JPH0692960B2 - 電気メツキ液のｐＨ測定方法 - Google Patents
電気メツキ液のｐＨ測定方法Info
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- JPH0692960B2 JPH0692960B2 JP59154929A JP15492984A JPH0692960B2 JP H0692960 B2 JPH0692960 B2 JP H0692960B2 JP 59154929 A JP59154929 A JP 59154929A JP 15492984 A JP15492984 A JP 15492984A JP H0692960 B2 JPH0692960 B2 JP H0692960B2
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- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気メッキ液のpH測定方法に関する。
電気メッキ液のpHは、電流効率、メッキ被膜の性質、メ
ッキ液の変質などに影響を及ぼすので、適正な範囲に管
理する必要がある。そのため、高精度なpH測定が望まれ
るのであるが、電極に特性変化があるため、その校正を
頻繁に行わない限り、精度を保つのは難しいといえる。
そこで、電極の自動洗浄、および、自動校正を行なえる
ことが測定精度を保つために必要となる。
ッキ液の変質などに影響を及ぼすので、適正な範囲に管
理する必要がある。そのため、高精度なpH測定が望まれ
るのであるが、電極に特性変化があるため、その校正を
頻繁に行わない限り、精度を保つのは難しいといえる。
そこで、電極の自動洗浄、および、自動校正を行なえる
ことが測定精度を保つために必要となる。
ところで、従来のpH測定は、電極をメッキ槽に直接挿入
して行う方法であるため、校正などの自動化が困難で、
測定精度もあまり高く望めないものであった。
して行う方法であるため、校正などの自動化が困難で、
測定精度もあまり高く望めないものであった。
一方、従来、メッキ槽内の試料、つまり、メッキ液をサ
ンプリングするpH測定室をメッキ槽とは別個に設けて、
自動洗浄、自動校正を行いやすくしたものもあったが、
この方法ではサンプリング過程での試料の温度変化に考
慮を払っていないため、測定誤差が無視できず、メッキ
槽内のメッキ液のpH値を精度よく測定することが困難で
あった。
ンプリングするpH測定室をメッキ槽とは別個に設けて、
自動洗浄、自動校正を行いやすくしたものもあったが、
この方法ではサンプリング過程での試料の温度変化に考
慮を払っていないため、測定誤差が無視できず、メッキ
槽内のメッキ液のpH値を精度よく測定することが困難で
あった。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的は、自動洗浄、自動校正が行いやすいとともに、メ
ッキ槽内のメッキ液のpHを高精度に測定することができ
る電気メッキ液のpH測定方法を提供することにある。
目的は、自動洗浄、自動校正が行いやすいとともに、メ
ッキ槽内のメッキ液のpHを高精度に測定することができ
る電気メッキ液のpH測定方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の電気メッキ液のpH測
定方法においては、メッキ槽内の試料をサンプリングす
る電極チャンバをメッキ槽とは別個に設け、この電極チ
ャンバ内に周期的に洗浄液、第１校正液、第２校正液を
導入し、自動洗浄、自動校正を行うようにすると共に、
電極チャンバにpH測定用電極と温度検出器とを設け、pH
測定用電極によるpH検出値、温度検出器による温度検出
値およびメッキ槽内の試料の温度検出値の３者を、次の
各ステップに従って処理することにより、メッキ槽内の
試料のpH値を演算により求めるようにしている。
定方法においては、メッキ槽内の試料をサンプリングす
る電極チャンバをメッキ槽とは別個に設け、この電極チ
ャンバ内に周期的に洗浄液、第１校正液、第２校正液を
導入し、自動洗浄、自動校正を行うようにすると共に、
電極チャンバにpH測定用電極と温度検出器とを設け、pH
測定用電極によるpH検出値、温度検出器による温度検出
値およびメッキ槽内の試料の温度検出値の３者を、次の
各ステップに従って処理することにより、メッキ槽内の
試料のpH値を演算により求めるようにしている。
