JPH09305968A - 磁性記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁性記録媒体の製造方法Info
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- JPH09305968A JPH09305968A JP8124873A JP12487396A JPH09305968A JP H09305968 A JPH09305968 A JP H09305968A JP 8124873 A JP8124873 A JP 8124873A JP 12487396 A JP12487396 A JP 12487396A JP H09305968 A JPH09305968 A JP H09305968A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハードディスクの高密度化のために磁性層を
高保磁力化し、低ノイズ化を図ること。 【解決手段】 基板上に非磁性下地層と磁性金属多結晶
層を真空堆積した後、保護膜を形成することなく、かつ
真空を破ることなく、ポストアニールする。
高保磁力化し、低ノイズ化を図ること。 【解決手段】 基板上に非磁性下地層と磁性金属多結晶
層を真空堆積した後、保護膜を形成することなく、かつ
真空を破ることなく、ポストアニールする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハードディスク（Ｈ
Ｄ）用磁性記録媒体の製造方法に関する。
Ｄ）用磁性記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク（ＨＤ）の性能の向上に
は高記録密度化と低ノイズ化を同時に達成することが課
題となる。高記録密度化には高保磁力化が不可欠とな
る。この課題を達成するには磁性粒子（多結晶の場合に
は結晶粒または非磁性領域で分断された結晶粒内の磁性
領域）を単磁区臨界サイズ以下にならない程度に微細化
し、各磁性粒子間の磁気的相互作用が消滅する様に孤立
化させる必要がある。
は高記録密度化と低ノイズ化を同時に達成することが課
題となる。高記録密度化には高保磁力化が不可欠とな
る。この課題を達成するには磁性粒子（多結晶の場合に
は結晶粒または非磁性領域で分断された結晶粒内の磁性
領域）を単磁区臨界サイズ以下にならない程度に微細化
し、各磁性粒子間の磁気的相互作用が消滅する様に孤立
化させる必要がある。
【０００３】上述した技術的課題をクリアーするため
に、従来は多結晶構造の磁性膜を形成する際に磁性材料
中に非磁性物質を添加して堆積して堆積と同時にこの非
磁性物質を結晶粒界に析出させて結晶粒の孤立化を図っ
ていた（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．６，Ｎｏ
ｖ．１９９３，ｐｐ３６８５−３６８７）。さらに、こ
の析出現象を顕著に発生させるために、下地層、磁性
層、保護膜を順次堆積した後に大気暴露して低真空炉中
でポストアニールするＨＤ用媒体の形成方法がある。
に、従来は多結晶構造の磁性膜を形成する際に磁性材料
中に非磁性物質を添加して堆積して堆積と同時にこの非
磁性物質を結晶粒界に析出させて結晶粒の孤立化を図っ
ていた（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．６，Ｎｏ
ｖ．１９９３，ｐｐ３６８５−３６８７）。さらに、こ
の析出現象を顕著に発生させるために、下地層、磁性
層、保護膜を順次堆積した後に大気暴露して低真空炉中
でポストアニールするＨＤ用媒体の形成方法がある。
【０００４】また、結晶粒サイズの微細化に対しては、
磁性膜がヘテロエピ的に成長するのでその結晶粒サイズ
を決める下地層の薄膜化による下地層の微結晶化によっ
て対処していた。
磁性膜がヘテロエピ的に成長するのでその結晶粒サイズ
を決める下地層の薄膜化による下地層の微結晶化によっ
て対処していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の内、堆積と
同時に非磁性物質を粒界偏析させることを図った方法で
は、添加物質の析出が阻害され易くて、磁性結晶粒中に
固溶限界以上に非磁性である添加物が含まれてしまい保
