JPH0691063B2 - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0691063B2 JPH0691063B2 JP62054745A JP5474587A JPH0691063B2 JP H0691063 B2 JPH0691063 B2 JP H0691063B2 JP 62054745 A JP62054745 A JP 62054745A JP 5474587 A JP5474587 A JP 5474587A JP H0691063 B2 JPH0691063 B2 JP H0691063B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- water
- wafer
- cleaning method
- nozzles
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 一対のノズルから噴射した洗浄水を衝突させて乱流を生
じさせ、その乱流をノズル側方に位置した被洗浄基板表
面に当てて洗浄する。そうすれば、ウエハーやフォトマ
スクなどの表面の洗浄効果が向上する。
じさせ、その乱流をノズル側方に位置した被洗浄基板表
面に当てて洗浄する。そうすれば、ウエハーやフォトマ
スクなどの表面の洗浄効果が向上する。
［産業上の利用分野］ 本発明は洗浄方法にかかり、特に、ウエハープロセスに
おける洗浄方法に関する。
おける洗浄方法に関する。
周知のように、ICなどの半導体装置はウエハー（半導体
基板）面に素子が形成され、ウエハープロセスを経てIC
チップに完成されるが、このようなウエハープロセスに
おいては、エッチング加工が繰り返えしおこなわれてお
り、その際には必ず洗浄が伴つている。
基板）面に素子が形成され、ウエハープロセスを経てIC
チップに完成されるが、このようなウエハープロセスに
おいては、エッチング加工が繰り返えしおこなわれてお
り、その際には必ず洗浄が伴つている。
一方、ICは益々高集積化されて各素子が微細化され、ウ
エハー表面には微細な加工がおこなわれていて、その微
細化のためにエッチング加工後の洗浄効果が十分に得ら
れず、その改善が要望されている。
エハー表面には微細な加工がおこなわれていて、その微
細化のためにエッチング加工後の洗浄効果が十分に得ら
れず、その改善が要望されている。
［従来の技術］ 従来より実施されている一般的な洗浄方法は、水洗容器
に洗浄水を満たして浸漬する方法が採られており、その
概要を第５図（ａ），（ｂ）に示している。第５図
（ａ）はオーバーフロー方式の洗浄方法で、１はウエハ
ー,2は注水口,3は洗浄水を満たした水洗容器で、注水口
２から洗浄水（例えば、純水）を注いで水洗容器３を満
水にし、その水洗容器３から洗浄水をオーバーフローさ
せて洗浄水を交換する方法である。且つ、最近では、こ
のような洗浄方法を自動化して、ウエハーを保持したウ
エハーホルダー（図示せず）を上下に動作させて洗浄効
果を高める方法も用いられている。
に洗浄水を満たして浸漬する方法が採られており、その
概要を第５図（ａ），（ｂ）に示している。第５図
（ａ）はオーバーフロー方式の洗浄方法で、１はウエハ
ー,2は注水口,3は洗浄水を満たした水洗容器で、注水口
２から洗浄水（例えば、純水）を注いで水洗容器３を満
水にし、その水洗容器３から洗浄水をオーバーフローさ
せて洗浄水を交換する方法である。且つ、最近では、こ
のような洗浄方法を自動化して、ウエハーを保持したウ
エハーホルダー（図示せず）を上下に動作させて洗浄効
果を高める方法も用いられている。
また、第５図（ｂ）はドレイン方式の洗浄方法を示して
おり、水洗容器３に注水口２から多量の洗浄水を流し込
んで満水にし、次いで、排水口４から急速に排水して水
洗容器３を空にし、再び注水して水洗容器を満水にする
と云う洗浄方法である。勿論、このような洗浄方法の自
動化もおこなわれている。
おり、水洗容器３に注水口２から多量の洗浄水を流し込
んで満水にし、次いで、排水口４から急速に排水して水
洗容器３を空にし、再び注水して水洗容器を満水にする
と云う洗浄方法である。勿論、このような洗浄方法の自
動化もおこなわれている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記のような洗浄方法は洗浄水がウエハ
ー面を横に流れる洗浄方法であるから、ウエハー面に形
成した微細な深い孔の中を洗浄する場合は余り十分でな
く、洗浄水がその孔内に入つて換わりにくくて、孔内の
洗浄効果が良くないと云う欠点がある。
ー面を横に流れる洗浄方法であるから、ウエハー面に形
成した微細な深い孔の中を洗浄する場合は余り十分でな
く、洗浄水がその孔内に入つて換わりにくくて、孔内の
洗浄効果が良くないと云う欠点がある。
例えば、第６図はEPメモリ素子に形成した電極窓の断面
図を示しており、この絶縁膜５に設けた電極窓６は孔径
１μｍφ，深さ１〜1.5μｍであるが、このような微細
な深い孔に洗浄水を入換えて完全に洗浄することが困難
である。従つて、この電極窓６内の洗浄が不十分にな
