JPH0697131A - エッチング用エキシマレーザ加工装置 - Google Patents
エッチング用エキシマレーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH0697131A JPH0697131A JP24244492A JP24244492A JPH0697131A JP H0697131 A JPH0697131 A JP H0697131A JP 24244492 A JP24244492 A JP 24244492A JP 24244492 A JP24244492 A JP 24244492A JP H0697131 A JPH0697131 A JP H0697131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- excimer laser
- etching
- reaction gas
- laser light
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 3
- -1 methyl halide Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクを用いることなくサブミクロンパター
ンを短時間でエッチング加工でき、かつアブレーション
が起こりにくい、エッチング用エキシマレーザ加工装置
を提供する。 【構成】 エキシマレーザ光６を焦点１４に集光する集
光レンズ群１６と、エキシマレーザ光の焦点に被加工物
７の加工部分を位置決めする移動テーブル２２と、移動
テーブルを気密に囲む加工ハウジング２４と、加工ハウ
ジング内にエッチング用反応ガスを導入するガス導入装
置２５と、エッチング用反応ガスをプラズマ状態に励起
する高周波発生装置２６と、を備える。
ンを短時間でエッチング加工でき、かつアブレーション
が起こりにくい、エッチング用エキシマレーザ加工装置
を提供する。 【構成】 エキシマレーザ光６を焦点１４に集光する集
光レンズ群１６と、エキシマレーザ光の焦点に被加工物
７の加工部分を位置決めする移動テーブル２２と、移動
テーブルを気密に囲む加工ハウジング２４と、加工ハウ
ジング内にエッチング用反応ガスを導入するガス導入装
置２５と、エッチング用反応ガスをプラズマ状態に励起
する高周波発生装置２６と、を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エキシマレーザ光を用
いたエッチング加工装置に係わり、更に詳しくは、エキ
シマレーザ光を集光してその焦点でエッチング加工を行
うエッチング加工装置に関する。
いたエッチング加工装置に係わり、更に詳しくは、エキ
シマレーザ光を集光してその焦点でエッチング加工を行
うエッチング加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザ光は、ＸｅＣｌ* ，Ｋｒ
Ｆ* ，ＡｒＦ* （＊印は励起状態を示す）などの励起状
態の分子（エキシマ分子）が励起状態から基底状態に戻
るときに発生する波長の短い紫外光（２００〜３００ｎ
ｍ）であり、フォトンエネルギーが大きい（４〜６ｅ
Ｖ）特徴を有している。このエキシマレーザ光を、反応
ガスに照射すると反応ガス分子の光解離や光化学反応を
誘起することができるため、この光解離や光化学反応を
介してレーザＣＶＤによる薄膜形成、レーザドーピング
などの表層改質、レーザエッチングなどの微細加工への
適用が図られている。
Ｆ* ，ＡｒＦ* （＊印は励起状態を示す）などの励起状
態の分子（エキシマ分子）が励起状態から基底状態に戻
るときに発生する波長の短い紫外光（２００〜３００ｎ
ｍ）であり、フォトンエネルギーが大きい（４〜６ｅ
Ｖ）特徴を有している。このエキシマレーザ光を、反応
ガスに照射すると反応ガス分子の光解離や光化学反応を
誘起することができるため、この光解離や光化学反応を
介してレーザＣＶＤによる薄膜形成、レーザドーピング
などの表層改質、レーザエッチングなどの微細加工への
適用が図られている。
【０００３】かかるエキシマレーザ光を用いた従来のエ
ッチング加工は、例えば、図２に示すように、シリコン
基板１の表面に酸化膜２（ＳｉＯ2 ）と被加工物３（多
結晶シリコン、Ｓｉ）の膜を形成しておき、エッチング
用反応ガス４（例えばハロゲン分子の塩素ガス、Ｃ
ｌ2 ）を流し、マスク５を介してエキシマレーザ光６を
照射し、マスク５を通過したエキシマレーザ光６が被加
工物３の表層にＣｌ- （塩素イオン）を形成し、このイ
オンがＳｉと反応してＳｉＣｌ4 となり気化して被加工
物３をエッチングするものであった。
ッチング加工は、例えば、図２に示すように、シリコン
基板１の表面に酸化膜２（ＳｉＯ2 ）と被加工物３（多
結晶シリコン、Ｓｉ）の膜を形成しておき、エッチング
