JPH0692960A - ベンジルフタラジノン誘導体の製法 - Google Patents
ベンジルフタラジノン誘導体の製法Info
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Abstract
体またはその塩を高収率で得る改良製法を提供する。 【構成】 一般式(1)で表わされる化合物またはその
塩を、N−アルキル−4−ホモピペリジノール[式
(2)]またはその塩と、脱水縮合剤の存在下で反応さ
せて一般式(3)で表わされるベンジルフタラジノン誘
導体およびその塩を製造する。 〔式中、R1は低級アルキル基を、Xはハロゲン原子を
示す〕
Description
ジルフタラジノン誘導体またはその塩を高収率で得る改
良製法に関するものである。
R1 は低級アルキル基を示す)
(いわゆる、ベンジルフタラゾン誘導体)およびその塩
の製法に関するものである。
て、一般式(3)で表わされる化合物が抗ヒスタミン剤
として有用であること、および同化合物のサイクルアン
モニウム転位を利用した製造方法(実施例10)が開示
されている。この製造方法によると、粗製最終生成物が
90%以上の収率で得られるとされているけれども、そ
の中には多量の副反応物が含まれており、目的物を結晶
化により単離すると収率は30%以下である。
は収率が極めて低いため、より高収率な製造方法の確立
が望まれる。
結果、高収率な製造方法を確立した。
される化合物またはその塩を、一般式(2)
表わされる化合物またはその塩と、脱水縮合剤の存在下
に反応させることを特徴とする一般式(3)
じ)で表わされるベンジルフタラジノン誘導体およびそ
の塩の製造方法である。
は、塩素原子、臭素原子、沃素原子などがあげられ、ま
たR1 の低級アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基などがあげられる。
塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩、臭化水素酸塩、沃化水
素酸塩などの無機酸塩、酢酸塩、マレイン酸塩、フマー
ル酸塩、乳酸塩、酒石酸塩などの有機カルボン酸塩、メ
タンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンス
ルホン酸塩などの有機スルホン酸塩等の酸付加塩があげ
られる。
一般式(3)の化合物の塩と同様の塩があげられる。ま
た一般式(2)の化合物の塩としては、上記一般式
(3)の化合物における酸付加塩のほかに、ナトリウム
塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩があげられる。
表わされるアゾジカルボン酸エステルと、一般式(5)
キル基を示す)で表わされるホスフィン誘導体、低級ア
ルキルアミンおよびN−低級アルキル置換ピペラジンよ
りなる群から選ばれる化合物とを組合わせて用いること
ができる。
基、エチル基、イソプロピル基などがあげられる。R3
のアリール基としてはフェニル基などが、またR3 の低
級アルキル基としてはn−ブチル基などがあげられる。
また、低級アルキルアミンとしてはジメチルアミン、ジ
エチルアミンなどがあげられ、N−低級アルキル置換ピ
ペラジンとしてはN−メチルピペラジン、N−エチルピ
ペラジンなどがあげられる。最も好ましい脱水縮合剤と
しては、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニ
ルホスフィンとを組合わせたもの、あるいはジイソプロ
ピルアゾジカルボキシレートとトリフェニルホスフィン
とを組合わせたものがあげられる。
囲に亘って変更することができる。
は、厳密に臨界的なものではない。一般式(1)で表わ
される化合物対一般式(2)によって表わされる化合物
のモル比は、例えば、約1:1またはそれ以下ないし約
0.5:1またはそれ以上に亘ることができる。好まし
くは、約1:1ないし約0.8:1の範囲を、本発明の
範囲を逸脱することなく使用することができる。
は、厳密に臨界的なものではなく、約−80℃〜約10
