JPH0696431A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0696431A JPH0696431A JP24241192A JP24241192A JPH0696431A JP H0696431 A JPH0696431 A JP H0696431A JP 24241192 A JP24241192 A JP 24241192A JP 24241192 A JP24241192 A JP 24241192A JP H0696431 A JPH0696431 A JP H0696431A
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- Japan
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- magnetic
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- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来知られている中間膜よりも高い保磁力を
得ることができる適切な材料を選ぶことによりＣｒ下地
膜とそれに続く磁性膜の結晶配向、結晶粒径を制御し１
４００Ｏｅ以上の高い保磁力を得る。 【構成】 ガラスやセラミック、カーボン等の非磁性基
板上にＣｒ等の下地膜と磁性膜と保護膜を積層させてな
る磁気記録媒体において、非磁性基板とＣｒ等の下地膜
との間にＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの
少なくとも１種が主成分である金属膜を設けた磁気記録
媒体。
得ることができる適切な材料を選ぶことによりＣｒ下地
膜とそれに続く磁性膜の結晶配向、結晶粒径を制御し１
４００Ｏｅ以上の高い保磁力を得る。 【構成】 ガラスやセラミック、カーボン等の非磁性基
板上にＣｒ等の下地膜と磁性膜と保護膜を積層させてな
る磁気記録媒体において、非磁性基板とＣｒ等の下地膜
との間にＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの
少なくとも１種が主成分である金属膜を設けた磁気記録
媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスやセラミック、
カーボン等の非磁性基板上に磁性膜等を形成した磁気記
録媒体に関するものである。
カーボン等の非磁性基板上に磁性膜等を形成した磁気記
録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピュター用磁気ディスク装置では、
近年その大容量化が強く求められているが、大容量化を
図るためには磁気記録媒体における記録密度を高めるこ
とが必要である。記録密度を高めるためには、磁気ヘッ
ドの低浮上量化を可能とするために平滑な表面を有する
基板、および磁気記録媒体の高保磁力化が求められてい
る。従来磁気記録媒体用の基板としてはアルミ基板が用
いられているが、より平滑性に優れた基板としてガラス
やセラミック、カーボン等の非磁性基板を用いることが
検討されている。アルミ基板を用いた場合は通常数１０
μｍのＮｉＰめっき層を設け、その上にＣｒ下地膜、磁
性膜、保護膜を積層する。しかしガラスやセラミック、
カーボン基板等の場合はその上に直接Ｃｒ下地、磁性膜
を形成すると高い保磁力が得られないことが多い。この
理由はまだ明確にはなっていないが基板から発生する酸
素、水等のガスの影響により下地のＣｒ膜の結晶成長が
アルミ基板上のＮｉＰ上に成膜させた場合とは異なるた
め、Ｃｒ上に成膜される磁性膜の結晶成長にも影響を及
ぼし高保磁力を得るためには望ましくない結晶成長が起
きるためと考えられている。これらの問題を解決するた
め基板上にＴｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｗ、Ｓｉ等
の金属やＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＮ、ＡｌＮのような
酸化物や窒化物の非磁性膜（以下この膜を中間膜とし
た）を形成し、その上にＣｒ下地膜、磁性膜、保護膜を
順に積層し、保磁力を若干向上させた磁気記録媒体が提
案されている。（特開平２−２９９２３号）
近年その大容量化が強く求められているが、大容量化を
図るためには磁気記録媒体における記録密度を高めるこ
とが必要である。記録密度を高めるためには、磁気ヘッ
ドの低浮上量化を可能とするために平滑な表面を有する
基板、および磁気記録媒体の高保磁力化が求められてい
る。従来磁気記録媒体用の基板としてはアルミ基板が用
いられているが、より平滑性に優れた基板としてガラス
やセラミック、カーボン等の非磁性基板を用いることが
検討されている。アルミ基板を用いた場合は通常数１０