第１ステップ； pH＝a/T＋ｂ＋cT＋dT2 ……（１） なる式、および、校正液の温度検出値Ｔ、校正液に固有
の定数a,b,c,dを用いて、第１校正液のpH値pHA、第２校
正液のpH値pHBを求める。
の定数a,b,c,dを用いて、第１校正液のpH値pHA、第２校
正液のpH値pHBを求める。
第２ステップ； なる２式、および、前記（１）式によって得られた第１
校正液のpH値pHA、前記（１）式によって得られた第２
校正液のpH値pHB、第１校正液の温度検出値TA、第２校
正液の温度検出値TB、ガラス電極の温度補正係数αを用
いて、電極感度Ａと不斉電位Ｂを求める。
校正液のpH値pHA、前記（１）式によって得られた第２
校正液のpH値pHB、第１校正液の温度検出値TA、第２校
正液の温度検出値TB、ガラス電極の温度補正係数αを用
いて、電極感度Ａと不斉電位Ｂを求める。
第３ステップ なる式、および、電極チャンバ内試料の電極電位EX、電
極チャンバ内試料の温度TX、ガラス電極の温度補正係数
α、電極感度Ａ、不斉電位Ｂを用いて、電極チャンバ内
のpHXを求める。
極チャンバ内試料の温度TX、ガラス電極の温度補正係数
α、電極感度Ａ、不斉電位Ｂを用いて、電極チャンバ内
のpHXを求める。
第４ステップ； pH1＝pHX−ｋ（T1−TX） ……（５） なる式、および、メッキ槽内の温度T1、電極チャンバ内
試料の温度TX、メッキ液の温度補正係数ｋ、電極チャン
バ内のpH値pHXを用いて、メッキ槽内の試料のpH値pH1を
求める。
試料の温度TX、メッキ液の温度補正係数ｋ、電極チャン
バ内のpH値pHXを用いて、メッキ槽内の試料のpH値pH1を
求める。
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は、本発明の電気メッキ液のpH測定方法を実施す
る装置の一例を示し、この図において、１はメッキ槽、
２はメッキ槽１とは別個に設けられる電極チャンバであ
る。メッキ槽１内の試料としてのメッキ液は、メッキ液
導入弁３が開状態のとき、サンプリングポンプ４によっ
て電極チャンバ２内に導入され、測定に供される。測定
を終えたメッキ液は、戻り管５を介してメッキ槽１に戻
される。
る装置の一例を示し、この図において、１はメッキ槽、
２はメッキ槽１とは別個に設けられる電極チャンバであ
る。メッキ槽１内の試料としてのメッキ液は、メッキ液
導入弁３が開状態のとき、サンプリングポンプ４によっ
て電極チャンバ２内に導入され、測定に供される。測定
を終えたメッキ液は、戻り管５を介してメッキ槽１に戻
される。
６は洗浄液タンク、７は第１校正液タンク、８は第２校
正液タンクで、各タンク内の液は、各タンクの配管中に
設けられた導入弁9,10,11を開き、導入ポンプ12を動作
させることにより電極チャンバ２内に導入される。13は
圧力空気導入弁で、前記各液を電極チャンバ２内に導入
する際、この弁13を一定時間開いて圧力空気によってバ
ブリングを行うようにしている。14は排出弁、15は電極
チャンバ２内に設けられたpH測定用電極、16は温度検出
器である。なお、pH測定用電極15が温度検出器を内装し
ている場合にはそれを用いればよく、別途、温度温度検
出器を設ける必要はない。
正液タンクで、各タンク内の液は、各タンクの配管中に
設けられた導入弁9,10,11を開き、導入ポンプ12を動作
させることにより電極チャンバ２内に導入される。13は
圧力空気導入弁で、前記各液を電極チャンバ２内に導入
する際、この弁13を一定時間開いて圧力空気によってバ
ブリングを行うようにしている。14は排出弁、15は電極
チャンバ２内に設けられたpH測定用電極、16は温度検出
器である。なお、pH測定用電極15が温度検出器を内装し
ている場合にはそれを用いればよく、別途、温度温度検
出器を設ける必要はない。
17はpH測定用電極15内の比較電極に導入するKC1を貯留
したタンク、18はメッキ槽１内のメッキ液の温度を検出
する温度センサ、19はこの温度センサ18からの温度信
号、pH測定用電極15と温度検出器16からの検出信号の３
者から、演算によってメッキ槽１内のメッキ液のpHを算
出する演算部である。なお、メッキ槽１が一定温度に管
理されている場合は、温度センサ18は不要である。その
場合、一定温度を示す信号を抵抗器などによって作り出
し、演算部19に入力すればよい。
したタンク、18はメッキ槽１内のメッキ液の温度を検出
