JPH0693019A - ポリビニルアセタール樹脂の製造方法 - Google Patents
ポリビニルアセタール樹脂の製造方法Info
- Publication number
- JPH0693019A JPH0693019A JP24312792A JP24312792A JPH0693019A JP H0693019 A JPH0693019 A JP H0693019A JP 24312792 A JP24312792 A JP 24312792A JP 24312792 A JP24312792 A JP 24312792A JP H0693019 A JPH0693019 A JP H0693019A
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- JP
- Japan
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- polyvinyl acetal
- acetal resin
- reaction
- acetalization
- alcohol
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリビニルアルコールを酸触媒の存在下にア
ルデヒドでアセタール化するに当たり、反応溶媒として
水単独または水とアルコールの混合系を用い、反応系に
相間移動触媒を添加することを特徴とするポリビニルア
セタール樹脂の製造方法である。 【効果】 水系溶媒では従来より製造困難であるとされ
ていた約80モル%以上の高アセタール化度を有するポ
リビニルアセタール樹脂を製造することができる。
ルデヒドでアセタール化するに当たり、反応溶媒として
水単独または水とアルコールの混合系を用い、反応系に
相間移動触媒を添加することを特徴とするポリビニルア
セタール樹脂の製造方法である。 【効果】 水系溶媒では従来より製造困難であるとされ
ていた約80モル%以上の高アセタール化度を有するポ
リビニルアセタール樹脂を製造することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリビニルアセタールの
製造方法に関し、より詳細には、水系溶媒では従来より
製造困難であるとされていた約80モル%以上の高アセ
タール化度を有するポリビニルアセタール樹脂の製造方
法に関する。
製造方法に関し、より詳細には、水系溶媒では従来より
製造困難であるとされていた約80モル%以上の高アセ
タール化度を有するポリビニルアセタール樹脂の製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリビニルブチラールに代表されるポリ
ビニルアセタール樹脂は、古くからその透明性、ガラ
ス、金属などとの接着性、力学的強度などに優れている
ため、合わせガラスの中間膜用の樹脂、プリント基板用
接着剤用の樹脂として用いられている。ポリビニルアセ
タール樹脂がこれらの用途に使用される理由の一つは、
金属やガラスとの優れた接着性にある。そしてこの優れ
た接着性は、ポリビニルアセタール樹脂が本質的に多く
の水酸基を具備していることによる。
ビニルアセタール樹脂は、古くからその透明性、ガラ
ス、金属などとの接着性、力学的強度などに優れている
ため、合わせガラスの中間膜用の樹脂、プリント基板用
接着剤用の樹脂として用いられている。ポリビニルアセ
タール樹脂がこれらの用途に使用される理由の一つは、
金属やガラスとの優れた接着性にある。そしてこの優れ
た接着性は、ポリビニルアセタール樹脂が本質的に多く
の水酸基を具備していることによる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ポリビニルブチラールの製造方法では、高アセタール化
度を有するポリビニルアセタール樹脂の製造は難しく、
特に反応溶媒が水ないしは水を主体とする混合系である
場合、例えば特開昭56−92142号公報に記載され
ているように、アセタール化度約75モル%が限界であ
り、アセタール化度が約80モル%を越える高アセター
ル化ポリビニルブチラールを得る工業的方法はこれまで
知られていなかった。
ポリビニルブチラールの製造方法では、高アセタール化
度を有するポリビニルアセタール樹脂の製造は難しく、
特に反応溶媒が水ないしは水を主体とする混合系である
場合、例えば特開昭56−92142号公報に記載され
ているように、アセタール化度約75モル%が限界であ
り、アセタール化度が約80モル%を越える高アセター
ル化ポリビニルブチラールを得る工業的方法はこれまで
知られていなかった。
【0004】他方、相間移動触媒は通常ラジカル重合・
イオン重合などの高分子合成には用いられているが、高
分子物質自体を反応物質とする反応には利用された例が
