JPH0691036B2 - エッチング処理装置およびエッチング処理方法 - Google Patents
エッチング処理装置およびエッチング処理方法Info
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- JPH0691036B2 JPH0691036B2 JP61288212A JP28821286A JPH0691036B2 JP H0691036 B2 JPH0691036 B2 JP H0691036B2 JP 61288212 A JP61288212 A JP 61288212A JP 28821286 A JP28821286 A JP 28821286A JP H0691036 B2 JPH0691036 B2 JP H0691036B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置、特にウエハプロセスに
おけるドライプロセス処理工程において使用されるエッ
チング処理装置に関するものである。
おけるドライプロセス処理工程において使用されるエッ
チング処理装置に関するものである。
第２図は従来のエッチング処理装置の一つであるプラズ
マエッチング処理装置、あるいは反応性イオンエッチン
グ処理装置の概略を示す縦断面図、第３図は第２図のII
I−III線断面図であり、エッチング処理装置１は円筒状
の反応容器２を備え、この反応容器２で被処理基板とし
てのウエハ３を収容し所定の真空度に保たれる反応室４
が形成されている。反応室４内の中央部付近には前記ウ
エハ３を支承する平板状の下部電極５が配設されてい
る。６はこの下部電極にウエハ３を介して平行に対向す
る平板状の上部電極であり、これら電極はシール材７お
よび絶縁構造を介して反応容器２外に突出されている。
上部電極６は導線８で接地され、中央部には下部電極５
方向へ向かって開口されたガス導入路９が設けられてお
り、その基端部には反応ガス供給管10が接続されてい
る。一方、下部電極５は、ウエハ３を載置できる構造と
され、下部には図示しない整合器を介して高周波電源11
が接続されている。12は高周波電源11を接地する導線で
ある。
マエッチング処理装置、あるいは反応性イオンエッチン
グ処理装置の概略を示す縦断面図、第３図は第２図のII
I−III線断面図であり、エッチング処理装置１は円筒状
の反応容器２を備え、この反応容器２で被処理基板とし
てのウエハ３を収容し所定の真空度に保たれる反応室４
が形成されている。反応室４内の中央部付近には前記ウ
エハ３を支承する平板状の下部電極５が配設されてい
る。６はこの下部電極にウエハ３を介して平行に対向す
る平板状の上部電極であり、これら電極はシール材７お
よび絶縁構造を介して反応容器２外に突出されている。
上部電極６は導線８で接地され、中央部には下部電極５
方向へ向かって開口されたガス導入路９が設けられてお
り、その基端部には反応ガス供給管10が接続されてい
る。一方、下部電極５は、ウエハ３を載置できる構造と
され、下部には図示しない整合器を介して高周波電源11
が接続されている。12は高周波電源11を接地する導線で
ある。
13は反応容器２の底面周縁部に設けられた環状溝で、こ
の環状溝13の底面に反応室４内を排気減圧する排気口14
が設けられている。この排気口14は排気管15を介して図
示しない真空ポンプに接続されて反応室４内を所定の真
空度に真空引きするためのものである。16は平均的な排
気を得るために前記環状溝13を被覆し、透孔が等間隔を
おいて穿設された排気調整板である。
の環状溝13の底面に反応室４内を排気減圧する排気口14
が設けられている。この排気口14は排気管15を介して図
示しない真空ポンプに接続されて反応室４内を所定の真
空度に真空引きするためのものである。16は平均的な排
気を得るために前記環状溝13を被覆し、透孔が等間隔を
おいて穿設された排気調整板である。
ウエハ３のエッチングは、先ずウエハ３を下部電極５上
に載置して行う。次いで反応室４内を気密にし排気口14
から反応室４内の残留気体を排出する。そして、反応室
４内が所定の真空度に達すると、ガス導入路９から反応
ガスを導入する。ここで、高周波電源11を作動して下部
電極５に高周波電圧を印加し、上部電極６との間にグロ
