JPH0695560B2 - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0695560B2 JPH0695560B2 JP1830789A JP1830789A JPH0695560B2 JP H0695560 B2 JPH0695560 B2 JP H0695560B2 JP 1830789 A JP1830789 A JP 1830789A JP 1830789 A JP1830789 A JP 1830789A JP H0695560 B2 JPH0695560 B2 JP H0695560B2
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- Japan
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- lead frame
- protrusion
- diameter
- semiconductor device
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置用リードフレームに関するもので
あり、特に半導体装置の組立作業を容易にするために使
用されるもので、半導体装置組立時にリードフレームの
二枚重さなりを防止するものである。
あり、特に半導体装置の組立作業を容易にするために使
用されるもので、半導体装置組立時にリードフレームの
二枚重さなりを防止するものである。
（従来の技術） 従来技術により成形した半導体装置用リードフレームの
凸起部の断面形状を、第３図にリードフレーム１を３枚
積重ねした状態で図示する。
凸起部の断面形状を、第３図にリードフレーム１を３枚
積重ねした状態で図示する。
即ち各リードフレームは、組み立て作業時に複数枚積み
重ねられ、その後１枚１枚つかみ上げるために、隣接リ
ードフレーム間に隙間を要するが、この隙間を形成する
ためには、リードフレーム面に凸起２が必要となる。通
常この凸起は、リードフレームの板厚Ｔに対し所要の高
さＨを得るために、打ち出し（半抜き）加工で形成され
る。即ち図示しないプレス金型の直径D1のパンチで、材
厚Ｔのリードフレーム素材に打ち出し（半抜き）加工を
施し、高さＨの凸起２を形成する。このとき凸起形成用
パンチ径D1とダイ径D2はほぼ同一径であった。リードフ
レームを積重ねしたときの隙間Ｃは、凸起高さＨを平均
0.4mmとした時、平均0.3mmであった。
重ねられ、その後１枚１枚つかみ上げるために、隣接リ
ードフレーム間に隙間を要するが、この隙間を形成する
ためには、リードフレーム面に凸起２が必要となる。通
常この凸起は、リードフレームの板厚Ｔに対し所要の高
さＨを得るために、打ち出し（半抜き）加工で形成され
る。即ち図示しないプレス金型の直径D1のパンチで、材
厚Ｔのリードフレーム素材に打ち出し（半抜き）加工を
施し、高さＨの凸起２を形成する。このとき凸起形成用
パンチ径D1とダイ径D2はほぼ同一径であった。リードフ
レームを積重ねしたときの隙間Ｃは、凸起高さＨを平均
0.4mmとした時、平均0.3mmであった。
（発明が解決しようとする課題） １）第４図に示す半導体リードフレーム１では、凸起２
が６ケ所配置されているが、リードフレームを板厚方向
に第３図の如く積上げした時、凸起部のコーナーだれ３
の所が、凸起形成用パンチの跡の穴（凹み）４に嵌まり
合い、１枚のリードフレームを吸盤又は爪等でつかみ上
げようとしても、その下側の１枚〜２枚が同時につかみ
上げられてしまい、半導体装置組立機械のワーク供給異
状となる問題点があった。
が６ケ所配置されているが、リードフレームを板厚方向
に第３図の如く積上げした時、凸起部のコーナーだれ３
の所が、凸起形成用パンチの跡の穴（凹み）４に嵌まり
合い、１枚のリードフレームを吸盤又は爪等でつかみ上
げようとしても、その下側の１枚〜２枚が同時につかみ
上げられてしまい、半導体装置組立機械のワーク供給異
状となる問題点があった。
２）また積重ね枚数が多くなれば多くなる程、リードフ
レーム自重が大きくなるため、凸起部が強く嵌まる問題
があった。さらに凸起部が６ケ所共同一量嵌まり込む事
は少なく、吸盤又は爪でつかみ上げるべく、リードフレ
ームを水平に積上げしようとしても、嵌まり込み具合の
差により、最下層リードフレームが水平な状態であって
も、数十枚積上げした最上層リードフレームは、リード
フレームの板厚以上の傾斜が発生しバキューム吸着不可
や爪によるつかみ不可等の問題があった。
レーム自重が大きくなるため、凸起部が強く嵌まる問題
があった。さらに凸起部が６ケ所共同一量嵌まり込む事
は少なく、吸盤又は爪でつかみ上げるべく、リードフレ
ームを水平に積上げしようとしても、嵌まり込み具合の
差により、最下層リードフレームが水平な状態であって
も、数十枚積上げした最上層リードフレームは、リード
フレームの板厚以上の傾斜が発生しバキューム吸着不可
や爪によるつかみ不可等の問題があった。
３）また嵌まり込み防止のため、凸起径D2を穴径D1より
大きくすると、凸起高さが低くなり、爪がつかむために
必要な積重ね隙間Ｃが規格値0.3mmミニマムを満足でき
ない欠点があった。
大きくすると、凸起高さが低くなり、爪がつかむために
必要な積重ね隙間Ｃが規格値0.3mmミニマムを満足でき
ない欠点があった。
本発明は、半導体装置の組立作業時に、リードフレーム