する温度センサ、19はこの温度センサ18からの温度信
号、pH測定用電極15と温度検出器16からの検出信号の３
者から、演算によってメッキ槽１内のメッキ液のpHを算
出する演算部である。なお、メッキ槽１が一定温度に管
理されている場合は、温度センサ18は不要である。その
場合、一定温度を示す信号を抵抗器などによって作り出
し、演算部19に入力すればよい。
20は前記サンプリングポンプ４および弁9,10,11,13,14
を所定の順序に従って動作させ、自動洗浄、校正液の導
入、サンプリング動作を遂行するプログラムコントロー
ラである。
を所定の順序に従って動作させ、自動洗浄、校正液の導
入、サンプリング動作を遂行するプログラムコントロー
ラである。
次に、プログラムコントローラ20によって遂行される自
動洗浄、校正液の導入、サンプリング各動作について説
明する。
動洗浄、校正液の導入、サンプリング各動作について説
明する。
I.自動洗浄、校正液の導入 ｉ）排出弁14を開いて電極チャンバ２内の液を排出した
後、導入弁９を開いて導入ポンプ12を動作させる。これ
によって、洗浄液が電極チャンバ２内に導入される。こ
のとき同時に圧力空気導入弁13を開き、電極チャンバ２
内で洗浄液をバブリングさせて洗浄効果を高める。
後、導入弁９を開いて導入ポンプ12を動作させる。これ
によって、洗浄液が電極チャンバ２内に導入される。こ
のとき同時に圧力空気導入弁13を開き、電極チャンバ２
内で洗浄液をバブリングさせて洗浄効果を高める。
ii）前記洗浄が完了すれば、排出弁14を開き、洗浄液を
排出し、導入弁10を開く。これによって、第１校正液が
電極チャンバ２内に導入される。この場合、圧力空気導
入弁13を開いて第１校正液をバブリングさせる。前液の
影響を除去するのに十分な時間バブリングした後、排出
弁14を開いて排出する。排出完了後、再び導入弁10を開
いて第１校正液を電極チャンバ２内に導入する。そし
て、このときの電極チャンバ２内の液温度TAと電極電位
EAとを検出し、その検出信号TA，EAを演算部19に入力す
る。
排出し、導入弁10を開く。これによって、第１校正液が
電極チャンバ２内に導入される。この場合、圧力空気導
入弁13を開いて第１校正液をバブリングさせる。前液の
影響を除去するのに十分な時間バブリングした後、排出
弁14を開いて排出する。排出完了後、再び導入弁10を開
いて第１校正液を電極チャンバ２内に導入する。そし
て、このときの電極チャンバ２内の液温度TAと電極電位
EAとを検出し、その検出信号TA，EAを演算部19に入力す
る。
iii）前記検出が終わると、排出弁14を開いて第１校正
液を排出した後、導入弁11を開いて第２校正液を電極チ
ャンバ２内に導入する。この場合も、前記ii）における
第１校正液の場合と同様に、第２校正液を２回導入す
る。１回目は前液の影響除去のため、２回目は液温度TB
と電極電位EBとを検出のためである。２回目の液導入に
よって検出された検出信号TB，EBは演算部19に入力され
る。
液を排出した後、導入弁11を開いて第２校正液を電極チ
ャンバ２内に導入する。この場合も、前記ii）における
第１校正液の場合と同様に、第２校正液を２回導入す
る。１回目は前液の影響除去のため、２回目は液温度TB
と電極電位EBとを検出のためである。２回目の液導入に
よって検出された検出信号TB，EBは演算部19に入力され
る。
II.サンプリング動作 上記動作が終わると、排出弁14を開いて第２校正液を排
出した後、サンプリングポンプ４が動作し、メッキ液導
入弁３が開いて、メッキ液が電極チャンバ２内に採取さ
れる。このときの電極電位EX、電極チャンバ２内の液温
度TXが検出され、メッキ槽１内の温度T1を示す温度信号
とともに演算部19に入力される。
出した後、サンプリングポンプ４が動作し、メッキ液導
入弁３が開いて、メッキ液が電極チャンバ２内に採取さ
れる。このときの電極電位EX、電極チャンバ２内の液温
度TXが検出され、メッキ槽１内の温度T1を示す温度信号
とともに演算部19に入力される。
III.演算部19での処理 前記各検出信号TA，EA，TB，EBおよび温度信号Ttが入力
されると、演算部19は以下のような処理を行う。
されると、演算部19は以下のような処理を行う。
ｉ）第１ステップ（校正液のpH値の算出） 例えば「pHの理論と測定法」（昭和43年４月20日発行）
の第118頁〜第120頁に記載されているところの標準液の
pHと絶対温度Ｔとの関係式を用いて、第1,第２校正液の
