JPH0696895A - 窓構造体並びにその組立て方法 - Google Patents
窓構造体並びにその組立て方法Info
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- JPH0696895A JPH0696895A JP5068904A JP6890493A JPH0696895A JP H0696895 A JPH0696895 A JP H0696895A JP 5068904 A JP5068904 A JP 5068904A JP 6890493 A JP6890493 A JP 6890493A JP H0696895 A JPH0696895 A JP H0696895A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】非常に異なる圧力のもとで２つのチヤンバをマ
イクロ波を通す窓で分離することができる、簡単で安価
の装置を提供する。 【構成】高圧の領域からマイクロ波が低圧の領域中に供
給される異なる圧力の２つの領域をシールするための方
法並びに装置である。シールは、低圧の領域側に設けら
れた突出部に設置され、石英、セラミック、合成樹脂等
で形成された窓１５である。この窓と突出部との間には
シリコン接着手段１７が設けられている。
イクロ波を通す窓で分離することができる、簡単で安価
の装置を提供する。 【構成】高圧の領域からマイクロ波が低圧の領域中に供
給される異なる圧力の２つの領域をシールするための方
法並びに装置である。シールは、低圧の領域側に設けら
れた突出部に設置され、石英、セラミック、合成樹脂等
で形成された窓１５である。この窓と突出部との間には
シリコン接着手段１７が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低圧の第１の領域を高圧
の第２の領域から圧力分離し、マイクロ波を通す窓構造
体並びにその組立て方法に関する。
の第２の領域から圧力分離し、マイクロ波を通す窓構造
体並びにその組立て方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空技術において、基板をエッチングも
しくはコーテングするために使用されているプラズマを
発生するためにマイクロ波が度々使用されている。これ
らマイクロ波は、電気的に中性のガス状物質を励起し
て、例えば、静的磁界と関連して、特別のイオンの高分
野を形成する電子サイクロトロン共鳴を生じる。マイク
ロ波は所定の効果を得るためにプラズマ領域内に非常に
有効に導入されなければならないので、限定された空洞
導波管により一般的にはプラズマ領域内に導入されてい
る。
しくはコーテングするために使用されているプラズマを
発生するためにマイクロ波が度々使用されている。これ
らマイクロ波は、電気的に中性のガス状物質を励起し
て、例えば、静的磁界と関連して、特別のイオンの高分
野を形成する電子サイクロトロン共鳴を生じる。マイク
ロ波は所定の効果を得るためにプラズマ領域内に非常に
有効に導入されなければならないので、限定された空洞
導波管により一般的にはプラズマ領域内に導入されてい
る。
【０００３】プラズマ領域内にマイクロ波を導入する場
合の特別の問題は、プラズマ領域の外に位置するマイク
ロ波伝播路とプラズマ領域との間で圧力差が存在するこ
とに起因する。即ち、マイクロ波伝播路は大気圧であ
り、一方、プラズマチヤンバ内は非常に低圧である。
尚、このために、このチヤンバは真空チヤンバと称され
ている。
合の特別の問題は、プラズマ領域の外に位置するマイク
ロ波伝播路とプラズマ領域との間で圧力差が存在するこ
とに起因する。即ち、マイクロ波伝播路は大気圧であ
り、一方、プラズマチヤンバ内は非常に低圧である。
尚、このために、このチヤンバは真空チヤンバと称され
ている。
【０００４】２つの異なる圧力チヤンバを互いに分離
し、かつマイクロ波を一方のチヤンバから他方のチヤン
バに伝播するために、石英、セラミック、合成樹脂でで
きマイクロ波を通す窓が、通常は、空洞導波管内、空洞
導波管への導入箇所もしくは導波管から延びた箇所内に
設けられている。
し、かつマイクロ波を一方のチヤンバから他方のチヤン
バに伝播するために、石英、セラミック、合成樹脂でで
きマイクロ波を通す窓が、通常は、空洞導波管内、空洞
導波管への導入箇所もしくは導波管から延びた箇所内に