用反応ガス４（例えばハロゲン分子の塩素ガス、Ｃ
ｌ2 ）を流し、マスク５を介してエキシマレーザ光６を
照射し、マスク５を通過したエキシマレーザ光６が被加
工物３の表層にＣｌ- （塩素イオン）を形成し、このイ
オンがＳｉと反応してＳｉＣｌ4 となり気化して被加工
物３をエッチングするものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のエッチング加工装置は、エキシマレーザ光を広げて平
行光とし、これをマスクを介して被加工物に当てるた
め、被加工物の加工面におけるエキシマレーザ光の強度
が小さく、加工に時間がかかる問題点があった。また、
従来のエッチング加工装置ではマスクが不可欠であるた
め、マスクなしでの自由な加工、例えば回路パターンの
修復におけるエッチング加工には適用できない問題点が
あった。
のエッチング加工装置は、エキシマレーザ光を広げて平
行光とし、これをマスクを介して被加工物に当てるた
め、被加工物の加工面におけるエキシマレーザ光の強度
が小さく、加工に時間がかかる問題点があった。また、
従来のエッチング加工装置ではマスクが不可欠であるた
め、マスクなしでの自由な加工、例えば回路パターンの
修復におけるエッチング加工には適用できない問題点が
あった。
【０００５】かかる問題点を解決するために、本発明者
は、図３に例示するように、エキシマレーザ発生器１２
で発生したエキシマレーザ光６を導波管１８を介して集
光レンズ群１６に導き、集光レンズ群１６によりエキシ
マレーザ光６を焦点１４に集光させ、この焦点位置で被
加工物７を加工するエキシマレーザ加工装置を創案し
た。
は、図３に例示するように、エキシマレーザ発生器１２
で発生したエキシマレーザ光６を導波管１８を介して集
光レンズ群１６に導き、集光レンズ群１６によりエキシ
マレーザ光６を焦点１４に集光させ、この焦点位置で被
加工物７を加工するエキシマレーザ加工装置を創案し
た。
【０００６】しかし、一般的にエキシマレーザ発生装置
は光強度の調節が困難であり、上述したエキシマレーザ
加工装置では、強度を下げると加工に時間がかかり、逆
に強度を上げると強度が大きすぎ、エッチング用反応ガ
スの介在なしに被加工物が気化・除去されるアブレーシ
ョン現象が起こりやすい問題点があった。従って、加工
幅の小さい良好なエッチング加工が困難である問題点が
あった。
は光強度の調節が困難であり、上述したエキシマレーザ
加工装置では、強度を下げると加工に時間がかかり、逆
に強度を上げると強度が大きすぎ、エッチング用反応ガ
スの介在なしに被加工物が気化・除去されるアブレーシ
ョン現象が起こりやすい問題点があった。従って、加工
幅の小さい良好なエッチング加工が困難である問題点が
あった。
【０００７】本発明は、かかる問題点を解決するために
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、マ
スクを用いることなくサブミクロンパターンを短時間で
エッチング加工でき、かつアブレーションが起こりにく
い、エッチング用エキシマレーザ加工装置を提供するこ
とにある。
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、マ
スクを用いることなくサブミクロンパターンを短時間で
エッチング加工でき、かつアブレーションが起こりにく
い、エッチング用エキシマレーザ加工装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、エキシ
マレーザ光を焦点に集光する集光レンズ群と、前記エキ
シマレーザ光の焦点に被加工物の加工部分を位置決めす
る移動テーブルと、前記移動テーブルを気密に囲む加工
ハウジングと、前記加工ハウジング内にエッチング用反
応ガスを供給するガス供給装置と、前記エッチング用反
応ガスをプラズマ状態に励起する高周波発生装置と、を
備えることを特徴とするエッチング用エキシマレーザ加
工装置が提案される。
マレーザ光を焦点に集光する集光レンズ群と、前記エキ
シマレーザ光の焦点に被加工物の加工部分を位置決めす
る移動テーブルと、前記移動テーブルを気密に囲む加工
ハウジングと、前記加工ハウジング内にエッチング用反
応ガスを供給するガス供給装置と、前記エッチング用反
応ガスをプラズマ状態に励起する高周波発生装置と、を
備えることを特徴とするエッチング用エキシマレーザ加
工装置が提案される。
【０００９】本発明の実施例によれば、前記高周波発生
装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置であ
る。又、前記エッチング用反応ガスは塩素ガスであり、
前記被加工物はシリコン（Ｓｉ）である、ことが好まし
い。更に、前記エッチング用反応ガスはメチルハライド
分子のＣＨ3 Ｂｒ、又は臭化水素（ＨＢｒ）であり、前
記被加工物はＧａＡｓである、ことが好ましい。