ー放電を生じさせる。このため、プラズマが形成され、
このプラズマ中の物理化学反応によってウエハ３上の所
定パターンのエッチング処理が行われる。
に載置して行う。次いで反応室４内を気密にし排気口14
から反応室４内の残留気体を排出する。そして、反応室
４内が所定の真空度に達すると、ガス導入路９から反応
ガスを導入する。ここで、高周波電源11を作動して下部
電極５に高周波電圧を印加し、上部電極６との間にグロ
ー放電を生じさせる。このため、プラズマが形成され、
このプラズマ中の物理化学反応によってウエハ３上の所
定パターンのエッチング処理が行われる。
しかしながら、この種従来のエッチング処理装置におい
ては、必ずしも均一なエッチング処理が行えない不具合
があった。これは、物理化学反応によるエッチングによ
って、反応室４内の下部電極５やウエハ３が加熱され、
ウエハ３の処理数が多くなるにつれて反応室４内の温度
が徐々に上昇し、ついには略一定の状態となるが、この
上昇していく過程において、第４図に示すようにエッチ
ング速度Ｓが温度Ｔによって変化するためと考えられ
る。
ては、必ずしも均一なエッチング処理が行えない不具合
があった。これは、物理化学反応によるエッチングによ
って、反応室４内の下部電極５やウエハ３が加熱され、
ウエハ３の処理数が多くなるにつれて反応室４内の温度
が徐々に上昇し、ついには略一定の状態となるが、この
上昇していく過程において、第４図に示すようにエッチ
ング速度Ｓが温度Ｔによって変化するためと考えられ
る。
すなわち、ロット内の初めのウエハは反応室４内の温度
が低い状態でエッチングが行われるが、あとから処理さ
れるウエハは反応室４内の温度が高い状態でエッチング
が行われるからである。その結果、この温度差がエッチ
ング速度に影響を与えるのである。また、このロットの
処理が終了すると、次のロットの処理が開始されるまで
の間に反応室４内の温度が下降してしまうのである。そ
のため、各ウエハに対する温度条件が異なり、エッチン
グ速度に影響を与えるため、エッチング処理が不均一に
なり製品にばらつきが生ずるのである。
が低い状態でエッチングが行われるが、あとから処理さ
れるウエハは反応室４内の温度が高い状態でエッチング
が行われるからである。その結果、この温度差がエッチ
ング速度に影響を与えるのである。また、このロットの
処理が終了すると、次のロットの処理が開始されるまで
の間に反応室４内の温度が下降してしまうのである。そ
のため、各ウエハに対する温度条件が異なり、エッチン
グ速度に影響を与えるため、エッチング処理が不均一に
なり製品にばらつきが生ずるのである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、その目
的は、エッチング処理が均一に行えるエッチング処理装
置を提供するものである。
的は、エッチング処理が均一に行えるエッチング処理装
置を提供するものである。
本発明に係るエッチンング処理装置は、被処理基板また
は反応室内の温度を測定する温度測定手段と、この温度
測定手段で測定した温度に応じて前記被処理基板に対し
て反応しないガスを選択的に加熱・冷却する温度調整手
段と、前記被処理基板に対して反応しないガスを前記被
処理基板に供給する非反応ガス供給手段とを備えたもの
である。また、本発明に係るエッチング処理方法は、エ
ッチング処理が行われる反応室内に被処理基板を収容す
る工程と、前記被処理基板または反応室内の温度を測定
する工程と、前記測定された温度に応じて前記被処理基
板に対して反応しないガスを温度制御し、その温度制御
されたガスを前記被処理基板または反応室に供給させる
工程と、前記被処理基板が所定温度になされた状態で発
生されたプラズマによりエッチング処理が行なわれる工
程とを有するものである。
は反応室内の温度を測定する温度測定手段と、この温度
測定手段で測定した温度に応じて前記被処理基板に対し
て反応しないガスを選択的に加熱・冷却する温度調整手
段と、前記被処理基板に対して反応しないガスを前記被
処理基板に供給する非反応ガス供給手段とを備えたもの
である。また、本発明に係るエッチング処理方法は、エ
ッチング処理が行われる反応室内に被処理基板を収容す
る工程と、前記被処理基板または反応室内の温度を測定
する工程と、前記測定された温度に応じて前記被処理基
