JPH0691659B2 - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPH0691659B2 JPH0691659B2 JP61164716A JP16471686A JPH0691659B2 JP H0691659 B2 JPH0691659 B2 JP H0691659B2 JP 61164716 A JP61164716 A JP 61164716A JP 16471686 A JP16471686 A JP 16471686A JP H0691659 B2 JPH0691659 B2 JP H0691659B2
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Links
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Landscapes
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はバーチヤルフエーズCCD（VPCCD）形のイメージ
センサに関し、更に詳述すれば、短波長光に対する光感
度が向上できた電子スチルカメラ専用のイメージセンサ
に関する。
センサに関し、更に詳述すれば、短波長光に対する光感
度が向上できた電子スチルカメラ専用のイメージセンサ
に関する。
（従来技術） 従来より、撮像素子の特性において光感度を上げること
は重要なテーマである。この点、フレームトランスフア
CCD（FTCCD）は光電変換するための専用の撮像部を持
ち、その領域全面で受光できるため、他の方式の撮像素
子に比べると、本質的に光の利用効率は高い。しかし、
従来のFTCCDは、撮像部をゲート電極で覆われており、
この電極による光の吸収や反射によつて特に短波長光に
対する光感度が制御されていたため、この最大の特長を
充分に生かしていなかつた。
は重要なテーマである。この点、フレームトランスフア
CCD（FTCCD）は光電変換するための専用の撮像部を持
ち、その領域全面で受光できるため、他の方式の撮像素
子に比べると、本質的に光の利用効率は高い。しかし、
従来のFTCCDは、撮像部をゲート電極で覆われており、
この電極による光の吸収や反射によつて特に短波長光に
対する光感度が制御されていたため、この最大の特長を
充分に生かしていなかつた。
この問題を解決するために、撮像部に電極の覆われてい
ない開口窓を構成することが考慮され、その１つとして
バーチヤルフエイズCCDと呼ばれるものが開発された。
ない開口窓を構成することが考慮され、その１つとして
バーチヤルフエイズCCDと呼ばれるものが開発された。
これは、第３図に図示したとおり、従来の２相転送にお
ける電極の片方を、チヤンネル内の拡散層１で代用し
（これを仮想ゲートと呼ぶ）、この部分を開口窓とした
ものであり、チヤンネル内の電位は、不純物の注入によ
つてたくみにコントロールされ、電荷転送が可能となつ
たものである。
ける電極の片方を、チヤンネル内の拡散層１で代用し
（これを仮想ゲートと呼ぶ）、この部分を開口窓とした
ものであり、チヤンネル内の電位は、不純物の注入によ
つてたくみにコントロールされ、電荷転送が可能となつ
たものである。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このVPCCDにカラーフイルタを配置した
場合、実際の分光スペクトルはまだ長波長光側が高く、
短波長光側すなわち青感度が不足していた。これは、感
光領域がポリシリコン（ゲート電極）の無い部分と有る
部分を半々にして構成されているため、ポリシリコンの
有る部分では依然として光の吸収等を生じていたことに
よる。
場合、実際の分光スペクトルはまだ長波長光側が高く、
短波長光側すなわち青感度が不足していた。これは、感
光領域がポリシリコン（ゲート電極）の無い部分と有る
部分を半々にして構成されているため、ポリシリコンの
有る部分では依然として光の吸収等を生じていたことに
よる。
本発明の目的は、短波長光側の感度が改善されかつ全体
の感度も向上できたスチルカメラ専用のイメージセンサ
を提供することにある。
の感度も向上できたスチルカメラ専用のイメージセンサ
