JPH0690812B2

JPH0690812B2 - 光記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0690812B2
Application number: JP61010580A
Authority: JP
Inventors: 草人広田; 元太郎大林; 一夫角尾
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1986-01-21
Filing date: 1986-01-21
Publication date: 1994-11-14
Anticipated expiration: 2009-11-14
Also published as: JPS62170047A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、情報の記録を行なう光ディスク、レーザ・コ
ム（COM）などの光記録媒体の製造方法に関する。

［従来の技術］従来の光記録媒体及びその製造方法としては、ガラス、
プラスチックなどの透明基板上にテルル、ビスマスなど
の低融点、低熱伝導の金属を主成分とした金属薄膜を真
空蒸着、スパッタリングなどの方法で形成し記録層とし
たものがある。これらの光記録媒体では、比較的酸化し
易いTeやBiを用いるため、耐酸化性を向上させるためSe
などの元素を同時蒸着、あるいは、Seを含有するターゲ
ットを用いてスパッタリングするなどの方法で記録層に
Seなどを添加することが行なわれている。

また、記録されるピットの形状を整えたり、記録層にク
ラックが発生するのを抑制するために、Pbなどの元素を
Seと同様の方法で添加することが行なわれている。

［発明が解決しようとする問題点］しかしながらかかる従来技術による場合、次のような問
題があった。すなわち、従来のSe,Bi,Pbなどを含有する
Te系合金の記録層を形成する場合、真空蒸着法によ場合
には、Seなどの昇華し易い元素の蒸着速度をコントロー
ルしながら同時多元蒸着することが難しく、記録層の組
成の再現性が低く特性が一定しないため、量産性に問題
があった。また、スパッタリング時のターゲットの加熱
や、Teなどとのスパッタリングレートの差によって、タ
ーゲット表面の組成が変化し、形成される記録層の組成
を一定に維持できない、また形成される記録層の表面の
平滑性が悪いなどの問題があった。複合ターゲットを用
いた場合でも、ターゲットの加熱による昇華の影響をや
はり避けることは出来ず、前記の問題を避けることが困
難であった。

さらにイオンプレーティングによる場合にも、Seなどの
昇華しやすい元素を蒸着速度をコントロールしながら同
時多元蒸着することが難しかった。

本発明はかかる問題点を解決し、量産時に記録層の組成
を一定に維持できる再現性の高い、量産性に優れた光記
録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

［問題を解決するための手段］かかる本発明の目的は、有機金属ガス、あるいは、これ
と不活性ガスとの混合ガス中で、金属を真空析出法によ
り、基板上に蒸着させて記録層を形成させることを特徴
とする光記録媒体の製造方法によって達成される。

本発明にいう有機金属とは、少なくとも１個の有機基と
金属原子の間に炭素−金属結合を有し、気化しうるもの
をいう。

有機基としては、飽和、不飽和のアルキル基が挙げられ
る。さらに、気化し易くかつ記録層形成性のよいことか
ら低級アルキル基が好ましく、とくに、炭素数４以下の
アルキル基が好ましい。

金属原子としては周期率表のII族Ｂ、III族Ｂ、IV族
Ｂ、Ｖ族Ｂ、VI族Ｂの金属（金属、半金属を含む）等が
挙げられる。具体的な例としては、Zn,Al,Ga,In,Tl,Si,
Ge,Sn,Pb,P,As,Sb,Bi,Se,Teなどが挙げられる。

これらの内、Zn,Ga,In,Ge,Sn,Pb,As,Sb,Bi,Seが記録層
の保存安定性や記録再生特性の改善に効果が大きく好ま
しい。記録層の毒性が低くできることからZn,Ga,In,Ge,
Sn,Pb,Sb,Si,Seが特に好ましい。

有機金属の例としては、アルキル金属あるいは水素化ア
ルキル金属が挙げられる。詳しくは、下記の一般式
（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物が挙げられる。

R¹−M¹−R² （Ｉ）（式中、M¹はZn,Se,Te M²はAl,Ga,In,Tl,As,Sb,Bi M³はSi,Ge,Sn,Pb R¹は炭素数１〜４の低級脂肪族基 R²,R³,R⁴はそれぞれ水素または炭素数１〜４の低級脂肪
族基を表わす。）具体的には次のものが挙げられる。