装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置であ
る。又、前記エッチング用反応ガスは塩素ガスであり、
前記被加工物はシリコン（Ｓｉ）である、ことが好まし
い。更に、前記エッチング用反応ガスはメチルハライド
分子のＣＨ3 Ｂｒ、又は臭化水素（ＨＢｒ）であり、前
記被加工物はＧａＡｓである、ことが好ましい。
【００１０】
【作用】上記本発明の構成によれば、エキシマレーザ光
を焦点に集光する集光レンズ群と、前記エキシマレーザ
光の焦点に被加工物の加工部分を位置決めする移動テー
ブルとを備えるので、強いエキシマレーザ光を被加工物
の加工部分のみに照射することができ、マスクなしでエ
キシマレーザ光によるエッチング加工ができる。
を焦点に集光する集光レンズ群と、前記エキシマレーザ
光の焦点に被加工物の加工部分を位置決めする移動テー
ブルとを備えるので、強いエキシマレーザ光を被加工物
の加工部分のみに照射することができ、マスクなしでエ
キシマレーザ光によるエッチング加工ができる。
【００１１】更に、前記移動テーブルを気密に囲む加工
ハウジングと、前記加工ハウジング内にエッチング用反
応ガスを供給するガス供給装置とを備えるので、加工ハ
ウジング内に適当なエッチング用反応ガスを供給し、内
部をエッチング加工に適した雰囲気にすることができ
る。更に、前記エッチング用反応ガスをプラズマ状態に
励起する高周波発生装置を備えるので、エッチング用反
応ガスをプラズマ状態に励起した状態で、エキシマレー
ザ光を被加工物の加工部分に照射することができ、低い
強度のエキシマレーザ光で反応ガスを活性化することが
でき、被加工物を短時間でエッチング加工することがで
きる。また、エキシマレーザ光の強度を下げた状態で加
工できるためアブレーションはほとんど起こることがな
い。
ハウジングと、前記加工ハウジング内にエッチング用反
応ガスを供給するガス供給装置とを備えるので、加工ハ
ウジング内に適当なエッチング用反応ガスを供給し、内
部をエッチング加工に適した雰囲気にすることができ
る。更に、前記エッチング用反応ガスをプラズマ状態に
励起する高周波発生装置を備えるので、エッチング用反
応ガスをプラズマ状態に励起した状態で、エキシマレー
ザ光を被加工物の加工部分に照射することができ、低い
強度のエキシマレーザ光で反応ガスを活性化することが
でき、被加工物を短時間でエッチング加工することがで
きる。また、エキシマレーザ光の強度を下げた状態で加
工できるためアブレーションはほとんど起こることがな
い。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図１は本発明によるエッチング用エキシ
マレーザ加工装置の全体構成図である。この図におい
て、エッチング用エキシマレーザ加工装置は、エキシマ
レーザ光６を焦点１４に集光する集光レンズ群１６と、
エキシマレーザ光の焦点１４に被加工物７の加工部分を
位置決めする移動テーブル２２と、移動テーブル２２を
気密に囲む加工ハウジング２４と、加工ハウジング２４
内にエッチング用反応ガス４を供給するガス供給装置２
５と、エッチング用反応ガス４をプラズマ状態に励起す
る高周波発生装置２６（図３に示す）と、を備える。
して説明する。図１は本発明によるエッチング用エキシ
マレーザ加工装置の全体構成図である。この図におい
て、エッチング用エキシマレーザ加工装置は、エキシマ
レーザ光６を焦点１４に集光する集光レンズ群１６と、
エキシマレーザ光の焦点１４に被加工物７の加工部分を
位置決めする移動テーブル２２と、移動テーブル２２を
気密に囲む加工ハウジング２４と、加工ハウジング２４
内にエッチング用反応ガス４を供給するガス供給装置２
５と、エッチング用反応ガス４をプラズマ状態に励起す
る高周波発生装置２６（図３に示す）と、を備える。
【００１３】集光レンズ群１６は、エキシマレーザ光６
の光束を広げるビームエキスパンダー１６ａと、広げら
れたエキシマレーザ光６を焦点１４に集光する集光レン
ズ１６ｂとからなる。図示の例では、ビームエキスパン
ダー１６ａは凹レンズと凸レンズの組合せからなり、集
光レンズ１６ｂは単一の凸レンズであるが、本発明はこ
れに限られるものではなく、例えば集光レンズ１６ｂを
組合せレンズとしてもよい。
の光束を広げるビームエキスパンダー１６ａと、広げら
れたエキシマレーザ光６を焦点１４に集光する集光レン
ズ１６ｂとからなる。図示の例では、ビームエキスパン
ダー１６ａは凹レンズと凸レンズの組合せからなり、集
光レンズ１６ｂは単一の凸レンズであるが、本発明はこ
れに限られるものではなく、例えば集光レンズ１６ｂを
組合せレンズとしてもよい。
【００１４】更にこの図において、集光レンズ群１６の
前後に、具体的にはビームエキスパンダー１６ａの上方
と集光レンズ１６ｂの下方に、エキシマレーザ光６の光