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明によるイメージセンサ
は次のように構成されている。すなわち、マトリクス状
に配置された光電変換素子の信号電荷をバーチヤルフエ
イズCCD構造の転送電極で転送するイメージセンサにお
いて、垂直方向に同一色を並べたストライプ配列のカラ
ーフイルタを画素上に配置しており、少なくとも短波長
光に対応する画素表面はポリシリコン転送電極が取り除
かれた完全開口窓を有しており、かつ短波長光の画素と
中波長光または長波長光の画素との間に転送ゲートが設
けられており、該転送ゲートが設けられた中波長光また
は長波長光の画素の信号電荷が読み出された後に前記短
波長光の画素の信号電荷が前記転送ゲートを介して該中
波長光または該長波長光の画素のラインにフイールドシ
フトされた後読出されることを特徴とするイメージセン
サにより達成される。
は次のように構成されている。すなわち、マトリクス状
に配置された光電変換素子の信号電荷をバーチヤルフエ
イズCCD構造の転送電極で転送するイメージセンサにお
いて、垂直方向に同一色を並べたストライプ配列のカラ
ーフイルタを画素上に配置しており、少なくとも短波長
光に対応する画素表面はポリシリコン転送電極が取り除
かれた完全開口窓を有しており、かつ短波長光の画素と
中波長光または長波長光の画素との間に転送ゲートが設
けられており、該転送ゲートが設けられた中波長光また
は長波長光の画素の信号電荷が読み出された後に前記短
波長光の画素の信号電荷が前記転送ゲートを介して該中
波長光または該長波長光の画素のラインにフイールドシ
フトされた後読出されることを特徴とするイメージセン
サにより達成される。
（作用） 本発明によるイメージセンサは、少なくとも短波長光に
関しては対応する光電変換素子の表面が完全開口されて
ポリシリコン転送電極が取り除かれており、従つてイン
ターライントランスフア（IT）方式で動作し、一方、長
波長光または中波長光に関しては撮像部がバーチヤルフ
エイズCCDにより構成されている。従つて、例えばＲ、
Ｇ、Ｂストライプフイルタを用いることにより、電荷転
送プロセスは、まず長波長光または中波長光である色Ｒ
またはＧの光電変換素子に形成された信号電荷がバーチ
ヤルフエイズ電極により単相駆動され、信号転送周期の
間に信号蓄積部に転送される。この期間中、短波長光で
ある色Ｂの信号電荷は光電変換素子に留まつている。色
ＲまたはＧの信号電荷がすべて信号蓄積部に転送され、
更に水平CCDから読出されると、次に色Ｂの信号電荷が
色ＲまたはＧの光電変換素子にフイールドシフトされ
る。すなわち、このとき、色ＲまたはＧの光電変換素子
は色Ｂの垂直転送ラインとして動作し、色Ｂの信号電荷
を色ＲまたはＧと同様に信号蓄積部へ転送する。その
後、色Ｂの電荷は水平CCDを介して読出される。
関しては対応する光電変換素子の表面が完全開口されて
ポリシリコン転送電極が取り除かれており、従つてイン
ターライントランスフア（IT）方式で動作し、一方、長
波長光または中波長光に関しては撮像部がバーチヤルフ
エイズCCDにより構成されている。従つて、例えばＲ、
Ｇ、Ｂストライプフイルタを用いることにより、電荷転
送プロセスは、まず長波長光または中波長光である色Ｒ
またはＧの光電変換素子に形成された信号電荷がバーチ
ヤルフエイズ電極により単相駆動され、信号転送周期の
間に信号蓄積部に転送される。この期間中、短波長光で
ある色Ｂの信号電荷は光電変換素子に留まつている。色
ＲまたはＧの信号電荷がすべて信号蓄積部に転送され、
更に水平CCDから読出されると、次に色Ｂの信号電荷が
色ＲまたはＧの光電変換素子にフイールドシフトされ
る。すなわち、このとき、色ＲまたはＧの光電変換素子
は色Ｂの垂直転送ラインとして動作し、色Ｂの信号電荷
を色ＲまたはＧと同様に信号蓄積部へ転送する。その
後、色Ｂの電荷は水平CCDを介して読出される。
なお、上記の色Ｂの垂直転送の間、撮像部に入射する光
は、何らかの遮光手段、例えば機械式シヤツタによつて
遮断しておかねばならないことは言うまでもない。
は、何らかの遮光手段、例えば機械式シヤツタによつて
遮断しておかねばならないことは言うまでもない。
以上のように本発明によるイメージセンサでは、少なく