ジメチル亜鉛、ジエチレン亜鉛ジメチルセレン、ジエチルセレンジメチルテルル、ジエチルテルルトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウムトリメチルガリウム、トリエチルガリウムトリメチルインジウム、トリエチルインジウムトリメチルタリウムトリメチルヒ素、トリエチルヒ素トリメチルアンチモン、トリエチルアンチモントリメチルビスマステトラメチルシラン、テトラエチルシランテトラメチルゲルマン、テトラエチルゲルマンテトラメチルスズ、テトラエチルスズ、テトラエチル鉛ジメチルゲルマン、トリメチルスタナンこれら有機金属は、ただ１種のみを用いてもよいし、２
種以上を用いてもよい。

記録層の記録特性や保存安定性の改善効果が大きく、か
つ毒性を低くできることからジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛ジメチルセレン、ジエチルセレン、トリメチルガリウ
ム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、ト
リメチルアンチモン、トリメチルビスマス、テトラメチ
ルゲルマン、テトラメチルスズ、テトラエチル鉛などが
好ましく用いられる。

本発明は、このような有機金属のガス中、あるいは有機
金属ガスと不活性ガスとの混合ガス中で、金属をスパッ
タリングあるいはイオンプレーティング等の真空析出法
により蒸着記録層を形成するものである。

本発明に用いる不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノンなど公知の不活性ガスが挙げら
れ、これらは単独あるいは、混合して用いることが出来
る。蒸着効率が高いこと、価格が安いことから、アルゴ
ンを用いることが好ましい。不活性ガスの代りにN₂,CO₂
などの低活性ガスを用いることもできる。

有機金属ガスと不活性ガスの混合ガスの組成は、特に限
定するものではないが、混合ガス中の有機金属の体積分
率が50％を越えると、スパッタリング効率が低下する場
合があり、また、ターゲットの表面が汚染される場合が
ある。さらに0.5％未満の場合には、記録層表面の平滑
性が悪くなる場合がある。従って、混合ガス中の有機金
属の体積分率は0.5〜50％が好ましく、より好ましくは
１％以上、40％未満である。

有機金属の導入方法としては、有機金属の収納容器を加
温した状態、あるいは常温で、収納容器から直接、真空
容器に導入するなどの方法によることができる。

また、有機金属と不活性ガスの混合ガスを用いる場合に
は、不活性ガスにより液体の有機金属をバブリングし有
機金属の飽和蒸気を含有する混合ガスを発生させ、前記
の混合ガスを導入する方法によることができる。前記の
混合ガス中の有機金属の体積分率は、バブリングの温度
とバブラーに導入する不活性ガスの圧力によって定量性
よくコントロールすることができる。

また、前記の有機金属ガスもしくは、混合ガスをガスの
混合器などを用いて不活性ガスで希釈し導入することも
可能である。

定量性よく混合ガスの組成をコントロール出来ることか
ら、バブリングによる方法が好ましい。

前記のバブリングによる方法を用いる場合、バブラーの
温度を一定に維持するため恒温槽を用いることが好まし
く、ガス流量およびガス組成の定量性を高めるために、
０℃から100℃程度の温度の範囲内の任意に設定された
温度にバブラーを保持することが好ましい。

バブリングによる場合、有機金属の種類にもよるが、１
％から30％程度の体積分率で有機金属を含む組成の混合
ガスを発生させる条件で用いることが、混合ガスの組成
が安定することから好ましい。

本発明の記録層形成に用いられるターゲットの金属材料
としては、スパッタリングの場合、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,N
i,Cu,Zn,Ga,Al,Si,Ge,Zr,Nb,Mo,Pd,Rh,Ag,Cd,In,Sn,Sb,
Te,Ta,W,Pt,Au,Pbなど、スパッタリング出来る金属なら
ば、いかなるものでもよく、前記の元素を単体で、もし
くは、二個以上組み合せて用いることも出来る。