束を狭めるように絞り２０ｂ、２０ｃが取付けられてい
る。この絞り２０ｂ、２０ｃは、例えば矩形の開口（ア
パーチャー）を有する。かかる構成により、集光レンズ
１６ｃの光軸付近を通過したエキシマレーザ光６を集光
することができ、レンズの収差の影響を極めて小さくす
ることができる。
前後に、具体的にはビームエキスパンダー１６ａの上方
と集光レンズ１６ｂの下方に、エキシマレーザ光６の光
束を狭めるように絞り２０ｂ、２０ｃが取付けられてい
る。この絞り２０ｂ、２０ｃは、例えば矩形の開口（ア
パーチャー）を有する。かかる構成により、集光レンズ
１６ｃの光軸付近を通過したエキシマレーザ光６を集光
することができ、レンズの収差の影響を極めて小さくす
ることができる。
【００１５】加工ハウジング２４はエキシマレーザ光６
を通す窓２４ａを有し、この窓を通してエキシマレーザ
光６が内部に供給される。ガス供給装置２５は、例えば
ガスノズルを有するガス供給管であり、このガス供給管
から加工に必要な反応ガスを供給し、ガス排出口２４ｂ
から図示しない排気装置によりガスを排気するようにな
っている。また、加工ハウジング２４の内部を真空に保
持することもできるようになっている。
を通す窓２４ａを有し、この窓を通してエキシマレーザ
光６が内部に供給される。ガス供給装置２５は、例えば
ガスノズルを有するガス供給管であり、このガス供給管
から加工に必要な反応ガスを供給し、ガス排出口２４ｂ
から図示しない排気装置によりガスを排気するようにな
っている。また、加工ハウジング２４の内部を真空に保
持することもできるようになっている。
【００１６】加工ハウジング２４の内部には、移動テー
ブル２２が取り付けられている。移動テーブル２２は、
真空中、或いは反応ガス中で使用でき、かつ図示しない
駆動装置により被加工物７を水平方向に二次元的に移動
させることができる。更に、垂直方向にも移動できるの
がよい。この構成により、エキシマレーザ光の焦点１４
に被加工物７の加工部分を位置決めすることができ、マ
スクなしで被加工物をエッチング加工することができ
る。また、移動テーブル２２は更に、被加工物７を加熱
するためのヒータ２８を備える。かかる構成により、被
加工物７の温度を加工に最適に設定することができる。
ブル２２が取り付けられている。移動テーブル２２は、
真空中、或いは反応ガス中で使用でき、かつ図示しない
駆動装置により被加工物７を水平方向に二次元的に移動
させることができる。更に、垂直方向にも移動できるの
がよい。この構成により、エキシマレーザ光の焦点１４
に被加工物７の加工部分を位置決めすることができ、マ
スクなしで被加工物をエッチング加工することができ
る。また、移動テーブル２２は更に、被加工物７を加熱
するためのヒータ２８を備える。かかる構成により、被
加工物７の温度を加工に最適に設定することができる。
【００１７】高周波発生装置２６は、例えば２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置であ
る。このマイクロ波により、エッチング用反応ガス４を
プラズマ状態に励起することができ、弱いエキシマレー
ザ光でエキシマレーザ加工することができる。なお、高
周波発生装置２６は、エッチング用反応ガス４をプラズ
マ状態に励起することができるマイクロ波以外の高周波
を発生させるものでもよい。
Ｈｚのマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置であ
る。このマイクロ波により、エッチング用反応ガス４を
プラズマ状態に励起することができ、弱いエキシマレー
ザ光でエキシマレーザ加工することができる。なお、高
周波発生装置２６は、エッチング用反応ガス４をプラズ
マ状態に励起することができるマイクロ波以外の高周波
を発生させるものでもよい。
【００１８】エッチング用反応ガスは、例えば被加工物
７がシリコン（Ｓｉ）である場合には、塩素ガスである
のがよい。これにより、エキシマレーザ光でＣｌ- （塩
素イオン）を形成し、このイオンをＳｉと反応させてＳ
ｉＣｌ4 として気化させて被加工物７をエッチングする
ことができる。又、被加工物７がＧａＡｓである場合に
は、エッチング用反応ガスはメチルハライド分子のＣＨ
3 Ｂｒ、又は臭化水素（ＨＢｒ）でありのがよい。これ
により、ＧａＡｓをＧａＢｒn 及びＡｓＢｒnとして気
化させることができる。更に絶縁膜ＳｉＯ2 もＮＦ3 を
用いて同様にエッチングすることができる。
７がシリコン（Ｓｉ）である場合には、塩素ガスである
のがよい。これにより、エキシマレーザ光でＣｌ- （塩
素イオン）を形成し、このイオンをＳｉと反応させてＳ
ｉＣｌ4 として気化させて被加工物７をエッチングする
ことができる。又、被加工物７がＧａＡｓである場合に
は、エッチング用反応ガスはメチルハライド分子のＣＨ