とも短波長光の色に関してはポリシリコン転送電極が完
全開口された窓を有し、また、長波長光または中波長光
に対してはバーチヤルフエイズ電極により部分的開口窓
を有して全体の感度向上が得られると共に、短波長光の
一層の感度向上が得られる。
とも短波長光の色に関してはポリシリコン転送電極が完
全開口された窓を有し、また、長波長光または中波長光
に対してはバーチヤルフエイズ電極により部分的開口窓
を有して全体の感度向上が得られると共に、短波長光の
一層の感度向上が得られる。
（実施例） 本発明の実施例を以下図面により説明する。
第１図の１実施例は、本発明によるイメージセンサの撮
像部を示す構成図である。撮像部10は、マトリクス状に
配列された光電変換素換素子を有し、撮像部上にはマイ
クロカラーフイルタが配置されている。マイクロカラー
フイルタは、それぞれの光電変換素子に対応して３つの
色R,G,Bを有する。本発明による構成のマイクロカラー
フイルタは、垂直方向に同一の色を並べたストライプ配
列から成つている。図中記号R,G,Bによりこの配列が概
略的に示されている。色ＲとＧの下に配置された光電変
換素子はそれ自体電荷転送素子の役割も有しており、そ
の転送はバーチヤルフエーズCCDにより単相駆動され
る。すなわち、このバーチヤルフエーズCCD構造は、従
来素子を説明する第３図において図示したように、２相
駆動における２つの電極の片方を、チヤンネル内の拡散
層で代用し（仮想電極）、この部分を開口窓２としたも
のである。更に仮想電極としただけでは十分転送機能を
有しないので、イオン注入により基板濃度をかえて、信
号電荷が仮想電極の下へ、さらに、次の電極へ移動し易
くしている。一方、色Ｂに対応する画素の光電変換素子
はそれ自体電荷転送機能を有しない。従つて素子表面は
ポリシリコン転送電極３が取り除かれた完全開口窓４を
設けている。色Ｂに基づいて発生した信号電荷は隣接の
色Ｒの転送ラインを用いて垂直転送される。従つて、色
Ｂ用の光電変換素子と色Ｒ用の光電変換素子との間には
転送ゲート５が設けられて、色Ｂの信号電荷のフイール
ドシフトを制御している。以上の記載から明らかなとお
り、本実施例において、色Ｒ用の光電変換素子は、色Ｒ
の光電変換および電荷転送と、色Ｂの電荷転送の３つの
機能を果たす。
像部を示す構成図である。撮像部10は、マトリクス状に
配列された光電変換素換素子を有し、撮像部上にはマイ
クロカラーフイルタが配置されている。マイクロカラー
フイルタは、それぞれの光電変換素子に対応して３つの
色R,G,Bを有する。本発明による構成のマイクロカラー
フイルタは、垂直方向に同一の色を並べたストライプ配
列から成つている。図中記号R,G,Bによりこの配列が概
略的に示されている。色ＲとＧの下に配置された光電変
換素子はそれ自体電荷転送素子の役割も有しており、そ
の転送はバーチヤルフエーズCCDにより単相駆動され
る。すなわち、このバーチヤルフエーズCCD構造は、従
来素子を説明する第３図において図示したように、２相
駆動における２つの電極の片方を、チヤンネル内の拡散
層で代用し（仮想電極）、この部分を開口窓２としたも
のである。更に仮想電極としただけでは十分転送機能を
有しないので、イオン注入により基板濃度をかえて、信
号電荷が仮想電極の下へ、さらに、次の電極へ移動し易
くしている。一方、色Ｂに対応する画素の光電変換素子
はそれ自体電荷転送機能を有しない。従つて素子表面は
ポリシリコン転送電極３が取り除かれた完全開口窓４を
設けている。色Ｂに基づいて発生した信号電荷は隣接の
色Ｒの転送ラインを用いて垂直転送される。従つて、色
Ｂ用の光電変換素子と色Ｒ用の光電変換素子との間には
転送ゲート５が設けられて、色Ｂの信号電荷のフイール
ドシフトを制御している。以上の記載から明らかなとお
り、本実施例において、色Ｒ用の光電変換素子は、色Ｒ
の光電変換および電荷転送と、色Ｂの電荷転送の３つの
機能を果たす。
なお、図において、斜線で示す部分はシリコン基板に形
成されたチヤンネルストツパであり、チヤンネルストツ
パで囲まれた部分に光電変換素子および電荷転送素子す
なわちバーチヤルフエイズ電極構造の自己走査形CCDシ
フトレジスタが形成されている。
成されたチヤンネルストツパであり、チヤンネルストツ
