JPH0697116A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0697116A JPH0697116A JP4247765A JP24776592A JPH0697116A JP H0697116 A JPH0697116 A JP H0697116A JP 4247765 A JP4247765 A JP 4247765A JP 24776592 A JP24776592 A JP 24776592A JP H0697116 A JPH0697116 A JP H0697116A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、被エッチング体を冷却した状態でエ
ッチングする半導体装置の製造装置に関し、反応室の基
台に取り付けられた、ウエハを冷却する冷却ブロックの
周辺部での結露を防止するとともに、冷却ブロックでの
取り付け部での微小リークを防止することが可能な半導
体装置の製造装置の提供を目的とする。 【構成】減圧可能な反応室２５と、冷媒を通流させてウ
エハ３９を冷却する冷却ブロック２６と、冷却ブロック
２６に冷媒を導く導入管２９と、冷却ブロック２６に導
かれた冷媒を排出する排出管３０と、冷却ブロック２６
上のウエハ載置台２７と、反応室２５に反応ガスを導入
するガス導入口３７と、反応室２５内を排気する排気口
３６とを有する半導体装置の製造装置であって、冷却ブ
ロック２６は、反応室２５内に設けられ、かつ導入管２
９と排出管３０とは反応室２５の基台２２の貫通口32
ａ，32ｂを介して反応室２５の外部に露出していること
を含み構成する。
ッチングする半導体装置の製造装置に関し、反応室の基
台に取り付けられた、ウエハを冷却する冷却ブロックの
周辺部での結露を防止するとともに、冷却ブロックでの
取り付け部での微小リークを防止することが可能な半導
体装置の製造装置の提供を目的とする。 【構成】減圧可能な反応室２５と、冷媒を通流させてウ
エハ３９を冷却する冷却ブロック２６と、冷却ブロック
２６に冷媒を導く導入管２９と、冷却ブロック２６に導
かれた冷媒を排出する排出管３０と、冷却ブロック２６
上のウエハ載置台２７と、反応室２５に反応ガスを導入
するガス導入口３７と、反応室２５内を排気する排気口
３６とを有する半導体装置の製造装置であって、冷却ブ
ロック２６は、反応室２５内に設けられ、かつ導入管２
９と排出管３０とは反応室２５の基台２２の貫通口32
ａ，32ｂを介して反応室２５の外部に露出していること
を含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、更に詳しく言えば、被エッチング体を冷却した状
態でエッチングする半導体装置の製造装置に関する。
関し、更に詳しく言えば、被エッチング体を冷却した状
態でエッチングする半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の被加工物を精度良くパター
ニングする場合において、ドライエッチングは必要不可
欠な技術である。特に、微細で精度の要求されるパター
ニングを行う場合、カーボン（Ｃ）を含むデポ性の強い
エッチングガスを使用し、側壁保護効果により異方性エ
ッチングを行っている。しかし、このようなエッチング
ガスを用いた場合、エッチングガスに含まれるＣにより
反応室内が汚染され、パーティクルの発生につながる。
そこで、Ｃ等を含まないガスを使用し、異方性エッチン
グを行うために、ウエハを冷却してエッチングを行う低
温プロセスが採用されるようになっている。
ニングする場合において、ドライエッチングは必要不可
欠な技術である。特に、微細で精度の要求されるパター
ニングを行う場合、カーボン（Ｃ）を含むデポ性の強い
エッチングガスを使用し、側壁保護効果により異方性エ
ッチングを行っている。しかし、このようなエッチング
ガスを用いた場合、エッチングガスに含まれるＣにより
反応室内が汚染され、パーティクルの発生につながる。
そこで、Ｃ等を含まないガスを使用し、異方性エッチン
グを行うために、ウエハを冷却してエッチングを行う低
温プロセスが採用されるようになっている。
【０００３】このような低温プロセスに用いられるＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置のウエハ冷却ステージの詳細
について図４に示す。図中符号１は反応室４を構成する
ベルジャ、２は反応室４を構成する基台で、Ｏリング３
を挟んでベルジャ１が基台２上に載置され、ベルジャ１
