JPH02198162A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレーム及びその製造方法

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JPH02198162A
JPH02198162A JP1830789A JP1830789A JPH02198162A JP H02198162 A JPH02198162 A JP H02198162A JP 1830789 A JP1830789 A JP 1830789A JP 1830789 A JP1830789 A JP 1830789A JP H02198162 A JPH02198162 A JP H02198162A
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lead frame
protrusion
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semiconductor device
lead
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JP1830789A
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Satoru Kobayashi
悟 小林
Toshikatsu Tsunehiro
経広 敏克
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置用リードフレームに関するもので
あり、特に半導体装置の組立作業を容易にするために使
用されるもので、半導体装置組立時にリードフレームの
二枚型さなりを防止するものである。
(従来の技術) 従来技術により成形した半導体装置用リードフレームの
凸起部の断面形状を、第3図にリードフレーム1を3枚
積重ねした状態で図示する。
即ち各リードフレームは、組み立て作業時に複数枚積み
重ねられ、その後1枚1枚つかみ上げるために、隣接リ
ードフレーム間に隙間を要するが、この隙間を形成する
ためには、リードフレーム面に凸起2が必要となる。通
常この凸起は、リードフレームの板厚Tに対し所要の高
さHを得るために、打ち出しく半抜き)加工で形成され
る。即ち図示しないプレス金型の直径D1のパンチで、
材厚Tのリードフレーム素材に打ち出しく半抜き)加工
を施し、高さHの凸起2を形成する。このとき凸起形成
用パンチ径D とダイ径D2はほぼ同一径であった。リ
ードフレームを積重ねしたときの隙間Cは、凸起高さH
を平均0.4關とした時、平均0.3mmであった。
(発明が解決しようとする課題) ■)第4図に示す半導体リードフレーム1では、凸起2
が6ケ所配置されているが、リードフレームを板厚方向
に第3図の如く積上げした時、凸起部のコーナーだれ3
の所が、凸起形成用パンチの跡の穴(凹み)4に嵌まり
合い、1枚のリードフレームを吸盤又は爪等でつかみ上
げようとしても、その下側の1枚〜2枚が同時につかみ
上げられてしまい、半導体装置組立機械のワーク供給異
状となる問題点があった。
2) また積重ね枚数が多くなれば多くなる程、リード
フレーム自重が大きくなるため、凸起部が強く嵌まる問
題があった。さらに凸起部が6ケ所共同−量嵌まり込む
事は少なく、吸盤又は爪でつかみ上げるべく、リードフ
レームを水平に積上げしようとしても、嵌まり込み具合
の差により、最下層リードフレームが水平な状態であっ
ても、数十枚積上げした最上層リードフレームは、リー
ドフレームの板厚以上の傾斜が発生しバキューム吸着不
可や爪によるつかみ不可等の問題があった。
3)また嵌まり込み防止のため、凸起径D2を穴径D1
より大きくすると、凸起高さが低くなり、爪がつかむた
めに必要な積重ね隙間Cが規格値0.3mmミニマムを
満足できない欠点があった。
本発明は、半導体装置の組立作業時に、リードフレーム
を水平に積上げする時に、リードフレーム1枚1枚が水
平に積上げできると共に、最上層の1枚をつかみ上げす
る時確実に1枚つかみ上げできる様にする事を目的とす
る。
[発明の構成] (課題を解決するための手段と作用) 本発明は、リードフレームの板厚方向に凸起を有する半
導体装置用リードフレームにおいて、前記リードフレー
ムの凸起成形用穴径が前記凸起の径より小さく、また凸
起の中央付近に凹みを有することを特徴とする半導体装
置用リードフレームである。また本発明は、リードフレ
ームに、その板厚方向に打ち出し凸起を設け、この凸起
の上部中央付近に凹みを設けて前記凸起径を押し広げ、
この凸起径を前記打ち出し凸起成形時に形成される凹み
の径より大とすることを特徴とする半導体装置用リード
フレームの製造方法である。
即ち本発明は、リードフレームの嵌まり合いを、凸起部
中央に設けた凹みにより凸起直径を拡大させて、凸起形
成用凹みに嵌まり合う事を防止し、確実に1枚1枚が爪
又は吸盤でつかみ上げ可能にした。また、凸起中央部に