3 Ｂｒ、又は臭化水素（ＨＢｒ）でありのがよい。これ
により、ＧａＡｓをＧａＢｒn 及びＡｓＢｒnとして気
化させることができる。更に絶縁膜ＳｉＯ2 もＮＦ3 を
用いて同様にエッチングすることができる。
【００１９】上述したように本発明の構成によれば、エ
キシマレーザ光６を焦点１４に集光する集光レンズ群１
６と、前記エキシマレーザ光６の焦点１４に被加工物７
の加工部分を位置決めする移動テーブル２２とを備える
ので、強いエキシマレーザ光を被加工物の加工部分のみ
に照射することができ、マスクなしでエキシマレーザ光
によるエッチング加工ができる。
キシマレーザ光６を焦点１４に集光する集光レンズ群１
６と、前記エキシマレーザ光６の焦点１４に被加工物７
の加工部分を位置決めする移動テーブル２２とを備える
ので、強いエキシマレーザ光を被加工物の加工部分のみ
に照射することができ、マスクなしでエキシマレーザ光
によるエッチング加工ができる。
【００２０】更に、前記移動テーブル２２を気密に囲む
加工ハウジング２４と、前記加工ハウジング２４内にエ
ッチング用反応ガスを供給するガス供給装置２５とを備
えるので、加工ハウジング２４内に適当なエッチング用
反応ガスを供給し、内部をエッチング加工に適した雰囲
気にすることができる。更に、前記エッチング用反応ガ
スをプラズマ状態に励起する高周波発生装置２６を備え
るので、エッチング用反応ガスをプラズマ状態に励起し
た状態で、エキシマレーザ光６を被加工物７の加工部分
に照射することができ、低い強度のエキシマレーザ光６
で反応ガスを活性化することができ、かつ被加工物７を
短時間でエッチング加工することができる。また、エキ
シマレーザ光の強度を下げた状態で加工できるためアブ
レーションはほとんど起こることがない。
加工ハウジング２４と、前記加工ハウジング２４内にエ
ッチング用反応ガスを供給するガス供給装置２５とを備
えるので、加工ハウジング２４内に適当なエッチング用
反応ガスを供給し、内部をエッチング加工に適した雰囲
気にすることができる。更に、前記エッチング用反応ガ
スをプラズマ状態に励起する高周波発生装置２６を備え
るので、エッチング用反応ガスをプラズマ状態に励起し
た状態で、エキシマレーザ光６を被加工物７の加工部分
に照射することができ、低い強度のエキシマレーザ光６
で反応ガスを活性化することができ、かつ被加工物７を
短時間でエッチング加工することができる。また、エキ
シマレーザ光の強度を下げた状態で加工できるためアブ
レーションはほとんど起こることがない。
【００２１】
【発明の効果】従って、本発明によれば、マスクを用い
ることなくサブミクロンパターンを短時間でエッチング
加工することができ、かつアブレーションが起こりにく
い、エッチング用エキシマレーザ加工装置を提供するこ
とができる。
ることなくサブミクロンパターンを短時間でエッチング
加工することができ、かつアブレーションが起こりにく
い、エッチング用エキシマレーザ加工装置を提供するこ
とができる。
【図１】本発明によるエッチング用エキシマレーザ加工
装置の全体構成図である。
装置の全体構成図である。
【図２】エキシマレーザ光を用いた従来の微細加工の概
略説明図である。
略説明図である。
【図３】エキシマレーザ光を用いた従来の微細加工装置
の別の概略図である。
の別の概略図である。
１ シリコン基板 ２ 酸化膜 ３ 被加工物 ４ エッチング用反応ガス ５ マスク ６ エキシマレーザ光 ７ 被加工物 １２ エキシマレーザ発生器 １４ 焦点 １６ 集光レンズ群 １６ａ ビームエキスパンダー １６ｂ 集光レンズ １８ 導波管 ２０ｂ、２０ｃ 絞り ２２ 移動テーブル ２４ 加工ハウジング ２４ａ 窓 ２５ ガス供給装置 ２６ 高周波発生装置
Claims (4)
- 【請求項１】 エキシマレーザ光を焦点に集光する集光
レンズ群と、 前記エキシマレーザ光の焦点に被加工物の加工部分を位
置決めする移動テーブルと、 前記移動テーブルを気密に囲む加工ハウジングと、 前記加工ハウジング内にエッチング用反応ガスを供給す
るガス供給装置と、 前記エッチング用反応ガスをプラズマ状態に励起する高
周波発生装置と、を備えることを特徴とするエッチング
用エキシマレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記高周波発生装置は、マイクロ波を発
生するマイクロ波発生装置である、ことを特徴とする請
求項１に記載のエッチング用エキシマレーザ加工装置。 - 【請求項３】 前記エッチング用反応ガスは塩素ガスで
あり、前記被加工物はシリコン（Ｓｉ）である、ことを
特徴とする請求項２に記載のエッチング用エキシマレー
ザ加工装置。 - 【請求項４】 前記エッチング用反応ガスはメチルハラ
イド分子のＣＨ3 Ｂｒ、又は臭化水素（ＨＢｒ）であ
り、前記被加工物はＧａＡｓである、ことを特徴とする