内を密封する。そして、ベルジャ１内部がウエハをエッ
チングするための反応室４となる。
Ｒプラズマエッチング装置のウエハ冷却ステージの詳細
について図４に示す。図中符号１は反応室４を構成する
ベルジャ、２は反応室４を構成する基台で、Ｏリング３
を挟んでベルジャ１が基台２上に載置され、ベルジャ１
内を密封する。そして、ベルジャ１内部がウエハをエッ
チングするための反応室４となる。
【０００４】５は基台２に設けられた貫通口、６は基台
２と絶縁されて貫通口５に嵌め込まれている、ウエハを
冷却するための冷却ブロックで、冷却ブロック６は密封
部材としてのＯリング１１を挟んで基台２の貫通口５に
嵌め込まれ、ベルジャ１内と外部との間を密封する。ま
た、冷却ブロック６にはウエハ載置台７を載せる部分に
通流溝８が形成され、冷却水やフロン系冷媒を導入管９
から導入し、通流溝８を通流させてウエハ１５を冷却
し、使用した冷媒等を排出管１０から排出する。７は冷
却ブロック６の上に設けられたウエハ載置台で、反応室
４内を減圧するとともに、不要な反応ガスを排気する排
気口１２と、反応室４内に反応ガスを導入するガス導入
口１３とが形成されている。１４は冷却ブロック６と接
続された高周波電源で、冷却ブロック６及びウエハ載置
台７を介してウエハ１５に高周波電圧を印加する。これ
により、エッチングの異方性を向上させることができ
る。
２と絶縁されて貫通口５に嵌め込まれている、ウエハを
冷却するための冷却ブロックで、冷却ブロック６は密封
部材としてのＯリング１１を挟んで基台２の貫通口５に
嵌め込まれ、ベルジャ１内と外部との間を密封する。ま
た、冷却ブロック６にはウエハ載置台７を載せる部分に
通流溝８が形成され、冷却水やフロン系冷媒を導入管９
から導入し、通流溝８を通流させてウエハ１５を冷却
し、使用した冷媒等を排出管１０から排出する。７は冷
却ブロック６の上に設けられたウエハ載置台で、反応室
４内を減圧するとともに、不要な反応ガスを排気する排
気口１２と、反応室４内に反応ガスを導入するガス導入
口１３とが形成されている。１４は冷却ブロック６と接
続された高周波電源で、冷却ブロック６及びウエハ載置
台７を介してウエハ１５に高周波電圧を印加する。これ
により、エッチングの異方性を向上させることができ
る。
【０００５】従来、このようなエッチング装置によりＣ
等を含まないＮＦ3 ガスを用いてウエハ１５を温度−５
０℃以下に冷却しながら、エッチングを行っている。こ
れにより、ベルジャ１の内壁等への反応生成物の付着等
を防止し、反応室４内が汚染されるのを防止することが
できる。
等を含まないＮＦ3 ガスを用いてウエハ１５を温度−５
０℃以下に冷却しながら、エッチングを行っている。こ
れにより、ベルジャ１の内壁等への反応生成物の付着等
を防止し、反応室４内が汚染されるのを防止することが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記冷却ブロ
ック６自体かなり冷えており、これにより基台２も冷却
され、大気に曝されている部分で、結露が発生してい
た。また、Ｏリング１１は低温でも使用可能なものを用
いてはいるが、冷却ブロック６の収縮、Ｏリング１１の
硬化により微小リークが発生してしまうという問題があ
る。
ック６自体かなり冷えており、これにより基台２も冷却
され、大気に曝されている部分で、結露が発生してい
た。また、Ｏリング１１は低温でも使用可能なものを用
いてはいるが、冷却ブロック６の収縮、Ｏリング１１の
硬化により微小リークが発生してしまうという問題があ
る。
【０００７】この問題を解決するために、図５に示すよ
うに、反応室外部に露出している、冷却ブロック６及び
冷却ブロック６周辺部の基台２を被覆し、外部の湿気を
含んだ大気による冷却ブロック６及び冷却ブロック６周
辺部の基台２での結露を防止するためのカバー１６を設
け、カバー１６内部に窒素を流して窒素パージ（ドライ
エアパージ）を行っているが、密封性が十分ではなく、
また、かなり低温に冷却されるので、十分に低い露点の
窒素ガスを得ることが難しく、上記と同様な問題があ
る。
うに、反応室外部に露出している、冷却ブロック６及び
冷却ブロック６周辺部の基台２を被覆し、外部の湿気を
含んだ大気による冷却ブロック６及び冷却ブロック６周
辺部の基台２での結露を防止するためのカバー１６を設
け、カバー１６内部に窒素を流して窒素パージ（ドライ
エアパージ）を行っているが、密封性が十分ではなく、
また、かなり低温に冷却されるので、十分に低い露点の
窒素ガスを得ることが難しく、上記と同様な問題があ
る。
