JPH0693400B2 - 荷電ビ−ム装置 - Google Patents

荷電ビ−ム装置

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JPH0693400B2
JPH0693400B2 JP26871885A JP26871885A JPH0693400B2 JP H0693400 B2 JPH0693400 B2 JP H0693400B2 JP 26871885 A JP26871885 A JP 26871885A JP 26871885 A JP26871885 A JP 26871885A JP H0693400 B2 JPH0693400 B2 JP H0693400B2
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JP
Japan
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charged beam
vacuum chamber
synchrotron radiation
charged
vacuum
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JP26871885A
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忠利 山田
雅民 岩本
史朗 中村
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は荷電ビーム装置、特に、電子ビームのような
荷電ビームを加速または蓄積し、荷電ビームの偏向部か
ら発生するシンクロトロン放射光を利用するシンクロト
ロンやストレージリングにおいて、荷電ビームやシンク
ロトロン放射光を通す真空チェンバーを改良したものに
関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は例えば「エレクトロニクス」昭和57年12月号、
1249〜1261頁に掲載された従来のストレージリングの原
理図である。図において、1は荷電ビーム真空チェンバ
ー、2はシンクロトロン放射光真空チェンバー、3は荷
電ビームを偏向する偏向電磁石、4はシンクロトロン放
射光、5は荷電ビームをストレージリングに入射するビ
ーム入射用真空チェンバー、6は荷電ビームである。こ
こで、本発明に直接関係しない回路要素は図示を省略し
ている。なお、通常は偏向電磁石部3の荷電ビーム用真
空チェンバー1から数本のシンクロトロン放射光用チェ
ンバー2が少しずつ位置をずらせて出ているが、ここで
は代表例として1本のシンクロトロン放射光用真空チェ
ンバー2を示した。
第5図は偏向電磁石3の部分をもう少し詳細に示してい
る。図中、31はコイル、32はコイル止め具、33は鉄心で
ある。
次に動作について説明する。ストレージリング中に入射
された光速に近い荷電ビーム(一般に電子ビーム)6は
偏向電磁石3で曲げられ、ストレージリングの荷電ビー
ム用真空チェンバー1中を回転する。偏向電磁石3によ
って荷電ビーム6が曲げられた時、その接線方向にシン
クロトロン放射光4が発生する。この光は軟X線から可
視光までのスペクトクルを持っており、すぐれた光源に
なる。
第6図は、シンクロトロン放射光を取り出すための、荷
電ビーム用真空チェンバー1とシンクロトロン放射光用
真空チェンバー2の接合部を示したもので、第6図
(a)は斜視図、第6図(b)は部分切開斜視図であ
る。図中21は接合用の耐真空溶接部であり、2種の真空
チェンバー1,2は互いに接するように接合されている。
第7図は、シンクロトロン放射光4の発生を模式的に示
した、荷電ビーム用真空チェンバー1とシンクロトロン
放射光用チェンバー2の接合部の断面平面図(ストレー
ジリングを上方から見たものである。図中60は荷電ビー
ム6の中心軌道を示している。シンクロトロン放射光4
は中心軌道60の接線方向に連続的に発生している。
ところで、シンクロトロン放射光4の強度は荷電ビーム
電流(ストレージリング中の荷電ビームの量に対応す
る)に比例する。荷電ビーム電流を大にするためには、
荷電ビーム用真空チェンバーの真空度を極めて高くする
必要がある。代表的な真空度は10-9〜10-10Torrであ
る。又、荷電ビームの存在時間を長くするためにも同様
な超高真空が必要である。真空度が低いと真空チェンバ
ー内のガス分子やイオンに荷電ビームが衝突し、荷電ビ
ーム電流が減衰する。この結果、荷電ビーム電流を大に
できず、存在時間も長くできない。即ち、高強度のシン
クロトロン放射光を長時間発生させることはできない。
真空度を悪くする原因は、荷電ビーム用真空チェンバー
1やシンクロトロン放射光用真空チェンバー2の内壁か
ら放出されるガスである。この放出ガスは、チェンバー
1,2の内壁にシンクロトロン放射光が照射され(第7図
参照)、光電子が出、それによって2次電子が放出さ
れ、更にこの2次電子が壁に吸着されたガスを離脱させ
るために発生する。特に、荷電ビーム用真空チェンバー
1とシンクロトロン放射光用真空チェンバー2が接合さ
れた箇所で、両チェンバーが互いに鋭角に接合されてい
る部分はチェンバー壁の表面積が増えている。その結
果、この部分では、チェンバー壁からの放出ガスが多く
なっている。その結果、荷電ビーム電流値を小さくした
り、荷電ビーム存在時間を短かくするという悪影響が出
ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のストレージリングは以上のように構成されている
ので、荷電ビーム用真空チェンバーとシンクロトロン放
射光用真空チェンバーとの接合部において、チェンバー
内壁からの放出ガスが多く、これが、荷電ビーム電流値
を小さくしたり、荷電ビーム存在時間を短かくしたりす
るという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、荷電ビーム用真空チェンバーとシンクロトロ
ン放射光用真空チェンバーとの接合部におけるチェンバ
ー内壁からの放出ガスを減らし、荷電ビーム電流値を大
にし、荷電ビーム存在時間を長くできる荷電ビーム装置
を得ることを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる荷電ビーム装置は、荷電ビーム用真空
チェンバーと、これに接合されるシンクロトロン放射光
用真空チェンバーとを有する荷電ビーム装置において、