その他、上記の金属に加えてBiを組み合せて用いること
もできる。合金ターゲットを用いる場合には、スパッタ
リング中にターゲットが融解しない程度の融点を有する
ことが必要であり、およそ200℃以上の融点であること
が好ましい。

記録層の形成をイオンプレーティングで行なう場合に用
いられる金属としては、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,G
a,Al,Si,Ge,Mo,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Sb,Bi,Te,Pt,Au,Pbなど
イオンプレーティングできる金属ならば、いかなる物で
も良く、前記金属を単体もしくは、２種以上組み合せて
用いることもて出来る。

本発明の方法により形成した記録層を半導体レーザによ
る記録媒体として用いる場合には、記録層中に分散して
形成される合金の融点が700℃程度以下であることが望
ましく、Zn,In,Sn,Sb,Te,Pbなどの金属および、これら
を主成分とする合金を用いることが好ましい。

記録層中の合金に含有させる金属としては、Ge,Ti,V,N
i,Cu,Ga,Ag,Auが記録層の安定性を高めることから好ま
しい。

本発明における基板としては、プラスチック、ガラス、
Alなど従来の記録媒体と同様なものでよい。収束光によ
り基板側から記録することによってごみの影響を避ける
目的からは、基板として透明材料を用いることが好まし
い。上記のような材料としては、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、スチレン系樹脂などが挙げられる。
複屈折率の低い基板を成形しやすいことから、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネートおよびエポキシ樹
脂が好ましく用いられる。

基板の厚さは、特に限定するものではないが、10ミクロ
ン以上、５ミリメートル以下が、実用的である。10ミク
ロン未満では基板側から収束光で記録する場合でもごみ
の影響を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合
は、収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大き
くすることが出来なくなり、ピットサイズが大きくなる
ため記録密度を上げることが困難になる。

本発明の記録媒体の記録層の厚さとしては、100オング
ストロームから、１ミクロンの範囲で用いることができ
る。高い記録感度を得るためには、100オングストロー
ム以上、1000オングストローム以下とすることが好まし
い。

記録層は、基板の片面もしくは、両面に設けることがで
きる。また記録層は、予め記録層の保護層を施した基板
の上に形成することができる。さに記録層の上に保護層
を設けることもできる。

基板はフレキシブルなものでもよいし、リジッドなもの
であってもよい。フレキシブルな基板はテープ状あるい
はシート状で用いることができる。リジットな基板は、
カード状あるいは円形ディスク状で用いることができ
る。

記録媒体の構造としては、単板あるいは、２枚の基板を
用いて密着貼合せ構造、エヤーサンドイッチ構造、エヤ
ーインシデント構造が挙げられる。

また、本発明の記録媒体に照射する光としては、レーザ
光やストロボ光のごとき光であり、記録層を熱的に変
形、開口、もしくは凹部の形成をさせるものであれば良
い。

特に、半導体レーザを用いれば、レーザ光の変調を容易
に行なうことができ、好適である。

熱的に変形、開口、もしくは凹部の形成とは、その変
形、開口、凹部の形成の結果、非変形領域とは光学的諸
性質、例えば透過率、反射率の点で容易に検知しうる差
異を有する程度の変形、開口、凹部であればよい。

本発明の方法により製造される光記録媒体としては、光
ディスク、光テープ、光カード、光フロッピーディス
ク、マイクロフィッシュ、およびレーザCOM用の媒体な
どが挙げられる。