板に対して反応しないガスを温度制御し、その温度制御
されたガスを前記被処理基板または反応室に供給させる
工程と、前記被処理基板が所定温度になされた状態で発
生されたプラズマによりエッチング処理が行なわれる工
程とを有するものである。
本発明においては、エッチング処理前において被処理基
板を被処理基板に対して反応しないガスによって加熱あ
るいは冷却し、被処理基板を一定の温度に保持してから
エッチングを開始することができるので、各被処理基板
に対する温度条件が一定になる。
板を被処理基板に対して反応しないガスによって加熱あ
るいは冷却し、被処理基板を一定の温度に保持してから
エッチングを開始することができるので、各被処理基板
に対する温度条件が一定になる。
以下、本発明の一実施例を図により詳細に説明する。第
１図は本発明に係るエッチング処理装置の概略を示す縦
断面図であり、同図において符号21で示すものはプラズ
マ処理装置を示し、従来のものと同様に、ウエハ３を収
容する反応室４を形成する反応容器２と、この反応容器
２内に配設された下部電極５および上部電極６とを備え
ている。下部電極５はウエハ３を支承すると共に下部は
シール材７を介して反応容器２外に突出し、導線12で接
地された高周波電源11に接続されている。上部電極６は
反応ガス供給管10が接続されたガス導入路９を有し、導
線８で接地されている。反応容器２の底部には排気調整
板16で被覆された環状溝13が設けられており、ここに排
気口14が開けられ、排気管15が接続されている。
１図は本発明に係るエッチング処理装置の概略を示す縦
断面図であり、同図において符号21で示すものはプラズ
マ処理装置を示し、従来のものと同様に、ウエハ３を収
容する反応室４を形成する反応容器２と、この反応容器
２内に配設された下部電極５および上部電極６とを備え
ている。下部電極５はウエハ３を支承すると共に下部は
シール材７を介して反応容器２外に突出し、導線12で接
地された高周波電源11に接続されている。上部電極６は
反応ガス供給管10が接続されたガス導入路９を有し、導
線８で接地されている。反応容器２の底部には排気調整
板16で被覆された環状溝13が設けられており、ここに排
気口14が開けられ、排気管15が接続されている。
22は前記ウエハ３の温度を測定する温度測定装置であ
る。この温度測定装置22は反応容器２の側部に中央部に
向かって開口された筒部23に設けられたウエハ温度検出
部24と、この検出部24で検出したデータの処理および信
号の入出力を行う処理部25とから構成されている。ウエ
ハ温度検出部24は例えば赤外線等を利用し図示しない透
明な窓を透して反応室４内の温度を測定することによっ
てウエハ３の温度を検出する非接触式のものが用いられ
ている。
る。この温度測定装置22は反応容器２の側部に中央部に
向かって開口された筒部23に設けられたウエハ温度検出
部24と、この検出部24で検出したデータの処理および信
号の入出力を行う処理部25とから構成されている。ウエ
ハ温度検出部24は例えば赤外線等を利用し図示しない透
明な窓を透して反応室４内の温度を測定することによっ
てウエハ３の温度を検出する非接触式のものが用いられ
ている。
31は下部電極５に設けられ、図示しないウエハ押さえで
下部電極５上に保持されたウエハ３の裏面と下部電極５
との間に空隙を形成する供給部である。32は下部電極５
に設けられ、前記供給部31と反応容器２の外部との間を
連通する不活性ガス導入路であり、外側開口端には不活
性ガス供給管33が接続されている。不活性ガス供給管33
の上流側は図示しないがウエハ３に対して反応しないガ
スであって熱良導伝性のガス、望ましくはHe等の不活性
ガス供給源に接続されている。すなわち、供給部31,不
活性ガス導入路32,不活性ガス供給管33および図示しな
い不活性ガス供給源は、不活性ガスをウエハ３に裏面側
から供給する不活性ガス供給装置を構成している。不活
性ガス供給管33は途中において冷却側通路33aと加熱側
通路33bとに分岐され、冷却側通路33aには不活性ガスを
冷却する冷却装置35が付設され、加熱側通路33bには不
活性ガスを加熱する加熱装置36が付設されている。ま
た、これら通路は装置の下流側において流路切換装置37
を介して再び結束されている。