設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ波を通す窓が
中に一体的に設けられた空洞導波管は知られている。こ
のような空洞導波管において、窓は、複合挟持技術によ
り、金属の空洞導波管と結合されているので、全体の構
成物が非常に高価である。さらに、一体的な窓は、機械
的衝撃に対して、非常に影響を受けやすい。また、電磁
波を通し、かつガス、蒸気、塵等の侵入を防止するため
に導波管内に使用できるポリテトラフルオロエチレンで
できた窓が知られている（米国特許Ｎｏ．３，０９５，
５５０号）。この窓は、金属の導波管部分にエポキシ樹
脂により取着されている。このために、この導波管は、
窓が挿入される凹所をがなえ形成されたフランジを有し
ている。導波管は、このようなフランジを真空チヤンバ
に設けると、導波管内の大気が常時窓を真空チヤンバの
方向に押圧するので、窓が緩んでしまう恐れがある。
中に一体的に設けられた空洞導波管は知られている。こ
のような空洞導波管において、窓は、複合挟持技術によ
り、金属の空洞導波管と結合されているので、全体の構
成物が非常に高価である。さらに、一体的な窓は、機械
的衝撃に対して、非常に影響を受けやすい。また、電磁
波を通し、かつガス、蒸気、塵等の侵入を防止するため
に導波管内に使用できるポリテトラフルオロエチレンで
できた窓が知られている（米国特許Ｎｏ．３，０９５，
５５０号）。この窓は、金属の導波管部分にエポキシ樹
脂により取着されている。このために、この導波管は、
窓が挿入される凹所をがなえ形成されたフランジを有し
ている。導波管は、このようなフランジを真空チヤンバ
に設けると、導波管内の大気が常時窓を真空チヤンバの
方向に押圧するので、窓が緩んでしまう恐れがある。
【０００６】フランス特許Ｎｏ．１０３４３２７号によ
り、導波管に対して結合窓を締め付けることが知られて
いる。また、この結合窓は、これが大気圧と真空とのス
ペース間に配置されると、真空チヤンバ中に押圧され
る。
り、導波管に対して結合窓を締め付けることが知られて
いる。また、この結合窓は、これが大気圧と真空とのス
ペース間に配置されると、真空チヤンバ中に押圧され
る。
【０００７】さらに、中にマイクロ波のための導波管が
設けられ、かつマイクロ波を通す窓によりシールされた
マイクロ波導入手段を備えたプラズマ装置が知られてい
る（米国特許Ｎｏ．４，７８５，７６３号）。この窓
は、周囲の壁に下面の縁部で配置され、かつ囲む壁内に
設けられたＯーリングで、これの上面の縁部内に設けら
れている。この技術では、囲む壁内のＯーリングが安全
バッファーを構成しているので、過度の圧力が導波管内
に生じても、この窓は真空チヤンバ内には押圧されな
い。しかし、このような窓支持手段を製造することは非
常に高価である。
設けられ、かつマイクロ波を通す窓によりシールされた
マイクロ波導入手段を備えたプラズマ装置が知られてい
る（米国特許Ｎｏ．４，７８５，７６３号）。この窓
は、周囲の壁に下面の縁部で配置され、かつ囲む壁内に
設けられたＯーリングで、これの上面の縁部内に設けら
れている。この技術では、囲む壁内のＯーリングが安全
バッファーを構成しているので、過度の圧力が導波管内
に生じても、この窓は真空チヤンバ内には押圧されな
い。しかし、このような窓支持手段を製造することは非
常に高価である。
【０００８】マイクロ波導入手段と真空チヤンバとの間
に設けられた窓が、これが真空チヤンバ中に押圧され得
ないような突出部に配設されることは、また知られてい
る（ＥＰＣ出願Ｎｏ．０４７８２８３号；ドイツ特許Ｎ
ｏ．３２４４３９１号の図４；ＥＰＣ出願Ｎｏ．０４７
６９００号；米国特許Ｎｏ．４９６００７１号；米国特
許Ｎｏ．４７２０６９３号；ソビエット特許Ｎｏ．５５
９３０９号）。このような窓は機械的に突出部に載置さ
れているので、重要なシール効果が果たされない。
に設けられた窓が、これが真空チヤンバ中に押圧され得
ないような突出部に配設されることは、また知られてい
る（ＥＰＣ出願Ｎｏ．０４７８２８３号；ドイツ特許Ｎ
ｏ．３２４４３９１号の図４；ＥＰＣ出願Ｎｏ．０４７
６９００号；米国特許Ｎｏ．４９６００７１号；米国特
許Ｎｏ．４７２０６９３号；ソビエット特許Ｎｏ．５５
９３０９号）。このような窓は機械的に突出部に載置さ
れているので、重要なシール効果が果たされない。
【０００９】かくして、本発明の目的は、非常に異なる
圧力のもとで２つのチヤンバをマイクロ波を通す窓で分
離することができる、簡単で安価の装置を提供すること