【０００８】本発明はかかる従来例の問題点に鑑み創作
されたものであり、反応室の基台に取り付けられた、ウ
エハを冷却する冷却ブロックの周辺部での結露を防止す
るとともに、冷却ブロックでの取り付け部での微小リー
クを防止することが可能な半導体装置の製造装置の提供
を目的とする。
されたものであり、反応室の基台に取り付けられた、ウ
エハを冷却する冷却ブロックの周辺部での結露を防止す
るとともに、冷却ブロックでの取り付け部での微小リー
クを防止することが可能な半導体装置の製造装置の提供
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、減圧可能な
反応室と、冷媒を通流させてウエハを冷却する冷却ブロ
ックと、前記冷却ブロックに前記冷媒を導く導入管と、
前記冷却ブロックに導かれた冷媒を排出する排出管と、
前記冷却ブロック上のウエハ載置台と、前記反応室に反
応ガスを導入するガス導入口と、前記反応室内を排気す
る排気口とを有する半導体装置の製造装置であって、前
記冷却ブロックは、前記反応室内に設けられ、かつ前記
導入管と前記排出管とは前記反応室の基台の貫通口を介
して反応室の外部に露出していることを特徴とする半導
体装置の製造装置によって達成され、第２に、前記貫通
口の側壁の基台には密封部材を挟んで前記導入管及び排
出管と接触する複数の接触部が形成され、かつ前記隣合
う接触部の間の基台には溝が形成され、該溝内が排気可
能となっていることを特徴とする第１の発明に記載の半
導体装置の製造装置によって達成される。
反応室と、冷媒を通流させてウエハを冷却する冷却ブロ
ックと、前記冷却ブロックに前記冷媒を導く導入管と、
前記冷却ブロックに導かれた冷媒を排出する排出管と、
前記冷却ブロック上のウエハ載置台と、前記反応室に反
応ガスを導入するガス導入口と、前記反応室内を排気す
る排気口とを有する半導体装置の製造装置であって、前
記冷却ブロックは、前記反応室内に設けられ、かつ前記
導入管と前記排出管とは前記反応室の基台の貫通口を介
して反応室の外部に露出していることを特徴とする半導
体装置の製造装置によって達成され、第２に、前記貫通
口の側壁の基台には密封部材を挟んで前記導入管及び排
出管と接触する複数の接触部が形成され、かつ前記隣合
う接触部の間の基台には溝が形成され、該溝内が排気可
能となっていることを特徴とする第１の発明に記載の半
導体装置の製造装置によって達成される。
【００１０】
【作 用】本発明に係る半導体装置の製造装置によれ
ば、冷却ブロックは反応室の基台上であって、反応室内
に収納されているので、直接外気と接触しない。従っ
て、冷却ブロック及びその周辺部での結露を防止するこ
とができる。
ば、冷却ブロックは反応室の基台上であって、反応室内
に収納されているので、直接外気と接触しない。従っ
て、冷却ブロック及びその周辺部での結露を防止するこ
とができる。
【００１１】また、基台と冷媒の導入管及び基台と冷媒
の排出管とは複数の接触部を有し、各接触部では密封部
材を介在させているので、密封性を向上させ、微小リー
クを防止することができる。更に、隣合う接触部の間に
は溝が設けられ、溝内を減圧できるようになっている。
従って、溝内を排気することにより、雰囲気中の水分が
除去されるので、導入管と排出管の外壁での結露をも防
止することができる。
の排出管とは複数の接触部を有し、各接触部では密封部
材を介在させているので、密封性を向上させ、微小リー
クを防止することができる。更に、隣合う接触部の間に
は溝が設けられ、溝内を減圧できるようになっている。
従って、溝内を排気することにより、雰囲気中の水分が
除去されるので、導入管と排出管の外壁での結露をも防
止することができる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係
る低温プロセスに用いられるＥＣＲプラズマエッチング
装置のウエハ冷却ステージの詳細構成図、図２はエッチ
ング装置全体を示す構成図である。
しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係
る低温プロセスに用いられるＥＣＲプラズマエッチング
装置のウエハ冷却ステージの詳細構成図、図２はエッチ
ング装置全体を示す構成図である。
【００１３】図１及び図２において、２１は反応室２５
を構成する、石英ガラスからなるベルジャ、22ａは反応
室２５を構成するステンレスからなる外部基台、23ａは
外側基台22ａと冷却ブロック２６との間に挟んで絶縁す
るテフロンやセラミックからなる絶縁体で、外側基台22