少ない。こうした高分子反応への利用例としては、ポリ
スレチンのクロロメチル化やブロモ化などがあるが、ア
セタール化反応に使用された例は未だない。
イオン重合などの高分子合成には用いられているが、高
分子物質自体を反応物質とする反応には利用された例が
少ない。こうした高分子反応への利用例としては、ポリ
スレチンのクロロメチル化やブロモ化などがあるが、ア
セタール化反応に使用された例は未だない。
【0005】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、従来から工業的に実施されてい
るポリビニルアルコールとアルデヒドとの水系溶媒中に
おける縮合反応において、特定の反応条件を設定するこ
とにより、アセタール化度80モル%を超える高アセタ
ール化度のポリビニルアセタール樹脂を得る方法を提供
することである。
であって、その目的は、従来から工業的に実施されてい
るポリビニルアルコールとアルデヒドとの水系溶媒中に
おける縮合反応において、特定の反応条件を設定するこ
とにより、アセタール化度80モル%を超える高アセタ
ール化度のポリビニルアセタール樹脂を得る方法を提供
することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によるポリビニル
アセタール樹脂の製造方法は、上記課題を解決すべく工
夫されたもので、ポリビニルアルコールを酸触媒の存在
下にアルデヒドでアセタール化するに当たり、反応溶媒
として水単独または水とアルコールの混合系を用い、反
応系に相間移動触媒を添加することを特徴とするもので
ある。
アセタール樹脂の製造方法は、上記課題を解決すべく工
夫されたもので、ポリビニルアルコールを酸触媒の存在
下にアルデヒドでアセタール化するに当たり、反応溶媒
として水単独または水とアルコールの混合系を用い、反
応系に相間移動触媒を添加することを特徴とするもので
ある。
【0007】一方の原料であるポリビニルアルコールと
しては、その重合度は特に限定されないが、ポリビニル
アセタール樹脂製造用として通常使用される平均重合度
200〜10,000のものが好適である。
しては、その重合度は特に限定されないが、ポリビニル
アセタール樹脂製造用として通常使用される平均重合度
200〜10,000のものが好適である。
【0008】溶媒に対するポリビニルアルコールの濃度
は、通常適用される0.1〜50重量%の範囲で適宜定
められる。この濃度が0.1重量%未満であると経済的
に不利になることがある。また、この濃度が50重量%
を超えると、ポリビニルアセタール樹脂の濃度が高いた
めに、水酸基同士の水酸基のインタラクションにより可
逆反応性が低下することがある。ただし、この濃度範囲
は本発明方法を限定するものではない。
は、通常適用される0.1〜50重量%の範囲で適宜定
められる。この濃度が0.1重量%未満であると経済的
に不利になることがある。また、この濃度が50重量%
を超えると、ポリビニルアセタール樹脂の濃度が高いた
めに、水酸基同士の水酸基のインタラクションにより可
逆反応性が低下することがある。ただし、この濃度範囲
は本発明方法を限定するものではない。
【0009】もう一方の原料であるアルデヒドとして
は、ポリビニルアルコールのアセタール化に通常供され
るアルデヒドが使用される。溶媒に対する溶解性の点か
ら、特に、炭素数1〜10のアルデヒドが好ましい。例
えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオ
ンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチルアル
デヒド、2−エチルブチルアルデヒド、n−ヘキシルア
ルデヒド、n−オクチルアルデヒド、2−エチルヘキシ
ルアルデヒド、n−ノニルアルデヒド、n−デシルアル
デヒド、シンナムアルデヒドなどが例示される。これら
は単独で用いても2以上の組み合わせで用いてもよい。
より好適なアルデヒドとしては、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチ
ルアルデヒド、バレルアルデヒド、2−エチルブチルア
ルデヒド、n−ヘキシルアルデヒドなどが例示される。
は、ポリビニルアルコールのアセタール化に通常供され
るアルデヒドが使用される。溶媒に対する溶解性の点か
ら、特に、炭素数1〜10のアルデヒドが好ましい。例
えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオ
ンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチルアル
デヒド、2−エチルブチルアルデヒド、n−ヘキシルア
ルデヒド、n−オクチルアルデヒド、2−エチルヘキシ
ルアルデヒド、n−ノニルアルデヒド、n−デシルアル