以下、記録層の形成方法を図面に基づき説明する。

第１図は、本発明の記録層の形成装置の一例を示してい
る。第１図において、１は、真空容器、２はスパッタリ
ングターゲット、３は上部電極、３′は下部電極、４は
基板、５は高周波電源、６は有機金属、７はアルゴンな
どの不活性ガス容器、８はバブラー、９は混合器、10は
バルブを示している。真空容器１をあらかじめ公知の排
気ポンプ（図示していない）を用いて10^-5Torrから10^-6
Torrに高真空に排気したのち、バルブ10を開きバブラー
内の有機金属６をアルゴンガスなどの不活性ガス容器７
からバブラー８に導入しバブリングして、混合ガスを作
り、バルブ10を調整して混合ガスを真空容器１内に導入
する。混合ガスの調整方法は、不活性ガスによるバブリ
ングに限定されるものではなく、有機金属を容器外部か
ら加温して、気化させるなどの方法で気化した有機金属
ガスと不活性ガスを混合する、などの方法でも良い。ま
た、有機金属ガスのみを、有機金属ガスの容器（図示し
ていない）から直接導入することも可能である。真空容
器１内の真空度は、バルブ10を適度に開閉することによ
って調整できる。スパッタリング時の真空度は10^-1Torr
から10^-3Torrで行なうことができる。10^-1Torrより大き
い圧力では、記録層の表面状態が悪くなる場合がある。
10^-3Torrより低い圧力では、放電が安定しない。好まし
くは、10^-3Torr以上、10^-1Torr未満である。また、導入
する混合ガスの流量は、バルブ10を適度に開閉すること
によって調整できる。混合ガスの流量は、有機金属の種
類にもよるが、実施例に示すごとく、直径12.5cmの基板
当り、0.01〜100cc/min（１気圧０℃換算）程度の流量
で、目的とする記録層中の含有量に応じて任意に設定さ
れる。基板の数や基板面積が増加する場合には、ガスの
流量を適宜増量することは言うまでもない。

また、必要に応じて複数の種類の混合ガスを用いて、記
録層に複数の成分金属元素を含有させることが出来るの
はもちろんである。スパッタリングは、公知の高周波マ
グネトロンスパッタリングで行なうことができる。スパ
ッタリングターゲット及び上部電極３と下部電極３′に
高周波電極５より、高周波電流を通電しスパッタリング
を行ない基板上に記録層を形成する。高周波の周波数は
特に限定されるものではないが、工業バンドの13.56MHz
が通常用いられる。高周波電力は特に限定するものでは
ないが、例えば、直径15cmの円形ターゲットに対して入
力で50Watt.から300Watt.が用いられる。すなわち、0.2
8Watt/CM²から1.7Watt/CM²程度の電力でスパッタリング
される。高周波電力が、上記より大きい時には、場合に
よっては基板が変形し、小さい時には放電が不安定とな
りやすい。スパッタリングの方法は、特に高周波マグネ
トロンスパッタリング方式に限定されるものではなく、
公知の直流スパッタリング方式、あるいは、さらにバイ
アス重畳方式を用いることもできる。また、二極方式に
限らず、三極、四極方式を用いることも出来る。

以下、ジメチルセレンとアルゴンガスの混合ガスの中で
Teをスパッタリングする場合を例に記録層の形成過程を
説明する。

テルルをスパッタすると、ジメチルセレンは、放電プラ
ズマ中で解離して、炭化水素基のラジカルや種々の有機
セレンのラジカルを生成する。本発明の製造方法によれ
ば、原料としてラジカルの発生が容易な有機金属を用い
ているため、この反応過程は容易に進む。

これらのラジカルが、スパッタリングされたTe原子ある
いはイオンと、有機TeのラジカルやTe−セレン結合を含
む有機金属ラジカルを生成すると推定される。更に、こ
れら有機金属ラジカル、炭化水素ラジカルが重合、架橋
して、アルキル基、アリール基などの炭化水素基および
Te、セレンを構成要素として含む有機金属重合体が基板
上に形成される。また、Teおよびセレンは、金属原子の
ままで基板上に堆積するものもあり、その結果Teとセレ
ンが、前記の有機金属プラズマ重合物中に分散した記録
層が、基板上に形成される。

第２図はイオンプレーティングによる本発明の記録層の
形成装置の一例を示している。真空装置11を予め排気ポ
ンプ（図示していない）で、１×10^-5Torr程度の高真空
に排気したのちバルブ12を開き、有機金属ガスを収納し
た容器13から前記のガスを流して、真空度を１から10^-4
Torrとする。有機金属ガスは、前記のように予め容器に
充填したものを用いても良いし、第１図で示したように
不活性ガスでバブリングし気化させた混合ガスを用いて
も良い。

