JPH0696347B2 - 光学記録体 - Google Patents

光学記録体

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JPH0696347B2
JPH0696347B2 JP60133550A JP13355085A JPH0696347B2 JP H0696347 B2 JPH0696347 B2 JP H0696347B2 JP 60133550 A JP60133550 A JP 60133550A JP 13355085 A JP13355085 A JP 13355085A JP H0696347 B2 JPH0696347 B2 JP H0696347B2
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optical recording
resin
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JP60133550A
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徹郎 村山
修一 前田
裕 黒瀬
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三菱化成株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光デイスク用の光学記録体に関する。
従来の技術 光デイスク用の光学記録体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率良く吸収する必要があるため、記録に使用
する特定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情
報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長
のレーザー光に対する反射率が高い事が必要である。
この様な光学記録体としては、これまで、各種の金属、
金属化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提案され
ているが、これらの薄膜は、空気酸化を受けやすく、長
期間の保存が困難であつたり、紫外部や可視部の光に対
して感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠点が
あつた。
有機化合物を用いた記録体としては、シアニン系色素、
スクワリリウム系色素、ナフトキノン系色素、フタロシ
アニン系色素等が提案されている。このうちシアニン系
色素、スクワリリウム系色素、ナフトキノン系色素は、
一般に安定性が悪く、長期間にわたる保存が難しく、そ
して反射率が低いため情報が読み出しにくい等の欠点が
ある。
フタロシアニン系色素の一部のものも、半導体レーザー
の波長（800nm付近）に吸収を有するが、吸収が結晶変
態に伴ない容易に変化すると言う欠点を有する。例え
ば、バナジルフタロシアニンの蒸着膜における720nm付
近の吸収は、加熱により815nmまで変化する（Molecular
Crystals and Liquid Crystals33,149−170（197
6））。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、レーザー光、特に半導体レーザー光による書
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好な有機物の光
学記録体を提供する事を目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は、基板と、下記一般式〔Ｉ〕で示される光吸収
物質を含有する記録層とからなることを特徴とする光学
記録体をその要旨とする。
一般式〔Ｉ〕 （式中、環Z1〜環Z4は、置換基を有していてもよいチオ
フエン環、ピリジン環、ピラジン環またはイミダゾール
環を表わし、そしてＡは周期律表第IB族、第IIA族、第I
IB族、第IIIA族、第IIIB族、第IVA族、第IVB族、第VB族
もしくは第VIII族に属する金属または該金属を含有する
化合物を表わす。） 本発明の光学記録体における一般式〔Ｉ〕で示される光
吸収物質において、環Z1〜環Z4のチオフエン環、ピリジ
ン環、ピラジン環またはイミダゾール環の置換基の例と
しては、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、
ヒドロキシ基、フッ素、塩素または臭素が挙げられる。
また、Ａの第IB族、第IIA族、第IIIA族、第IIIB族、第I
VA族、第IVB族、第VB族または第VIII族に関する金属の
例としては、Cu、Mg、Zn、Sn、Pb、Fe、CoまたはNiが挙
げられ、その金属を含有する化合物としては、AlCl、In
Cl、TiO、SnCl2等が挙げられる。
本発明の光学記録体は、特に、環Z1〜環Z4がチオフエン
環で、ＡがSnCl2、InCl、VOまたはTiOのものが好まし
い。
上記一般式〔Ｉ〕で示される光吸収物質は、ジシアノチ
オフエン類、ジシアノピリジン類、ジシアノピラジン類
またはジシアノイミダゾール類と、金属または金属化合
物とを公知の方法たとえば、2,3−ジシアノチオフエン
と塩化第一スズとを加熱する等に従つて容易に合成する
ことができる。
本発明の基板としては、ガラス、プラスチツクス等があ
げられる。プラスチツクスは、安全性、軽量性の点で好
適である。プラスチツクスとしては、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン
樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチ
レン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
記録層の成膜方法としては、基板上に真空蒸着する方
法、樹脂溶液と混合して塗布する方法、溶媒に溶解させ