デヒド、シンナムアルデヒドなどが例示される。これら
は単独で用いても2以上の組み合わせで用いてもよい。
より好適なアルデヒドとしては、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチ
ルアルデヒド、バレルアルデヒド、2−エチルブチルア
ルデヒド、n−ヘキシルアルデヒドなどが例示される。
【0010】アルデヒドの仕込量は、所望する最終アセ
タール化度に応じて定められる。
タール化度に応じて定められる。
【0011】酸触媒としては、塩酸、硫酸、トリフルオ
ロ酢酸、パラトルエンスルホン酸などの無機酸や、酢酸
などの有機酸が適宜使用される。酸触媒の濃度は、溶媒
に対して0.02〜10重量%といった広い範囲で設定
できる。酸触媒の濃度が0.02重量%未満であれば、
触媒としてのプロトン供与効果が乏しく、逆に10重量
%を超えても、触媒効率の点で追加効果がなく不経済で
ある。ただし、この濃度範囲は本発明方法を限定するも
のではない。
ロ酢酸、パラトルエンスルホン酸などの無機酸や、酢酸
などの有機酸が適宜使用される。酸触媒の濃度は、溶媒
に対して0.02〜10重量%といった広い範囲で設定
できる。酸触媒の濃度が0.02重量%未満であれば、
触媒としてのプロトン供与効果が乏しく、逆に10重量
%を超えても、触媒効率の点で追加効果がなく不経済で
ある。ただし、この濃度範囲は本発明方法を限定するも
のではない。
【0012】使用される相間移動触媒としては、例え
ば、テトラブチルアンモニウムイオジド、テトラブチル
アンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムクロ
リド、テトラメチルアンモニウムプロミド、テトラブチ
ルアンモニウムブロミドなどの第四級アンモニウム塩;
テトラブチルホスホニウムイオジド、テトラブチルホス
ホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミ
ド、テトラメチルホスホニウムイオジド、テトラメチル
ホスホニウムクロリド、テトラメチルホスホニウムブロ
ミドなどの第四級ホスホニウム塩;シュウ酸カリウム、
マロン酸カリウム、コハク酸カリウム、グルタル酸カリ
ウム、アジピン酸カリウム、マレイン酸カリウム、フマ
ル酸カリウム、フタル酸カリウム、イソフタル酸カリウ
ム、テレフタル酸カリウムなどのジカルボン酸カリウ
ム;ジスルフィン酸ナトリウムベンゾイルジクロリド、
ジスルフィン酸ナトリウムベンゾイルジブロミド、ジス
ルフィン酸ナトリウム−p−トルエンジクロリド、ジス
ルフィン酸ナトリウム−p−トルエンジブロミドなどの
ジスルフィン酸ナトリウム芳香族ジハライド;キシリレ
ンブロミド4−(α−ブロモ−p−トリル)ブタン酸塩
などが例示される。より好適には、上記のような第四級
アンモニウム塩または第四級ホスホニウム塩が単独でも
しくは組み合わせて使用される。
ば、テトラブチルアンモニウムイオジド、テトラブチル
アンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムクロ
リド、テトラメチルアンモニウムプロミド、テトラブチ
ルアンモニウムブロミドなどの第四級アンモニウム塩;
テトラブチルホスホニウムイオジド、テトラブチルホス
ホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミ
ド、テトラメチルホスホニウムイオジド、テトラメチル
ホスホニウムクロリド、テトラメチルホスホニウムブロ
ミドなどの第四級ホスホニウム塩;シュウ酸カリウム、
マロン酸カリウム、コハク酸カリウム、グルタル酸カリ
ウム、アジピン酸カリウム、マレイン酸カリウム、フマ
ル酸カリウム、フタル酸カリウム、イソフタル酸カリウ
ム、テレフタル酸カリウムなどのジカルボン酸カリウ
ム;ジスルフィン酸ナトリウムベンゾイルジクロリド、
ジスルフィン酸ナトリウムベンゾイルジブロミド、ジス
ルフィン酸ナトリウム−p−トルエンジクロリド、ジス
ルフィン酸ナトリウム−p−トルエンジブロミドなどの
ジスルフィン酸ナトリウム芳香族ジハライド;キシリレ
ンブロミド4−(α−ブロモ−p−トリル)ブタン酸塩
などが例示される。より好適には、上記のような第四級
アンモニウム塩または第四級ホスホニウム塩が単独でも
しくは組み合わせて使用される。
【0013】反応溶媒としては、水単独または水とアル
コールの混合系が用いられる。混合系におけるアルコー
ルの濃度は好ましくは20重量%以下である。混合系に
用いられるアルコールは、メチルアルコール、エチルア
ルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコ
ールなどであり、これらの2以上の混合物であってもよ
い。
コールの混合系が用いられる。混合系におけるアルコー