μｍのＮｉＰめっき層を設け、その上にＣｒ下地膜、磁
性膜、保護膜を積層する。しかしガラスやセラミック、
カーボン基板等の場合はその上に直接Ｃｒ下地、磁性膜
を形成すると高い保磁力が得られないことが多い。この
理由はまだ明確にはなっていないが基板から発生する酸
素、水等のガスの影響により下地のＣｒ膜の結晶成長が
アルミ基板上のＮｉＰ上に成膜させた場合とは異なるた
め、Ｃｒ上に成膜される磁性膜の結晶成長にも影響を及
ぼし高保磁力を得るためには望ましくない結晶成長が起
きるためと考えられている。これらの問題を解決するた
め基板上にＴｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｗ、Ｓｉ等
の金属やＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＮ、ＡｌＮのような
酸化物や窒化物の非磁性膜（以下この膜を中間膜とし
た）を形成し、その上にＣｒ下地膜、磁性膜、保護膜を
順に積層し、保磁力を若干向上させた磁気記録媒体が提
案されている。（特開平２−２９９２３号）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に記載し
たように、ガラス等の非磁性基板を使用した磁気記録媒
体において高い保磁力を得るために望ましいＣｒの結晶
成長を促すためにＴｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｗ、
Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｈｆ、希土類元素等の金属やＳ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＮ、ＡｌＮのような酸化物や窒
化物の非磁性中間膜を形成すれば、１０００Ｏｅ程度ま
で保磁力を高くすることができる。しかし最近の高記録
密度化に対応するためには１４００Ｏｅ以上の保磁力が
必要である。磁気記録媒体の保磁力は磁性膜の結晶の配
向性や結晶粒径あるいは微細組織に関係しているが、磁
性膜の結晶粒径や結晶配向はその下地のＣｒ膜の結晶配
向や結晶粒径に、同様にＣｒ膜はその下地の中間膜の結
晶粒径や結晶配向に大きく影響されると考えられる。し
たがってＣｒ膜の下地である中間膜の結晶粒径や結晶配
向が保磁力に及ぼす影響は大きく適切な材料を選ぶこと
が必要である。本発明の目的は、従来知られている中間
膜よりも高い保磁力を得ることができる適切な材料を選
ぶことによりＣｒ下地膜とそれに続く磁性膜の結晶配
向、結晶粒径を制御し１４００Ｏｅ以上の高い保磁力を
得ることにある。
たように、ガラス等の非磁性基板を使用した磁気記録媒
体において高い保磁力を得るために望ましいＣｒの結晶
成長を促すためにＴｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｗ、
Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｈｆ、希土類元素等の金属やＳ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＮ、ＡｌＮのような酸化物や窒
化物の非磁性中間膜を形成すれば、１０００Ｏｅ程度ま
で保磁力を高くすることができる。しかし最近の高記録
密度化に対応するためには１４００Ｏｅ以上の保磁力が
必要である。磁気記録媒体の保磁力は磁性膜の結晶の配
向性や結晶粒径あるいは微細組織に関係しているが、磁
性膜の結晶粒径や結晶配向はその下地のＣｒ膜の結晶配
向や結晶粒径に、同様にＣｒ膜はその下地の中間膜の結
晶粒径や結晶配向に大きく影響されると考えられる。し
たがってＣｒ膜の下地である中間膜の結晶粒径や結晶配
向が保磁力に及ぼす影響は大きく適切な材料を選ぶこと
が必要である。本発明の目的は、従来知られている中間
膜よりも高い保磁力を得ることができる適切な材料を選
ぶことによりＣｒ下地膜とそれに続く磁性膜の結晶配
向、結晶粒径を制御し１４００Ｏｅ以上の高い保磁力を
得ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、ガラスやセラミック、カーボン等の非磁性基
板上にＣｒ等の下地膜と磁性膜と保護膜を積層させてな
る磁気記録媒体において、非磁性基板とＣｒ等の下地膜
との間にＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの
少なくとも一種を主成分とする金属膜を設けた。これら
の金属は基板からの酸素などが下地のＣｒ膜にまで到達
するのを防ぐ役割を果たすとともに、Ｃｒの（１１０）
面が基板面に平行な方向にエピタキシャル成長しやすい
ような結晶配向をとる。すなわち、これらの金属はすべ
てｆｃｃ構造を有し、ガラス基板等の非晶質の上に成膜
した場合、基板に平行にｆｃｃ金属の（１１１）面が成