ａと絶縁体23ａとが基台２２を構成する。そして、絶縁
体23ａとベルジャ２１との間にＯリング２４を挟んでベ
ルジャ２１が絶縁体23ａ上に載置され、ベルジャ２１内
を密封する。そして、ベルジャ２１内部がウエハをエッ
チングするための反応室２５となる。
を構成する、石英ガラスからなるベルジャ、22ａは反応
室２５を構成するステンレスからなる外部基台、23ａは
外側基台22ａと冷却ブロック２６との間に挟んで絶縁す
るテフロンやセラミックからなる絶縁体で、外側基台22
ａと絶縁体23ａとが基台２２を構成する。そして、絶縁
体23ａとベルジャ２１との間にＯリング２４を挟んでベ
ルジャ２１が絶縁体23ａ上に載置され、ベルジャ２１内
を密封する。そして、ベルジャ２１内部がウエハをエッ
チングするための反応室２５となる。
【００１４】２６は絶縁体２３に埋め込まれた、アルミ
ニウムからなる冷却ブロックで、冷却ブロック２６には
ウエハ載置台２７と接する部分に通流溝２８が形成さ
れ、導入管２９及び排出管３０と接続されている。そし
て、冷却水やフロン系冷媒を導入管２９から導入し、通
流溝２８を通流させてウエハを冷却し、排出管３０から
排出する。導入管２９と排出管３０とは絶縁体２３と基
台２２に設けられた貫通口31ａ，31ｂ及び32ａ，32ｂを
介して反応室２５の外部に引き出されている。また、外
側基台22ａと導入管２９及び外側基台22ａと排出管３０
とはそれぞれ３箇所の接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜33ｆを
有し、各接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜33ｆではＯリング
（密封部材）34ａ〜34ｃ，34ｄ〜34ｆを介在させて密封
性を向上させている。また、隣合う接触部33ａ／33ｂ，
33ｂ／33ｃ，33ｄ／33ｅ，33ｅ／33ｆの間には溝35ａ／
35ｂ，35ｃ／35ｄが設けられ、溝35ａ／35ｂ，35ｃ／35
ｄ内は減圧可能になっている。２７はウエハ冷却ブロッ
ク２６の上に設けられた、アルミニウムからなるウエハ
載置台で、反応室２５内を減圧するとともに、不要な反
応ガスを排気する排気口３６と、反応室２５内に反応ガ
スを導入するガス導入口３７とが形成されている。以
上、ウエハ冷却ブロック２６及びウエハ載置台２７が冷
却ステージを構成する。
ニウムからなる冷却ブロックで、冷却ブロック２６には
ウエハ載置台２７と接する部分に通流溝２８が形成さ
れ、導入管２９及び排出管３０と接続されている。そし
て、冷却水やフロン系冷媒を導入管２９から導入し、通
流溝２８を通流させてウエハを冷却し、排出管３０から
排出する。導入管２９と排出管３０とは絶縁体２３と基
台２２に設けられた貫通口31ａ，31ｂ及び32ａ，32ｂを
介して反応室２５の外部に引き出されている。また、外
側基台22ａと導入管２９及び外側基台22ａと排出管３０
とはそれぞれ３箇所の接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜33ｆを
有し、各接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜33ｆではＯリング
（密封部材）34ａ〜34ｃ，34ｄ〜34ｆを介在させて密封
性を向上させている。また、隣合う接触部33ａ／33ｂ，
33ｂ／33ｃ，33ｄ／33ｅ，33ｅ／33ｆの間には溝35ａ／
35ｂ，35ｃ／35ｄが設けられ、溝35ａ／35ｂ，35ｃ／35
ｄ内は減圧可能になっている。２７はウエハ冷却ブロッ
ク２６の上に設けられた、アルミニウムからなるウエハ
載置台で、反応室２５内を減圧するとともに、不要な反
応ガスを排気する排気口３６と、反応室２５内に反応ガ
スを導入するガス導入口３７とが形成されている。以
上、ウエハ冷却ブロック２６及びウエハ載置台２７が冷
却ステージを構成する。
【００１５】３８はウエハ冷却ブロック２６と接続され
た高周波電源で、ウエハ冷却ブロック２６及びウエハ載
置台２７を介してウエハ（シリコン基板）３９に高周波
電圧を印加する。これにより、エッチングの異方性が向
上する。
た高周波電源で、ウエハ冷却ブロック２６及びウエハ載
置台２７を介してウエハ（シリコン基板）３９に高周波
電圧を印加する。これにより、エッチングの異方性が向
上する。
【００１６】40ａ，40ｂは基台２２から外部に露出する
導入管２９及び排出管３０の外壁での結露を防止するた
めに導入管２９及び排出管３０の外壁を被覆する断熱材
である。
導入管２９及び排出管３０の外壁での結露を防止するた