り、その孔内に次工程でアルミニウム電極を被着する
と、僅かに残つたエッチング液や前処理液によつて電極
窓の内部および被着したアルミニウム電極が腐食され
て、コンタクト抵抗が増大したり、液残による不純物が
拡散したりして、歩留や品質を低下させる。
図を示しており、この絶縁膜５に設けた電極窓６は孔径
１μｍφ，深さ１〜1.5μｍであるが、このような微細
な深い孔に洗浄水を入換えて完全に洗浄することが困難
である。従つて、この電極窓６内の洗浄が不十分にな
り、その孔内に次工程でアルミニウム電極を被着する
と、僅かに残つたエッチング液や前処理液によつて電極
窓の内部および被着したアルミニウム電極が腐食され
て、コンタクト抵抗が増大したり、液残による不純物が
拡散したりして、歩留や品質を低下させる。
本発明はこのような問題点を解消させるためのウエハー
の洗浄方法を提案するものである。
の洗浄方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］ その目的は、第１図に示すように、洗浄液の入った洗浄
槽内で一対のノズルを対向し、この一対のノズルより洗
浄水を噴射し衝突させて生じた乱流を、ノズル側方に位
置した被洗浄基板表面に当接させて洗浄するようにした
ことを特徴とする洗浄方法よって達成される。なお、第
１図（ａ）は上からみた平面図、第１図（ｂ）は横から
みた側面図を示している。
槽内で一対のノズルを対向し、この一対のノズルより洗
浄水を噴射し衝突させて生じた乱流を、ノズル側方に位
置した被洗浄基板表面に当接させて洗浄するようにした
ことを特徴とする洗浄方法よって達成される。なお、第
１図（ａ）は上からみた平面図、第１図（ｂ）は横から
みた側面図を示している。
［作用］ 即ち、本発明は一対のノズルから噴射した洗浄水を衝突
させて乱流を生じさせ、その乱流をウエハー面に当て、
微細な深い孔の中にも洗浄水が流れ込んで入れ換わるよ
うに図る。そうすると、微細孔内部の洗浄効果が高くな
る。
させて乱流を生じさせ、その乱流をウエハー面に当て、
微細な深い孔の中にも洗浄水が流れ込んで入れ換わるよ
うに図る。そうすると、微細孔内部の洗浄効果が高くな
る。
［実施例］ 以下，図面を参照して実施例によつて詳細に説明する。
第２図は本発明かかる洗浄方法によつて、上記したEPメ
モリ素子の電極窓を洗浄する場合を図示しており、対向
した一対のノズルから洗浄水を噴射すると、両方の洗浄
水が衝突して乱流が生じる。乱流は渦流などであり、そ
の側方にウエハーを置いていると、衝突した水流は側方
に流れが換わつて、ある程度の水圧でウエハー面に当た
る。そうすれば、微細な深い電極窓６内部の洗浄水が交
換されて、窓内が洗浄される。
モリ素子の電極窓を洗浄する場合を図示しており、対向
した一対のノズルから洗浄水を噴射すると、両方の洗浄
水が衝突して乱流が生じる。乱流は渦流などであり、そ
の側方にウエハーを置いていると、衝突した水流は側方
に流れが換わつて、ある程度の水圧でウエハー面に当た
る。そうすれば、微細な深い電極窓６内部の洗浄水が交
換されて、窓内が洗浄される。
第３図は本発明にかかる洗浄方法を適用した一実施例図
で、複数個からなる一対のノズル20をウエハー11の上方
に配置しており、その下にウエハーは位置している。そ
して、ウエハーはウエハーチャック（図示していない）
によつて保持され、10〜20回／分程度の速度で回転させ
る。ノズルの先端径は数mmφのものを用い、その先端か
ら水圧5Kg/cm2の水流を衝突させて乱流をおこさせ、そ
の乱流ウエハー面に当てて洗浄する。洗浄が終了すれ
ば、自動的にウエハーを左右方向に移行させて、次のウ
エハーを洗浄すると云う自動方式である。このような方
式に限らずに、従来の浸漬法と組み合わせて、種々の洗
浄方式の構成が考えられる。
で、複数個からなる一対のノズル20をウエハー11の上方
に配置しており、その下にウエハーは位置している。そ
して、ウエハーはウエハーチャック（図示していない）
によつて保持され、10〜20回／分程度の速度で回転させ
る。ノズルの先端径は数mmφのものを用い、その先端か
ら水圧5Kg/cm2の水流を衝突させて乱流をおこさせ、そ
の乱流ウエハー面に当てて洗浄する。洗浄が終了すれ
ば、自動的にウエハーを左右方向に移行させて、次のウ
エハーを洗浄すると云う自動方式である。このような方
式に限らずに、従来の浸漬法と組み合わせて、種々の洗
浄方式の構成が考えられる。
実施結果によれば従来の浸漬法に比べて良好な結果がえ
られており、第４図は半導体基板11上に多結晶シリコン
膜12と絶縁膜13を積層したのち、弗酸液および弗化アン
モン・弗酸の混液によつてエッチングして電極窓16を開
けた測定試料の断面図である。このようなウエハーを従
来の浸漬法と本発明にかかる洗浄方法とで洗浄して、ア
ルミニウム配線17を形成し、そのトランジスタ特性のし
きい値電圧を測定したところ、0.98〜1.10Vの値が得ら
れた。これに対して、従来のオーバーフロー方式ではし
きい値電圧は0.6〜0.7V程度であつた。
られており、第４図は半導体基板11上に多結晶シリコン