長する。このｆｃｃ（１１１）面に対してｂｃｃ構造の
Ｃｒの（１１０）面がエピタキシャル成長する。これは
ｂｃｃ（１１０）面とｆｃｃ（１１１）面の原子数密度
と原子配列が近いことによると考えられる。このように
Ｃｒの（１１０）面が強く配向することによりＣｏのＣ
軸がより膜面に平行に配向し、保磁力を高めることがで
きる。
するため、ガラスやセラミック、カーボン等の非磁性基
板上にＣｒ等の下地膜と磁性膜と保護膜を積層させてな
る磁気記録媒体において、非磁性基板とＣｒ等の下地膜
との間にＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの
少なくとも一種を主成分とする金属膜を設けた。これら
の金属は基板からの酸素などが下地のＣｒ膜にまで到達
するのを防ぐ役割を果たすとともに、Ｃｒの（１１０）
面が基板面に平行な方向にエピタキシャル成長しやすい
ような結晶配向をとる。すなわち、これらの金属はすべ
てｆｃｃ構造を有し、ガラス基板等の非晶質の上に成膜
した場合、基板に平行にｆｃｃ金属の（１１１）面が成
長する。このｆｃｃ（１１１）面に対してｂｃｃ構造の
Ｃｒの（１１０）面がエピタキシャル成長する。これは
ｂｃｃ（１１０）面とｆｃｃ（１１１）面の原子数密度
と原子配列が近いことによると考えられる。このように
Ｃｒの（１１０）面が強く配向することによりＣｏのＣ
軸がより膜面に平行に配向し、保磁力を高めることがで
きる。
【０００５】
【作用】基板上に設けられたＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの中間膜はまず基板から発生する酸素
等のガスが下地のＣｒに拡散するのを防ぐ作用があり、
かつＣｒの（１１０）面の配向を強め結果的に磁性膜の
Ｃ軸を基板面に中間膜を用いなかった場合に比べてより
平行に揃えることができ高保磁力を得るのに望ましい結
晶成長を実現できるものと考えられる。
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの中間膜はまず基板から発生する酸素
等のガスが下地のＣｒに拡散するのを防ぐ作用があり、
かつＣｒの（１１０）面の配向を強め結果的に磁性膜の
Ｃ軸を基板面に中間膜を用いなかった場合に比べてより
平行に揃えることができ高保磁力を得るのに望ましい結
晶成長を実現できるものと考えられる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。 （実施例１）図１は本発明の一実施例となる磁気記録媒
体の断面図をしめしたものである。図において１１は化
学強化ガラス、あるいは結晶化ガラス、セラミック等の
ガラス基板、１２は前記基板の両面に設けたＣｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのうち１種を主成分
とする金属膜、１３はＣｒ下地層、１４はＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ基合金磁性
層、１５はＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2等からなる保護膜、１
６は潤滑剤である。特徴は、下地Ｃｒ膜とガラスあるい
はセラミック基板の間に、ｆｃｃ構造を有する金属膜１
２を設け、酸素等が拡散してＣｒ膜の正常な結晶成長が
阻害されるのを防ぎ、その上さらにエピタキシャル成長
によってＣｒ（１１０）を強く配向させた点にある。外
径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１.２７ｍｍのガラス
基板を洗浄後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、
２×１０ー7Ｔｏｒｒ以下に排気後、ガラス基板を３００
℃において１０分間加熱後、Ａｒガスを導入し、放電時
のガス圧を１０ｍＴｏｒｒに保持し、投入電力５００
Ｗ、成膜速度１８０Ａ/分の条件により中間膜、下地
膜、磁性膜、保護膜の順に連続して形成し薄膜磁気ディ
スクを作成した。下地Ｃｒ膜の膜厚を１０００Ａ、磁性
膜のＣｏＣｒＴａを５００Ａ,中間膜としてＡｕを選び
膜厚を１００Ａから３０００Ａまで変化させたところ、
表１のような磁気特性が得られた。
する。 （実施例１）図１は本発明の一実施例となる磁気記録媒
体の断面図をしめしたものである。図において１１は化
学強化ガラス、あるいは結晶化ガラス、セラミック等の
ガラス基板、１２は前記基板の両面に設けたＣｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのうち１種を主成分
とする金属膜、１３はＣｒ下地層、１４はＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ基合金磁性
