JPH0695370B2 - 薄膜磁気ヘッドのパターン形成法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのパターン形成法Info
- Publication number
- JPH0695370B2 JPH0695370B2 JP59044717A JP4471784A JPH0695370B2 JP H0695370 B2 JPH0695370 B2 JP H0695370B2 JP 59044717 A JP59044717 A JP 59044717A JP 4471784 A JP4471784 A JP 4471784A JP H0695370 B2 JPH0695370 B2 JP H0695370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- magnetic head
- polyimide
- positive photoresist
- thin film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ 本発明は薄膜磁気ヘツドのパターン形成法に係り、特に
多層スパラルヘツドのパターン形成を容易に形成するの
に好適な薄膜磁気ヘツドのパターン形成法に関する。
多層スパラルヘツドのパターン形成を容易に形成するの
に好適な薄膜磁気ヘツドのパターン形成法に関する。
［背景技術］ 従来、記録用電磁誘導型ヘツドは、ヘリカル構造が採用
され、ヨーク下部のコイルは平担に形成されている。し
かしながら、近年、トラツク密度の向上と記録効率の向
上のため第１図に示すような多層スパイラル構造の薄膜
磁気ヘツドが採用され始めている。第１図において、帯
状のバイアス導体１上にポリアミド系樹脂からなる絶縁
層２を介して信号導体３が積層され、次いでパーマロイ
等の上部ヨーク４と保護層５が形成されている。この薄
膜磁気ヘツドでは信号導体３からなるスパイラル巻線部
の凹凸状の形状に対応して上部ヨーク４も凹凸状となっ
ており、このため磁束漏れが生じ、記録又は再生の効率
を低下させる原因となっている。
され、ヨーク下部のコイルは平担に形成されている。し
かしながら、近年、トラツク密度の向上と記録効率の向
上のため第１図に示すような多層スパイラル構造の薄膜
磁気ヘツドが採用され始めている。第１図において、帯
状のバイアス導体１上にポリアミド系樹脂からなる絶縁
層２を介して信号導体３が積層され、次いでパーマロイ
等の上部ヨーク４と保護層５が形成されている。この薄
膜磁気ヘツドでは信号導体３からなるスパイラル巻線部
の凹凸状の形状に対応して上部ヨーク４も凹凸状となっ
ており、このため磁束漏れが生じ、記録又は再生の効率
を低下させる原因となっている。
そこで第２図に示すようなスパイラル巻線部を平担化し
た薄膜磁気ヘツドとすることが要求されている。従来、
薄膜磁気ヘツドの巻線部を平担化する方法として各層の
信号導体の間に介在する絶縁層に予めフオトレジスト、
ポリイミド等を用いて有機塗布膜によるパターンを形成
する方法が知られている。
た薄膜磁気ヘツドとすることが要求されている。従来、
薄膜磁気ヘツドの巻線部を平担化する方法として各層の
信号導体の間に介在する絶縁層に予めフオトレジスト、
ポリイミド等を用いて有機塗布膜によるパターンを形成
する方法が知られている。
この方法は、第３図に示すように基板11面にポリイミド
膜12を形成し、このポリイミド膜12面にネガ型フオレジ
スト膜13を形成した後、マスク14を当接させ露光する。
次いでフオトレジスト現像により未露光部分に相当する
フオレジスト膜を除去した後、ヒドラジン系の溶剤によ
りポリイミドエツチングを行い、フオトレジスト剥離剤
を用いてフオトレジストを剥離させ、熱処理によってポ
リイミドを熱硬化させている。
膜12を形成し、このポリイミド膜12面にネガ型フオレジ
スト膜13を形成した後、マスク14を当接させ露光する。
次いでフオトレジスト現像により未露光部分に相当する
フオレジスト膜を除去した後、ヒドラジン系の溶剤によ
りポリイミドエツチングを行い、フオトレジスト剥離剤
を用いてフオトレジストを剥離させ、熱処理によってポ
リイミドを熱硬化させている。
しかしながら、第３図に示すプロセスでは薄膜磁気ヘツ
ドのパターン形成工程が多く複雑であるばかりでなく、
ポリイミドエツチング工程において、極めて毒性が強く
強アルカリの危険性の高いヒドラジン系の溶剤を用いて
いるので作業上安全性に欠け、廃液処理にも十分な配慮
が必要となる。またヒドラジン系の溶剤を使用しないネ
ガ型フオトレジストでは解像力がやや劣り、更にピンホ
ールが発生しやすい欠点があるため、形成されるパター
ンの質が十分ではない。
ドのパターン形成工程が多く複雑であるばかりでなく、
