JPS62200699A - 荷電粒子装置 - Google Patents
荷電粒子装置Info
- Publication number
- JPS62200699A JPS62200699A JP4383786A JP4383786A JPS62200699A JP S62200699 A JPS62200699 A JP S62200699A JP 4383786 A JP4383786 A JP 4383786A JP 4383786 A JP4383786 A JP 4383786A JP S62200699 A JPS62200699 A JP S62200699A
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- JP
- Japan
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- beam line
- synchrotron radiation
- charged particle
- entrance
- charged particles
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、荷電粒子装置に関するものであり、更に詳
しく言うと、電子ビームのような荷電粒子から成るビー
ムを加速したり、あるいは蓄積して、偏向部から発生す
る放射光を利用する荷電粒子装置に関するものである。
しく言うと、電子ビームのような荷電粒子から成るビー
ムを加速したり、あるいは蓄積して、偏向部から発生す
る放射光を利用する荷電粒子装置に関するものである。
第４図は従来の荷電粒子装置の一例を示す平面図である
。１は荷電粒子を蓄積する蓄積リングである。２は荷電
粒子を蓄積リング１に導くための入射部ビームラインで
ある。３は荷電粒子を偏向して平衡軌道４を形成するた
めの偏向電磁石である。５は荷電粒子を偏向する際に発
生する放射光（シンクロトロン放射光（Ｓ ＯＲ； ５
ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎｏｒｂｉｔａｌ ｒａｄｉａｔｉ
ｏｎ ）とも呼ばれる）を外部に取り出してリソグラフ
ィなどに利用するための放射光ビームラインである。６
は荷電粒子を集束させる四極電磁石である。７は荷電粒
子の通路である真空ドーナッツである。８ば放射光を放
射することによる荷電粒子のエネルギ損失を補ない所定
のエネルギに加速するための高周波空洞である。９は荷
電粒子を入射部ビームライン２から真空ドーナツラフ内
に入射させるためにビームをパルス的に偏向させるセプ
タムマグネットである。
。１は荷電粒子を蓄積する蓄積リングである。２は荷電
粒子を蓄積リング１に導くための入射部ビームラインで
ある。３は荷電粒子を偏向して平衡軌道４を形成するた
めの偏向電磁石である。５は荷電粒子を偏向する際に発
生する放射光（シンクロトロン放射光（Ｓ ＯＲ； ５
ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎｏｒｂｉｔａｌ ｒａｄｉａｔｉ
ｏｎ ）とも呼ばれる）を外部に取り出してリソグラフ
ィなどに利用するための放射光ビームラインである。６
は荷電粒子を集束させる四極電磁石である。７は荷電粒
子の通路である真空ドーナッツである。８ば放射光を放
射することによる荷電粒子のエネルギ損失を補ない所定
のエネルギに加速するための高周波空洞である。９は荷
電粒子を入射部ビームライン２から真空ドーナツラフ内
に入射させるためにビームをパルス的に偏向させるセプ
タムマグネットである。
次に動作について説明する。
入射部ビームライン２から入射された荷電粒子は、セプ
タムマグネット９によりパルス的に偏向されて真空ドー
ナツラフ内に入射される。その後荷電粒子は、過渡的な
軌道（バンプ軌道という）を経たのち偏向電磁石３と四
極電磁石６との配置により定まった平衡軌道４に入り、
この軌道に沿って長時間回転し続ける。通常入射部ビー
ムライン２と真空ドーナツツ７とは同一平面内となる配
置をとる。たとえば、入射部ビームライン２内の荷電粒
子が水平方向に進行して入射される場合には、セプタム
マグネット９によって荷電粒子は水平方向の偏向を受け
、最終的に、水平な平衡軌道４に沿って回転する。平衡
軌道４に沿って回転する荷電粒子が偏向電磁石３の磁界
により偏向を受ける際に、制動放射により電磁波を軌道
接線方向に水平に放射する。これが放射光である。放射
光は偏向電磁石３中の荷電粒子の軌道上の任意の位置か
ら得ることができるので、通常、放射光ビームライン５
は多数段けられ、装置の利用効率を高めている。
タムマグネット９によりパルス的に偏向されて真空ドー
ナツラフ内に入射される。その後荷電粒子は、過渡的な
軌道（バンプ軌道という）を経たのち偏向電磁石３と四