を水平に積上げする時に、リードフレーム１枚１枚が水
平に積上げできると共に、最上層の１枚をつかみ上げす
る時確実に１枚つかみ上げできる様にする事を目的とす
る。
を水平に積上げする時に、リードフレーム１枚１枚が水
平に積上げできると共に、最上層の１枚をつかみ上げす
る時確実に１枚つかみ上げできる様にする事を目的とす
る。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段と作用） 本発明は、リードフレームの板厚方向に凸起を有する半
導体装置用リードフレームにおいて、前記リードフレー
ムの凸起成形用穴径が前記凸起の径より小さく、また凸
起の中央付近に凹みを有することを特徴とする半導体装
置用リードフレームである。また本発明は、リードフレ
ームに、その板厚方向に打ち出し凸起を設け、この凸起
の上部中央付近に凹みを設けて前記凸起径を押し広げ、
この凸起径を前記打ち出し凸起成形時に形成される凹み
の径より大とすることを特徴とする半導体装置用リード
フレームの製造方法である。
導体装置用リードフレームにおいて、前記リードフレー
ムの凸起成形用穴径が前記凸起の径より小さく、また凸
起の中央付近に凹みを有することを特徴とする半導体装
置用リードフレームである。また本発明は、リードフレ
ームに、その板厚方向に打ち出し凸起を設け、この凸起
の上部中央付近に凹みを設けて前記凸起径を押し広げ、
この凸起径を前記打ち出し凸起成形時に形成される凹み
の径より大とすることを特徴とする半導体装置用リード
フレームの製造方法である。
即ち本発明は、リードフレームの嵌まり合いを、凸起部
中央に設けた凹みにより凸起直径を拡大させて、凸起形
成用凹みに嵌まり合う事を防止し、確実に１枚１枚が爪
又は吸盤でつかみ上げ可能にした。また、凸起中央部に
直径拡大用凹みを形成すると同時に、打ち出し加工を用
いたことで、凸起高さを精度良く加圧形成できる事によ
り、リードフレームを多数枚積上げした時、例えば６ケ
所の凸起がバランス良くリードフレームを水平に保持で
きると共に、リードフレーム間の隙間の規格値を精度よ
く確保できる様にした。
中央に設けた凹みにより凸起直径を拡大させて、凸起形
成用凹みに嵌まり合う事を防止し、確実に１枚１枚が爪
又は吸盤でつかみ上げ可能にした。また、凸起中央部に
直径拡大用凹みを形成すると同時に、打ち出し加工を用
いたことで、凸起高さを精度良く加圧形成できる事によ
り、リードフレームを多数枚積上げした時、例えば６ケ
所の凸起がバランス良くリードフレームを水平に保持で
きると共に、リードフレーム間の隙間の規格値を精度よ
く確保できる様にした。
（実施例） 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例のリードフレームの凸起部での積重ね状態
を示す断面図、第２図は同リードフレームの凸起部形成
状態を示す金型部の断面図であるが、この実施例は前記
従来例と対応させた場合の例であるから、対応個所には
同一符号を用いる。ここでの特徴は、リードフレーム１
の凸起成形用凹み４の径d1が、凸起21の径d2とd1＜d2の
関係にあり、この関係をもたせるために、凸起中央付近
に凹み11を有することである。
図は同実施例のリードフレームの凸起部での積重ね状態
を示す断面図、第２図は同リードフレームの凸起部形成
状態を示す金型部の断面図であるが、この実施例は前記
従来例と対応させた場合の例であるから、対応個所には
同一符号を用いる。ここでの特徴は、リードフレーム１
の凸起成形用凹み４の径d1が、凸起21の径d2とd1＜d2の
関係にあり、この関係をもたせるために、凸起中央付近
に凹み11を有することである。
次に第２図により、第１図のリードフレームのつくり方
の一例を説明する。ダイ（凸起成形工具の凸側）21上面
にリードフレーム素材１を供給し、ストリッパー（凸起
成形工具の凹側）22でダイ21に強く素材１を押しつけた
状態で、凸起形成パンチ23を上方に押し上げする。つぎ
に上側から凸起拡大用パンチ24を押し下げて、ストリッ
パー22の内径d2に密着するまで加圧する。このd2の径は
凸起形成パンチ径d1より大きな寸法に設定する。実施例
ではd1＝1.2mm、d2＝1.5mm、また、パンチ23の押し上げ
量h2は凸起高さh3を高くするためにあまりに大きくしす
ぎると、リードフレーム素材１と凸起21とが破断してし
まうため、板厚ｔ＝0.6mmの時、パンチ押し上げ量h2＝
0.4mmとした。また凸起拡大用パンチ24の先端Ｒと角度
θは、リードフレーム素材１が内径d2に密着しやすい様
にＲ＝0.25mm,θ＝60°、押し込み深さh1＝0.45mmと
し、充分押し込みして凸起高さh3の寸法が安定する様に
した。その結果凸起高さh3寸法は0.44±0.02mmであり、
隙間Ｃの規格値0.3mmミニマムを充分確保できた。
の一例を説明する。ダイ（凸起成形工具の凸側）21上面
にリードフレーム素材１を供給し、ストリッパー（凸起
成形工具の凹側）22でダイ21に強く素材１を押しつけた
状態で、凸起形成パンチ23を上方に押し上げする。つぎ
に上側から凸起拡大用パンチ24を押し下げて、ストリッ
パー22の内径d2に密着するまで加圧する。このd2の径は
凸起形成パンチ径d1より大きな寸法に設定する。実施例
ではd1＝1.2mm、d2＝1.5mm、また、パンチ23の押し上げ
量h2は凸起高さh3を高くするためにあまりに大きくしす
ぎると、リードフレーム素材１と凸起21とが破断してし
