JPH0693442B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0693442B2 JPH0693442B2 JP62215603A JP21560387A JPH0693442B2 JP H0693442 B2 JPH0693442 B2 JP H0693442B2 JP 62215603 A JP62215603 A JP 62215603A JP 21560387 A JP21560387 A JP 21560387A JP H0693442 B2 JPH0693442 B2 JP H0693442B2
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にコンタクト
部の形成方法に関する。
部の形成方法に関する。
第３図は従来技術によって形成されたコンタクト部の断
面図を示すもので、Ｎ型拡散層２上の積層層間絶縁膜を
選択的に開口し、スパッタ法を用いてアルミ配線５を被
着させたものである。ここで、１はＰ型シリコン基板、
３および４は下層および上層の層間絶縁膜をそれぞれ示
す。
面図を示すもので、Ｎ型拡散層２上の積層層間絶縁膜を
選択的に開口し、スパッタ法を用いてアルミ配線５を被
着させたものである。ここで、１はＰ型シリコン基板、
３および４は下層および上層の層間絶縁膜をそれぞれ示
す。
一般に層間絶縁膜に対するコンタクト孔の開口は、フォ
トレジスト膜をマスクとする選択的写真食刻法または異
方性ドライエッチング法で行なわれるが、開口がすすみ
コンタクト孔底部の基板面がむき出しとなると、その後
の工程でこのむき出しとなった基板面には自然酸化膜が
被着するようになる。従って、アルミ配線５をスパッタ
形成する前には必ずこの自然酸化膜を除去するエッチン
グ作業を行わねばならない。しかし、この自然酸化膜は
コンタクト孔の底部に存在するので、この除去作業の進
行と共に層間絶縁膜の側壁面も同時にエッチングされ
る。従って、下層絶縁膜３にエッチング・レートの高い
材質が、また、上層の層間絶縁膜14にエッチング・レー
トの低い材質が使用された場合には、開口されるコンタ
クト孔の側壁は第３図に示す如くオーバー・ハングとな
り、アルミ配線５の被覆性が著しく害される。
トレジスト膜をマスクとする選択的写真食刻法または異
方性ドライエッチング法で行なわれるが、開口がすすみ
コンタクト孔底部の基板面がむき出しとなると、その後
の工程でこのむき出しとなった基板面には自然酸化膜が
被着するようになる。従って、アルミ配線５をスパッタ
形成する前には必ずこの自然酸化膜を除去するエッチン
グ作業を行わねばならない。しかし、この自然酸化膜は
コンタクト孔の底部に存在するので、この除去作業の進
行と共に層間絶縁膜の側壁面も同時にエッチングされ
る。従って、下層絶縁膜３にエッチング・レートの高い
材質が、また、上層の層間絶縁膜14にエッチング・レー
トの低い材質が使用された場合には、開口されるコンタ
クト孔の側壁は第３図に示す如くオーバー・ハングとな
り、アルミ配線５の被覆性が著しく害される。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、開口部側壁にオー
バー・ハングを生じることなきコンタクト部形成手段を
備えた半導体装置の製造方法を提供することである。
バー・ハングを生じることなきコンタクト部形成手段を
備えた半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の特徴は、半導体基板の拡散層上もしくは半導体
基板上の配線膜上に被着形成された第１の絶縁膜と前記
第１の絶縁膜上に被着形成された第２の絶縁膜とを有す
る多層層間絶縁膜を選択的にエッチング除去して前記拡
散層もしくは前記配線膜の表面の所定部を露出させるコ
ンタクト孔を形成する工程と、多結晶シリコン、アルミ
ナ、シリコン窒化膜、高融点金属および高融点金属のシ
リサイドから選ばれた材質の保護膜を前記多層層間絶縁
膜上から前記コンタクト孔内に形成し、異方性エッチン
グを行って前記コンタクト孔の側壁のみに前記保護膜を
残余せしめこれにより前記コンタクト孔内に露出する前
記第１および第２の絶縁膜の側壁を前記保護膜で被覆す
る工程と、しかる後、前記コンタクト孔底部の前記半導
体基板の拡散層もしくは半導体基板上の配線膜の表面の
所定部上に発生した自然酸化膜をフッ化水素系のエッチ
ング液により除去する工程と有するを半導体装置の製造
方法にある。
基板上の配線膜上に被着形成された第１の絶縁膜と前記
第１の絶縁膜上に被着形成された第２の絶縁膜とを有す
る多層層間絶縁膜を選択的にエッチング除去して前記拡
散層もしくは前記配線膜の表面の所定部を露出させるコ
ンタクト孔を形成する工程と、多結晶シリコン、アルミ
ナ、シリコン窒化膜、高融点金属および高融点金属のシ
リサイドから選ばれた材質の保護膜を前記多層層間絶縁
膜上から前記コンタクト孔内に形成し、異方性エッチン
グを行って前記コンタクト孔の側壁のみに前記保護膜を
残余せしめこれにより前記コンタクト孔内に露出する前
記第１および第２の絶縁膜の側壁を前記保護膜で被覆す
る工程と、しかる後、前記コンタクト孔底部の前記半導
体基板の拡散層もしくは半導体基板上の配線膜の表面の
所定部上に発生した自然酸化膜をフッ化水素系のエッチ
ング液により除去する工程と有するを半導体装置の製造
方法にある。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示す工程図
である。本実施例によれば、一主面にＮ型拡散層２を選
択的に形成し、更にその上面に下層および上層の層間絶
縁膜３および４をそれぞれ4000Åおよび7000Åの膜厚に
積層した不純物濃度１×1015cm−３のＰ型シリコン基板