極電磁石６との配置により定まった平衡軌道４に入り、
この軌道に沿って長時間回転し続ける。通常入射部ビー
ムライン２と真空ドーナツツ７とは同一平面内となる配
置をとる。たとえば、入射部ビームライン２内の荷電粒
子が水平方向に進行して入射される場合には、セプタム
マグネット９によって荷電粒子は水平方向の偏向を受け
、最終的に、水平な平衡軌道４に沿って回転する。平衡
軌道４に沿って回転する荷電粒子が偏向電磁石３の磁界
により偏向を受ける際に、制動放射により電磁波を軌道
接線方向に水平に放射する。これが放射光である。放射
光は偏向電磁石３中の荷電粒子の軌道上の任意の位置か
ら得ることができるので、通常、放射光ビームライン５
は多数段けられ、装置の利用効率を高めている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の荷電粒子装置は以上のように構成されているので
、入射部ビームラインと交わる配置となる放射光ビーム
ラインが存在することとなる。これら２種のビームライ
ンが交わると予想される位置については入射部ビームラ
インが放射光をさえぎるため放射光ビームラインが設置
できなかった。
、入射部ビームラインと交わる配置となる放射光ビーム
ラインが存在することとなる。これら２種のビームライ
ンが交わると予想される位置については入射部ビームラ
インが放射光をさえぎるため放射光ビームラインが設置
できなかった。
そのために、放射光の利用効率を著しく低下させてしま
うという問題点があった。
うという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、入射部ビームラインと放射光ビームラインと
が交差した場合にも放射光を利用でき、放射光の利用効
率を飛曜的に高めることのできる荷電粒子装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、入射部ビームラインと放射光ビームラインと
が交差した場合にも放射光を利用でき、放射光の利用効
率を飛曜的に高めることのできる荷電粒子装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る荷電粒子装置は、入射部ビームラインと
、このビームラインと交差すると予想される放射光ビー
ムラインとを、互いに交差した状態で設置し、両ビーム
ラインを形成するダクトの側壁に孔をあけて、両ビーム
ラインを同一真空系として接続したものである。
、このビームラインと交差すると予想される放射光ビー
ムラインとを、互いに交差した状態で設置し、両ビーム
ラインを形成するダクトの側壁に孔をあけて、両ビーム
ラインを同一真空系として接続したものである。
この発明においては、入射部ビームラインと放射光ビー
ムラインとが交差している場合にも従来例の両ビームラ
インが交差してい雇い場合と同様に、荷電粒子がＮ桓す
ングに入射され、その後、放射光が全くさえぎられるこ
となく放射される。
ムラインとが交差している場合にも従来例の両ビームラ
インが交差してい雇い場合と同様に、荷電粒子がＮ桓す
ングに入射され、その後、放射光が全くさえぎられるこ
となく放射される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、５ａは入射部ビームライン２と交差する放
射光ビームライン、２ｏは入射部ビームライン２と放射
光ビームライン５ａとの両ビームラインの交差部である
。交差部２ｏは爆接など耐真空性のある方法で接続固定
しである。
図において、５ａは入射部ビームライン２と交差する放
射光ビームライン、２ｏは入射部ビームライン２と放射
光ビームライン５ａとの両ビームラインの交差部である
。交差部２ｏは爆接など耐真空性のある方法で接続固定
しである。
第２図と第３図は各々交差部２ｏの斜視図、断面斜視図
である。２１はカプトン膜であり、真空度の異なる部分
の真空しゃへい壁として用いている。
である。２１はカプトン膜であり、真空度の異なる部分
の真空しゃへい壁として用いている。
荷電粒子が入射部ビームライン２がら真空ドーナッツ７
ヘセプタムマグネット９によりパルス的に入射される。
ヘセプタムマグネット９によりパルス的に入射される。
真空ドーナッツ７への入射が完了すると、荷電粒子は入
射ビームライン２の中には存在しない。入射された荷電
粒子が平衡軌道４を何度も回転しながら、偏向電磁石３
中で放射光４０を発生し、この放射光４０がビームライ
ン５゜５ａによって、外部にとり出される。入射部ビー
ムライン２と交差する放射光ビームライン５ａの交差部
２０においては、パルス的に入射された荷電粒子は急激
に減少してゆくので、放射光はごく短時間を経過した後
には、入射部ビームラインと交差しない放射光ビームラ
イン５中の放射光と全く同等の特性をもつようになる。