温度検出値TA，TBから校正液のpH値を求める。
の第118頁〜第120頁に記載されているところの標準液の
pHと絶対温度Ｔとの関係式を用いて、第1,第２校正液の
温度検出値TA，TBから校正液のpH値を求める。
すなわち、 pH＝a/T＋ｂ＋cT＋dT2 ……（１） ここで、Ｔは校正液の絶対温度である。また、a,b,c,d
は液固有の定数で、一例として、しゅう酸塩とフタル酸
塩についてのa,b,c,dの値を下表に示す。
は液固有の定数で、一例として、しゅう酸塩とフタル酸
塩についてのa,b,c,dの値を下表に示す。
ii）第２ステップ（電極感度Ａと不斉電位Ｂの算出） 次式に基づいて電極感度Ａを算出する。
また、次式に基づいて不斉電位Ｂを算出する。
ここに、pHAは第１校正液のpH値、pHBは第２校正液のpH
値で、いずれも前記（１）式を用いて求められる。ま
た、αはガラス電極の温度補正係数（1/273.15）であ
る。これらA,Bを算出することによって自動校正が完了
する。
値で、いずれも前記（１）式を用いて求められる。ま
た、αはガラス電極の温度補正係数（1/273.15）であ
る。これらA,Bを算出することによって自動校正が完了
する。
ここで、前記（２），（３）式を導出する手順について
説明すると、前記「pHの理論と測定法」（昭和43年４月
20日発行）の第152頁〜第154頁に記載されているよう
に、ガラス電極におけるガラス膜の電位差（外部液を基
準にした内部液側の電位）Egは、Ｒを気体定数、Ｆをフ
ァラディ定数、Co，Ciをガラス膜の外側および内側に固
有の値、αｏ，αｉをガラス膜の外側および内側の傾
斜、電位勾配をAnとするとき、 なる関係が成り立つ。
説明すると、前記「pHの理論と測定法」（昭和43年４月
20日発行）の第152頁〜第154頁に記載されているよう
に、ガラス電極におけるガラス膜の電位差（外部液を基
準にした内部液側の電位）Egは、Ｒを気体定数、Ｆをフ
ァラディ定数、Co，Ciをガラス膜の外側および内側に固
有の値、αｏ，αｉをガラス膜の外側および内側の傾
斜、電位勾配をAnとするとき、 なる関係が成り立つ。
ここで、前記αｏ≒αｉとしたとき、Co−Ciは不斉電位
を表すことからこれをＢとし、また、一般に内部液とし
てはpH7の溶液を使用するため、電極内部液のpHiを７と
すると、前記式は、 となる。
を表すことからこれをＢとし、また、一般に内部液とし
てはpH7の溶液を使用するため、電極内部液のpHiを７と
すると、前記式は、 となる。
そして、電位勾配につい、０℃（273.15゜K）における値
をＡとすると、 ここで、1/273.15をαとすると、式は、 Eg＝Ａ・α・Ｔ（pHo−７）＋Ｂ …… となる。
をＡとすると、 ここで、1/273.15をαとすると、式は、 Eg＝Ａ・α・Ｔ（pHo−７）＋Ｂ …… となる。
そして、第１校正液として液温TA、pH値pHAの液を、第
２校正液として液温TB、pH値pHBの液を用いることによ
り、 EA＝Ａ・α・TA（pHA−７）＋Ｂ …… EB＝Ａ・α・TB（pHB−７）＋Ｂ …… が得られる。
２校正液として液温TB、pH値pHBの液を用いることによ
り、 EA＝Ａ・α・TA（pHA−７）＋Ｂ …… EB＝Ａ・α・TB（pHB−７）＋Ｂ …… が得られる。
これら，式から、 が得られる。
iii）第３ステップ（電極チャンバ２内のpHの算出） 前記式から、電極チャンバ２内のpH値pHxと電極電位E
xとの一般的な関係式は、電極チャンバ２内の試料の温
度Tx（゜K）とするとき、 Ex＝Ａ・α・Tx（pHx−７）＋Ｂ …… と表される。従って、 となり、この（４）式に前記第２ステップで得られたA,
Bを導入することによって、電極チャンバ２内のpH値pHx
を求めることができる。
xとの一般的な関係式は、電極チャンバ２内の試料の温
度Tx（゜K）とするとき、 Ex＝Ａ・α・Tx（pHx−７）＋Ｂ …… と表される。従って、 となり、この（４）式に前記第２ステップで得られたA,
Bを導入することによって、電極チャンバ２内のpH値pHx
を求めることができる。
iv）第４ステップ（メッキ槽１内のメッキ液のpHの算
出） 上記第１〜第３のステップによってpHxが求められる
と、メッキ槽１内の温度Ttを示す温度信号とともに次式
（５）に従って演算することにより、メッキ槽１内のメ
ッキ液のpH値pHtを求めることができる。
出） 上記第１〜第３のステップによってpHxが求められる