下部電極５上に保持されたウエハ３の裏面と下部電極５
との間に空隙を形成する供給部である。32は下部電極５
に設けられ、前記供給部31と反応容器２の外部との間を
連通する不活性ガス導入路であり、外側開口端には不活
性ガス供給管33が接続されている。不活性ガス供給管33
の上流側は図示しないがウエハ３に対して反応しないガ
スであって熱良導伝性のガス、望ましくはHe等の不活性
ガス供給源に接続されている。すなわち、供給部31,不
活性ガス導入路32,不活性ガス供給管33および図示しな
い不活性ガス供給源は、不活性ガスをウエハ３に裏面側
から供給する不活性ガス供給装置を構成している。不活
性ガス供給管33は途中において冷却側通路33aと加熱側
通路33bとに分岐され、冷却側通路33aには不活性ガスを
冷却する冷却装置35が付設され、加熱側通路33bには不
活性ガスを加熱する加熱装置36が付設されている。ま
た、これら通路は装置の下流側において流路切換装置37
を介して再び結束されている。
前記処理部25は信号線41を介して冷却装置35および加熱
装置36に接続されており、冷却装置35および加熱装置36
の何れか一方が選択的に作動するように制御している。
また、流路切換装置37は信号線42を介して処理部25に接
続され、冷却装置35あるいは加熱装置36が作動している
側の通路に不活性ガスを流すように制御されている。す
なわち、これら冷却装置35,加熱装置36,流路切換装置37
は、温度測定装置22で測定した温度に応じて不活性ガス
を選択的に加熱・冷却する温度調整装置を構成してい
る。
装置36に接続されており、冷却装置35および加熱装置36
の何れか一方が選択的に作動するように制御している。
また、流路切換装置37は信号線42を介して処理部25に接
続され、冷却装置35あるいは加熱装置36が作動している
側の通路に不活性ガスを流すように制御されている。す
なわち、これら冷却装置35,加熱装置36,流路切換装置37
は、温度測定装置22で測定した温度に応じて不活性ガス
を選択的に加熱・冷却する温度調整装置を構成してい
る。
45は恒温水供給管、46は恒温水排出管で、これらは下部
電極５に設けられた図示しない流路の両端に接続され、
ウエハ３がエッチング処理中に昇温してレジストパター
ンが損傷するのを防止するために、恒温水を下部電極５
内に循環させるものである。
電極５に設けられた図示しない流路の両端に接続され、
ウエハ３がエッチング処理中に昇温してレジストパター
ンが損傷するのを防止するために、恒温水を下部電極５
内に循環させるものである。
このように構成されたエッチング処理装置においては、
ウエハ３が下部電極５上に載置されると、非接触式のウ
エハ温度検出部24によって反応容器２外から反応室４内
の温度を測定することによってウエハ３の温度が検出さ
れ、この検出値が処理部25に出力される。処理部25では
この温度情報に基づき、その温度に対応して冷却装置3
5,加熱装置36,流路切換装置37の制御を行う。すなわ
ち、温度が予め設定した標準温度よりも高い場合は、冷
却装置35を作動させ、冷却側通路33aが開くように流路
切換装置37を作動させる信号を送出する。
ウエハ３が下部電極５上に載置されると、非接触式のウ
エハ温度検出部24によって反応容器２外から反応室４内
の温度を測定することによってウエハ３の温度が検出さ
れ、この検出値が処理部25に出力される。処理部25では
この温度情報に基づき、その温度に対応して冷却装置3
5,加熱装置36,流路切換装置37の制御を行う。すなわ
ち、温度が予め設定した標準温度よりも高い場合は、冷
却装置35を作動させ、冷却側通路33aが開くように流路
切換装置37を作動させる信号を送出する。
したがって、ウエハ３にはウエハ３が一定の温度となる
ように、冷却された不活性ガスが供給される。一方、ウ
エハ３の温度が低かった場合は、加熱装置36を作動さ
せ、加熱側通路33bが開くように流路切換装置37を作動
させる信号が処理部25から送出されるため、ウエハ３を
一定の温度に加熱するように、加熱された不活性ガスが
供給される。その結果、エッチング処理前においてウエ
ハ３を一定の温度に保持することができる。
ように、冷却された不活性ガスが供給される。一方、ウ
エハ３の温度が低かった場合は、加熱装置36を作動さ
