07-07 1992-07-07 イオン源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4741992U JPH069041U (ja) 1992-07-07 1992-07-07 イオン源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH069041U true JPH069041U (ja) 1994-02-04

Family

ID=12774638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4741992U Pending JPH069041U (ja) 1992-07-07 1992-07-07 イオン源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH069041U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011526724A (ja) * 2008-07-02 2011-10-13 コミッサリア ア レネルジ アトミック エ オ エネルジ アルテルナティヴ 電子サイクロトロン共鳴イオン・ゼネレータ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274696A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マイクロ波プラズマ源
JPH03276538A (ja) * 1990-03-27 1991-12-06 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波イオン源

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274696A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マイクロ波プラズマ源
JPH03276538A (ja) * 1990-03-27 1991-12-06 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波イオン源

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011526724A (ja) * 2008-07-02 2011-10-13 コミッサリア ア レネルジ アトミック エ オ エネルジ アルテルナティヴ 電子サイクロトロン共鳴イオン・ゼネレータ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6899054B1 (en) Device for hybrid plasma processing
US5017835A (en) High-frequency ion source
KR940010844B1 (ko) 이온 원(源)
EP0286132A2 (en) Plasma generating apparatus
KR890013820A (ko) 막막 형성 장치 및 이온원
JP2000054951A (ja) 静電動力装置
JP2859479B2 (ja) ボロンイオンを生成するためのイオン源
US4703180A (en) Microwave discharge type ion source for ion injection devices
US5180477A (en) Thin film deposition apparatus
US3757518A (en) Ion engine
JP3454384B2 (ja) イオンビーム発生装置及び方法
JPH069041U (ja) イオン源
RU2035789C1 (ru) Способ получения пучка ускоренных частиц в технологической вакуумной камере
JPH0762989B2 (ja) 電子ビ−ム励起イオン源
JP2643763B2 (ja) イオン打込み方法
JPH0353402Y2 (ja)
JP2580943Y2 (ja) イオン源
CN114242549A (zh) 一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置
JP2540492B2 (ja) イオン源用ア−クチヤンバ−装置
JPH05266845A (ja) イオン源
JP2526228B2 (ja) 電子ビ―ム式プラズマ装置
JPH0542603Y2 (ja)
JPH0575950U (ja) イオン源
JP3154018B2 (ja) イオン源
JPS6271147A (ja) 蒸発炉付イオン源