磁力を悪化させてしまう。一方、保護膜の堆積まで行っ
た後にポストアニールする方法でも、このアニール中の
保護膜と磁性膜の反応が発生してしまうために高保磁力
化が阻害されてしまう問題が起こる。
同時に非磁性物質を粒界偏析させることを図った方法で
は、添加物質の析出が阻害され易くて、磁性結晶粒中に
固溶限界以上に非磁性である添加物が含まれてしまい保
磁力を悪化させてしまう。一方、保護膜の堆積まで行っ
た後にポストアニールする方法でも、このアニール中の
保護膜と磁性膜の反応が発生してしまうために高保磁力
化が阻害されてしまう問題が起こる。
【０００６】また、結晶粒サイズを微細化するために下
地層の薄膜化を行うと優れた磁気特性を有した磁性膜を
得るのに適した結晶配向が得られなくなる問題が発生す
る。
地層の薄膜化を行うと優れた磁気特性を有した磁性膜を
得るのに適した結晶配向が得られなくなる問題が発生す
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した問題を解決する
ために、本発明者は多結晶構造の非磁性下地層と磁性膜
を順次堆積した後に保護膜を堆積しない状態でポストア
ニールを行う技術を開発した。この技術ではアニール前
とアニール中の磁性層の酸化現象による磁気的性能の悪
化を抑制するためにポストアニールの終了まで真空状態
を維持した。こうした従来技術で問題となった保護膜と
の反応に起因した高保磁力化への阻害を回避して、磁性
膜の結晶粒界への十分な非磁性物質の偏析が実現され、
しかも結晶粒内に非磁性領域と磁性領域が共存させるこ
とによって実質的に磁性粒子の孤立化と微細化を実現で
きた。なお、堆積と同時に非磁性物質が結晶粒界に偏析
することが促進されない室温以下の基板温度で多結晶構
造の非磁性下地層と磁性膜を順次堆積させることでこの
孤立化と微細化を容易に実現できることも見い出され
た。
ために、本発明者は多結晶構造の非磁性下地層と磁性膜
を順次堆積した後に保護膜を堆積しない状態でポストア
ニールを行う技術を開発した。この技術ではアニール前
とアニール中の磁性層の酸化現象による磁気的性能の悪
化を抑制するためにポストアニールの終了まで真空状態
を維持した。こうした従来技術で問題となった保護膜と
の反応に起因した高保磁力化への阻害を回避して、磁性
膜の結晶粒界への十分な非磁性物質の偏析が実現され、
しかも結晶粒内に非磁性領域と磁性領域が共存させるこ
とによって実質的に磁性粒子の孤立化と微細化を実現で
きた。なお、堆積と同時に非磁性物質が結晶粒界に偏析
することが促進されない室温以下の基板温度で多結晶構
造の非磁性下地層と磁性膜を順次堆積させることでこの
孤立化と微細化を容易に実現できることも見い出され
た。
【０００８】すなわち、本発明によれば、非磁性基板上
に非磁性下地層を介して磁性金属多結晶層を有し、さら
に保護層を有するハードディスク用磁性記録媒体の製造
方法において、真空中で、前記非磁性下地層を有する前
記非磁性基板上に前記磁性金属多結晶層を堆積し、前記
真空を破ることなく、前記保護層を堆積する前に、前記
磁性金属層多結晶層を堆積した前記非磁性基板をポスト
アニールし、そして、然る後に前記堆積層を形成するこ
とを特徴とする磁性記録媒体の製造方法を提供する。
に非磁性下地層を介して磁性金属多結晶層を有し、さら
に保護層を有するハードディスク用磁性記録媒体の製造
方法において、真空中で、前記非磁性下地層を有する前
記非磁性基板上に前記磁性金属多結晶層を堆積し、前記
真空を破ることなく、前記保護層を堆積する前に、前記
磁性金属層多結晶層を堆積した前記非磁性基板をポスト
アニールし、そして、然る後に前記堆積層を形成するこ
とを特徴とする磁性記録媒体の製造方法を提供する。
【０００９】ＨＤ用基板材料としてはアルミニウム、ガ
ラス、石英、カーボン、シリコンなどの非磁性材料が用
いられる。ＨＤは耐衝撃性に優れ、また薄型化や高速回
転に適した剛性を有する。これらの基板の表面は通常Ｎ
ｉ3 Ｐ，ＳｉＯ2 などの層を形成してからテクスチャリ
ングされる。磁性金属多結晶層の材料としてはＣｏまた
はＣｏ基合金、例えばＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒＴａなどが代表的であるが、そのほかＮｉ，Ｆｅ、希
土類金属またはこれらの金属を主成分とする合金などで