まうため、板厚ｔ＝0.6mmの時、パンチ押し上げ量h2＝
0.4mmとした。また凸起拡大用パンチ24の先端Ｒと角度
θは、リードフレーム素材１が内径d2に密着しやすい様
にＲ＝0.25mm,θ＝60°、押し込み深さh1＝0.45mmと
し、充分押し込みして凸起高さh3の寸法が安定する様に
した。その結果凸起高さh3寸法は0.44±0.02mmであり、
隙間Ｃの規格値0.3mmミニマムを充分確保できた。
第１図、第２図のようにすれば、 １）凸起拡大用ポンチで凸起径を十分押し広げするた
め、リードフレームを積重ねた時凸起21が凹み４に嵌ま
り合う事が防止できた。
め、リードフレームを積重ねた時凸起21が凹み４に嵌ま
り合う事が防止できた。
２）凸起高さ方向の寸法を正確に形成できた事により、
６ケ所の凸起１のバラツキが少なく、リードフレームを
積重ねた時に、吸盤又は爪でつかみやすい水平状態を保
つことができると共に、リードフレーム間すき間Ｃを規
格値に保持できる。
６ケ所の凸起１のバラツキが少なく、リードフレームを
積重ねた時に、吸盤又は爪でつかみやすい水平状態を保
つことができると共に、リードフレーム間すき間Ｃを規
格値に保持できる。
３）半導体装置組立機械の稼動率が、上記１）,2）の効
果により５％向上した。
果により５％向上した。
４）また、半導体リードフレームのプレス加工後の洗浄
工程において、リードフレームが凸起により密着する事
が無いため、洗浄液が充分リードフレーム表面に当た
り、良好に洗浄できるという付随効果も有る。
工程において、リードフレームが凸起により密着する事
が無いため、洗浄液が充分リードフレーム表面に当た
り、良好に洗浄できるという付随効果も有る。
［発明の効果］ 以上説明した如く本発明によれば、半導体装置の組立作
業時に、各リードフレームを水平に積上げることができ
ると共に、最上層の一枚を確実につかみ上げできる等の
利点を有するものである。
業時に、各リードフレームを水平に積上げることができ
ると共に、最上層の一枚を確実につかみ上げできる等の
利点を有するものである。
第１図は本発明の一実施例の要部の積重ね状態を示す断
面図、第２図は同実施例を得る工程の断面図、第３図は
従来のリードフレームの積重ね状態を示す断面図、第４
図（ａ）はリードフレームの平面図、同図（ｂ）は同側
面図である。 １…リードフレーム、21…凸起、4,11…凹み、21…ダ
イ、22…ストリッパー、23…凸起形成用パンチ、24…凸
起拡大用パンチ。
面図、第２図は同実施例を得る工程の断面図、第３図は
従来のリードフレームの積重ね状態を示す断面図、第４
図（ａ）はリードフレームの平面図、同図（ｂ）は同側
面図である。 １…リードフレーム、21…凸起、4,11…凹み、21…ダ
イ、22…ストリッパー、23…凸起形成用パンチ、24…凸
起拡大用パンチ。
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレームの板厚方向に凸起を有する
半導体装置用リードフレームにおいて、前記リードフレ
ームの凸起成形用穴径が前記凸起の径より小さく、また
凸起の中央付近に凹みを有することを特徴とする半導体
装置用リードフレーム。 - 【請求項２】リードフレームに、その板厚方向に打ち出
し凸起を設け、この凸起の上部中央付近に凹みを設けて
前記凸起径を押し広げ、この凸起径を前記打ち出し凸起
成形時に形成される凹みの径より大とすることを特徴と
する半導体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1830789A JPH0695560B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1830789A JPH0695560B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198162A JPH02198162A (ja) | 1990-08-06 |
| JPH0695560B2 true JPH0695560B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=11967957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1830789A Expired - Fee Related JPH0695560B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695560B2 (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1830789A patent/JPH0695560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02198162A (ja) | 1990-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071124 Year of fee payment: 13 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081124 Year of fee payment: 14 |
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