請求項２に記載のエッチング用エキシマレーザ加工装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24244492A JPH0697131A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | エッチング用エキシマレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24244492A JPH0697131A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | エッチング用エキシマレーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697131A true JPH0697131A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17089187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24244492A Pending JPH0697131A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | エッチング用エキシマレーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697131A (ja) |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24244492A patent/JPH0697131A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0259572B1 (en) | High rate laser etching technique | |
| EP0127188B1 (en) | Dry etching apparatus and method using reactive gas | |
| EP0168768B1 (en) | Dry etching process and apparatus | |
| Ichiki et al. | Localized and ultrahigh-rate etching of silicon wafers using atmospheric-pressure microplasma jets | |
| JP4225908B2 (ja) | 材料堆積のための反応原子プラズマ処理方法 | |
| US4668337A (en) | Dry-etching method and apparatus therefor | |
| JPS631097B2 (ja) | ||
| EP0068077B1 (en) | Etching process with vibrationally excited sf6 | |
| JPH05214566A (ja) | 超音波分子ビームエッチング方法及びエッチング装置 | |
| JPH11207478A (ja) | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
| JPH0697131A (ja) | エッチング用エキシマレーザ加工装置 | |
| JPH0478005B2 (ja) | ||
| EP0859682A1 (en) | Process and apparatus for oblique beam revolution, for the effective laser stripping of sidewalls | |
| JPH06104098A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS62232927A (ja) | ドライエツチング方法及び装置 | |
| JP2002219587A (ja) | 金属微小突起の作製方法及び作製装置 | |
| JPS59165422A (ja) | ドライプロセス装置 | |
| JPH0671465A (ja) | エキシマレーザ加工装置 | |
| JP2966036B2 (ja) | エッチングパターンの形成方法 | |
| JP3125004B2 (ja) | 基材の表面加工方法 | |
| JP2611827B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| KR920007449B1 (ko) | 반도체가공에 있어서의 표면처리방법 및 그 장치 | |
| JPH0555186A (ja) | 表面処理方法 | |
| JP2667930B2 (ja) | 微細加工方法及び装置 | |
| JP2709175B2 (ja) | エッチングパターンの形成方法 |