真空装置には予め金属を蒸発させるるつぼ14、電極コイ
ル15、基板16が配置され、一端が接地された電極コイル
15には、電極17より13.56MHzの高周波電流が通電され
る。電極＋端を開放にした高電圧印加型では電極、容器
内壁などからスパッタリングされた物質が記録層に混入
するため、電極は一側を接地した低電圧、大電流タイプ
のものが好ましい。また、有機金属ガスもしくは前記ガ
スと不活性ガスの混合ガスを希釈するためにバルブ18を
有する不活性ガスを収納した容器19を備えても良い。

また、有機金属ガスもしくは、これと不活性ガスの混合
ガスの真空装置11内の圧力は、特に限定するものではな
いが、１から10^-4Torrとすることが好ましい。ガス圧が
1Torrより高いと記録層の形成速度が遅くなり、また記
録層の平滑性、一様性が悪くなり場合があり、また10^-4
Torrより低い場合には、放電が安定しない場合がある。
特に好ましい圧力は10^-2Torrから10^-3Torrであり、この
範囲では、記録層の表面状態がよく、一様な記録層を形
成できる。

以下、ジメチルセレンとアルゴンガスの混合ガス中でTe
をイオンプレーティングする場合を例に記録層の形成過
程を説明する。

テルルをるつぼ14に入れ加熱し、蒸発させたイオンプレ
ーティングすると、ジメチルセレンは、放電プラズマ中
で解離して、炭化水素基のラジカルや種々の有機セレン
のラジカルを生成する。本発明の製造方法によれば、原
料としてラジカルの発生が容易な有機金属を用いている
ため、この反応過程は容易に進む。これらのラジカルが
スパッタリングされたTe原子あるいはイオンと有機Teの
ラジカルや、Te−セレン結合を含む有機金属ラジカルを
生成すると推定される。更に、これらの有機金属ラジカ
ル、炭化水素ラジカルが重合架橋して、アルキル基、ア
リール基などの炭化水素基およびTe、セレンを構成要素
として含む有機金属重合体が基板上に形成される。ま
た、Te、およびセレンは、金属原子のままで基板上に堆
積するものもあり、その結果基板上にはTeとセレンが、
前記の有機金属プラズマ重合物中に分散した記録層が基
板上に形成される。

この製造方法による記録層中の金属の比率は、ガスの圧
力、放電電力、るつぼからの蒸発速度等によって任意に
設定できる。また有機金属を用いているため蒸発速度を
コントロールしにくい昇華性の金属も記録層中に再現性
よく含有させることができる。

複数の種類の有機金属を用いて、多成分の金属を含有す
る記録層を形成できるのは勿論である。

［実施例］以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

実施例１第１図に示す本発明の製造方法に基づき、厚さ1.2mm直
径12.5cmのアクリル基板上に、下記の手順と条件で、記
録層を形成し光記録媒体を作製した。

スパッタリングターゲットとして、純度99.99％のテル
ルを用いた。純度97％のジメチルセレンをステンレスバ
ブラ内でアルゴンガスでバブリングした後、アルゴンガ
スで希釈して、ジメチルセレンを5.0％の体積分率で含
有するアルゴン混合ガスを調整した。つぎに、真空容器
を予め槽内圧力２×10^-6Torrに排気し、しかる後混合ガ
スを流量10.6cc/min（１気圧０℃換算）で導入し、槽内
圧力を２×10^-2Torrとして、高周波入力100Watt.で高周
波マグネトロンスパッタリングを行ない、膜厚500オン
グストローム、Teに対してSeを５原子％含有する記録層
を形成した。つぎにこの光記録媒体を、線速度1.0メー
トル／秒、周波数1MHzに変調した出力６ミリワット、波
長830nmの半導体レーザ光を２ミクンロのスポット径に
収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピットが記
録された。

また、この光記録媒体を摂氏70度、相対湿度85％の環境
に放置したところ、40時間後も記録層に透明化、ピンホ
ールの発生は見られなかった。また、記録感度の低下も
見られなかった。