層、１５はＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2等からなる保護膜、１
６は潤滑剤である。特徴は、下地Ｃｒ膜とガラスあるい
はセラミック基板の間に、ｆｃｃ構造を有する金属膜１
２を設け、酸素等が拡散してＣｒ膜の正常な結晶成長が
阻害されるのを防ぎ、その上さらにエピタキシャル成長
によってＣｒ（１１０）を強く配向させた点にある。外
径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１.２７ｍｍのガラス
基板を洗浄後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、
２×１０ー7Ｔｏｒｒ以下に排気後、ガラス基板を３００
℃において１０分間加熱後、Ａｒガスを導入し、放電時
のガス圧を１０ｍＴｏｒｒに保持し、投入電力５００
Ｗ、成膜速度１８０Ａ/分の条件により中間膜、下地
膜、磁性膜、保護膜の順に連続して形成し薄膜磁気ディ
スクを作成した。下地Ｃｒ膜の膜厚を１０００Ａ、磁性
膜のＣｏＣｒＴａを５００Ａ,中間膜としてＡｕを選び
膜厚を１００Ａから３０００Ａまで変化させたところ、
表１のような磁気特性が得られた。
【０００７】
【表１】 Ａｕの膜厚が０Ａ(オンク゛ストローム)のとき、すなわち中間膜
がないときは保磁力は４９０Ｏｅでたいへん低いが、中
間膜の膜厚を厚くしていくと急激に保磁力は増大し、中
間膜が３００Ａのときには１４５０Ｏｅを得ることがで
きる。また保磁力角形比Ｓ*も中間膜の存在により０.６
８から０.８２に改善される。 オージェ電子分光法に
より、膜の深さ方向の元素分析を行った結果、中間膜が
ない場合は酸素がＣｒに拡散しているのに対し、中間膜
を用いた場合は酸素は中間膜に拡散しているものの、Ｃ
ｒ膜には含まれていないことがわかった。これより中間
膜にはガラスからの酸素がＣｒに拡散するのを防ぐ効果
があることがわかる。またＸ線回折によりガラス基板上
のＡｕ膜は（１１１）面が基板面に平行に配向しその上
のＣｒ膜は（１１０）配向がＡｕ膜がないときに比べて
強くなっていることがわかった。 （実施例２）実施例１と同様に、ガラス基板上に種々の
中間膜、下地Ｃｒ膜、磁性膜、保護膜の順に形成し磁気
特性を測定した。中間膜の膜厚は５００Ａ一定とした。
磁性膜はＣｏＣｒＰｔ膜を５００Ａ成膜した。
がないときは保磁力は４９０Ｏｅでたいへん低いが、中
間膜の膜厚を厚くしていくと急激に保磁力は増大し、中
間膜が３００Ａのときには１４５０Ｏｅを得ることがで
きる。また保磁力角形比Ｓ*も中間膜の存在により０.６
８から０.８２に改善される。 オージェ電子分光法に
より、膜の深さ方向の元素分析を行った結果、中間膜が
ない場合は酸素がＣｒに拡散しているのに対し、中間膜
を用いた場合は酸素は中間膜に拡散しているものの、Ｃ
ｒ膜には含まれていないことがわかった。これより中間
膜にはガラスからの酸素がＣｒに拡散するのを防ぐ効果
があることがわかる。またＸ線回折によりガラス基板上
のＡｕ膜は（１１１）面が基板面に平行に配向しその上
のＣｒ膜は（１１０）配向がＡｕ膜がないときに比べて
強くなっていることがわかった。 （実施例２）実施例１と同様に、ガラス基板上に種々の
中間膜、下地Ｃｒ膜、磁性膜、保護膜の順に形成し磁気
特性を測定した。中間膜の膜厚は５００Ａ一定とした。
磁性膜はＣｏＣｒＰｔ膜を５００Ａ成膜した。
【０００８】
【表２】 本実施例よりＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａ
ｕの金属膜の金属元素を中間膜として用いることによ
り、保磁力が大幅に改善されていることがわかる。 （実施例３）実施例１と同様に、ガラス基板上に中間
膜、下地Ｃｒ膜、磁性膜、保護膜の順に形成し磁気特性
を測定した。磁性膜はＣｏＮｉＣｒ膜を５００Ａ成膜
し、Ｃｒ下地膜およびＰｄ中間膜の膜厚を変化させた。
ｕの金属膜の金属元素を中間膜として用いることによ
り、保磁力が大幅に改善されていることがわかる。 （実施例３）実施例１と同様に、ガラス基板上に中間
膜、下地Ｃｒ膜、磁性膜、保護膜の順に形成し磁気特性
を測定した。磁性膜はＣｏＮｉＣｒ膜を５００Ａ成膜
し、Ｃｒ下地膜およびＰｄ中間膜の膜厚を変化させた。
【０００９】
【表３】 上記の実施例で明らかなように、下地Ｃｒの膜厚が５０
０Ａ以上の場合は、中間膜を設けることにより１０００
Ｏｅ以上の高保磁力を得ることができる。
０Ａ以上の場合は、中間膜を設けることにより１０００
Ｏｅ以上の高保磁力を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によって、従来知られている中間
膜よりも高い保磁力を得ることができる適切な材料を選
ぶことによりＣｒ下地膜とそれに続く磁性膜の結晶配
向、結晶粒径を制御し１４００Ｏｅ以上の高い保磁力を
得ることができる。
膜よりも高い保磁力を得ることができる適切な材料を選