である。
圧力のもとで２つのチヤンバをマイクロ波を通す窓で分
離することができる、簡単で安価の装置を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的は、低圧の第１
の領域を高圧の第２の領域から圧力分離し、マイクロ波
を通す窓構造体において、前記第１の領域は真空チヤン
バであり、また前記第２の領域はマイクロ波の案内メン
バーを有し、前記マイクロ波を通す窓は真空チヤンバ側
に設けられた少なくとも１つの突出部上に設置され、取
着手段により接続されていることを特徴とする窓構造体
により達成できる。
の領域を高圧の第２の領域から圧力分離し、マイクロ波
を通す窓構造体において、前記第１の領域は真空チヤン
バであり、また前記第２の領域はマイクロ波の案内メン
バーを有し、前記マイクロ波を通す窓は真空チヤンバ側
に設けられた少なくとも１つの突出部上に設置され、取
着手段により接続されていることを特徴とする窓構造体
により達成できる。
【００１１】
【実施例】図１に、断面で示す機械的アダプター部材２
とパイプ部材３とを具備する矩形空洞導波管１の最終部
が示されている。このアダプター部材２は、中にマイク
ロ波が導入される真空、即ちプラズマチヤンバ４に接続
されている。一方、パイプ部材３はマイクロ波伝播路
（図示せず）に接続されかつ大気圧にさらされている。
パイプ部材３とアダプター部材２とには、夫々フランジ
６，７が設けられ、これらフランジはねじ８，９により
互いに接続されている。同様の手段がプラズマチヤンバ
４に対するアダプター部材２にも適用されている。即
ち、対応するフランジ１２，１３相互がねじ１０，１１
により接続されている。これらフランジ１２，１３間に
は、外部に対するハーメチックシールを果たすシールリ
ング１４が設けられている。
とパイプ部材３とを具備する矩形空洞導波管１の最終部
が示されている。このアダプター部材２は、中にマイク
ロ波が導入される真空、即ちプラズマチヤンバ４に接続
されている。一方、パイプ部材３はマイクロ波伝播路
（図示せず）に接続されかつ大気圧にさらされている。
パイプ部材３とアダプター部材２とには、夫々フランジ
６，７が設けられ、これらフランジはねじ８，９により
互いに接続されている。同様の手段がプラズマチヤンバ
４に対するアダプター部材２にも適用されている。即
ち、対応するフランジ１２，１３相互がねじ１０，１１
により接続されている。これらフランジ１２，１３間に
は、外部に対するハーメチックシールを果たすシールリ
ング１４が設けられている。
【００１２】前記アダプター部材２のフランジ７内に
は、紫外線を通す窓１５が設けられている。この窓１５
は、石英、セラミック、合成樹脂もしくは他の適当な材
料により形成され得る。窓１５の縁部を受けるように、
Ｌ字状の断面を有する凹所１６がアダプター部材２に形
成されている。これら窓１５と凹所１６との間には、窓
１５をアダプター部材２に接続するための取着手段１７
が設けられている。この取着手段１７は、マイクロ波放
射に対して低ロスで、１０-8ミリバールの範囲の真空に
対する耐久性、少なくとも１５０℃の温度での安定性、
および弾性を持っていなければならない。高品質のシリ
コン取着手段がこれらの要求を全て満す。アダプター部
材２並びにパイプ部材３は、例えば、２．４５ＧＨｚの
マイクロ波周波数で、幅が８６．４ｍｍ，高さが４３．
２ｍｍの内部断面を有する矩形空洞導波管の一部を形成
する。この空洞導波管はＲ２６導波管である。このよう
なデメンションの導波管の場合、窓は、ほぼ９０ｍｍ
ｘ ４６ｍｍのデメンション、即ち、導波管の断面積よ
りも大きく、特に、約３ないし４ｍｍだけ幅並びに高さ
が大きいデイメンションである。他の矩形断面を有する
空洞導波管が使用される場合には、これに対応する幅と
高さの比のものが適している。
は、紫外線を通す窓１５が設けられている。この窓１５
は、石英、セラミック、合成樹脂もしくは他の適当な材
料により形成され得る。窓１５の縁部を受けるように、
Ｌ字状の断面を有する凹所１６がアダプター部材２に形
成されている。これら窓１５と凹所１６との間には、窓
１５をアダプター部材２に接続するための取着手段１７
が設けられている。この取着手段１７は、マイクロ波放
射に対して低ロスで、１０-8ミリバールの範囲の真空に
対する耐久性、少なくとも１５０℃の温度での安定性、
および弾性を持っていなければならない。高品質のシリ