実施例２実施例１と同様にアクリル基板上に、下記の手順と条件
で記録層を形成し光記録媒体を作製した。

スパッタリングターゲットとして、純度99.99％のテル
ルを用いた。純度97％のテトラメチルスズをステンレス
バブラ内でアルゴンガスでバブリングした後、アルゴン
ガスで希釈して、テトラメチルスズを5.0％の体積分率
で含有するアルゴン混合ガスを調整した。つぎに、真空
容器を予め槽内圧力２×10^-6Torrに排気し、しかる後混
合ガスを流量12.5cc/min（１気圧０℃換算）で導入し、
槽内圧力を２×10^-2Torrとして、高周波入力100Watt.で
高周波マグネトロンスパッタリングを行ない、膜厚500
オングストロームの本発明の記録層を形成した。次にこ
の光記録媒体を実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミ
クロンのスポット径に収束し、基板側から記録したとこ
ろ、明瞭なピットが記録された。

また、この光記録媒体を摂氏70度、相対湿度85％の環境
に放置したところ、400時間後も記録層に透明化、ピン
ホールの発生は見られなかった。また、記録感度の低下
も見られなかった。

実施例３実施例１と同様にアクリル基板上に下記の手順と条件
で、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

スパッタリングターゲットとして、純度99.99％のテル
ルを用いた。純度97％のテトラメチルゲルマンをステン
レスバブラ内でアルゴンガスでバブリングした後、アル
ゴンガスで希釈して、テトラメチルゲルマンを5.0％の
体積分率で含有するアルゴン混合ガスを調整した。次
に、真空容器をあらかじめ槽内圧力２×10^-6Torrに排気
し、しかる後混合ガスを流量15.0cc/min（１気圧０℃換
算）で導入し、槽内圧力を２×10^-2Torrとして、高周波
入力100Watt.で高周波マグネトロンスパッタリングを行
ない、膜厚500オングストロームの本願発明の記録層を
形成した。次にこの光記録媒体を実施例１と同様の半導
体レーザ光を２ミクロンのスポット径に収束し、基板側
から記録したところ、明瞭なピッドが記録された。

また、この光記録媒体を摂氏70度、相対湿度85％の環境
に放置したところ、400時間も記録層に透明化、ピンホ
ールの発生は見られなかった。また、記録感度の低下も
見られなかった。

実施例４実施例１の混合ガス中のジメチルセレンの体積分率を1.
5％とする他は、実施例１と同様の条件で記録層を形成
し光記録媒体を得た。次にこの光記録媒体を、実施例１
と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのスポット径に収
束し、基板側から記録したところ、明瞭なピットが記録
された。

また、この光記録媒体を摂氏70度、相対湿度85％の環境
に放置したところ、400時間後も記録層に透明化、ピン
ホールの発生は見られなかった。また、記録感度も低下
も見られなかった。

実施例５実施例２の混合ガス中のテトラメチルスズの体積分率を
1.5％とする他は、実施例２と同様の条件で記録層を形
成し光記録媒体を得た。次にこの光記録媒体を実施例１
と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのスポット径に収
束し、基板側から記録したところ、明瞭なピットが記録
された。

また、この光記録媒体は摂氏70度、相対湿度85％の環境
に放置したところ、400時間後も記録層に透明化、ピン
ホールの発生は見られなかった。また、記録感度の低下
も見られなかった。

実施例６実施例３の混合ガス中のテトラメチルゲルマンの体積分
率を1.5％とする他は、実施例３と同様の条件で記録層
を形成し光記録媒体を得た。次にこの光記録媒体を実施
例１の半導体レーザ光を２ミクロンのスポット径に収束
し、基板側から記録したところ、明瞭なピットが記録さ
れた。

実施例７第２図に示す本発明の製造方法に基づき、厚さ1.2mmの
アクリル基板上に、下記の手順と条件で、記録層を形成
し光記録媒体を作製した。

純度97％のテトラメチルスズをステンレスバブラ内でア
ルゴンガスでバブリングした後、アルゴンガスで希釈し
て、テトラメチルスズを5.0％の体積分率で含有するア
ルゴン混合ガスを調整した。つぎに、真空容器をあらか
じめ槽内圧力２×10^-6Torrに排気し、しかる後混合ガス
を流量12cc/min（１気圧０℃換算）で導入し、槽内圧力
を２×10^-3Torrとして、高周波入力100Watt.で高周波イ
オンプレーティングを行ない、膜厚600オングストロー
ムの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録媒体を
実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのスポッ
ト径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピッ
トが記録された。