と、メッキ槽１内の温度Ttを示す温度信号とともに次式
（５）に従って演算することにより、メッキ槽１内のメ
ッキ液のpH値pHtを求めることができる。
pHt＝pHx−ｋ（Tt−Tx） ……（５） ここに、ｋはメッキ液の温度補正係数である。この温度
補正係数ｋの値は、メッキ液の分析により求めることが
できる。例えばZn−Fe系メッキ液の場合、温度補正係数
ｋは、 ｋ＝0.013−0.07WFe 3+ ……（６） で与えられる。
補正係数ｋの値は、メッキ液の分析により求めることが
できる。例えばZn−Fe系メッキ液の場合、温度補正係数
ｋは、 ｋ＝0.013−0.07WFe 3+ ……（６） で与えられる。
ここに、WFe 3+はメッキ液のFe3+濃度（W/V％）である。
上記（６）式のように、温度補正係数ｋの値がイオン濃
度によって変化する場合には、（６）式を演算部19に記
憶させておくとともに、測定の都度、イオン濃度を入力
して温度補正係数ｋを演算によって求めるようにしてお
けば、メッキ液の温度補正係数ｋが時々刻々変化して
も、それに対応してpH値pHtを誤差なく求めることがで
き、便利である。
度によって変化する場合には、（６）式を演算部19に記
憶させておくとともに、測定の都度、イオン濃度を入力
して温度補正係数ｋを演算によって求めるようにしてお
けば、メッキ液の温度補正係数ｋが時々刻々変化して
も、それに対応してpH値pHtを誤差なく求めることがで
き、便利である。
上述のようにして求められたpH値pHtは、伝送出力とし
て演算部19から出力され、図示してない表示部において
表示される。
て演算部19から出力され、図示してない表示部において
表示される。
なお、校正中において、第１校正液から第２校正液に切
り換えた際、電極電位がEAからEBに変化するが、その全
変化量の90％に達する時間を計測したり、あるいは、単
位時間当たりの電位変化量を計測して電極の応答速度を
算出するようにすれば、電極の寿命の客観的な判断に供
することができる。
り換えた際、電極電位がEAからEBに変化するが、その全
変化量の90％に達する時間を計測したり、あるいは、単
位時間当たりの電位変化量を計測して電極の応答速度を
算出するようにすれば、電極の寿命の客観的な判断に供
することができる。
次に、第２図は、演算部19の出力信号を用いて測定計器
の異常判断を行う回路で、記憶部21と比較部22と管理精
度設定部23と判定部24とから構成されている。
の異常判断を行う回路で、記憶部21と比較部22と管理精
度設定部23と判定部24とから構成されている。
そして、記憶部21は、前回の校正時における測定値を記
憶している。比較部22は、記憶部21から出力される前回
の校正時の測定値と、演算部19から出力される今回の校
正時の測定値とを比較する。通常、この比較値はある小
さな範囲内の値であるはずであるが、前回の校正と今回
の校正との間に例えばガラス電極の応答膜に破れ、汚
れ、変質が生じたり、比較電極が汚れたり、内極の化学
変化したりして異常が生じると、前記値を超える大きな
値となる。
憶している。比較部22は、記憶部21から出力される前回
の校正時の測定値と、演算部19から出力される今回の校
正時の測定値とを比較する。通常、この比較値はある小
さな範囲内の値であるはずであるが、前回の校正と今回
の校正との間に例えばガラス電極の応答膜に破れ、汚
れ、変質が生じたり、比較電極が汚れたり、内極の化学
変化したりして異常が生じると、前記値を超える大きな
値となる。
また、管理精度設定部23には、前記比較値として許容で
きる最大の値が設定されている。この値は計器として要
求される測定精度から決定される。判定部24は、比較値
が管理精度設定部23の設定値を超えているか否かを判定
し、超えている場合、異常信号を発する。このようにし
てし、異常動作の検出を行うことにより、校正と校正と
の間の測定時における計器精度を管理することができる
とともに、要求される測定精度の範囲でできるだけ校正
周期を長くすることができるし、また、それに従って高
価な校正液の有効利用が図れるという利点がある。
きる最大の値が設定されている。この値は計器として要
求される測定精度から決定される。判定部24は、比較値
が管理精度設定部23の設定値を超えているか否かを判定
し、超えている場合、異常信号を発する。このようにし
てし、異常動作の検出を行うことにより、校正と校正と