0℃で行うことができる。副生成物の生成を抑制するた
めに、−20℃またはそれ以下の温度で反応を行うこと
が望ましい。
が出来る。尤も、反応を効果的に遂行するためにその他
の反応条件、使用成分、反応速度などに応じて、一層高
い圧力または一層低い圧力を使用することも出来る。
とができる。
であればよく、反応原料が完全に溶解しないものであっ
てもよい。例えば、ベンゾール、メシチレン、トルオー
ル、キシロールなどの芳香族炭化水素;ピリジンなどの
複素環式化合物;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテ
ル類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類;ジ
メチルアセトアミド、ヘキサメチル燐酸トリアミド、テ
トラメチル尿素などのアミド類;N−メチルピロリドン
等の溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、単独でもある
いはこれらの混合物の状態のいづれでも使用することが
できる。
は、厳密に臨界的なものではなく、例えば、原料物質の
全重量を基準にして、約5重量%またはそれ以下ないし
約30重量%またはそれ以上に亘ることができる。
物は、結晶化法によって単離することができる。例え
ば、粗製反応生成物を、大気圧または減圧の下で濃縮
し、次いでこれにメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、アミルアルコール、ブタノール、t−ブタノー
ルなどの低級アルコールあるいはアセトンを加えて溶解
させる。こうして得られた溶液に、強い無機酸または有
機酸を添加して、目的生成物を結晶として析出させる。
これらの結晶化用の酸は特に限定されるものではない
が、例えば塩酸、臭化水素酸、沃化水素酸などのハロゲ
ン化水素酸が特に望ましい。
く説明する。ただし、本発明はこれらの実施例のみに限
定されるものではない。
ヒドロアゼピニル−(4)〕−1−(2H)−フタラジ
ノン塩酸塩
トラヒドロフラン1リットルに溶解後、−30℃に冷却
し、これにジエチルアゾジカルボキシレート156.8
gを滴下した。さらに4−(p−クロロベンジル)−1
−(2H)−フタラジノン81.2gを加えた後、N−
メチル−4−ホモピペリジノール38.9gをテトラヒ
ドロフラン100mlに溶解した溶液を滴下した。これ
を−30℃に保ち16時間、ついで20℃で5時間攪拌
した後、反応液を減圧下50℃で濃縮した。残渣をイソ
プロピルアルコール1リットルに溶解後、濃塩酸を加え
た。析出した結晶を吸引濾過し、イソプロピルアルコー
ルで洗浄した。これを乾燥して目的物を白色の粉末性結
晶として106.7g(収率85%)得た。
(M+ )
ル):3050、2930、1655、1590、14
90、690
2.1〜2.4(b,6H)、2.9(s,3H)、
3.3〜3.6(b,4H)、4.6(s,2H)、
5.4(m,1H)、7.5(m,4H)、8.1
(m,3H)、8.5(m,1H)
ヒドロアゼピニル−(4)〕−1−(2H)−フタラジ
ノン塩酸塩
ラヒドロフラン200mlに溶解後、−30℃に冷却
し、これにジエチルアゾジカルボキシレート15.7g
を滴下した。同温度でさらに4−(p−クロロベンジ
ル)−1−(2H)−フタラジノン8.1gを加えた
後、N−メチル−4−ホモピペリジノール3.9gをテ
トラヒドロフラン10mlに溶解した溶液を滴下した。
これを−30℃で16時間、ついで20℃で5時間攪拌
した後、濃塩酸4.8gを加えた。続いてアセトン40
0mlを加えて濾過、乾燥して目的物を白色の粉末性結
晶として10.7g(収率85%)を得た。
ヒドロアゼピニル−(4)〕−1−(2H)−フタラジ
ノン塩酸塩
トラヒドロフラン500mlに溶解後、−30℃に冷却
し、これにジイソプロピルアゾジカルボキシレート9
1.0gを滴下した。同温度でさらに4−(p−クロロ
ベンジル)−1−(2H)−フタラジノン40.5gを
加えた後、N−メチル−4−ホモピペリジノール19.