実施例８実施例７と同様にアクリル基板上に、下記の手順と条件
で、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

純度97％のジメチルセレンをステンレスバブラ内でアル
ゴンガスでバブリングした後、アルゴンガスで希釈し
て、ジメチルセレンを5.0％の体積分率で含有するアル
ゴン混合ガスを調整した。つぎに、真空容器をあらかじ
め槽内圧力２×10^-6Torrに排気し、しかる後混合ガスを
流量12cc/min（１気圧０℃換算）で導入し、槽内圧力を
２×10^-3Torrとして、高周波入力100Watt.で高周波イオ
ンプレーティングを行ない、膜厚600オングストローム
の本発明の記録層を形成した。次にこの光記録媒体を実
施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのスポット
径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピット
が記録された。

実施例９実施例７と同様にアクリル基板上に、下記の手順と条件
で、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

純度97％のテトラメチレンゲルマンをステンレスバブラ
内でアルゴンガスでバブリングした後、アルゴンガスで
希釈して、テトラメチルゲルマンを5.0％の体積分率で
含有するアルゴン混合ガスを調整した。次に、真空容器
をあらかじめ槽内圧力２×10^-6Torrに排気し、しかる後
混合ガスを流量12cc/min（１気圧０℃換算）で導入し、
槽内圧力を２×10^-3Torrとして、高周波入力100Watt.で
高周波イオンプレーティングを行ない、膜厚600オング
ストロームの本発明の記録層を形成した。次にこの光記
録媒体を実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロン
のスポット径に収束し、基板側から記録したところ、明
瞭なピットが記録された。

実施例10 実施例７の混合ガス中のテトラメチルスズの体積分率を
1.5％とする他は実施例７と同様の手順と条件で、記録
層を形成し光記録媒体を作成し、膜厚600オングストロ
ームの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録媒体
を実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのスポ
ット径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピ
ットが記録された。

実施例11 実施例７の混合ガス中のジメチルセレンの体積分率を1.
5％とする他は実施例７と同様の手順と条件で、記録層
を形成し光記録媒体を作成し、膜厚600オングストロー
ムの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録媒体を
実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのスポッ
ト径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピッ
トが記録された。

実施例12 実施例７の混合ガス中のテトラメチルゲルマンの体積分
率を1.5％とする他は実施例７と同様の手順と条件で、
記録層を形成し光記録媒体を作成し、膜厚600オングス
トロームの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録
媒体を実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンの
スポット径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭
なピットが記録された。

［発明の効果］本発明は、有機金属ガス中、あるいは有機金属ガスと不
活性ガスとの混合ガス中で、金属を真空析出法に蒸着さ
せて記録層を形成する製造法としたので、次のごとき優
れた効果を奏するものである。

（１）従来のスパッタリング法や真空蒸着法に比べ
て、容易に再現性がよく、記録層の組成をコントロール
できる。

（２）記録感度が高く、安定性の高い記録層を形成で
きる。

（３）基板との接着性が高く、表面の滑らかな記録層
を形成できる。

（４）スパッタリング、あるいは真空蒸着法では、膜
を形成し難い金属も容易に記録層の成分として含有させ
ることができる。

（５）複雑な多元組成の記録層も容易に形成できる。

（６）スパッタリングターゲットを製作し難い組成の
記録層も容易に形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ本発明の光記録媒体の
形成装置の一例を示す図である。 1:真空容器 2:スパッタリングターゲット 3:上部電極、３′：下部電極 4:基板、6:有機金属 8:バブラー、11:真空装置 12:バルブ、13:有機金属ガス収納容器 14:るつぼ、15:電極コイル 16:基板、17:電源

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ２３Ｃ 16/18 8116−4Ｋ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機金属ガス、あるいは、これと不活性ガ
スとの混合ガス中で、金属を真空析出法により、基板上
に蒸着させて記録層を形成させることを特徴とする光記
録媒体の製造方法。