の間の測定時における計器精度を管理することができる
とともに、要求される測定精度の範囲でできるだけ校正
周期を長くすることができるし、また、それに従って高
価な校正液の有効利用が図れるという利点がある。
さらに、第３図は、演算部19の出力信号を用いて校正周
期を自動調節するようにした回路で、第１比較部25と、
管理精度設定部26と、第２比較部27と、周期決定部28と
から構成されている。
期を自動調節するようにした回路で、第１比較部25と、
管理精度設定部26と、第２比較部27と、周期決定部28と
から構成されている。
そして、第１比較部25は、校正前後における校正液の測
定値の差を求める。ここで、校正前における校正液の測
定値とは、不斉電位や電極感度の調整をする前に測定し
た校正液の測定値をいい、校正後における校正液の測定
値とは、そのような調整を行った後の校正液の測定値を
いう。管理精度設定部26は、校正前後における校正液の
測定値の差として測定精度上許容できる限界の値が設定
されている。
定値の差を求める。ここで、校正前における校正液の測
定値とは、不斉電位や電極感度の調整をする前に測定し
た校正液の測定値をいい、校正後における校正液の測定
値とは、そのような調整を行った後の校正液の測定値を
いう。管理精度設定部26は、校正前後における校正液の
測定値の差として測定精度上許容できる限界の値が設定
されている。
第２比較部27は、前記比較値と管理精度設定部26の設定
値とを比較する。周期決定部28は、第２比較部27の比較
結果から校正周期を決定する。すなわち、第１比較部25
の比較値が管理精度設定部26の設定値を超えている場合
には、校正周期を短くし、逆に比較値が設定値を超えて
いない場合には、校正周期を長くする。校正周期を長く
あるいは短くする方法としては、例えば校正周期を単位
時間ずつ長くあるいは短くするという方法によればよ
い。周期決定部28で決定された校正周期は、プログラム
コントローラ20に入力され、このプログラムコントロー
ラ20に設定された校正周期を長短制御する。
値とを比較する。周期決定部28は、第２比較部27の比較
結果から校正周期を決定する。すなわち、第１比較部25
の比較値が管理精度設定部26の設定値を超えている場合
には、校正周期を短くし、逆に比較値が設定値を超えて
いない場合には、校正周期を長くする。校正周期を長く
あるいは短くする方法としては、例えば校正周期を単位
時間ずつ長くあるいは短くするという方法によればよ
い。周期決定部28で決定された校正周期は、プログラム
コントローラ20に入力され、このプログラムコントロー
ラ20に設定された校正周期を長短制御する。
なお、第３図における符号29は第１警報器で、第１比較
部25の比較値が管理精度設定部26の設定値を超えた場合
に動作する。30は第２警報器で、校正周期が最小周期設
定部31に設定された最小校正周期よりも短くなると動作
する。32は比較器である。
部25の比較値が管理精度設定部26の設定値を超えた場合
に動作する。30は第２警報器で、校正周期が最小周期設
定部31に設定された最小校正周期よりも短くなると動作
する。32は比較器である。
以上説明したように、本発明の電気メッキ液のpH測定方
法においては、メッキ槽内の試料（メッキ液）をサンプ
リングする電極チャンバをメッキ槽とは別個に設けたの
で、自動洗浄や自動校正が行いやすくなった。
法においては、メッキ槽内の試料（メッキ液）をサンプ
リングする電極チャンバをメッキ槽とは別個に設けたの
で、自動洗浄や自動校正が行いやすくなった。
そして、本発明においては、電極チャンバにpH測定用電
極と温度検出器とを設け、pH測定用電極によるpH検出
値、温度検出器による温度検出値およびメッキ槽内の試
料の温度検出値の３者を、４つのステップに従って処理
している。すなわち、第１ステップにおいては、前記
（１）式、および、校正液の温度と校正液特有の定数に
基づいて校正液のpH値の補正を行い、次の第２ステップ
においては、前記（２），（３）式、および、前記
（１）式によって得られた第１校正液のpH値、前記
（１）式によって得られた第２校正液のpH値、第１校正
液の温度検出値、第２校正液の温度検出値、ガラス電極
の温度補正係数を用いて、電極感度と不斉電位を求め、
そして、第３ステップにおいては、前記（４）式、およ
び、電極チャンバ内の試料の電極電位、電極チャンバ内
の試料の温度、ガラス電極の温度補正係数、電極感度、
不斉電位を用いて、電極チャンバ内のpH値を求め、第４
