JPH0693062B2 - Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はPLZT（透明なセラミック）の複屈折を利用し
たPLZT表示ディバイスの電極構造に係り、更に詳しくは
２次元光シャッタや平面ディスプレイにおける開口率の
向上や隣接シャッタのクロストークを軽減するPLZT表示
ディバイスの電極構造に関するものである。

［従来例］ 近年、PZTにLaを添加した透明セラミックのPLZT（PbO,L
aO,ZrO,TiO）が光シャッタやディプレイに用いられよう
としている。このPLZTを２次元光シャッタや平面ディス
プレイに用いる場合、例えば第５図および第６図に示す
電極構造が採られることになる。

これら図の斜線に示されているように、PLZT基板１の上
には、櫛型の共通電極（GND電極）２および駆動電極３
が互いの櫛間に入り込むように形成されている。なお、
第６図は上記共通電極２および駆動電極３が表面電極の
場合の例を示しているが、例えば何等かの方法で溝を形
成し、この溝に電極を埋め込んだ溝型電極も考えられ、
さらに駆動電圧の低下が望める。

すると、共通電極２と駆動電極３との間には光を透過／
遮断する開口部が設けられ、第６図の破線矢印に示され
るように、駆動電極３に信号Ｓを印加すると（電圧を印
加すると）、PLZTの基板１内に電界に生じ、この電界に
応じて光が透過／遮断制御される。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記櫛型の電極構造にあっては、駆動電圧の
低下に有効であるが、開口率が低いという問題点あり、
また溝型電極にしようとすると、例えばダイシングカッ
タ等の機械加工ではその溝を櫛型に形成することが難し
く、さらに駆動電圧を下げることが困難である。

さらに、第５図に示されているように、櫛型の駆動電極
３の一辺が共通電極２に囲まれていないため、隣接シャ
ッタとの間でクロストークが生じることもあった。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は櫛型の電極であっても、開口率の向上、駆動電圧の
低下を図ることができ、かつ、クロストークを軽減する
ことができるようにしたPLZT表示ディバイスの電極構造
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明のPLZT表示ディバ
イスの電極構造は、PLZTを用いた２次元表示ディバイス
の電極構造において、上記PLZTの基板上に櫛型の駆動電
極と、この駆動電極を囲むとともに、同駆動電極の櫛間
に入り込む電極部を有する共通電極と形成し、かつ、上
記駆動電極をバンプを介して外部に取り出すようにした
ことを要旨とする。

また、上記駆動電極を囲む共通電極を碁盤の目状に形成
し、かつ、該共通電極を溝型電極としたものである。

［作用］ 上記構成したので、上記共通電極は、駆動電極を囲むと
ともに、この駆動電極の櫛間に入り込む形になってい
る。そのため、従来の櫛型電極の組合せと比べると、シ
ャッタの開口率が大きくなり、かつ、例えば光シャッタ
アレーとした場合、隣接シャッタとの間にクロストーク
が発生しない。また、共通電極のうち、駆動電極を囲む
部分が碁盤の目状としていることから、例えばダイシン
グカッタ等の機械加工によりPLZTの基板に溝を形成し、
この溝を電極（溝型電極）として、駆動電圧をさらに下
げることが可能になる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を第１図乃至第４図に基づいて
説明する。なお、図中、第５図および第６図と同一部分
には同一符号を付し重複説明を省略する。

第１図および第２図において、PLZTの基板１の上には櫛
型の駆動電極３を囲み、かつ、駆動電極３の櫛間に入り
込む長方形の電極部４を有する共通電極（GND）５が形
成されている。すなわち、その電極部４と共通電極５と
により櫛型の電極が形作られることになる。

そして、第３図に示されているように、上記電極構造の
PLZT表示ディバイスを２次元光シャッタアレーや平面デ
ィスプレイに用いる場合、上記共通電極４は碁盤の目状
に形成され、この目内に櫛型の駆動電極３が形成され、
かつ、上記電極部４がその駆動電極３の櫛間に形成され
る。なお、上記駆動電極３および共通電極５は、従来同
様に、スパッタ法等により金属膜を成膜した後、ホトリ
ン工程によって形成すればよい。