直径拡大用凹みを形成すると同時に、打ち出し加工を用
いたことで、凸起高さを精度良く加圧形成できる事によ
り、リードフレームを多数枚積上げした時、例えば6ケ
所の凸起がバランス良くリードフレームを水平に保持で
きると共に、リードフレーム間の隙間の規格値を精度よ
く確保できる様にした。
(実施例) 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図は同実施例のリードフレームの凸起部での積重ね状態
を示す断面図、第2図は同リードフレームの凸起形成用
凹を示す金型部の断面図であるが、この実施例は前記従
来例と対応させた場合の例であるから、対応個所には同
一符号を用いる。ここでの特徴は、リードフレーム1の
凸起成形用凹み4の径d が、凸起2、の径d2とdl
くd2の関係にあり、この関係をもたせるために、凸起
中央付近に凹み11を有することである。
次に第2図により、第1図のリードフレームのつくり方
の一例を説明する。ダイ(凸起成形工具の凸側)21上
面にリードフレーム素材1を供給し、ストリッパー(凸
起成形工具の凹側)22でダイ21に強く素材1を押し
つけた状態で、凸起形成パンチ23を上方に押し上げす
る。つぎに上側から凸起拡大用パンチ24を押し下げて
、ストリッパー22の内径d2に密着するまで加圧する
このd の径は凸起形成パンチ径d1より大きな寸法に
設定する。実施例ではdl−1,2m+w、d2” 1
.5m+*、また、パンチ23の押し上げ量h2は凸起
高さh3を高くするためにあまりに大きくしすぎると、
リードフレーム素材1と凸起2□とが破断してしまうた
め、板厚t−0,6mmの時、パンチ押し上げm h 
2−0 、4 m+sとした。また凸起拡大用パンチ2
4の先端Rと角度θは、リードフレーム素材1が内径d
2に密着しやすい様にR−0,25關、θ−60″、押
し込み深さり、−0,45關とし、充分押し込みして凸
起高さh3の寸法が安定する様にした。その結果凸起高
さ63寸法は0.44±0 、02 mmであり、隙間
Cの規格値0.3mmミニマムを充分確保できた。
第1図、第2図のようにすれば、 ■)凸起拡大用ポンチで凸起径を十分押し広げするため
、リードフレームを積重ねた時凸起2、が凹み4に嵌ま
り合う事が防止できた。
2)凸起高さ方向の寸法を正確に形成できた事により、
6ケ所の凸起1のバラツキが少なく、リードフレームを
積重ねた時に、吸盤又は爪でつかみやすい水平状態を保
つことができると共に、リードフレーム間すき間Cを規
格値に保持できる。
3)半導体装置組立機械の稼動率が、上記1)。
2)の効果により5%向上した。
4) また、半導体リードフレームのプレス加工後の洗
浄工程において、リードフレームが凸起により密着する
事が無いため、洗浄液が充分リードフレーム表面に当た
り、良好に洗浄できるという付随効果も有る。
[発明の効果コ 以上説明した如く本発明によれば、半導体装置の組立作
業時に、各リードフレームを水平に積上げることができ
ると共に、最上層の一枚を確実につかみ上げできる等の
利点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部の積重ね状態を示す断
面図、第2図は同実施例を得る工程の断面図、第3図は
従来のリードフレームの積重ね状態を示す断面図、第4
図(a)はリードフレームの平面図、同図(b)は同側
面図である。 1・・・リードフレーム、2□・・・凸起、4,11・
・・凹み、21・・・ダイ、22・・・ストリッパー 
23・・・凸起形成用パンチ、24・・・凸起拡大用パ
ンチ。 出願人代理人  弁理士 鈴江武彦 第1図 第3図 (a) (b) 第2図 第4図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレームの板厚方向に凸起を有する半導体
    装置用リードフレームにおいて、前記リードフレームの
    凸起成形用穴径が前記凸起の径より小さく、また凸起の
    中央付近に凹みを有することを特徴とする半導体装置用
    リードフレーム。
  2. (2)リードフレームに、その板厚方向に打ち出し凸起
    を設け、この凸起の上部中央付近に凹みを設けて前記凸
    起径を押し広げ、この凸起径を前記打ち出し凸起成形時
    に形成される凹みの径より大とすることを特徴とする半
    導体装置用リードフレームの製造方法。
JP1830789A 1989-01-27 1989-01-27 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 Expired - Fee Related JPH0695560B2 (ja)

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JPH0695560B2 JPH0695560B2 (ja) 1994-11-24

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