パで囲まれた部分に光電変換素子および電荷転送素子す
なわちバーチヤルフエイズ電極構造の自己走査形CCDシ
フトレジスタが形成されている。
色ＲおよびＧの光電変換素子で発生された信号電荷は、
それぞれ光電変換素子自身を介して図示しない信号蓄積
部に近い出力端部より順次この蓄積部に送られる（図
中、の矢印で示す）。色ＲおよびＧのすべての電荷の
転送が完了すると、次にこれら信号電荷は図示しない水
平CCDより順次読出される。この一連の色Ｒ用およびＧ
用に関する転送・読出しプロセスが終了すると、次に、
色Ｂの光電変換素子で発生された信号電荷は、転送ゲー
ト５が開いて、空状態の色Ｒ用の光電変換素子にフイー
ルドシフトされる（図中、の矢印で示す）。色Ｒ用の
光電変換素子にフイールドシフトされた色Ｂの信号電荷
は、以下、先の色Ｒまたは色Ｇの電荷と同様に垂直転送
され（図中、の矢印で示す）、更に水平CCDを介して
読出される。
それぞれ光電変換素子自身を介して図示しない信号蓄積
部に近い出力端部より順次この蓄積部に送られる（図
中、の矢印で示す）。色ＲおよびＧのすべての電荷の
転送が完了すると、次にこれら信号電荷は図示しない水
平CCDより順次読出される。この一連の色Ｒ用およびＧ
用に関する転送・読出しプロセスが終了すると、次に、
色Ｂの光電変換素子で発生された信号電荷は、転送ゲー
ト５が開いて、空状態の色Ｒ用の光電変換素子にフイー
ルドシフトされる（図中、の矢印で示す）。色Ｒ用の
光電変換素子にフイールドシフトされた色Ｂの信号電荷
は、以下、先の色Ｒまたは色Ｇの電荷と同様に垂直転送
され（図中、の矢印で示す）、更に水平CCDを介して
読出される。
なお、上記実施例では電荷蓄積部を設けられて電荷転送
が行われるように記述したが、本発明は蓄積部を省略し
て撮像部と水平CCDだけにした所謂フルフレーム・モー
ドで動作するVPCCD構造であつてもよい。
が行われるように記述したが、本発明は蓄積部を省略し
て撮像部と水平CCDだけにした所謂フルフレーム・モー
ドで動作するVPCCD構造であつてもよい。
第２図は、本発明の他の実施例を図示している。本実施
例は、先の第１図に示した実施例素子の色Ｇの光電変換
素子が、色Ｂと同様にポリシリコン転送電極６を取り除
いて完全開口窓７を有している。従つて電荷の転送は色
Ｒの転送ラインを用いて行う。そのため色Ｂの転送と同
様、色Ｇ用の光電変換素子と色Ｒ用の光電変換素子との
間には転送ゲート８が設けられている。そして、信号の
転送は、色Ｒに関して行つた後、色ＢまたはＧについて
順次に行う。従つて、この際、色Ｂと色Ｒ間の転送ゲー
ト９と、色Ｇと色Ｒ間の転送ゲート８とが同時に動作し
ては困るので、それぞれのスレシホールド電圧は異つて
いる。
例は、先の第１図に示した実施例素子の色Ｇの光電変換
素子が、色Ｂと同様にポリシリコン転送電極６を取り除
いて完全開口窓７を有している。従つて電荷の転送は色
Ｒの転送ラインを用いて行う。そのため色Ｂの転送と同
様、色Ｇ用の光電変換素子と色Ｒ用の光電変換素子との
間には転送ゲート８が設けられている。そして、信号の
転送は、色Ｒに関して行つた後、色ＢまたはＧについて
順次に行う。従つて、この際、色Ｂと色Ｒ間の転送ゲー
ト９と、色Ｇと色Ｒ間の転送ゲート８とが同時に動作し
ては困るので、それぞれのスレシホールド電圧は異つて
いる。
（発明の効果） 以上記載したとおり、本発明のイメージセンサによれ
ば、撮像部をVPCCD構造とすることにより仮想電極上に
部分的開口部を有して長波長光側の感度向上がはかれる
と共に、特に短波長光側は転送電極が排除された完全開
口部を形成することにより、単にVPCCD構造の素子より
高感度の素子が得られる。また、VPCCDにより実質的に
転送電極が１層だけであるため、構造が簡素化できる。
ば、撮像部をVPCCD構造とすることにより仮想電極上に
部分的開口部を有して長波長光側の感度向上がはかれる
と共に、特に短波長光側は転送電極が排除された完全開
口部を形成することにより、単にVPCCD構造の素子より
高感度の素子が得られる。また、VPCCDにより実質的に
転送電極が１層だけであるため、構造が簡素化できる。
第１図は、本発明の１実施例を説明する構成図、第２図
は、本発明の他の実施例を説明する構成図、第３図は従