コン取着手段がこれらの要求を全て満す。アダプター部
材２並びにパイプ部材３は、例えば、２．４５ＧＨｚの
マイクロ波周波数で、幅が８６．４ｍｍ，高さが４３．
２ｍｍの内部断面を有する矩形空洞導波管の一部を形成
する。この空洞導波管はＲ２６導波管である。このよう
なデメンションの導波管の場合、窓は、ほぼ９０ｍｍ
ｘ ４６ｍｍのデメンション、即ち、導波管の断面積よ
りも大きく、特に、約３ないし４ｍｍだけ幅並びに高さ
が大きいデイメンションである。他の矩形断面を有する
空洞導波管が使用される場合には、これに対応する幅と
高さの比のものが適している。
【００１３】図２にプラズマチヤンバ２０を示し、これ
のハウジング２１にはガス入口２２とガス出口２３とが
設けられている。このハウジング２１内で、ハウジング
２１の底部２６に配置された回転テーブル２５上に、コ
ーテングされる基板２４が載置される。この基板２４と
対向するようにして、カソード路２８に接続されたスパ
ッタリング電極２７が設けられている。このカソード路
２８には、好ましいｄｃ電流供給源からなる電源２９に
接続されている。また、このカソード路２８は、ハウジ
ング２１の上面３１に形成された凹所内に設置された電
気絶縁体５５，３０に設けられている。
のハウジング２１にはガス入口２２とガス出口２３とが
設けられている。このハウジング２１内で、ハウジング
２１の底部２６に配置された回転テーブル２５上に、コ
ーテングされる基板２４が載置される。この基板２４と
対向するようにして、カソード路２８に接続されたスパ
ッタリング電極２７が設けられている。このカソード路
２８には、好ましいｄｃ電流供給源からなる電源２９に
接続されている。また、このカソード路２８は、ハウジ
ング２１の上面３１に形成された凹所内に設置された電
気絶縁体５５，３０に設けられている。
【００１４】前記カソード路２８内には、永久磁石３２
が配置されている。この永久磁石はヨーク３３並びに２
つの北極３４，３５を、これらの間に位置いる南極３６
と同様に有する。前記スパッタリング電極２７の両側に
は導波管３７，３８が設けられている。各導波管の長軸
はスパッタリング電極２７の表面に平行に延出しＵ字形
状の金属シート３９，４０内で終端している。両空洞導
波管３７，３８は９０度の折曲部４１，４２を有し、こ
こで上方に向いてマイクロ波伝播路（図示せず）に終端
部４３，４４を介して接続されている。これら終端部４
３，４４と導波管３７，３８との間には、外部雰囲気か
ら圧力に関してプラズマ即ち真空チヤンバ２０を分離す
る窓４５，４６が設けられている。これら窓４５，４６
は図１に示す窓１５に対応し、図１に示すフランジ６に
対応するフランジ４７，４８内に装着されている。永久
磁石の北極並びに南極の形状により、円弧状の磁力線４
９，５０が発生し、この中で、発振されたマイクロ波に
よりＥＣＲ現象が生じる。前記導波管３７，３８により
マイクロ波エネルギーがＵ字状の金属シート３９，４０
を介して直接スパッタリング電極２７と基板２４との間
の領域に案内され、ここで吸収される。
が配置されている。この永久磁石はヨーク３３並びに２
つの北極３４，３５を、これらの間に位置いる南極３６
と同様に有する。前記スパッタリング電極２７の両側に
は導波管３７，３８が設けられている。各導波管の長軸
はスパッタリング電極２７の表面に平行に延出しＵ字形
状の金属シート３９，４０内で終端している。両空洞導
波管３７，３８は９０度の折曲部４１，４２を有し、こ
こで上方に向いてマイクロ波伝播路（図示せず）に終端
部４３，４４を介して接続されている。これら終端部４
３，４４と導波管３７，３８との間には、外部雰囲気か
ら圧力に関してプラズマ即ち真空チヤンバ２０を分離す
る窓４５，４６が設けられている。これら窓４５，４６
は図１に示す窓１５に対応し、図１に示すフランジ６に
対応するフランジ４７，４８内に装着されている。永久
磁石の北極並びに南極の形状により、円弧状の磁力線４
９，５０が発生し、この中で、発振されたマイクロ波に
よりＥＣＲ現象が生じる。前記導波管３７，３８により
マイクロ波エネルギーがＵ字状の金属シート３９，４０
を介して直接スパッタリング電極２７と基板２４との間
の領域に案内され、ここで吸収される。
【００１５】図３はマイクロ波伝播路と真空処理チヤン
バとの間に窓を配設するための別の例を示す。図３でホ
ーンアンテナ６０が真空チヤンバ６１内に設けられてい
る。この真空チヤンバ６１のハウジングは、符号６２で