もよい。さらに、非磁性材料のＣｒ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 などを添加してもよい。
ラス、石英、カーボン、シリコンなどの非磁性材料が用
いられる。ＨＤは耐衝撃性に優れ、また薄型化や高速回
転に適した剛性を有する。これらの基板の表面は通常Ｎ
ｉ3 Ｐ，ＳｉＯ2 などの層を形成してからテクスチャリ
ングされる。磁性金属多結晶層の材料としてはＣｏまた
はＣｏ基合金、例えばＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒＴａなどが代表的であるが、そのほかＮｉ，Ｆｅ、希
土類金属またはこれらの金属を主成分とする合金などで
もよい。さらに、非磁性材料のＣｒ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 などを添加してもよい。
【００１０】この磁性層の厚さは限定されないが、一般
的に、１０〜４０nm、好ましくはｔＢｒ値が１００μｍ
・Ｇとなる２０〜３０nmである。このような磁性金属は
真空堆積法、代表的には、スパッタ法、真空蒸着法など
で多結晶層として堆積することができる。マグネトロン
スパッタ法、バイアススパッタ法が好ましい。
的に、１０〜４０nm、好ましくはｔＢｒ値が１００μｍ
・Ｇとなる２０〜３０nmである。このような磁性金属は
真空堆積法、代表的には、スパッタ法、真空蒸着法など
で多結晶層として堆積することができる。マグネトロン
スパッタ法、バイアススパッタ法が好ましい。
【００１１】非磁性下地層は磁性金属多結晶層の成長を
促進する目的で形成される。代表的な磁性層であるＣｏ
またはＣｏ基合金からなる磁性層に対してはＣｒまたは
Ｃｒ基合金のほかＮｉＰ，ＣｒＭｏなどの層が一般的に
用いられ、これによってＣｏまたはＣｏ基合金層はＣ軸
が基板表面と平行に堆積（成長）する。下地層の厚さは
限定されないが、一般に、２０〜５０nm厚である。
促進する目的で形成される。代表的な磁性層であるＣｏ
またはＣｏ基合金からなる磁性層に対してはＣｒまたは
Ｃｒ基合金のほかＮｉＰ，ＣｒＭｏなどの層が一般的に
用いられ、これによってＣｏまたはＣｏ基合金層はＣ軸
が基板表面と平行に堆積（成長）する。下地層の厚さは
限定されないが、一般に、２０〜５０nm厚である。
【００１２】本発明では、この地下層の成分をポストア
ニールで磁性金属多結晶層の粒界へ拡散させて偏析させ
ることにより、磁性金属結晶粒間の粒界相互作用を阻止
し、それにより磁性記録層のノイズを防止するものであ
る。一方、代表的な保護膜材料であるカーボンが、磁性
層上に存在すると、ポストアニール時に結晶粒界を通っ
て下地層表面に達してそこに下地層成分の磁性層粒界へ
の拡散を阻害する相が形成されるので、本発明では保護
層は形成しないでポストアニールを行なう。
ニールで磁性金属多結晶層の粒界へ拡散させて偏析させ
ることにより、磁性金属結晶粒間の粒界相互作用を阻止
し、それにより磁性記録層のノイズを防止するものであ
る。一方、代表的な保護膜材料であるカーボンが、磁性
層上に存在すると、ポストアニール時に結晶粒界を通っ
て下地層表面に達してそこに下地層成分の磁性層粒界へ
の拡散を阻害する相が形成されるので、本発明では保護
層は形成しないでポストアニールを行なう。
【００１３】また、保護層なしで露出した磁性層をアニ
ールするため、磁性層を堆積した基板を一旦空気中に暴
露してしまうと表面に酸化膜が形成されて、この酸化膜
がポストアニール中に凝集して表面荒れを発生させてし
まうので、磁性層を堆積した後、真空を破らずにそのま
まポストアニールを行なう。ポストアニールの温度は例
えば５００〜７００℃でよいが、基板にＮｉＰ3 のよう
に結晶変態して磁性を持つに至る材料を用いた場合には
その結晶変態温度（３７０℃）より低い温度で、またア
ルミニウム基板のように軟化温度が低い場合は（アルミ
ニウムは６６０℃）それより低い温度でアニールする。
ールするため、磁性層を堆積した基板を一旦空気中に暴
露してしまうと表面に酸化膜が形成されて、この酸化膜
がポストアニール中に凝集して表面荒れを発生させてし
まうので、磁性層を堆積した後、真空を破らずにそのま
まポストアニールを行なう。ポストアニールの温度は例
えば５００〜７００℃でよいが、基板にＮｉＰ3 のよう