ポリイミドエツチング工程において、極めて毒性が強く
強アルカリの危険性の高いヒドラジン系の溶剤を用いて
いるので作業上安全性に欠け、廃液処理にも十分な配慮
が必要となる。またヒドラジン系の溶剤を使用しないネ
ガ型フオトレジストでは解像力がやや劣り、更にピンホ
ールが発生しやすい欠点があるため、形成されるパター
ンの質が十分ではない。
［発明の目的］ 本発明の目的は、簡単な工程で、しかも安全性が高く質
の高いパターンを製造することができる薄膜磁気ヘツド
のパターン形成法を提供することにある。
の高いパターンを製造することができる薄膜磁気ヘツド
のパターン形成法を提供することにある。
［発明の概要］ 本発明は、基板上にポリイミド系樹脂層を形成し加熱硬
化する工程と、該ポリイミド系樹脂層上にポジ型フォト
レジスト層を積層し乾燥する工程と、該ポジ型フォトレ
ジスト層面にマスクを介して所定のパターンに露光する
工程と、レジスト用無機アルカリ現像液によって前記ポ
リイミド系樹脂層と前記ポジ型フォトレジスト層を同時
に現像処理し、前記ポリイミド系樹脂層と前記ポジ型フ
ォトレジスト層とからなる所定のパターンを形成する工
程と、該ポジ型フォトレジスト層のみを剥離する工程
と、前記ポリイミド系樹脂層を前記基板と共に加熱処理
して加熱硬化させる工程からなることを特徴とする薄膜
磁気ヘツドのパターン形成法である。
化する工程と、該ポリイミド系樹脂層上にポジ型フォト
レジスト層を積層し乾燥する工程と、該ポジ型フォトレ
ジスト層面にマスクを介して所定のパターンに露光する
工程と、レジスト用無機アルカリ現像液によって前記ポ
リイミド系樹脂層と前記ポジ型フォトレジスト層を同時
に現像処理し、前記ポリイミド系樹脂層と前記ポジ型フ
ォトレジスト層とからなる所定のパターンを形成する工
程と、該ポジ型フォトレジスト層のみを剥離する工程
と、前記ポリイミド系樹脂層を前記基板と共に加熱処理
して加熱硬化させる工程からなることを特徴とする薄膜
磁気ヘツドのパターン形成法である。
［発明の実施例］ 以下、本発明のプロセスの一例を第４図を基に詳細に説
明する。
明する。
第４図において、基板21上にポリイミド系樹脂層22が形
成されるが、このとき基板21とポリイミド系樹脂22との
密着性を高めるために両者の間にポリイミド系のカツプ
ラが、塗布されるとともにポリイミド樹脂層22は約120
℃程度の温度で加熱硬化する（Ａ工程）。次にポリイミ
ド系樹脂層22上にポジ型フオトレジスト塗布膜23を形成
し、この塗布膜中の溶剤を除去するため所定の温度で乾
燥する（Ｂ工程）。ここでポジ型フオトレジスト材料と
しては、特に限定されるものではなく市販のものを使用
することができるが好適な材料の例としてキノンジアジ
ド系フオトレジストで、フエノールノボラツク樹脂とナ
フトキノンジアジドとの縮合物からなるフオトレジスト
等を挙げることができる。
成されるが、このとき基板21とポリイミド系樹脂22との
密着性を高めるために両者の間にポリイミド系のカツプ
ラが、塗布されるとともにポリイミド樹脂層22は約120
℃程度の温度で加熱硬化する（Ａ工程）。次にポリイミ
ド系樹脂層22上にポジ型フオトレジスト塗布膜23を形成
し、この塗布膜中の溶剤を除去するため所定の温度で乾
燥する（Ｂ工程）。ここでポジ型フオトレジスト材料と
しては、特に限定されるものではなく市販のものを使用
することができるが好適な材料の例としてキノンジアジ
ド系フオトレジストで、フエノールノボラツク樹脂とナ
フトキノンジアジドとの縮合物からなるフオトレジスト
等を挙げることができる。
次いでポジ型フオトレジスト塗布膜23面上にマスク24を
当接し、マスクを介して所定のパターンに露光する（Ｃ
工程）。その後、マスク24をはずし、レジスト用のアル
カリ現像液によって露光部分に相当するパターンのポリ
イミド系樹脂22とポジ型フオトレジスト23を除去し、未
露光部分に相当するパターンのポリイミド系樹脂22とポ
ジ型フオトレジスト23が残存する（Ｄ工程）。この工程
の後、基板21とポリイミド系樹脂層22との密着性を高め
るために所定の温度で加熱処理する。
当接し、マスクを介して所定のパターンに露光する（Ｃ
工程）。その後、マスク24をはずし、レジスト用のアル
カリ現像液によって露光部分に相当するパターンのポリ
イミド系樹脂22とポジ型フオトレジスト23を除去し、未
露光部分に相当するパターンのポリイミド系樹脂22とポ
ジ型フオトレジスト23が残存する（Ｄ工程）。この工程
の後、基板21とポリイミド系樹脂層22との密着性を高め
るために所定の温度で加熱処理する。
更にフオトレジスト剥離剤によってポリイミド系樹脂層
22上のポジ型フオトレジスト23を除去する。（Ｅ工程）
次いでポリイミド系樹脂層22を基体21とともに熱処理