せ、加熱側通路33bが開くように流路切換装置37を作動
させる信号が処理部25から送出されるため、ウエハ３を
一定の温度に加熱するように、加熱された不活性ガスが
供給される。その結果、エッチング処理前においてウエ
ハ３を一定の温度に保持することができる。
そして、ウエハ温度検出部24によってウエハ３の温度が
一定になったことが検出されると、冷却装置35および加
熱装置36は停止されると共に、不活性ガス供給管33は流
路切換装置37で閉塞状態とされる。その後、反応室４内
が設定された真空度に到達すると、反応ガスが反応ガス
供給管10からガス導入路９を介して矢印Ａで示すように
反応室４内に導入される。ここで、高周波電源11が作動
され下部電極５に高周波電圧が印加されるため、上部電
極６との間にグロー放電が生じてプラズマが形成され、
ウエハ３のエッチング処理が行われる。
一定になったことが検出されると、冷却装置35および加
熱装置36は停止されると共に、不活性ガス供給管33は流
路切換装置37で閉塞状態とされる。その後、反応室４内
が設定された真空度に到達すると、反応ガスが反応ガス
供給管10からガス導入路９を介して矢印Ａで示すように
反応室４内に導入される。ここで、高周波電源11が作動
され下部電極５に高周波電圧が印加されるため、上部電
極６との間にグロー放電が生じてプラズマが形成され、
ウエハ３のエッチング処理が行われる。
したがって、エッチング処理前においてウエハ３を一定
の温度に保持してからエッチングを開始することができ
るので、各ウエハ３に対する温度条件を一定することが
できる。すなわち，エッチング処理工程においては温度
が次第に上昇するが、エッチング処理前の温度を一定に
することによって、各ウエハの温度上昇も等しくするこ
とができるからである。
の温度に保持してからエッチングを開始することができ
るので、各ウエハ３に対する温度条件を一定することが
できる。すなわち，エッチング処理工程においては温度
が次第に上昇するが、エッチング処理前の温度を一定に
することによって、各ウエハの温度上昇も等しくするこ
とができるからである。
また、ウエハ温度検出部24でエッチング処理中のウエハ
温度をモニターすることができるので、ウエハ３の温度
が標準温度に対して異常状態になった場合に、警報信号
を出力したり、エッチング処理装置21を停止させる信号
を出力させることもできるばかりか、処理中のウエハ温
度をモニターしているので、その温度情報に基づいて処
理中においても加熱、または冷却された不活性ガスを供
給部31に供給できる。
温度をモニターすることができるので、ウエハ３の温度
が標準温度に対して異常状態になった場合に、警報信号
を出力したり、エッチング処理装置21を停止させる信号
を出力させることもできるばかりか、処理中のウエハ温
度をモニターしているので、その温度情報に基づいて処
理中においても加熱、または冷却された不活性ガスを供
給部31に供給できる。
このように本発明はウエハ３に不活性ガスを供給し、エ
ッチング処理前に限らず、エッチング処理中においてウ
エハ３を一定の温度に保持するようにしたことをその内
容とするものであるから、不活性ガスをウエハ３の裏面
側から供給するものに限定されるものではなく、ウエハ
３の表面側から供給するようにしてもよい。また、ウエ
ハ３または反応室４の温度を測定する温度測定装置22、
不活性ガスを選択的に加熱・冷却する温度調整装置、不
活性ガスを供給するガス供給装置としては同等な作用が
得られるものであれば、その構造は適宜変更することが
できる。
ッチング処理前に限らず、エッチング処理中においてウ
エハ３を一定の温度に保持するようにしたことをその内
容とするものであるから、不活性ガスをウエハ３の裏面
側から供給するものに限定されるものではなく、ウエハ
３の表面側から供給するようにしてもよい。また、ウエ
ハ３または反応室４の温度を測定する温度測定装置22、
不活性ガスを選択的に加熱・冷却する温度調整装置、不
活性ガスを供給するガス供給装置としては同等な作用が
得られるものであれば、その構造は適宜変更することが
できる。
例えば、温度測定装置22としては、プローバを石英ファ
イバー等で形成し、これをウエハに対して進退するアー
ム等からなる保持手段で保持するようにしてもよい。こ