に結晶変態して磁性を持つに至る材料を用いた場合には
その結晶変態温度（３７０℃）より低い温度で、またア
ルミニウム基板のように軟化温度が低い場合は（アルミ
ニウムは６６０℃）それより低い温度でアニールする。
【００１４】上記の如く、ポストアニールでは非磁性下
地層から磁性層の結晶粒界への拡散、偏析を行なうもの
であるから、磁性層の上層として非磁性層を形成してサ
ンドイッチ構造にすることにより偏析を促進することが
できる。また、このようなサンドイッチ構造を多層化す
れば磁性層が多層化され、記録性能も向上する。
地層から磁性層の結晶粒界への拡散、偏析を行なうもの
であるから、磁性層の上層として非磁性層を形成してサ
ンドイッチ構造にすることにより偏析を促進することが
できる。また、このようなサンドイッチ構造を多層化す
れば磁性層が多層化され、記録性能も向上する。
【００１５】磁性層あるいは磁性層上のサンドイッチの
ための非磁性層の上に、記録媒体の保護膜を形成する。
保護膜は記録ヘッドによる記録層（磁性層）の損傷を保
護し、また潤滑の作用をする層である。代表的にはカー
ボン、ダイヤモンド、ジルコニウムなどが用いられる。
保護層の厚みは一般的に１０〜２０nm厚である。
ための非磁性層の上に、記録媒体の保護膜を形成する。
保護膜は記録ヘッドによる記録層（磁性層）の損傷を保
護し、また潤滑の作用をする層である。代表的にはカー
ボン、ダイヤモンド、ジルコニウムなどが用いられる。
保護層の厚みは一般的に１０〜２０nm厚である。
【００１６】
【実施例】（ａ）本発明によるハードディスク（ＨＤ）用磁性媒体
の製造 図１にこのプロセスフローを示す。図２を参照すると、
基板１上に非磁性下地層２と磁性層３を真空中で順次堆
積した後に、この真空状態を保持した状態でポストアニ
ールを行い、基板を室温まで冷却した後に保護膜４を磁
性層上に堆積してＨＤ用磁性媒体を製作した。基板材料
としてはアルミニウム、ガラス、石英、カーボン、シリ
コンなどの非磁性材料を用い、これらの基板上にＮｉ3
Ｐ，ＳｉＯ2 の何れかを形成した。非磁性下地層として
はＣｒまたはＮｉ3 Ｐを３０〜５０nm厚、磁性層として
はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ、希土類金属の何れか、またはこれ
らの一つまたは複数と非磁性材料であるＣｒ，Ｓｉ
ｏ2 ，ＺｒＯ2 等が添加された合金をスパッタ法で２０
〜４０nm厚程度形成した。ポストアニールは３５０〜７
００℃の温度で１分間程度行った。
の製造 図１にこのプロセスフローを示す。図２を参照すると、
基板１上に非磁性下地層２と磁性層３を真空中で順次堆
積した後に、この真空状態を保持した状態でポストアニ
ールを行い、基板を室温まで冷却した後に保護膜４を磁
性層上に堆積してＨＤ用磁性媒体を製作した。基板材料
としてはアルミニウム、ガラス、石英、カーボン、シリ
コンなどの非磁性材料を用い、これらの基板上にＮｉ3
Ｐ，ＳｉＯ2 の何れかを形成した。非磁性下地層として
はＣｒまたはＮｉ3 Ｐを３０〜５０nm厚、磁性層として
はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ、希土類金属の何れか、またはこれ
らの一つまたは複数と非磁性材料であるＣｒ，Ｓｉ
ｏ2 ，ＺｒＯ2 等が添加された合金をスパッタ法で２０
〜４０nm厚程度形成した。ポストアニールは３５０〜７
００℃の温度で１分間程度行った。
【００１７】（ｂ）サンドイッチ構造を用いたハードデ
ィスク（ＨＤ）用磁性媒体の製造 図３に示す様に、磁性層３とＣｒ層（非磁性層）５を交
互に形成したサンドイッチ構造を形成した後にポストア
ニールを行ってＨＤ用磁性媒体を製作した。Ｃｒ層５は
５nm厚程度、磁性層３は１０nm厚程度とした。これらは
何れもスパッタ法を用いて堆積した。
ィスク（ＨＤ）用磁性媒体の製造 図３に示す様に、磁性層３とＣｒ層（非磁性層）５を交
互に形成したサンドイッチ構造を形成した後にポストア
ニールを行ってＨＤ用磁性媒体を製作した。Ｃｒ層５は
５nm厚程度、磁性層３は１０nm厚程度とした。これらは
何れもスパッタ法を用いて堆積した。
【００１８】（ｃ）従来例 基板上に下地Ｃｒ層２、磁性ＣｏＣｒＰｔ層３、そして
保護層としてＺｒ層４を堆積した記録媒体を作製した。
さらに、この記録媒体をポストアニールした。このとき