上記両真空チェンバーの長手方向の成す角度が鋭角をな
す部分に、その凸面状の内壁面が上記両チェンバーの内
壁面につながるように、その断面形状が円弧状の板状部
材からなる補助部材を設けたものである。
更に、この発明にかかる荷電ビーム装置は、荷電ビーム
用真空チェンバーと、これに接合されるシンクロトロン
放射光用真空チェンバーとを有する荷電ビーム装置にお
いて、上記両真空チェンバーの長手方向の成す角度が鋭
角をなす部分に、その内壁面が上記両チェンバーの内壁
面と鈍角をなすように平板状の補助部材を設けたもので
ある。
〔作用〕
この発明においては、上記構成としたことにより、荷電
ビーム用真空チェンバーとシンクロトロン放射光用真空
チェンバーの接合部における内壁面の表面積を減少させ
ることができ、その結果、シンクロトロン放射光照射に
よる内壁表面からの放出ガスが少なくなり、荷電ビーム
電流値が大となり、又荷電ビームの存在時間も長くな
り、高強度のシンクロトロン放射光を長時間にわたり取
り出すことができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図(a)は本発明の一実施例によるストレージリングの
荷電ビーム用真空チェンバー1とシンクロトロン放射光
用真空チェンバー2との接合部を示す斜視図、第1図
(b)は同部の部分切開斜視図である。図中、22は荷電
ビーム用真空チェンバーとシンクロトロン放射光用真空
チェンバー2との間に両チェンバーに接合して設けられ
たその断面形状が円弧状の板状部材からなる補助部材で
ある。ここで、その断面形状が円弧状の板状部材からな
る補助部材22は、その凸面状の壁面が上記両チェンバー
1,2の内壁面につながるよう設けられており、このた
め、第6図と比較してわかるように、荷電ビーム用真空
チェンバー1とシンクロトロン放射光用真空チェンバー
2とが互いに鋭角に接合される部分が無くなっている。
第2図はシンクロトロン放射光の発生を模式的に示し
た、荷電ビーム用真空チェンバー1とシンクロトロン放
射光用真空チェンバー2の接合部における断面平面図で
ある。補助部材22の採用によって、両真空チェンバーが
接合された部分のチェンバー壁の表面積は、明らかに従
来のもの(第7図参照)に比べて減少している。この結
果、放射光の真空チェンバー内壁への照射による放出ガ
ス量が減少する。このため、荷電ビーム電流値が大にな
るとともに、荷電ビームの存在時間が長くなる。その結
果として、強力なシンクロトロン放射光を長時間安定に
得ることができる。
また、シンクロトロン放射光の照射による真空チェンバ
ーの温度上昇を防ぐために、真空チェンバー、特に、主
としてシンクロトロン放射光が多く照射される荷電ビー
ム用真空チェンバーの外周(第2図参照)を一般に水等
の冷媒で冷却することが行なわれているが、このような
冷却パイプを設置する場合、この補助部材22の設置によ
って、この冷却パイプを取り付けることがより容易とな
っている。
第3図は本発明の他の実施例を示す。本実施例において
は、荷電ビーム用真空チェンバー1とシンクロトロン放
射光用真空チェンバー2の接合部に平板状の補助部材22
が、その内壁面が上記両チェンバー1,2の内壁面と鈍角
をなすように設けられている。このような本実施例にお
いても、前述の実施例と同様の作用,効果を得ることが
できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、荷電ビーム用真空チ
ェンバーとシンクロトロン放射光用真空チェンバーと
の,これら両者の長手方向の成す角度が鋭角をなして接
合する接合部に、この接合部の内壁の表面積を減少させ
る補助部材を設け、シンクロトロン放射光がチェンバー
内壁に照射されたときに発生する放出ガスを減らすよう
にしたため、チェンバー内の真空度が向上し、荷電ビー
ム電流値が増加するとともに、荷電ビーム存在時間が長
くなり、その結果、強力なシンクロトロン放射光を長時
間安定に得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による荷電ビーム装置の荷
電ビーム用真空チェンバーとシンクロトロン放射光用真
空チェンバーの接合部の斜視図、第2図は同部分の断面
平面図、第3図はこの発明の他の実施例の斜視図、第4
図は一般のストレージリングの原理図、第5図は上記ス
トレージリング内の偏向電磁石部の斜視図、第6図は従
来の荷電ビーム用真空チェンバーとシンクロトロン放射
光用真空チェンバーの接合部の斜視図、第7図は同部の
断面平面図である。 1は荷電ビーム用真空チェンバー、2はシンクロトロン
放射光用真空チェンバー、21は両真空チェンバーの接合
部、22は補助部材である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】荷電ビーム用真空チェンバーと、これに接
    合されるシンクロトロン放射光用真空チェンバーとを有
    する荷電ビーム装置において、 上記両真空チェンバーの長手方向の成す角度が鋭角をな
    す部分に、その凸面状の内壁面が上記両チェンバーの内
    壁面につながるように、その断面形状が円弧状の板状部
    材からなる補助部材が設けられていることを特徴とする
    荷電ビーム装置。
  2. 【請求項2】荷電ビーム用真空チェンバーと、これに接
    合されるシンクロトロン放射光用真空チェンバーとを有
    する荷電ビーム装置において、 上記両真空チェンバーの長手方向の成す角度が鋭角をな
    す部分に、その内壁面が上記両チェンバーの内壁面と鈍
    角をなすように平板状の補助部材が設けられていること
    を特徴とする荷電ビーム装置。
JP26871885A 1985-11-28 1985-11-28 荷電ビ−ム装置 Expired - Lifetime JPH0693400B2 (ja)

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JPS62128499A JPS62128499A (ja) 1987-06-10
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JPH04112499A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Mitsubishi Electric Corp Sor装置用真空槽

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