１がまず準備される。このＮ型拡散層２の形成には例え
ば砒素（As）のイオン注入法〔加速電圧（Ｅ）70KeV,ド
ーズ量（φ）５×1015cm−２〕が使用される。ここで、
下層および上層の層間絶縁膜３および４を通常の写真食
刻法によるパターニングとプラズマエッチング法とによ
って開口し、Ｎ型拡散層２上にコンタクト孔６を形成し
た後、この孔内を含む基板全面に多結晶シリコン膜８を
膜厚1000Å程度成長せしめる。〔（第１図（ａ）参
照〕。ここで、７は既に説明した理由によって形成され
た自然酸化膜である。ついで異方性プラズマエッチング
法を用いて多結晶シリコン膜８をエッチバックしコンタ
クト孔６の側壁面のみに多結晶シリコン膜８を残す。
〔第１図（ｂ）参照〕。つぎにアルミ配線材をスパッタ
する前に自然酸化膜７に対する除去工程を行う。この際
コンタクト孔側壁の多結晶シリコン膜８はエッチングさ
れないので、下層の層間絶縁膜３にエッチング・レート
の高い材質が用いられた場合でも従来の如きオーバー・
ハングは形成されない〔第１図（ｃ）参照〕。
である。本実施例によれば、一主面にＮ型拡散層２を選
択的に形成し、更にその上面に下層および上層の層間絶
縁膜３および４をそれぞれ4000Åおよび7000Åの膜厚に
積層した不純物濃度１×1015cm−３のＰ型シリコン基板
１がまず準備される。このＮ型拡散層２の形成には例え
ば砒素（As）のイオン注入法〔加速電圧（Ｅ）70KeV,ド
ーズ量（φ）５×1015cm−２〕が使用される。ここで、
下層および上層の層間絶縁膜３および４を通常の写真食
刻法によるパターニングとプラズマエッチング法とによ
って開口し、Ｎ型拡散層２上にコンタクト孔６を形成し
た後、この孔内を含む基板全面に多結晶シリコン膜８を
膜厚1000Å程度成長せしめる。〔（第１図（ａ）参
照〕。ここで、７は既に説明した理由によって形成され
た自然酸化膜である。ついで異方性プラズマエッチング
法を用いて多結晶シリコン膜８をエッチバックしコンタ
クト孔６の側壁面のみに多結晶シリコン膜８を残す。
〔第１図（ｂ）参照〕。つぎにアルミ配線材をスパッタ
する前に自然酸化膜７に対する除去工程を行う。この際
コンタクト孔側壁の多結晶シリコン膜８はエッチングさ
れないので、下層の層間絶縁膜３にエッチング・レート
の高い材質が用いられた場合でも従来の如きオーバー・
ハングは形成されない〔第１図（ｃ）参照〕。
以上はコンタクト孔側壁面を被覆する材料として多結晶
シリコンを用いた場合を説明したが、自然酸化膜７の除
去工程で使用するフッ化水素系のエッチング液によって
エッチングされない材料であれば何れの半導体材料でも
用いることができる。これらの材料のなかには、アルミ
ナ，窒化シリコン膜，高融点金属および高融点金属シリ
サイド等が含まれる。
シリコンを用いた場合を説明したが、自然酸化膜７の除
去工程で使用するフッ化水素系のエッチング液によって
エッチングされない材料であれば何れの半導体材料でも
用いることができる。これらの材料のなかには、アルミ
ナ，窒化シリコン膜，高融点金属および高融点金属シリ
サイド等が含まれる。
第２図は本発明の他の実施例によって製造されたコンタ
クト部の断面図を示す。本実施例によれば、コンタクト
孔６はフィールド絶縁膜９上に形成されたＮ形多結晶シ
リコン層10上に開口される。この多結晶シリコン層10は
一般に配線として用いられるものであるが、このように
コンタクト孔を多結晶シリコン配線上に設ける場合にお
いても前実施例と同様の効果を得ることができる。
クト部の断面図を示す。本実施例によれば、コンタクト
孔６はフィールド絶縁膜９上に形成されたＮ形多結晶シ
リコン層10上に開口される。この多結晶シリコン層10は
一般に配線として用いられるものであるが、このように
コンタクト孔を多結晶シリコン配線上に設ける場合にお
いても前実施例と同様の効果を得ることができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、コンタク
ト孔側壁にフッ化水素系のエッチング液ではエッチング
されない膜を被着してからコンタクト孔底部の自然酸化
膜を除去するので、自然酸化膜除去工程におけるコンタ
クト孔側壁の層間膜の同時エッチングは防止される。従
って、コンタクト孔の側壁にオーバーハングを発生せし
めることがないので、金属配線の被覆性がきわめて良好
なコンタクト部を容易に形成することができる。
ト孔側壁にフッ化水素系のエッチング液ではエッチング
されない膜を被着してからコンタクト孔底部の自然酸化
膜を除去するので、自然酸化膜除去工程におけるコンタ
クト孔側壁の層間膜の同時エッチングは防止される。従
って、コンタクト孔の側壁にオーバーハングを発生せし
めることがないので、金属配線の被覆性がきわめて良好
なコンタクト部を容易に形成することができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示す工程
図、第２図は本発明の他の実施例によって製造されたコ
ンタクト部の断面図、第３図は従来技術によって形成さ
れたコンタクト部の断面図である。 １……Ｐ型シリコ基板、２……Ｎ型拡散層、３および４
……下層および上層の層間絶縁膜、５……アルミ配線、
６……コンタクト孔、７……自然酸化膜、８……多結晶
シリコン膜、９……フィールド絶縁膜、10……Ｎ型多結
晶シリコン膜。
図、第２図は本発明の他の実施例によって製造されたコ
ンタクト部の断面図、第３図は従来技術によって形成さ
れたコンタクト部の断面図である。 １……Ｐ型シリコ基板、２……Ｎ型拡散層、３および４
……下層および上層の層間絶縁膜、５……アルミ配線、
６……コンタクト孔、７……自然酸化膜、８……多結晶
シリコン膜、９……フィールド絶縁膜、10……Ｎ型多結