部分的にのみ図示されている。ホーンアンテナ６０を介
して、中で液体状の金属６４もしくは液体状の金属合金
が電子ビームにより蒸気化されるルツボ６３に供給され
る。ホーンアンテナ６０の一端はルツボ６３に非常に近
接している。さらにこのホーンアンテナ６０は窓６５を
介して、波長調整器（図示せず）を有する導波管６６に
接続されている。ここでは、この窓６５は真空と大気と
のインターフェースとして示されている。この窓は、導
波管６６を囲む部分６７の凹所内に設置されている。こ
の部分６７と対向するようにして部分６８が設けられ、
この部分６８ｆ窓６５を部分６７に押圧している。窓６
５と部分６７との間の取着手段が符号６９により示され
ている。前記部分６７に隣接した別の部分７０にはハウ
ジング６２と接続されたスリーブ７１が設けられてい
る。ガラス、セラミック等からなる第２の窓７２の前
で、金属７１がチヤンバ６１内で蒸気化されている間、
１０-2ミリバールもしくは反れ以上の蒸気化物質の蒸気
圧が得られ、発振されたマイクロ波によりプラズマが発
生される。両窓６５，７２間で、即ちホーンアンテナ自
身内で、１０-4ミリバールの圧力が得られ、従ってここ
ではプラズマが発生しない。
バとの間に窓を配設するための別の例を示す。図３でホ
ーンアンテナ６０が真空チヤンバ６１内に設けられてい
る。この真空チヤンバ６１のハウジングは、符号６２で
部分的にのみ図示されている。ホーンアンテナ６０を介
して、中で液体状の金属６４もしくは液体状の金属合金
が電子ビームにより蒸気化されるルツボ６３に供給され
る。ホーンアンテナ６０の一端はルツボ６３に非常に近
接している。さらにこのホーンアンテナ６０は窓６５を
介して、波長調整器（図示せず）を有する導波管６６に
接続されている。ここでは、この窓６５は真空と大気と
のインターフェースとして示されている。この窓は、導
波管６６を囲む部分６７の凹所内に設置されている。こ
の部分６７と対向するようにして部分６８が設けられ、
この部分６８ｆ窓６５を部分６７に押圧している。窓６
５と部分６７との間の取着手段が符号６９により示され
ている。前記部分６７に隣接した別の部分７０にはハウ
ジング６２と接続されたスリーブ７１が設けられてい
る。ガラス、セラミック等からなる第２の窓７２の前
で、金属７１がチヤンバ６１内で蒸気化されている間、
１０-2ミリバールもしくは反れ以上の蒸気化物質の蒸気
圧が得られ、発振されたマイクロ波によりプラズマが発
生される。両窓６５，７２間で、即ちホーンアンテナ自
身内で、１０-4ミリバールの圧力が得られ、従ってここ
ではプラズマが発生しない。
【００１６】１０-4ミリバールの圧力を生じさせるため
に、ホーンアンテナ６０の上側に孔９０〜９９が形成さ
れている。これに反して、ホーンアンテナ６０の下側に
は孔は形成されていない。両窓６５，７２間の空間には
装置のバックグラウンド真空に連通されている。前記窓
７２、支持材として機能する突出部に高圧により押圧さ
れるように低圧側に位置するように設置されている。
に、ホーンアンテナ６０の上側に孔９０〜９９が形成さ
れている。これに反して、ホーンアンテナ６０の下側に
は孔は形成されていない。両窓６５，７２間の空間には
装置のバックグラウンド真空に連通されている。前記窓
７２、支持材として機能する突出部に高圧により押圧さ
れるように低圧側に位置するように設置されている。
【００１７】符号８０は半田付けされた冷却ラインを、
そして符号７４は導波管６８とホーンアンテナ６０との
間の接続フランジを夫々示す。ルツボカバー７５は、電
子ビームにより蒸気化された粒子を囲む機能を果たす。
そして符号７４は導波管６８とホーンアンテナ６０との
間の接続フランジを夫々示す。ルツボカバー７５は、電
子ビームにより蒸気化された粒子を囲む機能を果たす。
【００１８】本発明は空洞導波管の例に限定されるもの
ではない。例えば、空洞共振器からマイクロ波が大気圧
でのスペーからのスリットを介して真空チヤンバ中に供
給され反射領域が広くなる場合には、空洞共振器にも拡
張される。スロットの前に、ガラスで形成され、非常に
大きく、かつほとんど矩形のマイクロ波窓が設けられ
る。
ではない。例えば、空洞共振器からマイクロ波が大気圧
でのスペーからのスリットを介して真空チヤンバ中に供
給され反射領域が広くなる場合には、空洞共振器にも拡
張される。スロットの前に、ガラスで形成され、非常に
大きく、かつほとんど矩形のマイクロ波窓が設けられ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、同じように大きな機械