ルの濃度は好ましくは20重量%以下である。混合系に
用いられるアルコールは、メチルアルコール、エチルア
ルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコ
ールなどであり、これらの2以上の混合物であってもよ
い。
【0014】反応温度は、特に限定されないが、好まし
くは0〜80℃である。反応温度は、主として、使用す
る溶媒、原料アルデヒド、触媒などにより決まるが、反
応温度がこれらの物質の沸点を上回る場合は、反応系を
加圧して反応を進行させる。反応過程において、粒子合
着を防止するための分散剤、界面活性剤、反応時の酸化
を防止するための酸化防止剤などの合目的的な添加剤が
適宜添加されてよい。 本発明方法により得られた高ア
セタール化度のポリビニルアセタール樹脂の精製は、次
のような操作でなされる。すなわち、得られたポリビニ
ルアセタール樹脂を適当な溶媒、たとえば水、メタノー
ルなど中へ投入することにより再沈させる。その後、未
反応のアルデヒド、酸触媒を除去するために、該樹脂を
溶解する溶媒を選択し溶解させ、再び沈殿させる。この
操作を繰り返す。その後、水酸化カリウム、水酸化ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウムなどの中
和剤を適宜、系に加えて、残酸を中和する。ついで、前
述の再沈操作を繰り返し、生成した塩を除去する。最後
に、溶媒を真空乾燥などの適宜な処置によって除去し、
さらに乾燥を経て白色のポリビニルアセタール樹脂を得
る。
くは0〜80℃である。反応温度は、主として、使用す
る溶媒、原料アルデヒド、触媒などにより決まるが、反
応温度がこれらの物質の沸点を上回る場合は、反応系を
加圧して反応を進行させる。反応過程において、粒子合
着を防止するための分散剤、界面活性剤、反応時の酸化
を防止するための酸化防止剤などの合目的的な添加剤が
適宜添加されてよい。 本発明方法により得られた高ア
セタール化度のポリビニルアセタール樹脂の精製は、次
のような操作でなされる。すなわち、得られたポリビニ
ルアセタール樹脂を適当な溶媒、たとえば水、メタノー
ルなど中へ投入することにより再沈させる。その後、未
反応のアルデヒド、酸触媒を除去するために、該樹脂を
溶解する溶媒を選択し溶解させ、再び沈殿させる。この
操作を繰り返す。その後、水酸化カリウム、水酸化ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウムなどの中
和剤を適宜、系に加えて、残酸を中和する。ついで、前
述の再沈操作を繰り返し、生成した塩を除去する。最後
に、溶媒を真空乾燥などの適宜な処置によって除去し、
さらに乾燥を経て白色のポリビニルアセタール樹脂を得
る。
【0015】
【作用】本発明方法においては、相間移動触媒の使用に
より固−液状態でのアセタール反応を進行させることで
き、その結果、高アセタール化度でアセタール化を達成
でき、特に、水系溶媒では従来より製造困難であるとさ
れていた約80モル%以上の高アセタール化度を有する
ポリビニルアセタール樹脂を製造することができる。
より固−液状態でのアセタール反応を進行させることで
き、その結果、高アセタール化度でアセタール化を達成
でき、特に、水系溶媒では従来より製造困難であるとさ
れていた約80モル%以上の高アセタール化度を有する
ポリビニルアセタール樹脂を製造することができる。
【0016】その技術的理由は、反応速度の非常に遅い
水系反応において、相間移動触媒を用いることにより固
−液不均一系の固−液間の触媒活性を向上させ、これに
よりアセタール化反応性を高めてさらに高いアセタール
化度まで継続・進行させることに存する。換言すれば、
相間移動触媒の添加によりアセタール化の反応性を向上
させ、反応の進行に連れて非常に少なくなった水酸基を
可能な限り反応にあずからせ、アセタール化反応を継続
・進行させることができる。
水系反応において、相間移動触媒を用いることにより固
−液不均一系の固−液間の触媒活性を向上させ、これに
よりアセタール化反応性を高めてさらに高いアセタール
化度まで継続・進行させることに存する。換言すれば、
相間移動触媒の添加によりアセタール化の反応性を向上
させ、反応の進行に連れて非常に少なくなった水酸基を
可能な限り反応にあずからせ、アセタール化反応を継続
・進行させることができる。
【0017】こうして、高アセタール化度のポリビニル
アセタール樹脂を製造することができる。
アセタール樹脂を製造することができる。
【0018】
【実施例】本発明の実施例を幾つか挙げて、本発明を具
体的に説明する。
体的に説明する。
【0019】得られたポリビニルブチラール樹脂のブチ
ラール化度の測定方法は、下記のNMR法と滴定法によ
って行った。
ラール化度の測定方法は、下記のNMR法と滴定法によ