晶シリコン膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の拡散層上もしくは半導体基板
上の配線膜上に被着形成された第１の絶縁膜と前記第１
の絶縁膜上に被着形成された第２の絶縁膜とを有する多
層層間絶縁膜を選択的にエッチング除去して前記拡散層
もしくは前記配線膜の表面の所定部を露出させるコンタ
クト孔を形成する工程と、 多結晶シリコン、アルミナ、シリコン窒化膜、高融点金
属および高融点金属のシリサイドから選ばれた材質の保
護膜を前記多層層間絶縁膜上から前記コンタクト孔内に
形成し、異方性エッチングを行って前記コンタクト孔の
側壁のみに前記保護膜を残余せしめこれにより前記コン
タクト孔内に露出する前記第１および第２の絶縁膜の側
壁を前記保護膜で被覆する工程と、 しかる後、前記コンタクト孔底部の前記半導体基板の拡
散層もしくは半導体基板上の配線膜の表面の所定部上に
発生した自然酸化膜をフッ化水素系のエッチング液によ
り除去する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62215603A JPH0693442B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62215603A JPH0693442B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6457717A JPS6457717A (en) | 1989-03-06 |
| JPH0693442B2 true JPH0693442B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=16675164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62215603A Expired - Lifetime JPH0693442B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693442B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7618549B2 (en) | 2005-10-26 | 2009-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming patterns and method of manufacturing magnetic recording media |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03173126A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 多層膜構造の半導体装置およびその製造方法 |
| US5105857A (en) * | 1990-10-31 | 1992-04-21 | Microtek Industries, Inc. | System for forming leads for surface mounted components |
| US5487416A (en) * | 1991-12-11 | 1996-01-30 | Precision Technologies, Inc. | Lead conditioning system for semiconductor devices |
| JPH0677373A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Y K C:Kk | 半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイ |
| JP2771431B2 (ja) * | 1993-09-07 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | リード成形装置 |
| KR20220113200A (ko) * | 2021-02-05 | 2022-08-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50103282A (ja) * | 1974-01-11 | 1975-08-15 | ||
| JPS60175415A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Toshiba Mach Co Ltd | 縦形気相成長装置 |
| JPS61161720A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62290127A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-08-28 JP JP62215603A patent/JPH0693442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7618549B2 (en) | 2005-10-26 | 2009-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming patterns and method of manufacturing magnetic recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6457717A (en) | 1989-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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