めに導入管２９及び排出管３０の外壁を被覆する断熱材
である。
【００１７】なお、図２において、４１はベルジャ２１
の周囲を囲むように形成されたμ波導入室で、ベルジャ
２１の側面に対向する側壁が電子にサイクロトロン共鳴
を起こさせる磁場を発生するソレノイドコイル４２とな
っている。４３はμ波をμ波導入室４１へ導くための導
波管で、μ波導入室４１と接続されている。
の周囲を囲むように形成されたμ波導入室で、ベルジャ
２１の側面に対向する側壁が電子にサイクロトロン共鳴
を起こさせる磁場を発生するソレノイドコイル４２とな
っている。４３はμ波をμ波導入室４１へ導くための導
波管で、μ波導入室４１と接続されている。
【００１８】以上のように、本発明の実施例のエッチン
グ装置によれば、冷却ブロック２６は基台２２上であっ
て反応室２５内に収納されているので、直接外気と接触
しない。従って、冷却ブロック２６及びその周辺部での
結露を防止することができる。
グ装置によれば、冷却ブロック２６は基台２２上であっ
て反応室２５内に収納されているので、直接外気と接触
しない。従って、冷却ブロック２６及びその周辺部での
結露を防止することができる。
【００１９】また、基台２２と導入管２９及び基台２２
と排出管３０とはそれぞれ３箇所の接触部33ａ〜33ｃ，
33ｄ〜33ｆを有し、各接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜33ｆで
はＯリング34ａ〜34ｃ，34ｄ〜34ｆを介在させているの
で、密封性を向上させ、微小リークを一層よく防止する
ことができる。更に、隣合う接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜
33ｆの間には溝35ａ／35ｂ，35ｃ／35ｄが設けられ、溝
35ａ／35ｂ，35ｃ／35ｄ内は減圧可能となっている。従
って、排気とともに、雰囲気中の水分が除去されるの
で、導入管２９と排出管３０の外壁での結露をも防止す
ることができる。
と排出管３０とはそれぞれ３箇所の接触部33ａ〜33ｃ，
33ｄ〜33ｆを有し、各接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜33ｆで
はＯリング34ａ〜34ｃ，34ｄ〜34ｆを介在させているの
で、密封性を向上させ、微小リークを一層よく防止する
ことができる。更に、隣合う接触部33ａ〜33ｃ，33ｄ〜
33ｆの間には溝35ａ／35ｂ，35ｃ／35ｄが設けられ、溝
35ａ／35ｂ，35ｃ／35ｄ内は減圧可能となっている。従
って、排気とともに、雰囲気中の水分が除去されるの
で、導入管２９と排出管３０の外壁での結露をも防止す
ることができる。
【００２０】次に、このようなエッチング装置によりＣ
等を含まないＮＦ3 ガスを用いてウエハを冷却した状態
で、エッチングを行う方法について図３（ａ）〜（ｃ）
を参照しながら説明する。
等を含まないＮＦ3 ガスを用いてウエハを冷却した状態
で、エッチングを行う方法について図３（ａ）〜（ｃ）
を参照しながら説明する。
【００２１】まず、シリコン基板３９上に膜厚約5000Å
のＢＰＳＧ膜からなる下地絶縁膜４４を形成した後、膜
厚約2000Åのタングステン膜４５を形成する（図３
（ａ））。
のＢＰＳＧ膜からなる下地絶縁膜４４を形成した後、膜
厚約2000Åのタングステン膜４５を形成する（図３
（ａ））。
【００２２】次に、配線層を形成すべき領域のタングス
テン膜４５上にレジストパターン膜４６を形成する（図
３（ｂ））。次いで、ＥＣＲプラズマエッチング装置に
より、シリコン基板４１を冷却した状態で、レジストパ
ターン膜４６に基づいてタングステン膜４５を選択的に
エッチングする。即ち、シリコン基板４１を反応室内の
ウエハ載置台２７上に載置した後、ベルジャ２１内及び
冷却ブロック２６を外部に導出する外部基台22ａの貫通
口32ａ，32ｂ側壁に形成された溝35ａ〜35ｄ内を減圧す
るとともに、冷却ブロック２６に冷媒を通流させてシリ
コン基板４１を冷却し、シリコン基板４１の温度を−６
０℃程度に保持する。
テン膜４５上にレジストパターン膜４６を形成する（図
３（ｂ））。次いで、ＥＣＲプラズマエッチング装置に
より、シリコン基板４１を冷却した状態で、レジストパ
ターン膜４６に基づいてタングステン膜４５を選択的に
エッチングする。即ち、シリコン基板４１を反応室内の
ウエハ載置台２７上に載置した後、ベルジャ２１内及び
冷却ブロック２６を外部に導出する外部基台22ａの貫通
口32ａ，32ｂ側壁に形成された溝35ａ〜35ｄ内を減圧す