的安定性で約１０-8ミリバールのような高真空密度が達
成される効果がある。さらに、本発明に係わる窓は耐振
動性を有することができる。特に、シリコン接着手段に
より真空空洞導波管のフランジ内に直接装着され、石
英、セラミック、テフロン等の誘電体でできた窓を使用
することにより、シリコン接着材は耐マイクロ波性を有
し、また窓は空洞導波管内に弾性的に設置されるので、
機械的強度も優れる。
的安定性で約１０-8ミリバールのような高真空密度が達
成される効果がある。さらに、本発明に係わる窓は耐振
動性を有することができる。特に、シリコン接着手段に
より真空空洞導波管のフランジ内に直接装着され、石
英、セラミック、テフロン等の誘電体でできた窓を使用
することにより、シリコン接着材は耐マイクロ波性を有
し、また窓は空洞導波管内に弾性的に設置されるので、
機械的強度も優れる。
【図１】本発明の実施例に係わる、マイクロ波を通す窓
を備えた空洞導波管を示す。
を備えた空洞導波管を示す。
【図２】マイクロ波によるマグネトロンカソードスパッ
タリングのための装置を示す。
タリングのための装置を示す。
【図３】マイクロ波を電子ビーム蒸発器に供給するため
の装置を示す。
の装置を示す。
２…アダプター部材、４…プラズマチヤンバ、６，７…
フランジ、１５…窓、１６…凹所、１７…取着手段。
フランジ、１５…窓、１６…凹所、１７…取着手段。
Claims (12)
- 【請求項１】 低圧の第１の領域を高圧の第２の領域か
ら圧力分離し、マイクロ波を通す窓構造体において、前
記第１の領域は真空チヤンバであり、また前記第２の領
域はマイクロ波（５）の案内メンバー（３；３７，３
８，６６）を有し、前記マイクロ波を通す窓（１５；４
５，４６，６５）は真空チヤンバ（４，２１，６１）側
に設けられた少なくとも１つの突出部上に設置され、取
着手段により接続されていることを特徴とする窓構造
体。 - 【請求項２】 前記真空チヤンバには、内壁の一端に凹
所（１６）を有するパイプ形状の接続部が設けられ、こ
の凹所中に窓（１５）の縁部が挿入され、ここで窓の縁
部と凹所（１６）との間に前記取着手段が設けられてい
ることを特徴とする請求項１の窓構造体。 - 【請求項３】 前記接続部（２）は、導波管（３）のフ
ランジ（６）と対向するフランジ（７）を有し、両フラ
ンジ（６，７）はねじ（８，９）により他がいに接続さ
れていることを特徴とする請求項２の窓構造体。 - 【請求項４】 真空チヤンバの内部の窓（４５，４６）
は、ターゲット（２７）の下側に導かれた導波管（３
７，３８）により取着されていることを特徴とする請求
項１の窓構造体。 - 【請求項５】 導波管（６８）が窓（６５）と接続さ
れ、この窓は電子ビームによる蒸気化ルツボ（６３）に
導かれたホーンアンテナ（６０）に接続されていること
を特徴とする請求項１の窓構造体。 - 【請求項６】 窓（６５）の縁部が２つの部分により挟
持され、一方の部分は窓（６５）の縁部が位置する凹所
を有することを特徴とする請求項１の窓構造体。 - 【請求項７】 請求項１に記載したような、マイクロ波
を通す窓構造体を組立てる方法において、 （ａ）導波管の内断面積よりも大きい断面積を有する窓
部材を選定し、 （ｂ）導波管の内断面積は一端側で広くなっており、こ
このガス圧が高くなっており、 （ｃ）導波管の広がった側に取着手段を設け、 （ｄ）導波管の広がった側に窓部材を設置することを特
徴とする方法。 - 【請求項８】 窓部材は、石英ガラス、セラミック、低
損失合成樹脂等の誘電材で形成された窓であることを特
徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 前記導波管は矩形導波管であることを特
徴とする請求項７の方法。 - 【請求項１０】 ２．４５ＧＨｚのマイクロ波周波数
で、矩形空洞導波管の内断面積は８６．４ｍｍ ｘ ４
３．２ｍｍ（＝Ｒ２６導波管）であることを特徴とする
請求項９の方法。 - 【請求項１１】 前記窓部材は、これの各側が導波管の
対応する側よりも約３ないし４ｍｍだけ長いことを特徴
とする請求項７の方法。 - 【請求項１２】 前記取着手段はシリコン接着材である