のようにすれば、ウエハに接触して温度を測定すること
ができ、エッチング処理中はプラズマの影響がないよう
に反応容器の周壁付近に回避させることができる。ま
た、エッチング処理中にエッチングに影響を与えないウ
エハの周縁部にプローバを接触させてウエハ温度をモニ
タし、その温度を警報信号等に利用することができる。
イバー等で形成し、これをウエハに対して進退するアー
ム等からなる保持手段で保持するようにしてもよい。こ
のようにすれば、ウエハに接触して温度を測定すること
ができ、エッチング処理中はプラズマの影響がないよう
に反応容器の周壁付近に回避させることができる。ま
た、エッチング処理中にエッチングに影響を与えないウ
エハの周縁部にプローバを接触させてウエハ温度をモニ
タし、その温度を警報信号等に利用することができる。
以上説明したように本発明に係るエッチング処理装置
は、被処理基板または反応室内の温度を測定する温度測
定手段と、この温度測定手段で測定した温度に応じて被
処理基板に対して反応しないガスを選択的に加熱・冷却
する温度調整手段と、前記被処理基板に対して反応しな
いガスを前記被処理基板に供給する非反応ガス供給手段
とを備えたものであり、本発明に係るエッチング処理方
法は、エッチング処理が行われる反応室内に被処理基板
を収容する工程と、前記被処理基板または反応室内の温
度を測定する工程と、前記測定された温度に応じて前記
被処理基板に対して反応しないガスを温度制御し、その
温度制御されたガスを前記被処理基板または反応室に供
給させる工程と、前記被処理基板が所定温度になされた
状態で発生されたプラズマによりエッチング処理が行な
われる工程とを有するものであるから、エッチング処理
前において被処理基板を被処理基板に対して反応しない
ガスによって加熱あるいは冷却し、被処理基板を一定の
温度に保持してからエッチングを開始することができ
る。
は、被処理基板または反応室内の温度を測定する温度測
定手段と、この温度測定手段で測定した温度に応じて被
処理基板に対して反応しないガスを選択的に加熱・冷却
する温度調整手段と、前記被処理基板に対して反応しな
いガスを前記被処理基板に供給する非反応ガス供給手段
とを備えたものであり、本発明に係るエッチング処理方
法は、エッチング処理が行われる反応室内に被処理基板
を収容する工程と、前記被処理基板または反応室内の温
度を測定する工程と、前記測定された温度に応じて前記
被処理基板に対して反応しないガスを温度制御し、その
温度制御されたガスを前記被処理基板または反応室に供
給させる工程と、前記被処理基板が所定温度になされた
状態で発生されたプラズマによりエッチング処理が行な
われる工程とを有するものであるから、エッチング処理
前において被処理基板を被処理基板に対して反応しない
ガスによって加熱あるいは冷却し、被処理基板を一定の
温度に保持してからエッチングを開始することができ
る。
したがって、ロットが連続的に処理されるか間歇的に処
理されるか、あるいはロット内において処理される順番
に影響されることなく、各被処理基板に対する温度条件
を一定にすることができるから、エッチング速度を一定
にし、エッチング処理を均一に行うことができる。その
結果、このようにエッチング処理された基板を用いれ
ば、製品の品質向上がはかれる。
理されるか、あるいはロット内において処理される順番
に影響されることなく、各被処理基板に対する温度条件
を一定にすることができるから、エッチング速度を一定
にし、エッチング処理を均一に行うことができる。その
結果、このようにエッチング処理された基板を用いれ
ば、製品の品質向上がはかれる。
第１図は本発明に係るエッチング処理装置の概略を示す
縦断面図、第２図は従来のエッチング処理装置の概略を
示す縦断面図、第３図は第２図のIII−III線断面図、第
４図は温度とエッチング速度との関係を示すグラフであ
る。 ２……反応容器、３……ウエハ、５……下部電極、６…
…上部電極、24……ウエハ温度検出部、25……処理部、
33……不活性ガス供給管、35……冷却装置、36……加熱
装置、37……流路切換装置。
縦断面図、第２図は従来のエッチング処理装置の概略を
示す縦断面図、第３図は第２図のIII−III線断面図、第
４図は温度とエッチング速度との関係を示すグラフであ
