JPH069157U - アバランシェフォトダイオードの温度補償用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＡＰＤ１とサーミスタ２の温度条件を同じに
する。 【構成】 ＡＰＤ１とＡＰＤ１の温度を検出するサーミ
スタ２を絶縁物で構成されるキャリア３Ａ上に取り付け
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、ＡＰＤの温度検出用サーミスタとＡＰＤとを同じキャリア上に取 り付けるＡＰＤの温度補償用パッケージについてのものである。

【０００２】 ＡＰＤのブレークダウン電圧は、周囲の温度上昇とともに高くなる。このため 、ＡＰＤに一定のバイアス電圧をかけておくと、周囲温度が上がれば電流増倍率 Ｍは下がる。これにより、光信号の受信レベルが不安定になるので、ＡＰＤの温 度変化を効率よく検出し、ＡＰＤに加えるバイアス電圧を制御する必要がある。

【０００３】

【従来の技術】

次に、従来技術によるＡＰＤの温度補償用パッケージの構成を図３により説明 する。図３の１はＡＰＤ、２はサーミスタ、３Ｃはキャリア、４はＡＰＤ１にバ イアスを与えるバイアス電極、６は台である。

【０００４】 次に、ＡＰＤ１を使用する電流増倍率Ｍの温度補正回路を図４により説明する 。図４の１０は電源回路、１１は増幅回路、１２はレベルシフト回路、１３は基 準電圧、１４は抵抗、１５は次段回路である。電源回路１０の電圧をサーミスタ ２と抵抗１４で分圧し、分圧電圧と基準電圧１３を増幅回路１１で差動増幅した 後、レベルシフト回路１２でＡＰＤ１に加えるバイア電圧を制御し、電流増倍率 Ｍの温度補正をする。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

ＡＰＤ１の電流増倍率Ｍの温度補正をする場合に、サーミスタ２がＡＰＤ１の 温度変化を効率よく検出できるように、サーミスタ２をＡＰＤ１の近くに配置す る。しかし、台６は絶縁物なので、熱電導性が金属に比べて低いので、ＡＰＤ１ とサーミスタ２間の熱抵抗が高くなる。このため、ＡＰＤ１とサーミスタ２の温 度条件を同じにすることができなくなり、サーミスタ２でＡＰＤ１の温度を正確 に検出することができない。

【０００６】 この考案は、サーミスタ２をＡＰＤ１と同じキャリア上に取り付けることによ り、ＡＰＤ１とサーミスタ２の温度条件を同じにし、正確な温度補償をすること ができるＡＰＤの温度補償用パッケージの提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

この目的を達成するため、第１の考案では、ＡＰＤ１とＡＰＤ１の温度を検出 するサーミスタ２を絶縁物で構成されるキャリア３Ａ上に取り付ける。第２の考 案では、キャリア３Ｂ上に厚膜または薄膜によりサーミスタ２を形成し、サーミ スタ２の形成膜上にＡＰＤ１を取り付ける。

【０００８】

【作用】

次に、第１の考案によるＡＰＤの温度補償用パッケージの構成を図１により説 明する。図１の３Ａはキャリア、４はＡＰＤ１のバイアス電極、５はサーミスタ ２の電極であり、その他は図３と同じものである。図１では、ＡＰＤ１とＡＰＤ １の温度を検出するサーミスタ２をキャリア３Ａ上に取り付ける。

【０００９】 周囲温度が変化すると、温度変化が台６からキャリア３Ａを通してＡＰＤ１に 伝えられる。サーミスタ２もキャリア３Ａ上に取り付けられているので、同じ経 路で温度変化が伝えられる。したがって、ＡＰＤ１とサーミスタ２の温度条件が 同じになる。温度変化をサーミスタ２で検出し、電極５を介して温度補正回路に 入力し、ＡＰＤ１のバイアス電極に加えるバイアスを制御すれば、ＡＰＤ１の電 流増倍率Ｍをより正確に温度補正をすることができる。

【００１０】 次に、第２の考案によるＡＰＤパッケージの構成を図２により説明する。図２ の３Ｂはキャリア、７はＡＰＤ１のカソード電極、８はサーミスタ２とバイアス 電極２を絶縁する絶縁膜、９はＡＰＤ１のアノード電極であり、その他は図１と 同じものである。図２では、キャリア３Ｂ上に厚膜または薄膜によりサーミスタ ２を形成し、サーミスタ２の形成膜上にＡＰＤ１を取り付ける。

【００１１】 周囲温度が変化すると、温度変化が台６からキャリア３Ｂを通ってサーミスタ ２に伝えられる。ＡＰＤ１はサーミスタ２の形成膜上に取り付けられているので 、同じ経路で温度変化が伝えられ、ＡＰＤ１とサーミスタ２は温度条件が同じに なる。

【００１２】

【考案の効果】

この考案によれば、ＡＰＤとサーミスタを同じキャリア上に取り付けるので、 ＡＰＤとサーミスタ間の熱抵抗を下げることができ、ＡＰＤとサーミスタの温度 条件を同じにすることができる。これにより、正確にＡＰＤの温度変化をサーミ スタで検出することができ、電流増倍率Ｍを精度よく温度補償することができる 。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の考案によるＡＰＤの温度補償用パッケー
ジの構成図である。

【図２】第２の考案によるＡＰＤの温度補償用パッケー
ジの構成図である。

【図３】従来技術によるＡＰＤの温度補償用パッケージ
の構成図である。

【図４】ＡＰＤの電流増倍率Ｍの温度補正回路図であ
る。

【符号の説明】

１ アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ） ２ サーミスタ ３Ａ キャリア ３Ｂ キャリア ４ バイアス電極 ５ 電極 ６ 台 ７ カソード電極 ８ 絶縁膜 ９ アノード電極

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 アバランシェフォトダイオード（以下、
   ＡＰＤという。）(1) とＡＰＤ(1) の温度を検出するサ
   ーミスタ(2) を絶縁物で構成されるキャリア(3A)上に取
   り付けることを特徴とするアバランシェフォトダイオー
   ドの温度補償用パッケージ。
2. 【請求項２】 キャリア(3B)上に厚膜または薄膜により
   サーミスタ(2) を形成し、サーミスタ(2) の形成膜上に
   ＡＰＤ(1) を取り付けることを特徴とするアバランシェ
   フォトダイオードの温度補償用パッケージ。