また、上記駆動電極３が共通電極５に囲まれているた
め、例えばバンプ技術を用いてその駆動電極３をPLZTの
外部に取り出している。つまり、第２図に示されるよう
に、ガラス基板６上に、ITO透明導電膜により配線パタ
ーンを形成するとともに、例えばメッキ技術等により上
記駆動電極３と接続するバンプ７を形成する。そして、
ガラス基板６をPLZTの基板１に重ね、かつ、それらを透
明接着剤８で接着する。これにより、第１図および第３
図の二点鎖線の丸部分に示されるように、バンプ７が駆
動電極３に接続するため、駆動電極３はバンプ７および
配線パターンを介して外部に取り出される。

すると、第１図および第３図のＡに示されているよう
に、開口部を増やすことができ、シャッタの開口率が大
きくなる。また、駆動電極３が共通電極（GND）５に完
全に囲まれるため、例えばPLZT光シャッタアレーとした
場合、隣接シャッタによるクロストークが軽減する。

第４図はこの発明の変形実施例を示しており、上記共通
電極５が碁盤の目状に形成していることから、電極部４
を除いた共通電極５をダイシングカッタ等により形成し
た溝型電極９とし、また電極3,4をエッチングにより形
成した溝型電極にしている。

この場合、PLZTの基板１の上に、ダイシングカッタによ
り縦横の溝、つまり共通電極５に対応する碁盤の目の溝
を形成し、続いてエッチングにより駆動電極３およびこ
の電極に対向する共通電極４の溝を形成する。さらに、
スパッタ法等を用いて金属膜を成膜した後、ホトリソ工
程によって電極パターンを形成する。このように、上記
共通電極５を深い溝型電極９とし、例えば100μｍから3
0μｍの溝を形成し、かつ、上記駆動電極３および共通
電極４を浅い溝型電極としたので、同図の破線矢印に示
されるように、PLZTの基板１の内の電界分布が良好にな
ることから、駆動電圧をさらに低下することが可能にな
る。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のPLZT表示ディバイスの
電極構造によれば、PLZTの基板上に、櫛型の駆動電極
と、この駆動電極を囲むとともに、同駆動電極の櫛間に
入り込む電極部を有する共通電極（GND）とを形成し、
かつ、その駆動電極をパンプを介して外部に取り出すよ
うにしたので、駆動電極が完全に共通電極に囲まれるこ
とから、開口部を増やして、開口率の向上を図ることが
でき、かつ、例えば光シャッタアレーの隣接シャッタに
おけるクストロークを軽減することができる。

また、上記駆動電極を囲む共通電極を碁盤の目状にし、
かつ、この共通電極を薄型電極としたので、PLZTの基板
の電界分布がさらに良好になり、駆動電圧の低下をさら
に望めるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示すPLZT表
示ディバイスの電極構造の概略的正面図および断面図、
第３図は上記PLZT表示ディバイスを光シャッタアレーに
適用した場合の電極構造の概略的正面図、第４図はこの
発明の変形実施例を示すPLZT表示ディバイスの電極構造
の概略的断面図、第５図および第６図は従来のPLZT表示
ディバイスの電極構造を示す概略的正面図および断面図
である。 図中、１はPLZTの基板、３は駆動電極（櫛型）、４は電
極部、５は共通電極（GND）、６はガラス板（透明配線
パターン）、７はバンプ、８は透明接着剤、９は溝型電
極である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】PLZTを用いた２次元表示ディバイスの電極
   構造において、前記PLZTの基板上に櫛型の駆動電極と、
   該駆動電極を囲むとともに、同駆動電極の櫛間に入り込
   む電極部を有する共通電極と形成し、かつ、前記駆動電
   極をバンプを介して外部に取り出すようにしたことを特
   徴とするPLZT表示ディバイスの電極構造。
2. 【請求項２】前記駆動電極を囲む共通電極を碁盤の目状
   に形成し、かつ、該共通電極を溝型電極とした請求項
   （１）記載のPLZT表示ディバイスの電極構造。