る。 ２……反応容器、３……ウエハ、５……下部電極、６…
…上部電極、24……ウエハ温度検出部、25……処理部、
33……不活性ガス供給管、35……冷却装置、36……加熱
装置、37……流路切換装置。
Claims (2)
- 【請求項１】被処理基板を収容し、この被処理基板のエ
ッチング処理が行われる反応室を形成する反応容器と、
この反応容器内に互いに対向して設けられた電極とを備
えたエッチング処理装置において、前記被処理基板また
は反応室内の温度を測定する温度測定手段と、この温度
測定手段で測定した温度に応じて前記被処理基板に対し
て反応しないガスを選択的に加熱・冷却する温度調整手
段と、前記被処理基板に対して反応しないガスを前記被
処理基板に供給する非反応ガス供給手段とを備えたこと
を特徴とするエッチング処理装置。 - 【請求項２】エッチング処理が行われる反応室内に被処
理基板を収容する工程と、前記被処理基板または反応室
内の温度を測定する工程と、前記測定された温度に応じ
て前記被処理基板に対して反応しないガスを温度制御
し、その温度制御されたガスを前記被処理基板または反
応室に供給させる工程と、前記被処理基板が所定温度に
なされた状態で発生されたプラズマによりエッチング処
理が行なわれる工程とを有するエッチング処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61288212A JPH0691036B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61288212A JPH0691036B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141317A JPS63141317A (ja) | 1988-06-13 |
| JPH0691036B2 true JPH0691036B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17727269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61288212A Expired - Fee Related JPH0691036B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691036B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5248370A (en) * | 1989-05-08 | 1993-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment |
| JPH04196528A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Toshiba Corp | マグネトロンエッチング装置 |
| JP2020150009A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN112436016B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-06-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器的制备方法及气动机械装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
| JPH0622213B2 (ja) * | 1983-11-28 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 試料の温度制御方法及び装置 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP61288212A patent/JPH0691036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63141317A (ja) | 1988-06-13 |
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