し、ポリイミド系樹脂層22を熱硬化する。この工程によ
って第３図に示す従来のプロセスとは逆のパターンのポ
リイミド系樹脂層22が形成される。（Ｆ工程）このよう
にして得られた所定パターンのポリイミド系樹脂層22の
間にAl−Cu合金等によりなる信号導体層が配設される。
この場合、得られる多層巻線部は平担状であるのでこの
面上に形成される上部ヨーク73は平担状となる。
22上のポジ型フオトレジスト23を除去する。（Ｅ工程）
次いでポリイミド系樹脂層22を基体21とともに熱処理
し、ポリイミド系樹脂層22を熱硬化する。この工程によ
って第３図に示す従来のプロセスとは逆のパターンのポ
リイミド系樹脂層22が形成される。（Ｆ工程）このよう
にして得られた所定パターンのポリイミド系樹脂層22の
間にAl−Cu合金等によりなる信号導体層が配設される。
この場合、得られる多層巻線部は平担状であるのでこの
面上に形成される上部ヨーク73は平担状となる。
実施例１ 基板にポリイミド系樹脂用のカツプラを塗布し、スピナ
ーにより基板を3000rpmの回転数で回転させた後、200℃
×10minの条件で加熱し、次いでPIQ（ポリイミド系樹
脂、日立化成（株）製）の溶液を塗布し、90℃×60min
および120℃×10minの条件で加熱硬化して厚さ1.05μｍ
のPIQ膜を形成させた。
ーにより基板を3000rpmの回転数で回転させた後、200℃
×10minの条件で加熱し、次いでPIQ（ポリイミド系樹
脂、日立化成（株）製）の溶液を塗布し、90℃×60min
および120℃×10minの条件で加熱硬化して厚さ1.05μｍ
のPIQ膜を形成させた。
次いでこのPIQ膜面上にOFPR−800（キノンジアジド系ポ
ジ型フオトレジスト、東京応化（株）製）の溶液を塗布
し、90℃×25minの条件でプリベークして溶液中の溶剤
を除去し、厚さ1.45μｍのポジ型フオトレジスト膜を形
成させた。その後ポジ型フオトレジスト膜（OFPR−80
0）面上にマスクを当接し、このマスクを介して所定の
パターンで露光した。
ジ型フオトレジスト、東京応化（株）製）の溶液を塗布
し、90℃×25minの条件でプリベークして溶液中の溶剤
を除去し、厚さ1.45μｍのポジ型フオトレジスト膜を形
成させた。その後ポジ型フオトレジスト膜（OFPR−80
0）面上にマスクを当接し、このマスクを介して所定の
パターンで露光した。
次に露光部分に相当するパターンのOFPR−800膜とPIQ膜
とを1:1希釈OFPR−３現像液（東京応化（株）製、メタ
珪酸ソーダ、燐酸ソーダなどの無機アルカリからなるレ
ジスト用アルカリ現像液）によって除去し、残存するOF
PR−800膜とPIQ膜とを基体とともにポストベーク（120
℃×60min）を行ない、PIQ膜と基体との密着を高めた。
ポストベーク後、試料をアセトン中に浸漬し、基体面か
らOFPR−800膜を剥離除去した。基体面に残存するPIQ膜
を200℃×60minの条件で加熱硬化させ、更に350℃×60m
inの条件で加熱硬化した。
とを1:1希釈OFPR−３現像液（東京応化（株）製、メタ
珪酸ソーダ、燐酸ソーダなどの無機アルカリからなるレ
ジスト用アルカリ現像液）によって除去し、残存するOF
PR−800膜とPIQ膜とを基体とともにポストベーク（120
℃×60min）を行ない、PIQ膜と基体との密着を高めた。
ポストベーク後、試料をアセトン中に浸漬し、基体面か
らOFPR−800膜を剥離除去した。基体面に残存するPIQ膜
を200℃×60minの条件で加熱硬化させ、更に350℃×60m
inの条件で加熱硬化した。
［発明の効果］ 本発明によれば、フオトレジスト現像工程において、ポ
ジ型フオトレジスト膜とポリイミド系樹脂膜とを同時に
エツチングできるので、パターン形成工程が簡略化でき
るとともにヒドラジン系等の強アルカリ性の危険性の高
い薬品を用いたポリイミドエツチングを要しないので処
理が安全である。またマスク材としてポジ型フオトレジ
ストを使用しているので、マスク材としてネガ型フオト
レジストを用いる従来法と比較して解像力の向上、ピン
ホールの発生を防ぐことができるパターンの質が向上す
るとともに従来のパターン形成用マスクをそのまま利用
できるのでマスクの白黒反転コピー製造工程を省略する
ことができるという優れた効果を有する。
ジ型フオトレジスト膜とポリイミド系樹脂膜とを同時に
エツチングできるので、パターン形成工程が簡略化でき
るとともにヒドラジン系等の強アルカリ性の危険性の高
い薬品を用いたポリイミドエツチングを要しないので処
理が安全である。またマスク材としてポジ型フオトレジ
ストを使用しているので、マスク材としてネガ型フオト
レジストを用いる従来法と比較して解像力の向上、ピン
ホールの発生を防ぐことができるパターンの質が向上す