ことを特徴とする請求項１，２もしくは７の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19924217900 DE4217900A1 (de) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Anordnung einer mikrowellendurchlässigen Scheibe in einem Hohlleiter und Verfahren zur Einbringung dieser Scheibe |
| DE4217900.9 | 1992-05-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696895A true JPH0696895A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=6460064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5068904A Pending JPH0696895A (ja) | 1992-05-29 | 1993-03-26 | 窓構造体並びにその組立て方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696895A (ja) |
| DE (1) | DE4217900A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004034455A1 (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-22 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置，プラズマ処理装置に用いる処理容器，及びプラズマ処理装置に用いる誘電体板 |
| CN1310373C (zh) * | 2005-01-07 | 2007-04-11 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 新型高功率微波真空隔离窗 |
| US7527706B2 (en) | 2002-10-10 | 2009-05-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, process vessel for plasma processing apparatus and dielectric plate for plasma processing apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19802971C2 (de) * | 1998-01-27 | 1999-12-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Plasmareaktor |
| US6965287B2 (en) * | 2004-03-31 | 2005-11-15 | Tokyo Electron Limited | Low reflection microwave window |
| ATE383063T1 (de) * | 2005-04-29 | 2008-01-15 | Alter Srl | Plasmaerzeuger |
| JP6732006B2 (ja) | 2015-07-31 | 2020-07-29 | アジレント・テクノロジーズ・インクＡｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | マイクロ波プラズマ生成用チャンバ及びプラズマ生成方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1034327A (fr) * | 1951-03-22 | 1953-07-22 | Csf | Perfectionnements aux dispositifs de couplage en ultra-haute fréquence |
| US3201296A (en) * | 1959-04-09 | 1965-08-17 | Timothy J Kilduff | Method of making a waveguide window |
| US3095550A (en) * | 1959-04-09 | 1963-06-25 | Timothy J Kilduff | Polytetrafluoroethylene waveguide window construction |