5gをテトラヒドロフラン50mlに溶解した溶液を滴
下した。−30℃で16時間、ついで20℃で5時間攪
拌した後、濃塩酸24gを加えた。続いてアセトン2リ
ットルを加えて濾過、乾燥して白色の粉末性結晶として
目的物53.5g(収率85%)を得た。
ヒドロアゼピニル−(4)〕−1−(2H)−フタラジ
ノン塩酸塩
ラヒドロフラン200mlに溶解後、−30℃に冷却
し、これにジエチルアゾジカルボキシレート15.7g
を滴下した。同温度でさらに4−(p−クロロベンジ
ル)−1−(2H)−フタラジノン8.1gを加えた
後、N−メチル−4−ホモピペリジノール3.9gをテ
トラヒドロフラン10mlに溶解した溶液を滴下した。
これを順次−30℃で5時間、0℃で5時間、20℃で
5時間攪拌した後、濃塩酸4.8gを加えた。続いてア
セトン400mlを加えて濾過、乾燥して白色の粉末性
結晶として目的物を10.7g(収率85%)得た。
(5)
す)で表わされるホスフィン誘導体とを用いる請求項1
のベンジルフタラジノン誘導体およびその塩の製法。
例えば、アゾカルボン酸エステルとホスフィン誘導体と
の組み合わせを用いることができる。具体的には、一般
式(4)
キル基を示す)で表わされるホスフィン誘導体とを用い
ることができる。
基、エチル基、イソプロピル基などがあげられる。R3
のアリール基としてはフェニル基などが、またR3の低
級アルキル基としてはn−ブチル基などがあげられる。
最も好ましい脱水縮合剤としては、ジエチルアゾジカル
ボキシレートとトリフェニルホスフィンとを組合わせた
もの、あるいはジイソプロピルアゾジカルボキシレート
とトリフェニルホスフィンとを組合わせたものがあげら
れる。
であればよく、反応原料が完全に溶解しないものであっ
てもよい。例えば、ベンゾール、メシチレン、トルオー
ル、キシロールなどの芳香族炭化水素;ピリジンなどの
複素環式化合物;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテ
ル類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類;ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメ
チル燐酸トリアミド、N−メチルピロリドンなどのアミ
ド類;テトラメチル尿素などが挙げられる。これらの溶
媒は、単独でもあるいはこれらの混合物の状態のいづれ
でも使用することができる。
物は、結晶化法によって単離することができる。例え
ば、粗製反応生成物を、大気圧または減圧の下で濃縮
し、次いでこれにメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、アミルアルコール、ブタノール、t−ブタノー
ルなどの低級アルコールあるいはアセトンを加えて溶解
させる。こうして得られた溶液に、無機酸または有機酸
を添加して、目的生成物を結晶として析出させる。これ
らの結晶化用の酸は特に限定されるものではないが、例
えば塩酸、臭化水素酸、沃化水素酸などのハロゲン化水
素酸が特に望ましい。
Claims (6)
- 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされる化合物
またはその塩を、一般式(2) 【化2】 (式中、R1 は低級アルキル基を示す)で表わされる化
合物またはその塩と、脱水縮合剤の存在下で反応させる
ことを特徴とする、一般式(3) 【化3】 (式中、XおよびR1 は前記の定義と同じ)で表わされ
るベンジルフタラジノン誘導体およびその塩の製法。 - 【請求項2】 Xが塩素原子であり、R1 がメチル基で
ある請求項1のベンジルフタラジノン誘導体およびその
塩の製法。 - 【請求項3】 脱水縮合剤として、一般式(4) 【化4】 (式中、R2 は低級アルキル基を示す)で表わされるア
ゾジカルボン酸エステルと、一般式(5) 【化5】 (式中、R3 はアリール基または低級アルキル基を示
す)で表わされるホスフィン誘導体、低級アルキルアミ
ンおよびN−低級アルキル置換ピペラジンより成る群か
ら選ばれる化合物とを組合わせたものを用いる請求項1
のベンジルフタラジノン誘導体およびその塩の製法。 - 【請求項4】 脱水縮合剤として、ジエチルアゾジカル
ボキシレートと、トリフェニルホスフィンとを組合わせ
たもの、あるいはジイソプロピルアゾジカルボキシレー
トとトリフェニルホスフィンとを組合わせたものを用い
る請求項3のベンジルフタラジノン誘導体およびその塩
の製法。 - 【請求項5】 塩が塩酸塩である、請求項1のベンジル
フタラジノン誘導体およびその塩の製法。 - 【請求項6】 一般式(1)で表わされる化合物を、一
般式(2)で表わされる化合物と、−80℃ないし10
0℃に亘る温度で反応させる請求項1記載のベンジルフ
タラジノン誘導体およびその塩の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33284491A JPH0739413B2 (ja) | 1990-11-28 | 1991-11-22 | ベンジルフタラジノン誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322399A JPH04198180A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ベンジルフタラゾン誘導体の製造方法 |
| JP2-322399 | 1990-11-28 | ||
| JP33284491A JPH0739413B2 (ja) | 1990-11-28 | 1991-11-22 | ベンジルフタラジノン誘導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692960A true JPH0692960A (ja) | 1994-04-05 |
| JPH0739413B2 JPH0739413B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=26570800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33284491A Expired - Lifetime JPH0739413B2 (ja) | 1990-11-28 | 1991-11-22 | ベンジルフタラジノン誘導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0739413B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33284491A patent/JPH0739413B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0739413B2 (ja) | 1995-05-01 |
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