って行った。
【0020】 NMR法 生成物のプロトン核磁気共鳴スペクトルは、次の手法で
測定した。
測定した。
【0021】ポリビニルブチラール樹脂の2重量%重水
−ベンゼン溶液を調製し、少量のテトラメチルシラン
[(CH3 )4 Si]を標準物質として添加し、温度2
3℃でスペクトル測定を行った。その1例を図1に示
す。尚、図1の横軸は使用した標準物質テトラメチルシ
ランの共鳴周波数を基準とした化学シフト(ppm )であ
り、縦軸は、共鳴吸収強度であって、プロトン(水素)
の量に対応する。この測定チャートより、表1に記載し
た各吸収ピークの帰属と積分強度から、積分強度の値
(IA およびIB )を下記の計算式にあてはめ、ブチラ
ール化度を計算した。
−ベンゼン溶液を調製し、少量のテトラメチルシラン
[(CH3 )4 Si]を標準物質として添加し、温度2
3℃でスペクトル測定を行った。その1例を図1に示
す。尚、図1の横軸は使用した標準物質テトラメチルシ
ランの共鳴周波数を基準とした化学シフト(ppm )であ
り、縦軸は、共鳴吸収強度であって、プロトン(水素)
の量に対応する。この測定チャートより、表1に記載し
た各吸収ピークの帰属と積分強度から、積分強度の値
(IA およびIB )を下記の計算式にあてはめ、ブチラ
ール化度を計算した。
【0022】
【表1】 <計算式> ブチラール化度={2IA /(3IB −4IA )}×1
00(モル%) 滴定法 JIS「ポリビニルブチラール試験方法」(K−672
8−1977)における組成分析の項の「ビニルブチラ
ール」の試験方法に準拠して、塩酸ヒドロキシルアミン
法によってブチラール化度の測定を行った。
00(モル%) 滴定法 JIS「ポリビニルブチラール試験方法」(K−672
8−1977)における組成分析の項の「ビニルブチラ
ール」の試験方法に準拠して、塩酸ヒドロキシルアミン
法によってブチラール化度の測定を行った。
【0023】尚、ブチルアルコールに対する溶解を円滑
に行うため、加熱還流操作を併用し、溶解した後、上記
JISの操作に従った。
に行うため、加熱還流操作を併用し、溶解した後、上記
JISの操作に従った。
【0024】<実施例1>純水2900gに、重合度1
700、鹸化度99.2モル%のポリビニルアルコール
193gを加えて加温溶解した。反応系を30℃に温度
調節し、35重量%塩酸200gと相間移動触媒として
テトラブチルアンモニウムイオジド30gとn−ブチル
アルデヒド300gを加えて、ポリビニルブチラールを
析出させた。その後、反応系を温度50℃で3時間保持
し、反応を完了させた。過剰の水での洗浄により、未反
応アルデヒドを洗い流し、塩酸触媒を中和し、塩を除去
した後、乾燥を経て、ポリビニルブチラール樹脂の白色
粉末を得た。
700、鹸化度99.2モル%のポリビニルアルコール
193gを加えて加温溶解した。反応系を30℃に温度
調節し、35重量%塩酸200gと相間移動触媒として
テトラブチルアンモニウムイオジド30gとn−ブチル
アルデヒド300gを加えて、ポリビニルブチラールを
析出させた。その後、反応系を温度50℃で3時間保持
し、反応を完了させた。過剰の水での洗浄により、未反
応アルデヒドを洗い流し、塩酸触媒を中和し、塩を除去
した後、乾燥を経て、ポリビニルブチラール樹脂の白色
粉末を得た。
【0025】このポリビニルブチラール樹脂のブチラー
ル化度は、プロトンNMR法により測定し、85.0モ
ル%、滴定法により測定し、85.2モル%であった。
ル化度は、プロトンNMR法により測定し、85.0モ
ル%、滴定法により測定し、85.2モル%であった。
【0026】<実施例2〜13>相間移動触媒として表
2に示すものを用いた点を除いて、実施例1と同様の操
作を行い、ポリビニルブチラール樹脂を得た。
2に示すものを用いた点を除いて、実施例1と同様の操
作を行い、ポリビニルブチラール樹脂を得た。
【0027】<比較例1>相間移動触媒を使用しなかっ
た点を除いて、実施例1と同様の操作を行い、ポリビニ
ルブチラール樹脂を得た。
た点を除いて、実施例1と同様の操作を行い、ポリビニ
ルブチラール樹脂を得た。
【0028】<比較例2>仕込後の反応条件を温度60
℃、時間3時間にした点を除いて、比較例1と同様の操
作を行い、ポリビニルブチラール樹脂を得た。
℃、時間3時間にした点を除いて、比較例1と同様の操
作を行い、ポリビニルブチラール樹脂を得た。
【0029】<比較例3>仕込後の反応条件を温度60
℃、時間6時間にした点を除いて、比較例1と同様の操
作を行い、ポリビニルブチラール樹脂を得た。
℃、時間6時間にした点を除いて、比較例1と同様の操
作を行い、ポリビニルブチラール樹脂を得た。
【0030】ブチラール化度の測定 実施例および比較例で得られた各ポリビニルブチラール