ぶことによりＣｒ下地膜とそれに続く磁性膜の結晶配
向、結晶粒径を制御し１４００Ｏｅ以上の高い保磁力を
得ることができる。
【図１】本発明の実施例の磁気記録媒体の部分断面図で
ある。
ある。
１１ 非磁性基板 １２ 中間膜 １３ Ｃｒ下地膜 １４ 磁性膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラスやセラミック、カーボン等の非磁
性基板上にＣｒ等の下地膜と磁性膜と保護膜を積層させ
てなる磁気記録媒体において、非磁性基板とＣｒ等の下
地膜との間にＣｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａ
ｕの少なくとも１種が主成分である金属膜を設けたこと
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24241192A JPH0696431A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24241192A JPH0696431A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696431A true JPH0696431A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17088733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24241192A Pending JPH0696431A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696431A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535962U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 株式会社フジタ | グリーンカツトマシン |
| JPH0535963U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 株式会社フジタ | グリーンカツトマシン |
| US5900323A (en) * | 1995-02-20 | 1999-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording drive |
| WO2000060583A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage device |
| US6277484B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-08-21 | Fujitsu Limited | Magnetic recording media and method of producing the same |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24241192A patent/JPH0696431A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535962U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 株式会社フジタ | グリーンカツトマシン |
| JPH0535963U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 株式会社フジタ | グリーンカツトマシン |
| US5900323A (en) * | 1995-02-20 | 1999-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording drive |
| US6277484B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-08-21 | Fujitsu Limited | Magnetic recording media and method of producing the same |
| WO2000060583A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage device |
| US7115329B1 (en) | 1999-03-31 | 2006-10-03 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage device |
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