の記録媒体の保磁力の変化を図４に示す。△がこの従来
例の結果を示す。ポストアニールにより保磁力が向上す
ることが見られる。
保護層としてＺｒ層４を堆積した記録媒体を作製した。
さらに、この記録媒体をポストアニールした。このとき
の記録媒体の保磁力の変化を図４に示す。△がこの従来
例の結果を示す。ポストアニールにより保磁力が向上す
ることが見られる。
【００１９】（ｄ）本発明との比較 図４に、Ｚｒ層４を堆積する前に、ＣｏＣｒＰｔ層３を
堆積後、真空を破らずにポストアニールしてから、Ｚｒ
層４を形成した場合の保磁力の変化を併せて示す（図中
の○印）。本発明の実施例の方が、ａｓ−ｄｅｐｏおよ
びすべてのアニール温度において従来例より高い保磁力
を示し、かつ従来例では６００℃を越えると急激に保磁
力が低下したが、実施例では６５０℃まで保磁力が上昇
した。
堆積後、真空を破らずにポストアニールしてから、Ｚｒ
層４を形成した場合の保磁力の変化を併せて示す（図中
の○印）。本発明の実施例の方が、ａｓ−ｄｅｐｏおよ
びすべてのアニール温度において従来例より高い保磁力
を示し、かつ従来例では６００℃を越えると急激に保磁
力が低下したが、実施例では６５０℃まで保磁力が上昇
した。
【００２０】保磁力の向上は、磁性金属多結晶層の結晶
粒間相互作用が減ったことを示しており、従ってノイズ
も減少してＳ／Ｎ比の向上、信頼性の向上が達成されて
いることを意味している。Ｓ／Ｎ比の低下は、磁性層の
薄膜化（出力の低下に見合うノイズの低下）を可能に
し、高密度記録を可能にする。また、保磁力の向上それ
自体も小領域への記録を可能にし、高記録密度化に有効
である。
粒間相互作用が減ったことを示しており、従ってノイズ
も減少してＳ／Ｎ比の向上、信頼性の向上が達成されて
いることを意味している。Ｓ／Ｎ比の低下は、磁性層の
薄膜化（出力の低下に見合うノイズの低下）を可能に
し、高密度記録を可能にする。また、保磁力の向上それ
自体も小領域への記録を可能にし、高記録密度化に有効
である。
【００２１】（ｅ）堆積温度が高保磁力化に及ぼす影響 図４に本技術を実行する際にＣｒ下地層とＣｏＣｒＰｔ
磁性層の堆積温度を変えて行った結果を示す。この結果
では室温（２７℃）と３００℃の堆積温度を用いた比較
を行った。堆積温度を室温にして本技術により媒体を形
成した方が特定のポストアニール温度で常に高い保磁力
が得られることが確認できた。
磁性層の堆積温度を変えて行った結果を示す。この結果
では室温（２７℃）と３００℃の堆積温度を用いた比較
を行った。堆積温度を室温にして本技術により媒体を形
成した方が特定のポストアニール温度で常に高い保磁力
が得られることが確認できた。
【００２２】低温で堆積することにより結晶性が低い膜
にでき、ポストアニール時のＣｒの拡散、偏析が促進さ
れるものと考えられる。
にでき、ポストアニール時のＣｒの拡散、偏析が促進さ
れるものと考えられる。
【００２３】
【発明の効果】ポストアニール前の磁性層の結晶膜構造
とプロセスを工夫することによって、ポストアニールの
利用によって得られる顕著な結晶粒界への非磁性材料の
析出現象と結晶粒内に非磁性領域で孤立化された磁性領
域を形成する２相分離状態の発生を効率よく実現させる
ことができ、高保磁力化と低ノイズ化が図れた。
とプロセスを工夫することによって、ポストアニールの
利用によって得られる顕著な結晶粒界への非磁性材料の
析出現象と結晶粒内に非磁性領域で孤立化された磁性領
域を形成する２相分離状態の発生を効率よく実現させる
ことができ、高保磁力化と低ノイズ化が図れた。
【図１】実施例のプロセスフローを示す。
【図２】Ａ）Ｂ）は実施例のＨＤ用磁性記録媒体の模式
断面図である。
断面図である。
【図３】Ａ）Ｂ）Ｃ）は他の実施例のサンドイッチ構造
の磁性記録媒体の模式断面図である。
の磁性記録媒体の模式断面図である。
【図４】実施例と比較例のポストアニールによる保磁力
の変化を示す。
の変化を示す。
【図５】ｄｅｐ温度の差によるポストアニール効果の差
を示す。
を示す。
１…基板 ２…下地非磁性層（Ｃｒ層） ３…磁性金属多結晶層（ＣｏＣｒＰｔ層） ４…保護層（Ｚｒ層） ５…非磁性層（Ｃｒ層）
Claims (11)
- 【請求項１】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁
性金属多結晶層を有し、さらに保護層を有するハードデ
ィスク用磁性記録媒体の製造方法において、 真空中で、前記非磁性下地層を有する前記非磁性基板上
に前記磁性金属多結晶層を堆積し、 前記真空を破ることなく、前記保護層を堆積する前に、
前記磁性金属層多結晶層を堆積した前記非磁性基板をポ
ストアニールし、そして然る後に前記保護層を形成する
ことを特徴とする磁性記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記磁性金属多結晶層がＣｏまたはＣｏ
基合金である請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記非磁性下地層がＣｒまたはＣｒ基合
金である請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記保護層がカーボンである請求項１，
２または３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記ポストアニールの温度が３５０〜７
００℃である請求項１〜４のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項６】 前記非磁性下地層と前記磁性金属多結晶
層の堆積を１００℃以下の低温加熱または非加熱条件下
で行なう請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 前記磁性金属多結晶層上に非磁性下地層
として機能しうる材質の非磁性層をもう一層堆積してか
ら前記ポストアニールを行なう請求項１〜６のいずれか
１項に記載の方法。 - 【請求項８】 前記磁性金属多結晶層を前記非磁性層で
サンドイッチした構造を多層化してから前記ポストアニ
ールを行なう請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記磁性金属多結晶層がＳｉＯ2 または
ＺｒＯ2 を添加したＣｏまたはＣｏ基合金である請求項
１〜８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記磁性金属多結晶層がＮｉ，Ｆｅ、
希土類金属またはこれらの金属を主成分とする合金であ
る請求項１，５〜８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記非磁性基板が結晶変態により磁性
を示す材料を含み、前記ポストアニールの温度がその結
晶変態温度より低い請求項１〜４，６〜１０のいずれか
１項に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8124873A JPH09305968A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 磁性記録媒体の製造方法 |
| US08/825,628 US5759617A (en) | 1996-05-20 | 1997-03-31 | Production process for a hard disk magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8124873A JPH09305968A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 磁性記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09305968A true JPH09305968A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14896218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8124873A Pending JPH09305968A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 磁性記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5759617A (ja) |
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