ステップにおいて、前記（５）式、および、メッキ槽内
の温度、電極チャンバ内の試料の温度、メッキ液の温度
補正係数、電極チャンバ内のpH値を用いて、メッキ槽内
の試料のpH値を求めるようにしているので、メッキ槽内
の試料のpH値を極めて高精度に測定することができる。
極と温度検出器とを設け、pH測定用電極によるpH検出
値、温度検出器による温度検出値およびメッキ槽内の試
料の温度検出値の３者を、４つのステップに従って処理
している。すなわち、第１ステップにおいては、前記
（１）式、および、校正液の温度と校正液特有の定数に
基づいて校正液のpH値の補正を行い、次の第２ステップ
においては、前記（２），（３）式、および、前記
（１）式によって得られた第１校正液のpH値、前記
（１）式によって得られた第２校正液のpH値、第１校正
液の温度検出値、第２校正液の温度検出値、ガラス電極
の温度補正係数を用いて、電極感度と不斉電位を求め、
そして、第３ステップにおいては、前記（４）式、およ
び、電極チャンバ内の試料の電極電位、電極チャンバ内
の試料の温度、ガラス電極の温度補正係数、電極感度、
不斉電位を用いて、電極チャンバ内のpH値を求め、第４
ステップにおいて、前記（５）式、および、メッキ槽内
の温度、電極チャンバ内の試料の温度、メッキ液の温度
補正係数、電極チャンバ内のpH値を用いて、メッキ槽内
の試料のpH値を求めるようにしているので、メッキ槽内
の試料のpH値を極めて高精度に測定することができる。
第１図は、本発明の電気メッキ液のpH測定方法を実施す
るための装置の一例を示す構成図である。 第２図は、前記装置の異常判断を行うための回路の一例
を概略的に示す図である。 第３図は、前記装置における校正周期を調整する回路の
一例を示す図である。 １……メッキ槽、２……電極チャンバ、15……pH測定用
電極、16……温度検出器。
るための装置の一例を示す構成図である。 第２図は、前記装置の異常判断を行うための回路の一例
を概略的に示す図である。 第３図は、前記装置における校正周期を調整する回路の
一例を示す図である。 １……メッキ槽、２……電極チャンバ、15……pH測定用
電極、16……温度検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真忠 達明 大阪府大阪市東区北浜５丁目15番地 住友 金属工業株式会社内 (72)発明者 石川 ▲吉▼彦 大阪府大阪市東区北浜５丁目15番地 住友 金属工業株式会社内 (72)発明者 堀井 良雄 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 河野 訓 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 八木 大三 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (56)参考文献 特開 昭58−34350（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−63699（ＪＰ，Ａ) 特公 昭38−9995（ＪＰ，Ｂ１) 山下熈著「改訂 ｐＨ測定」 コロナ 社，（昭46年12月15日発行），第61〜63頁
Claims (1)
- 【請求項１】メッキ槽内の試料をサンプリングする電極
チャンバをメッキ槽とは別個に設け、この電極チャンバ
内に周期的に洗浄液、第１校正液、第２校正液を導入
し、自動洗浄、自動校正を行うようにすると共に、電極
チャンバにpH測定用電極と温度検出器とを設け、pH測定
用電極によるpH検出値、温度検出器による温度検出値お
よびメッキ槽内の試料の温度検出値の３者を、次の各ス
テップに従って処理することにより、メッキ槽内の試料
のpH値を演算により求めるようにしたことを特徴とする
電気メッキ液のpH測定方法。 第１ステップ； pH＝a/T＋ｂ＋cT＋dT2 ……（１） なる式、および、校正液の温度検出値Ｔ、校正液に固有
の定数a,b,c,dを用いて、第１校正液のpH値pHA、第２校
正液のpH値pHBを求める。 第２ステップ； なる２式、および、前記（１）式によって得られた第１
校正液のpH値pHA、前記（１）式によって得られた第２
校正液のpH値pHB、第１校正液の温度検出値TA、第２校
正液の温度検出値TB、ガラス電極の温度補正係数αを用
いて、電極感度Ａと不斉電位Ｂを求める。 第３ステップ なる式、および、電極チャンバ内試料の電極電位EX、電