樹脂について測定したプロトンNMR法および滴定法に
よるブチラール化度の測定値は表2に示す通りである。
樹脂について測定したプロトンNMR法および滴定法に
よるブチラール化度の測定値は表2に示す通りである。
【0031】
【表2】 表2から明らかなように、相間移動触媒の使用によっ
て、水系溶媒において約80モル%以上の高アセタール
化度を有するポリビニルアセタール樹脂を製造すること
ができることが認められる。
て、水系溶媒において約80モル%以上の高アセタール
化度を有するポリビニルアセタール樹脂を製造すること
ができることが認められる。
【0032】
【発明の効果】本発明方法においては、水系反応溶媒の
反応系に相間移動触媒を添加するので、水系溶媒では従
来より製造困難であるとされていた約80モル%以上の
高アセタール化度を有するポリビニルアセタール樹脂を
製造することができる。
反応系に相間移動触媒を添加するので、水系溶媒では従
来より製造困難であるとされていた約80モル%以上の
高アセタール化度を有するポリビニルアセタール樹脂を
製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 ポリビニルアルコールを酸触媒の存在下
にアルデヒドでアセタール化するに当たり、反応溶媒と
して水単独または水とアルコールの混合系を用い、反応
系に相間移動触媒を添加することを特徴とするポリビニ
ルアセタール樹脂の製造方法。 - 【請求項2】 相間移動触媒として第四級アンモニウム
塩または第四級ホスホニウム塩を使用する請求項1記載
のポリビニルアセタール樹脂の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24312792A JPH0693019A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ポリビニルアセタール樹脂の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24312792A JPH0693019A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ポリビニルアセタール樹脂の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693019A true JPH0693019A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=17099209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24312792A Pending JPH0693019A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ポリビニルアセタール樹脂の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151814A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Nippon Shokubai Co Ltd | 透明性耐熱樹脂の製造方法およびその用途 |
| EP1513013A3 (en) * | 2003-08-04 | 2005-05-18 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24312792A patent/JPH0693019A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151814A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Nippon Shokubai Co Ltd | 透明性耐熱樹脂の製造方法およびその用途 |
| EP1513013A3 (en) * | 2003-08-04 | 2005-05-18 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device |
| KR100711743B1 (ko) * | 2003-08-04 | 2007-04-25 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 후육화 재료, 레지스트 패턴 형성 방법, 및반도체 장치의 제조 방법 |
| US7662539B2 (en) | 2003-08-04 | 2010-02-16 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device |
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