| SU559309A1 (ru) * | 1975-11-19 | 1977-05-25 | Предприятие П/Я В-2183 | Волноводное герметизирующее окно |
| DE3244391A1 (de) * | 1982-12-01 | 1984-06-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zur beschichtung von substraten durch plasmapolymerisation |
| FR2575604B1 (fr) * | 1984-12-28 | 1987-01-30 | Thomson Csf | Guide d'ondes rectangulaire a moulures, muni d'une fenetre etanche |
| JPH0676664B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1994-09-28 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成装置 |
| EP0310347B1 (en) * | 1987-09-30 | 1992-11-25 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Thin film forming apparatus |
| JPH04129133A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Hitachi Ltd | イオン源及びプラズマ装置 |
| DE69123808T2 (de) * | 1990-09-26 | 1997-06-26 | Hitachi Ltd | Verfahren und Gerät zur Bearbeitung mittels Mikrowellenplasma |
-
1992
- 1992-05-29 DE DE19924217900 patent/DE4217900A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5068904A patent/JPH0696895A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004034455A1 (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-22 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置，プラズマ処理装置に用いる処理容器，及びプラズマ処理装置に用いる誘電体板 |
| KR100782623B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2007-12-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 유전체 부재 |
| KR100791660B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2008-01-03 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| US7527706B2 (en) | 2002-10-10 | 2009-05-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, process vessel for plasma processing apparatus and dielectric plate for plasma processing apparatus |
| CN1310373C (zh) * | 2005-01-07 | 2007-04-11 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 新型高功率微波真空隔离窗 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4217900A1 (de) | 1993-12-02 |
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