射ビームライン２の中には存在しない。入射された荷電
粒子が平衡軌道４を何度も回転しながら、偏向電磁石３
中で放射光４０を発生し、この放射光４０がビームライ
ン５゜５ａによって、外部にとり出される。入射部ビー
ムライン２と交差する放射光ビームライン５ａの交差部
２０においては、パルス的に入射された荷電粒子は急激
に減少してゆくので、放射光はごく短時間を経過した後
には、入射部ビームラインと交差しない放射光ビームラ
イン５中の放射光と全く同等の特性をもつようになる。
交差部２０の真空度はカプトン膜２１により真空ドーナ
ッツ２と同一の超高真空に保たれている。
ッツ２と同一の超高真空に保たれている。
なお、上記実施例では１つの蓄積リングにおいて入射部
ビームラインと放射光ビームラインとを交差させる配置
としたが、ある蓄積リングの入射部ビームラインと、他
の蓄積リングの放射光ビームラインとを交差させてもよ
い。
ビームラインと放射光ビームラインとを交差させる配置
としたが、ある蓄積リングの入射部ビームラインと、他
の蓄積リングの放射光ビームラインとを交差させてもよ
い。
また、入射部ビームライン同士あるいは、放射光ビーム
ライン同士を交差させる配置としてもよい。
ライン同士を交差させる配置としてもよい。
以上のように、この発明によれば、入射部ビームライン
と放射光ビームラインとを交差させ同−真空系になる構
成としたので、１台の蓄積リングに多数本の放射光ビー
ムラインを設置することができ、新たなマグネットを設
置する等装置を複雑化することなく、放射光の利用効率
を著しく高めることができる効果がある。
と放射光ビームラインとを交差させ同−真空系になる構
成としたので、１台の蓄積リングに多数本の放射光ビー
ムラインを設置することができ、新たなマグネットを設
置する等装置を複雑化することなく、放射光の利用効率
を著しく高めることができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による荷電粒子装置を示す
平面図、第２図および第３図は上記実施例分骨便のビー
ムライン交差部を示す斜視図、第４図は従来の荷電粒子
装置を示す平面図である。 ２は入射部ビームライン、５ａは交差する放射光ビーム
ラインである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
平面図、第２図および第３図は上記実施例分骨便のビー
ムライン交差部を示す斜視図、第４図は従来の荷電粒子
装置を示す平面図である。 ２は入射部ビームライン、５ａは交差する放射光ビーム
ラインである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）入射部ビームラインと、 この入射部ビームラインから入射される荷電粒子を蓄積
する蓄積リングと、 この蓄積リングから発生する放射光をとり出す放射光ビ
ームラインとを備えた荷電粒子装置において、 上記入射部ビームラインと放射光ビームラインとを交差
させて同一の真空系にしたことを特徴とする荷電粒子装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4383786A JPS62200699A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 荷電粒子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4383786A JPS62200699A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 荷電粒子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200699A true JPS62200699A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12674857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4383786A Pending JPS62200699A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 荷電粒子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62200699A (ja) |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP4383786A patent/JPS62200699A/ja active Pending
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