るとともに従来のパターン形成用マスクをそのまま利用
できるのでマスクの白黒反転コピー製造工程を省略する
ことができるという優れた効果を有する。
第１図は多層スパイラル巻線部構造を有する薄膜磁気ヘ
ツドの断面図、第２図は多層スパイラル巻線部を平担化
した薄膜磁気ヘツドの断面図、第３図は従来の薄膜磁気
ヘツドのパターン形成法を工程順に示す説明図、第４図
は本発明の薄膜磁気ヘツドのパターン形成法の例を工程
順に示す説明図である。 １……バイアス導体、２……絶縁体、 ３……信号導体、４……上部ヨーク、 ５……保護層、６……下部ヨーク、 ７……テープ摺接面、 ８……フエライト基板、 11……基板、12……ポリイミド膜、 13……ネガ型フオトレジスト膜、 14……マスク、21……基板、 22……ポリイミド系樹脂層、 23……ネガ型フオトレジスト塗布膜、 24……マスク。
ツドの断面図、第２図は多層スパイラル巻線部を平担化
した薄膜磁気ヘツドの断面図、第３図は従来の薄膜磁気
ヘツドのパターン形成法を工程順に示す説明図、第４図
は本発明の薄膜磁気ヘツドのパターン形成法の例を工程
順に示す説明図である。 １……バイアス導体、２……絶縁体、 ３……信号導体、４……上部ヨーク、 ５……保護層、６……下部ヨーク、 ７……テープ摺接面、 ８……フエライト基板、 11……基板、12……ポリイミド膜、 13……ネガ型フオトレジスト膜、 14……マスク、21……基板、 22……ポリイミド系樹脂層、 23……ネガ型フオトレジスト塗布膜、 24……マスク。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にポリイミド系樹脂層を形成し加熱
硬化する工程と、該ポリイミド系樹脂層上にポジ型フォ
トレジスト層を積層し乾燥する工程と、該ポジ型フォト
レジスト層面にマスクを介して所定のパターンに露光す
る工程と、レジスト用無機アルカリ現像液によって前記
ポリイミド系樹脂層と前記ポジ型フォトレジスト層を同
時に現像処理し、前記ポリイミド系樹脂層と前記ポジ型
フォトレジスト層とからなる所定のパターンを形成する
工程と、該ポジ型フォトレジスト層のみを剥離する工程
と、前記ポリイミド系樹脂層を前記基板と共に加熱処理
して加熱硬化させる工程からなることを特徴とする薄膜
磁気ヘツドのパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044717A JPH0695370B2 (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 薄膜磁気ヘッドのパターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044717A JPH0695370B2 (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 薄膜磁気ヘッドのパターン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187912A JPS60187912A (ja) | 1985-09-25 |
| JPH0695370B2 true JPH0695370B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=12699167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59044717A Expired - Lifetime JPH0695370B2 (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 薄膜磁気ヘッドのパターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695370B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01137419A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850617A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-25 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP59044717A patent/JPH0695370B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60187912A (ja) | 1985-09-25 |
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