膜12と絶縁膜13を積層したのち、弗酸液および弗化アン
モン・弗酸の混液によつてエッチングして電極窓16を開
けた測定試料の断面図である。このようなウエハーを従
来の浸漬法と本発明にかかる洗浄方法とで洗浄して、ア
ルミニウム配線17を形成し、そのトランジスタ特性のし
きい値電圧を測定したところ、0.98〜1.10Vの値が得ら
れた。これに対して、従来のオーバーフロー方式ではし
きい値電圧は0.6〜0.7V程度であつた。
従つて、本発明にかかる洗浄方法は微細な素子を設けた
ウエハーの洗浄に十分な効果があり、且つ、自動処理に
も容易に適応でき、更に浸漬法と比べて洗浄水の使用量
も節約できる効果がある。
ウエハーの洗浄に十分な効果があり、且つ、自動処理に
も容易に適応でき、更に浸漬法と比べて洗浄水の使用量
も節約できる効果がある。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明にかかる洗浄方
法はICの歩留や品質の向上に大きく役立つものである。
法はICの歩留や品質の向上に大きく役立つものである。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明にかかる洗浄原理を示す
図、 第２図はその洗浄状態を説明する図、 第３図は本発明にかかる洗浄方法の一実施例を示す図、 第４図は測定試料の断面図、 第５図（ａ），（ｂ）は従来の洗浄方法を示す図、 第６図は従来の問題点を示す図である。 図において、 1,11はウエハー（半導体基板）、 10,10′はノズル、 20は複数個の一対のノズル、 5,13は絶縁膜、 6,16は電極窓、 17はアルミニウム配線 を示している。
図、 第２図はその洗浄状態を説明する図、 第３図は本発明にかかる洗浄方法の一実施例を示す図、 第４図は測定試料の断面図、 第５図（ａ），（ｂ）は従来の洗浄方法を示す図、 第６図は従来の問題点を示す図である。 図において、 1,11はウエハー（半導体基板）、 10,10′はノズル、 20は複数個の一対のノズル、 5,13は絶縁膜、 6,16は電極窓、 17はアルミニウム配線 を示している。
Claims (1)
- 【請求項１】洗浄液の入った洗浄槽内で一対のノズルを
対向し、この一対のノズルより洗浄水を噴射し衝突させ
て生じた乱流を、ノズル側方に位置した被洗浄基板表面
に当接させて洗浄するようにしたことを特徴とする洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054745A JPH0691063B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054745A JPH0691063B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220526A JPS63220526A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0691063B2 true JPH0691063B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12979311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62054745A Expired - Lifetime JPH0691063B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691063B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3187405B2 (ja) * | 1990-01-07 | 2001-07-11 | 忠弘 大見 | 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH04215878A (ja) * | 1990-03-14 | 1992-08-06 | Seiko Epson Corp | 液中ジェット洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP5846484B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2016-01-20 | シブヤマシナリー株式会社 | 物品洗浄装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340140Y2 (ja) * | 1975-12-11 | 1978-09-28 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62054745A patent/JPH0691063B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63220526A (ja) | 1988-09-13 |
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