極チャンバ内試料の温度TX、ガラス電極の温度補正係数
α、電極感度Ａ、不斉電位Ｂを用いて、電極チャンバ内
のpHXを求める。 第４ステップ； pHt＝pHX−ｋ（Tt−TX） ……（５） なる式、および、メッキ槽内の温度Tt、電極チャンバ内
試料の温度TX、メッキ液の温度補正係数ｋ、電極チャン
バ内のpH値pHXを用いて、メッキ槽内の試料のpH値pHtを
求める。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59154929A JPH0692960B2 (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電気メツキ液のｐＨ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59154929A JPH0692960B2 (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電気メツキ液のｐＨ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6131959A JPS6131959A (ja) | 1986-02-14 |
| JPH0692960B2 true JPH0692960B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=15595027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59154929A Expired - Lifetime JPH0692960B2 (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電気メツキ液のｐＨ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692960B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105063672B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-06-06 | 福建惠安县坚固电机有限公司 | 一种电解锰补液装置 |
| CN105063671B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-06-06 | 福建惠安县坚固电机有限公司 | 电解锰补液装置 |
| CN105002523B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-12-12 | 陈金兰 | 一种电解锰补液系统 |
| CN105734650B (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-14 | 陈鸣辉 | 一种料段电镀处理装置 |
| JP7231576B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-03-01 | 株式会社日立ハイテク | 電解質濃度測定装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810480A (ja) * | 1981-07-04 | 1983-01-21 | ファナック株式会社 | 工業用ロボツト |
| JPS5834350A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-02-28 | Toshiba Corp | Ｐｈ測定装置 |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP59154929A patent/JPH0692960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 山下熈著「改訂ｐＨ測定」コロナ社，（昭４６年１２月１５日発行），第６１〜６３頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6131959A (ja) | 1986-02-14 |
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