るとともに、冷却ブロック２６に冷媒を通流させてシリ
コン基板４１を冷却し、シリコン基板４１の温度を−６
０℃程度に保持する。
【００２３】次に、９０sccmのＮＦ3 ガス及び１０sccm
のＯ2 ガスを反応室２５内に導入するとともに、周波数
２．４５ＧＨｚ，電力1000Ｗのμ波を導入し、反応室２
５内の圧力を１０mTorr に保持する。これにより、反応
室２５内のＮＦ3 ガスがプラズマ化されて、タングステ
ン膜４５のエッチングが始まる。このとき、ウエハ載置
台２７にＲＦを印加することよりエッチングの異方性の
傾向が強くなる。例えば、２００Ｗ程度の電力を印加す
る。この状態で、所定の時間保持すると、レジストパタ
ーン膜４６に基づいて配線層45ａが形成される。このと
き、Ｃ等を含まないＮＦ3 ガスを用いているので、ベル
ジャ２１の内壁等への反応生成物の付着等を防止し、反
応室２５内が汚染されるのを防止することができる。
のＯ2 ガスを反応室２５内に導入するとともに、周波数
２．４５ＧＨｚ，電力1000Ｗのμ波を導入し、反応室２
５内の圧力を１０mTorr に保持する。これにより、反応
室２５内のＮＦ3 ガスがプラズマ化されて、タングステ
ン膜４５のエッチングが始まる。このとき、ウエハ載置
台２７にＲＦを印加することよりエッチングの異方性の
傾向が強くなる。例えば、２００Ｗ程度の電力を印加す
る。この状態で、所定の時間保持すると、レジストパタ
ーン膜４６に基づいて配線層45ａが形成される。このと
き、Ｃ等を含まないＮＦ3 ガスを用いているので、ベル
ジャ２１の内壁等への反応生成物の付着等を防止し、反
応室２５内が汚染されるのを防止することができる。
【００２４】以上のように、本発明の実施例のエッチン
グ装置を用いたエッチング方法によれば、冷却ブロック
２６及びその周辺部での結露を防止し、かつ微小リーク
を防止することができるので、適正なエッチングレート
で、かつ十分な選択比を保持して下地絶縁膜４４として
のＢＰＳＧ膜上のタングステン膜４５のエッチングを行
うことができる。
グ装置を用いたエッチング方法によれば、冷却ブロック
２６及びその周辺部での結露を防止し、かつ微小リーク
を防止することができるので、適正なエッチングレート
で、かつ十分な選択比を保持して下地絶縁膜４４として
のＢＰＳＧ膜上のタングステン膜４５のエッチングを行
うことができる。
【００２５】なお、実施例では反応ガスとしてＮＦ3 ガ
ス＋Ｏ2 ガスを用いたエッチングに適用しているが、反
応ガスとしてＳＦ6 ガス＋Ｎ2 ガス等を用いたエッチン
グに適用することもできる。
ス＋Ｏ2 ガスを用いたエッチングに適用しているが、反
応ガスとしてＳＦ6 ガス＋Ｎ2 ガス等を用いたエッチン
グに適用することもできる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造装置によれば、冷却ブロックは基台上であ
って反応室内に収納されているので、直接外気と接触し
ない。従って、ウエハ冷却ブロック及びその周辺部での
結露を防止することができる。
体装置の製造装置によれば、冷却ブロックは基台上であ
って反応室内に収納されているので、直接外気と接触し
ない。従って、ウエハ冷却ブロック及びその周辺部での
結露を防止することができる。
【００２７】また、基台と冷媒の導入管及び基台と冷媒
の排出管とは複数の接触部を有し、各接触部では密封部
材を介在させているので、密封性を向上させ、微小リー
クを防止することができる。更に、隣合う接触部の間に
は溝が設けられ、溝内を減圧できるようになっている。
従って、溝内を排気することにより、雰囲気中の水分が
除去されるので、導入管と排出管の外壁での結露をも防
止することができる。
の排出管とは複数の接触部を有し、各接触部では密封部
材を介在させているので、密封性を向上させ、微小リー
クを防止することができる。更に、隣合う接触部の間に
は溝が設けられ、溝内を減圧できるようになっている。
従って、溝内を排気することにより、雰囲気中の水分が
除去されるので、導入管と排出管の外壁での結露をも防
止することができる。
【図１】本発明の実施例に係るＥＣＲプラズマエッチン
グ装置のウエハ冷却ステージの詳細説明図である。
グ装置のウエハ冷却ステージの詳細説明図である。
【図２】本発明の実施例に係るＥＣＲプラズマエッチン
グ装置の全体構成図である。
グ装置の全体構成図である。
【図３】本発明の実施例に係るＥＣＲプラズマエッチン
グ装置を用いてエッチングを行う方法について説明する
断面図である。
グ装置を用いてエッチングを行う方法について説明する