来のバーチヤルフエイズCCDを説明する図である。 ２……開口窓、3,6……ポリシリコン転送電極、4,7……
完全開口窓、5,8,9……転送ゲート
は、本発明の他の実施例を説明する構成図、第３図は従
来のバーチヤルフエイズCCDを説明する図である。 ２……開口窓、3,6……ポリシリコン転送電極、4,7……
完全開口窓、5,8,9……転送ゲート
Claims (1)
- 【請求項１】マトリクス状に配置された光電変換素子の
信号電荷をバーチャルフエイズCCD構造の転送電極で転
送するイメージセンサにおいて、垂直方向に同一色を並
べたストライプ配列のカラーフィルタを画素上に配置し
ており、少なくとも短波長光に対応する画素表面はポリ
シリコン転送電極が取り除かれた完全開口窓を有してお
り、かつ短波長光の画素と中波長光または長波長光の画
素との間に転送ゲートが設けられており、該転送ゲート
が設けられた中波長光または長波長光の画素の信号電荷
が読み出された後に前記短波長光の画素の信号電荷が前
記転送ゲートを介して該中波長光または該長波長光の画
素のラインにフィールドシフトされた後読み出されるこ
とを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164716A JPH0691659B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | イメ−ジセンサ |
| US07/035,402 US4829368A (en) | 1986-04-07 | 1987-04-07 | Solid color pickup apparatus |
| DE3750347T DE3750347T2 (de) | 1986-04-07 | 1987-04-07 | Festkörper-Farbbildaufnahmegerät. |
| EP87105138A EP0244655B1 (en) | 1986-04-07 | 1987-04-07 | Solid state color pickup apparatus |
| US07/207,989 US4924316A (en) | 1986-04-07 | 1988-06-17 | Solid color pickup apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164716A JPH0691659B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320986A JPS6320986A (ja) | 1988-01-28 |
| JPH0691659B2 true JPH0691659B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15798529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61164716A Expired - Lifetime JPH0691659B2 (ja) | 1986-04-07 | 1986-07-15 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691659B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153193A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2016143732A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 三菱電機株式会社 | 電荷結合素子、電荷結合素子の製造方法、および固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP61164716A patent/JPH0691659B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320986A (ja) | 1988-01-28 |
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