て、塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられ
る。特に、真空蒸着法が好ましい。
真空蒸着法としては、１×10-4Torr以上、好ましくは、
２×10-5Torr以上の高真空で、抵抗加熱等により前記一
般式〔Ｉ〕に示す化合物を加熱し、基板上に真空蒸着膜
を得る方法を挙げることができる。膜厚は、500〜3000
Å、特に1000〜2500Åが好ましい。
塗布による製膜は、上記一般式〔Ｉ〕に示す化合物をバ
インダーとともに溶媒中に、溶解または分散させたもの
をスピンコートする事により得られる。バインダーとし
ては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリスルホン樹脂、フエノール樹脂、ポリエ
ーテル樹脂、シリコン樹脂、セルロースエステル、セル
ロースエーテル、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル
樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリウレタン樹脂等お
よびそれらの共重合体を挙げることができる。
その際樹脂に対する光吸収物質の比率は10wt％以上が望
ましい。
溶媒としては、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のものを
用いる事ができるが、溶解度の点で、ジメチルホルムア
ミドが好ましい。
本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
光源としては、He−Neレーザー、Arレーザー、半導体レ
ーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが、価
格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい。
半導体レーザーとしては、中心波長830nm、中心波長780
nm、そしてそれより短波長のレーザーを使用する事がで
きる。
実施例 実施例１ 2,3−ジシアノチオフエン（mp118〜122℃）1.34gと塩化
第１スズ1.13gとをクロロナフタリン2ml中に分散させ、
250℃、５時間加熱還流下反応させた。得られた反応液
を室温まで冷却した後、メタノール50mlを加え、還流下
３時間撹拌した。反応液を熱時過し、得られた結晶を
Ｎ−メチル−２−ピロリドン100mlに分散させ、200℃で
２時間撹拌後100℃まで冷却し、結晶を別した。さら
にＮ−メチル−２−ピロリドンによる同様の操作を２回
くり返し下記構造式で示される化合物（α−クロロナフ
タレン溶媒中でのλmax700nm）0.96gを得た。
上記構造式で示される本発明の光吸収物質を１×10-5To
rrの真空で300℃〜400℃に加熱し、板厚12mmのメタアク
リル樹脂板上に、真空蒸着した。水晶振動式膜厚計によ
る膜厚は、2000Åであつた。蒸着膜の最大吸収波長は、
720nmでありピークは巾広かつた。830nmでの反射率は33
％であつた。
この蒸着膜に、中心波長780nmの半導体レーザー光を出
力4mWで、ビーム径約１μｍで照射した所、巾約１μ
ｍ、ピツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭な孔（ピツ
ト）が形成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/
N）比は、50dBであつた。
実施例２〜17 実施例１に準じて構造式〔III〕〜〔XVIII〕で示される
光吸収物質を合成し、得られた光吸収物質を実施例１と
ほぼ同様の条件でメタアクリル樹脂板上に蒸着した。水
晶振動式膜厚計による膜厚は、2000±100Åの範囲内で
あつた。
これらの本発明の光吸収物質のα−クロロナフタレン溶
媒中の最大吸収波長、薄膜の最大吸収波長、半導体レー
ザー記録時のC/N比、保存安定性を前記実施例１の結果
と共に第１表に示す。表中、保存安定性は60℃、80％の
恒温恒湿槽中で10日間保存した後の、半導体レーザーに
よる書き込み性能（C/N比）を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板と、下記一般式〔Ｉ〕で示される光吸
    収物質を含有する記録層とからなることを特徴とする光
    学記録体。 一般式〔Ｉ〕 （式中、環Z1〜環Z4は、置換基を有していてもよいチオ
    フエン環、ピリジン環、ピラジン環またはイミダゾール
    環を表わし、そしてＡは周期律表第IB族、第IIA族、第I
    IB族、第IIIA族、第IIIB族、第IVA族、第IVB族、第V B
    族もしくは第VIII族に属する金属または該金属を含有す
    る化合物を表わす）
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の光学記録体に
    おいて、光吸収物質が下記一般式〔II〕で示される物。 一般式〔II〕 （式中、環Z1〜環Z4は水素原子、アルキル基、ハロゲン
    化アルキル基、ヒドロキシ基もしくはハロゲン原子で置
    換されていてもよいチオフエン環、ピリジン環、ピラジ
    ン環またはイミダゾール環を表わし、そしてＡはSn、Sn
    Cl2、Pb、Fe、Ni、Co、VO、InCl、TiO、Cu、Mg、Znまた
    はAlClを表わす）
  3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の光学記録体に
    おいて、光吸収物質が下記一般式〔III〕で表わされる
    物。 一般式〔III〕 （式中、ＡはSnCl2、Pb、Fe、Ni、Co、VO、InCl、TiOま
    たはZnを表わす）
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JPS61291187A JPS61291187A (ja) 1986-12-20
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