断面図である。
【図４】従来例に係るＥＣＲプラズマエッチング装置の
ウエハ冷却ステージの詳細説明図である。
ウエハ冷却ステージの詳細説明図である。
【図５】他の従来例に係るＥＣＲプラズマエッチング装
置のウエハ冷却ステージの詳細説明図である。
置のウエハ冷却ステージの詳細説明図である。
２１ ベルジャ、 ２２ 基台、 22ａ 外側基台、 23ａ 絶縁体、 ２４ Ｏリング、 ２５ 反応室、 ２６ 冷却ブロック、 ２７ ウエハ載置台、 ２８，35ａ〜35ｄ 溝、 ２９ 導入管、 ３０ 排出管、 31ａ，31ｂ，32ａ，32ｂ 貫通口、 33ａ〜33ｆ 接触部、 34ａ〜34ｆ Ｏリング（密封部材）、 ３６ 排気口、 ３７ ガス導入口、 ３８ 高周波電源、 ３９ ウエハ（シリコン基板）、 40ａ，40ｂ 断熱材、 ４１ μ波導入室、 ４２ ソレノイドコイル、 ４３ 導波管、 ４４ 下地絶縁膜、 ４５ タングステン膜、 45ａ 配線層、 ４６ レジストパターン膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧可能な反応室と、冷媒を通流させて
ウエハを冷却する冷却ブロックと、前記冷却ブロックに
前記冷媒を導く導入管と、前記冷却ブロックに導かれた
冷媒を排出する排出管と、前記冷却ブロック上のウエハ
載置台と、前記反応室に反応ガスを導入するガス導入口
と、前記反応室内を排気する排気口とを有する半導体装
置の製造装置であって、 前記冷却ブロックは、前記反応室内に設けられ、かつ前
記導入管と、前記排出管とは前記反応室の基台の貫通口
を介して反応室の外部に露出していることを特徴とする
半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記貫通口の側壁の基台には密封部材を
挟んで前記導入管及び排出管と接触する複数の接触部が
形成され、かつ前記隣合う接触部の間の基台には溝が形
成され、該溝内が排気可能となっていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247765A JPH0697116A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247765A JPH0697116A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697116A true JPH0697116A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17168326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4247765A Withdrawn JPH0697116A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697116A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002086957A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| JP2010157383A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 固体合成用高周波熱プラズマトーチ |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP4247765A patent/JPH0697116A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002086957A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| US7192532B2 (en) | 2001-04-19 | 2007-03-20 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| CN1310293C (zh) * | 2001-04-19 | 2007-04-11 | 东京毅力科创株式会社 | 干蚀刻方法 |
| JP2010157383A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 固体合成用高周波熱プラズマトーチ |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |