JPH0691304B2 - 高熱伝導性回路基板 - Google Patents
高熱伝導性回路基板Info
- Publication number
- JPH0691304B2 JPH0691304B2 JP59204101A JP20410184A JPH0691304B2 JP H0691304 B2 JPH0691304 B2 JP H0691304B2 JP 59204101 A JP59204101 A JP 59204101A JP 20410184 A JP20410184 A JP 20410184A JP H0691304 B2 JPH0691304 B2 JP H0691304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- thermal conductivity
- high thermal
- aln
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、実質的に窒化アルミニウムセラミックからな
る基体（以下、AlN基体という。）を用いた高熱伝導性
回路基板に関する。
る基体（以下、AlN基体という。）を用いた高熱伝導性
回路基板に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 従来から回路基板として用いられている材料として、Al
2O3等のセラミック基板，樹脂基板等の各種の材料があ
る。なかでもAl2O3セラミック基板は、機械的強度，電
気的絶縁性に優れており、また、グリーンシート化が容
易であるため多層配線等の高密度配線が可能であり、広
く用いられている。
2O3等のセラミック基板，樹脂基板等の各種の材料があ
る。なかでもAl2O3セラミック基板は、機械的強度，電
気的絶縁性に優れており、また、グリーンシート化が容
易であるため多層配線等の高密度配線が可能であり、広
く用いられている。
一方、近年の電子機器の小形化等の進展に伴い、回路基
板上の電気素子（IC等）実装密度が高くなってきてい
る。さらに、パワー半導体等の搭載も考慮すると回路基
板上での発熱量が大きくなる傾向があり、放熱を効果的
に行うことが要求される。
板上の電気素子（IC等）実装密度が高くなってきてい
る。さらに、パワー半導体等の搭載も考慮すると回路基
板上での発熱量が大きくなる傾向があり、放熱を効果的
に行うことが要求される。
しかしながらAl2O3セラミック基板の熱伝導率は20W/m・
Ｋ程度と低く、発熱量が多い場合に基板側からの放熱が
余り期待できない。従って、高密度実装，パワー半導体
搭載モジュール等の際の基板側からの放熱を考慮する
と、機械的強度，電気的絶縁性等の回路基板として要求
される特性を備え、かつ、熱伝導性の良好な回路基板の
開発が要求されている。
Ｋ程度と低く、発熱量が多い場合に基板側からの放熱が
余り期待できない。従って、高密度実装，パワー半導体
搭載モジュール等の際の基板側からの放熱を考慮する
と、機械的強度，電気的絶縁性等の回路基板として要求
される特性を備え、かつ、熱伝導性の良好な回路基板の
開発が要求されている。
近年のファインセラミックス技術の進展に伴い、SiC,Al
N等の機械的強度に優れたセラミック材料が開発されて
いる。これらの材料は熱伝導性も優れ、構造材としての
応用が研究されている。また、SiCの良好な熱伝導性を
利用して、これを回路基板として用いようとする動きも
あるが、誘電率が高く、絶縁耐圧が低いため、高周波，
高電圧が印加される素子の搭載を考慮すると問題があ
る。
N等の機械的強度に優れたセラミック材料が開発されて
いる。これらの材料は熱伝導性も優れ、構造材としての
応用が研究されている。また、SiCの良好な熱伝導性を
利用して、これを回路基板として用いようとする動きも
あるが、誘電率が高く、絶縁耐圧が低いため、高周波，
高電圧が印加される素子の搭載を考慮すると問題があ
る。
AlN基体は、電気絶縁性，熱伝導性ともに良好であり、
回路基板への応用が有望視される。しかしながらAlN
は、例えば金属アルミニウム溶融用のルツボとして用い
られているように、金属に対する漏れ性が悪く導体層の
接合は困難とされていた。従ってAlN基体に直接導体路
を形成した回路基板はなく、せいぜいサイリスタ等の電
力用半導体を有機系の接着剤で固定し放熱板として利用
する程度であった。
回路基板への応用が有望視される。しかしながらAlN
は、例えば金属アルミニウム溶融用のルツボとして用い
られているように、金属に対する漏れ性が悪く導体層の
接合は困難とされていた。従ってAlN基体に直接導体路
を形成した回路基板はなく、せいぜいサイリスタ等の電
力用半導体を有機系の接着剤で固定し放熱板として利用
する程度であった。
特開昭52−37914号，特開昭50−132022号等に銅板をセ
ラミックに直接接合する技術が開示されており、この技
術を用いてAlN基体上に導体層を形成することも考えら
れるが、微細パターンの形成には限界があり、厚膜ペー
ストを用いて回路パターンを形成する技術が要求されて
いる。
ラミックに直接接合する技術が開示されており、この技
術を用いてAlN基体上に導体層を形成することも考えら
れるが、微細パターンの形成には限界があり、厚膜ペー
ストを用いて回路パターンを形成する技術が要求されて
いる。
しかしながら前述のごとくAlN基体の金属に対する漏れ
性の悪さから、厚膜ペーストによる回路形成は困難であ
った。
性の悪さから、厚膜ペーストによる回路形成は困難であ
った。
［発明の目的］ 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、AlN基体
上に導体層を形成することにより、電気的絶縁性，機械
的強度および熱伝導性に優れた高熱伝導性回路基板を提
供することを目的とする。
上に導体層を形成することにより、電気的絶縁性，機械
的強度および熱伝導性に優れた高熱伝導性回路基板を提
供することを目的とする。
［発明の概要］ 本発明は、熱伝導性の良好なAlN基体上に導体路を形成
し、AlN基板を回路基板に応用することを基本とするも
のである。
し、AlN基板を回路基板に応用することを基本とするも
のである。
本発明者等がAlN基体と厚膜ペーストとの接合について
研究を進めた結果、厚膜ペースト中にPbまたはSiが存在
するとき、強力な接合が得られることを見出した。そし
てこの様な厚膜ペーストを用いて導体路を形成した時に
は、導体層とAlN基体との間にPb,Siの少なくとも一種お
よびＯとが共存した接合層が形成されていることを発見
した。
研究を進めた結果、厚膜ペースト中にPbまたはSiが存在
するとき、強力な接合が得られることを見出した。そし
てこの様な厚膜ペーストを用いて導体路を形成した時に
は、導体層とAlN基体との間にPb,Siの少なくとも一種お
よびＯとが共存した接合層が形成されていることを発見
した。
すなわち本発明は、窒化アルミニウムセラミック基体上
に、ケミカルボンドを形成する鉛および硅素の少なくと
も一種を含有する厚膜ペーストから形成された導体層を
有することを特徴とする高熱伝導性回路基板である。
に、ケミカルボンドを形成する鉛および硅素の少なくと
も一種を含有する厚膜ペーストから形成された導体層を
有することを特徴とする高熱伝導性回路基板である。
この接合層におけるPb,SiおよびＯの結合状態は、その
層自体が極めて薄いため、どのような化合物を形成し、
どのような機構で強固な接合を生みだすのかは明らかで
はないものの、おそらく（Pb,Si）−Ｏの複雑な化合物
を形成し、これがAlN基体と、厚膜ペーストの主成分で
ある例えばAu,Cu等とを強力に結合しているものと考え
られる。
層自体が極めて薄いため、どのような化合物を形成し、
どのような機構で強固な接合を生みだすのかは明らかで
はないものの、おそらく（Pb,Si）−Ｏの複雑な化合物
を形成し、これがAlN基体と、厚膜ペーストの主成分で
ある例えばAu,Cu等とを強力に結合しているものと考え
られる。
この接合層の厚みは極めて薄いため絶対的な厚みを規定
することは困難であるが通常数μｍ程度,0.5〜20μｍで
充分である。余り厚いとかえって剥離しやすくなってし
まう。
することは困難であるが通常数μｍ程度,0.5〜20μｍで
充分である。余り厚いとかえって剥離しやすくなってし
まう。
また、接合層中におけるPb,SiおよびＯの含有量は、そ
の分析が困難であり特定化できないが、鉛および硅素の
少なくとも一種および酸素が共存すれば良いことが実験
により確認された。
の分析が困難であり特定化できないが、鉛および硅素の
少なくとも一種および酸素が共存すれば良いことが実験
により確認された。
また、この様な接合層を形成するためには、厚膜ペース
ト中に鉛および硅素の少なくとも一種を含有させておけ
ばよい。酸素は、鉛等を酸化物として添加して供給して
もよいし、ペースト中のバインダー等の有機物からの供
給でもよいし、酸化性の雰囲気中で焼成を行なって酸素
を供給してもよい。さらにAlN基体中にあらかじめ酸素
を含有させおいてもよい。この様な方法としては、酸素
を含む原料を用いる方法、Y2O3等の酸化物を含有させる
方法、表面を酸化する方法等がある。
ト中に鉛および硅素の少なくとも一種を含有させておけ
ばよい。酸素は、鉛等を酸化物として添加して供給して
もよいし、ペースト中のバインダー等の有機物からの供
給でもよいし、酸化性の雰囲気中で焼成を行なって酸素
を供給してもよい。さらにAlN基体中にあらかじめ酸素
を含有させおいてもよい。この様な方法としては、酸素
を含む原料を用いる方法、Y2O3等の酸化物を含有させる
方法、表面を酸化する方法等がある。
この様な厚膜ペーストを用いることにより、ペースト焼
成時にPb,Si,O原子が接合境界面に移動，集中し、Pb,Si
およびＯの共存する接合層を形成する。この接合層の形
成に必要な鉛および硅素の厚膜ペースト中の量は少量で
その効果を発揮するが、実質的に、0.005wt％（金属原
子換算）程度以上であれば顕著な効果が現れる。多すぎ
ると、導体層の電気抵抗が増大してしまい、また、接合
強度の増大にもつながらないため、上限は5wt％（金属
原子換算）程度である。また、鉛は焼成時に一部還元さ
れて金属鉛として析出することがある。これは回路基板
としての耐湿性の低下につながる。還元性雰囲気での焼
成の場合はその可能性が強く、鉛の含有量としては4wt
％（金属原子換算）以下であることが好ましい。
成時にPb,Si,O原子が接合境界面に移動，集中し、Pb,Si
およびＯの共存する接合層を形成する。この接合層の形
成に必要な鉛および硅素の厚膜ペースト中の量は少量で
その効果を発揮するが、実質的に、0.005wt％（金属原
子換算）程度以上であれば顕著な効果が現れる。多すぎ
ると、導体層の電気抵抗が増大してしまい、また、接合
強度の増大にもつながらないため、上限は5wt％（金属
原子換算）程度である。また、鉛は焼成時に一部還元さ
れて金属鉛として析出することがある。これは回路基板
としての耐湿性の低下につながる。還元性雰囲気での焼
成の場合はその可能性が強く、鉛の含有量としては4wt
％（金属原子換算）以下であることが好ましい。
厚膜ペーストは一般的に、主成分となる導体粉とスラリ
ー化のための溶剤、バインダーおよび接合に寄与する成
分等を含み、セラミック基体との接合構造としては、接
合が化学的に行なわれるケミカルボンドタイプ，ガラス
の接着によるガラスボンドタイプ，およびこの混合系で
あるミックスボンドタイプがある。本発明に係る厚膜ペ
ーストはケミカルボンドタイプ，もしくは、ケミカルボ
ンドを主体としたものであり、ケミカルボンドに悪影響
を与えない範囲でガラス成分を含んでも良いが、基本的
にガラス成分は含まない。ガラス成分を含有している
と、焼成時に熱膨張係数の違いからクラック等が発生し
易く、接合力が低下するばかりか、電気抵抗も増大して
しまう。例えば硼硅酸鉛ガラス等の鉛、硅素を含むガラ
スフリットを含有するペーストは接合力が小さく、この
傾向は添加物を実質的に含まないホットプレス法による
AlN基体の場合に特に顕著である。
ー化のための溶剤、バインダーおよび接合に寄与する成
分等を含み、セラミック基体との接合構造としては、接
合が化学的に行なわれるケミカルボンドタイプ，ガラス
の接着によるガラスボンドタイプ，およびこの混合系で
あるミックスボンドタイプがある。本発明に係る厚膜ペ
ーストはケミカルボンドタイプ，もしくは、ケミカルボ
ンドを主体としたものであり、ケミカルボンドに悪影響
を与えない範囲でガラス成分を含んでも良いが、基本的
にガラス成分は含まない。ガラス成分を含有している
と、焼成時に熱膨張係数の違いからクラック等が発生し
易く、接合力が低下するばかりか、電気抵抗も増大して
しまう。例えば硼硅酸鉛ガラス等の鉛、硅素を含むガラ
スフリットを含有するペーストは接合力が小さく、この
傾向は添加物を実質的に含まないホットプレス法による
AlN基体の場合に特に顕著である。
AlN基体は、AlN原料にY,希土類元素，アルカリ土類元素
等の添加物を加えて（金属元素換算で0.01〜15wt％程
度）の常圧焼結，ホットプレスする方法、酸素を7wt％
以下程度含有するAlN原料を用いて前記添加物を加えて
の常圧焼結、ホットプレスする方法、また、実質的に添
加物を加えることなくAlN原料単独でのホットプレスす
る方法等で製造する。本発明は添加物の有無にかかわら
ずAlN基体であればどのような方法で製造されたものに
でも適用できる。
等の添加物を加えて（金属元素換算で0.01〜15wt％程
度）の常圧焼結，ホットプレスする方法、酸素を7wt％
以下程度含有するAlN原料を用いて前記添加物を加えて
の常圧焼結、ホットプレスする方法、また、実質的に添
加物を加えることなくAlN原料単独でのホットプレスす
る方法等で製造する。本発明は添加物の有無にかかわら
ずAlN基体であればどのような方法で製造されたものに
でも適用できる。
AlN基体の熱伝導率は、40W/m・Ｋ以上，例えば100W/m・
Ｋとアルミナセラミックの20W/m・Ｋに比べ格段に優れ
ており、機械的強度40〜50kg／mm2（アルミナ25kg／m
m2）電気的絶縁耐力140〜170kV/cm（アルミナ100kV/c
m）と回路基板として要求される特性がアルミナ以上で
ある。この様なAlN基体に、鉛および硅素の少なくとも
一種を含有する厚膜ペーストを用い、導体層とAlN基体
との強固な接合を得ることができるため、AlNセラミッ
クの良好な特性を生かして、高熱伝導性回路基板を得る
ことができるのである。
Ｋとアルミナセラミックの20W/m・Ｋに比べ格段に優れ
ており、機械的強度40〜50kg／mm2（アルミナ25kg／m
m2）電気的絶縁耐力140〜170kV/cm（アルミナ100kV/c
m）と回路基板として要求される特性がアルミナ以上で
ある。この様なAlN基体に、鉛および硅素の少なくとも
一種を含有する厚膜ペーストを用い、導体層とAlN基体
との強固な接合を得ることができるため、AlNセラミッ
クの良好な特性を生かして、高熱伝導性回路基板を得る
ことができるのである。
さらに、800℃〜900℃の比較的低温でその接合を得るこ
とができるという効果も有する。従って、一般的な厚膜
ペースト様の焼成炉での焼成が可能であり、製造が容易
である。
とができるという効果も有する。従って、一般的な厚膜
ペースト様の焼成炉での焼成が可能であり、製造が容易
である。
本発明に用いられる厚膜ペーストとしては、Au,Ag,Pt,C
u,Ni,Ru,RuO2等の金属，金属酸化物等を導電体として用
いる各種導体路用、抵抗用等のペーストを用いることが
できる。また、誘電体ペーストにも応用が可能である。
u,Ni,Ru,RuO2等の金属，金属酸化物等を導電体として用
いる各種導体路用、抵抗用等のペーストを用いることが
できる。また、誘電体ペーストにも応用が可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、AlN基体上に導
体層を強固に接合することができるため、電気的絶縁
性，機械的強度に優れた高熱伝導性回路基板を得ること
ができる。また、厚膜ペーストによる回路パターン形成
ができるため、回路パターンの微細化にも対応できる。
体層を強固に接合することができるため、電気的絶縁
性，機械的強度に優れた高熱伝導性回路基板を得ること
ができる。また、厚膜ペーストによる回路パターン形成
ができるため、回路パターンの微細化にも対応できる。
この回路基板は比較的発熱量の多い、高密度実装用、パ
ワー半導体搭載用として好適である。
ワー半導体搭載用として好適である。
［発明の実施例］ 以下に、本発明の実施例を説明する。
（実施例１） AlN原料粉末を成型の後、窒素ガス雰囲気中（酸素残存
量10ppm以下）1800℃,300kg／mm2,2Hの条件でホットプ
レス焼結を行ないAlN基体を得た。次いで、PbO,SiO2を
含有したAuペースト（Pb原子換算で1.49wt％,Si原子換
算で0.23wt％）を用い、250メッシュのスクリーンでパ
ターン形成を行ない、120℃,10min.,air中で乾燥の後、
850℃,10min.,air中で焼成し、導体路としてのパッド
（２×2mm,6個）を形成した。
量10ppm以下）1800℃,300kg／mm2,2Hの条件でホットプ
レス焼結を行ないAlN基体を得た。次いで、PbO,SiO2を
含有したAuペースト（Pb原子換算で1.49wt％,Si原子換
算で0.23wt％）を用い、250メッシュのスクリーンでパ
ターン形成を行ない、120℃,10min.,air中で乾燥の後、
850℃,10min.,air中で焼成し、導体路としてのパッド
（２×2mm,6個）を形成した。
次いでパッド上にロジン系のフラックスを塗布し、240
℃ハンダ槽（２％Ag/63％Sn/35％Pb）に浸漬し、予備ハ
ンダを施した後、試験用ワイヤをハンダづけし、密着強
度を調べた。なお密着強度はインストロン引張り試験機
を用いて引張り速度0.5cm/minで行なった。
℃ハンダ槽（２％Ag/63％Sn/35％Pb）に浸漬し、予備ハ
ンダを施した後、試験用ワイヤをハンダづけし、密着強
度を調べた。なお密着強度はインストロン引張り試験機
を用いて引張り速度0.5cm/minで行なった。
密着強度は、最大2.3kg／mm2，最小1.5kg／mm2で平均２
kg／mm2と強固に接合していることが確認された。
kg／mm2と強固に接合していることが確認された。
このときの接合状態をXMA（Xray micro anaiyzer）面分
析でしらべ、第１図として示す。第１図（ａ）はAu,第
１図（ｂ）はO,第１図（ｃ）はSi,第１図（ｂ）はPbで
ある。第１図から明らかなように、Pb,SiおよびＯ原子
が接合界面に集中し接合層を形成していることが分る。
なお、ガラス成分は観測されなかった。同じ試料の、XM
A線分析の結果を第２図に示す。酸素等が約５μｍ幅の
接合層中に集中していることが分る。この結果から、ペ
ースト中には均一に存在していたSiO2,PbOが焼成により
接合界面に移動し、強固な接合に寄与していることが分
る。また、この様な移動により導体路表面でのAu純度が
向上することになり、ワイヤの接合力が向上するという
効果をも得ることができる。
析でしらべ、第１図として示す。第１図（ａ）はAu,第
１図（ｂ）はO,第１図（ｃ）はSi,第１図（ｂ）はPbで
ある。第１図から明らかなように、Pb,SiおよびＯ原子
が接合界面に集中し接合層を形成していることが分る。
なお、ガラス成分は観測されなかった。同じ試料の、XM
A線分析の結果を第２図に示す。酸素等が約５μｍ幅の
接合層中に集中していることが分る。この結果から、ペ
ースト中には均一に存在していたSiO2,PbOが焼成により
接合界面に移動し、強固な接合に寄与していることが分
る。また、この様な移動により導体路表面でのAu純度が
向上することになり、ワイヤの接合力が向上するという
効果をも得ることができる。
（実施例２） 酸素含有量3wt％のAlN原料を用い、実施例１と同様に形
成したAlN基体（熱伝導率は、60W/m・Ｋ）に、PbO（Pb
原子換算で1.49wt％）,Si（0.47wt％）を含有したCuペ
ーストで導体路を形成した。焼成を窒素雰囲気中で行な
った以外は実施例１と同様の条件で行なった。密着強度
は、平均1.4kg／mm2と十分な値を得ることができた。
成したAlN基体（熱伝導率は、60W/m・Ｋ）に、PbO（Pb
原子換算で1.49wt％）,Si（0.47wt％）を含有したCuペ
ーストで導体路を形成した。焼成を窒素雰囲気中で行な
った以外は実施例１と同様の条件で行なった。密着強度
は、平均1.4kg／mm2と十分な値を得ることができた。
第３図はXMA面分析であり同図（ａ）がCu,同図（ｂ）が
Pb,同図（ｃ）がＯである。第３図から分るように、こ
の場合もPb,Oの移動，集中が見られた。この場合も、ガ
ラス成分は観測されなかった。第４図はこの試料のXMA
線分析の結果であるが、２〜３μｍの接合層を形成して
いることが分る。
Pb,同図（ｃ）がＯである。第３図から分るように、こ
の場合もPb,Oの移動，集中が見られた。この場合も、ガ
ラス成分は観測されなかった。第４図はこの試料のXMA
線分析の結果であるが、２〜３μｍの接合層を形成して
いることが分る。
（実施例３） AlN原料粉末97wt％に酸化イットリウムを3wt％添加し、
混合成型したのち、窒素ガス雰囲気中、1800℃で常圧焼
結を行なってAlN基体を得た。このAlN基体の熱伝導率
は、120W/m・Ｋと良好な値を示した。
混合成型したのち、窒素ガス雰囲気中、1800℃で常圧焼
結を行なってAlN基体を得た。このAlN基体の熱伝導率
は、120W/m・Ｋと良好な値を示した。
次いでこのAlN基体上にPbO,SiO2（Pb1.49wt％,Si0.23wt
％）含有のAuペーストで導体路を形成した。焼成は実施
例１と同様の条件で行なった。
％）含有のAuペーストで導体路を形成した。焼成は実施
例１と同様の条件で行なった。
密着強度は、１〜２kg／mm2と強固な接合を形成してい
ることが確認された。
ることが確認された。
以上実施例で説明したように、添加物を含むと含まない
とにかかわらずAlN基体上に厚膜ペーストによるパター
ン形成ができ、AlN基体の持つ高熱伝導性，高耐圧性，
機械的強度を十分に利用した回路基板を得ることができ
る。
とにかかわらずAlN基体上に厚膜ペーストによるパター
ン形成ができ、AlN基体の持つ高熱伝導性，高耐圧性，
機械的強度を十分に利用した回路基板を得ることができ
る。
比較のため、実施例１のAlN基体を用い、鉛、硅素を含
まないAuペースト（Bi,Cd含有アルミナ用）を用いて導
体路を形成したところ、市販のセロファンテープで簡単
に剥離してしまった。
まないAuペースト（Bi,Cd含有アルミナ用）を用いて導
体路を形成したところ、市販のセロファンテープで簡単
に剥離してしまった。
【図面の簡単な説明】 第１図および第３図は、XMA面分析Ｘ線写真、第２図お
よび第４図は、XMA線分析Ｘ線写真。
よび第４図は、XMA線分析Ｘ線写真。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 登 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜金属工場内 (56)参考文献 特開 昭50−75208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−102310（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】窒化アルミニウムセラミック基体と、 前記窒化アルミニウムセラミック基体上に形成され厚膜
ペーストから形成された導体層とを有し、 前記基体及び前記導体層の界面に鉛が極在していること
を特徴とする高熱伝導性回路基板。 - 【請求項２】前記基体及び前記導体層の界面に鉛に加え
て珪素が極在していることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の高熱伝導性回路基板。 - 【請求項３】前記基体及び前記導体膜の界面に酸素が存
在することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高
熱伝導性回路基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204101A JPH0691304B2 (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 高熱伝導性回路基板 |
| DE85102159T DE3587481T2 (de) | 1984-02-27 | 1985-02-27 | Schaltungssubstrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit. |
| US06/706,280 US4659611A (en) | 1984-02-27 | 1985-02-27 | Circuit substrate having high thermal conductivity |
| EP85102159A EP0153737B1 (en) | 1984-02-27 | 1985-02-27 | Circuit substrate having high thermal conductivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204101A JPH0691304B2 (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 高熱伝導性回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184089A JPS6184089A (ja) | 1986-04-28 |
| JPH0691304B2 true JPH0691304B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16484811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59204101A Expired - Lifetime JPH0691304B2 (ja) | 1984-02-27 | 1984-10-01 | 高熱伝導性回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691304B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075208A (ja) * | 1973-11-07 | 1975-06-20 | ||
| JPS5811390B2 (ja) * | 1977-02-18 | 1983-03-02 | 株式会社東芝 | 熱伝導性基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP59204101A patent/JPH0691304B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184089A (ja) | 1986-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0153737B1 (en) | Circuit substrate having high thermal conductivity | |
| JPH05347469A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| Kurihara et al. | Ag-Pd thick film conductor for AlN ceramics | |
| JP2003101217A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JPH0568877B2 (ja) | ||
| JPH0570954B2 (ja) | ||
| JPH022836B2 (ja) | ||
| JPH0576795B2 (ja) | ||
| JPH05156303A (ja) | メタライズ用金属粉末組成物，それを用いたメタライズ基板及びメタライズ基板の製造方法 | |
| JP2506270B2 (ja) | 高熱伝導性回路基板及び高熱伝導性外囲器 | |
| US4659406A (en) | Method of bonding to ceramic and glass | |
| JPS6184089A (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPH0328825B2 (ja) | ||
| JP2003068937A (ja) | セラミック配線基板及びその製造方法 | |
| JPS63115393A (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPH0770798B2 (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPS62297286A (ja) | 窒化アルミニウムセラミツクスのメタライズ方法 | |
| JP2892220B2 (ja) | セラミック配線基板の製造方法 | |
| JP2763516B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法 | |
| JPH0725690A (ja) | ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法 | |
| JPS63146483A (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPH0613721A (ja) | 高熱伝導性回路基板の製造方法 | |
| JPH0455153B2 (ja) | ||
| JPH01183876A (ja) | 回路基板 | |
| JPH0250972A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板 |