JPH0697170A - 透明電極上の電極形成方法 - Google Patents
透明電極上の電極形成方法Info
- Publication number
- JPH0697170A JPH0697170A JP4248391A JP24839192A JPH0697170A JP H0697170 A JPH0697170 A JP H0697170A JP 4248391 A JP4248391 A JP 4248391A JP 24839192 A JP24839192 A JP 24839192A JP H0697170 A JPH0697170 A JP H0697170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- forming
- transparent electrode
- electrode
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、透明電極上での密着性が良好で環
境等の影響も受けにくく、安価でかつ低抵抗率を有し、
信頼性の高い高微細な電極形成方法を提供することを目
的とする。 【構成】 第１の導電層２はＮｉ又はＮｉの合金を蒸着
法で透明電極１上に形成し、次いで、該第１の導電層２
上に第２の導電層３を形成する工程を基本の手法とす
る。他の手法は、第１の導電層２を透明電極１上に全面
に形成した後、所望形状のレジスト４を用いて第２の導
電層３を形成し、前記レジスト４を除去した後、露出し
た前記第１の導電層２をエッチング除去する工程を踏
む。さらに、他の手法は、第１と第２の導電層２、３を
順次透明電極１上に全面に析出させた後、レジスト４を
用いて回路形成し、前記第２の導電層３、第１の導電層
２を順次エッチング除去した後、レジスト４を除去する
工程を踏む。
境等の影響も受けにくく、安価でかつ低抵抗率を有し、
信頼性の高い高微細な電極形成方法を提供することを目
的とする。 【構成】 第１の導電層２はＮｉ又はＮｉの合金を蒸着
法で透明電極１上に形成し、次いで、該第１の導電層２
上に第２の導電層３を形成する工程を基本の手法とす
る。他の手法は、第１の導電層２を透明電極１上に全面
に形成した後、所望形状のレジスト４を用いて第２の導
電層３を形成し、前記レジスト４を除去した後、露出し
た前記第１の導電層２をエッチング除去する工程を踏
む。さらに、他の手法は、第１と第２の導電層２、３を
順次透明電極１上に全面に析出させた後、レジスト４を
用いて回路形成し、前記第２の導電層３、第１の導電層
２を順次エッチング除去した後、レジスト４を除去する
工程を踏む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池や液晶パネル
面等に形成された透明電極上に低温で低抵抗の微細な電
極を形成する方法に関するものである。
面等に形成された透明電極上に低温で低抵抗の微細な電
極を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池等の透明電極上に集電の
ための電極形成する手法として導電インクを用いる方法
や、より一層の低抵抗化のために導電インク上にハンダ
を形成する方法等が知られている。
ための電極形成する手法として導電インクを用いる方法
や、より一層の低抵抗化のために導電インク上にハンダ
を形成する方法等が知られている。
【０００３】なお、かかる導電インク材料としてはポリ
マータイプの材料や焼結ガラスペースト系材料が用いら
れる。
マータイプの材料や焼結ガラスペースト系材料が用いら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ポ
リマータイプの材料は安価で、低温（２００℃以下）処
理可能等の観点から用いられているものの、焼結タイプ
に比べて抵抗率が高いという問題がある。例えば、焼結
タイプでは１０-6Ω・ｃｍの抵抗率であるのに対してポ
リマータイプでは１０-5Ω・ｃｍの抵抗率である。
リマータイプの材料は安価で、低温（２００℃以下）処
理可能等の観点から用いられているものの、焼結タイプ
に比べて抵抗率が高いという問題がある。例えば、焼結
タイプでは１０-6Ω・ｃｍの抵抗率であるのに対してポ
リマータイプでは１０-5Ω・ｃｍの抵抗率である。
【０００５】更には、ポリマータイプの場合、エポキシ
やフェノールレジン等で構成されているので、吸湿や耐
候劣化等のために長期信頼性に劣るという問題がある。
やフェノールレジン等で構成されているので、吸湿や耐
候劣化等のために長期信頼性に劣るという問題がある。
【０００６】一方、焼結ガラスペースト系材料では前記
したように低抵抗率であり、長期信頼性が高い等の性質
はあるが、処理温度は、通常、６００℃〜８００℃と高
温であるので、アモルファス太陽電池系や一部の液晶パ
ネル系では使用できないという問題があった。
したように低抵抗率であり、長期信頼性が高い等の性質
はあるが、処理温度は、通常、６００℃〜８００℃と高
温であるので、アモルファス太陽電池系や一部の液晶パ
ネル系では使用できないという問題があった。
【０００７】本発明は、透明電極上での密着性が良好で
環境等の影響も受けにくく、安価でかつ低抵抗率を有
し、信頼性の高い高微細な電極形成方法を提供すること
を目的とする。
環境等の影響も受けにくく、安価でかつ低抵抗率を有
し、信頼性の高い高微細な電極形成方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、透明
電極上にＮｉ又はＮｉ合金にて所望の形状の第１の導電
層を形成し、次いで金属材料より成る第２の導電層を前
記第１の導電層上に形成することを特徴とする。
電極上にＮｉ又はＮｉ合金にて所望の形状の第１の導電
層を形成し、次いで金属材料より成る第２の導電層を前
記第１の導電層上に形成することを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記第１の導電層は、蒸着法により形成され、前記
第２の導電層は前記第１の導電層上のみに形成すること
を特徴とする。
て、前記第１の導電層は、蒸着法により形成され、前記
第２の導電層は前記第１の導電層上のみに形成すること
を特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、透明電極上に蒸着法に
よりＮｉ又はＮｉ合金の第１の導電層を形成し、続い
て、金属材料より成る第２の導電層を形成した後、所望
の形状になるようにレジスト材料にて回路形成を行なっ
た後、該第２の導電層と第１の導電層をエッチング除去
し、前記レジスト材料下の第１及び第２の導電層を残す
ことを特徴とする。
よりＮｉ又はＮｉ合金の第１の導電層を形成し、続い
て、金属材料より成る第２の導電層を形成した後、所望
の形状になるようにレジスト材料にて回路形成を行なっ
た後、該第２の導電層と第１の導電層をエッチング除去
し、前記レジスト材料下の第１及び第２の導電層を残す
ことを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、透明電極上に蒸着法に
てＮｉ又はＮｉ合金の第１の導電層を形成し、続いて、
所望の形状となるようにレジスト材料にて回路形成を行
なった後、金属材料より成る第２の導電層を所望の形状
にて形成し、前記レジスト材料を除去した後、該レジス
ト材料下の第１の導電層のみを除去することを特徴とす
る。
てＮｉ又はＮｉ合金の第１の導電層を形成し、続いて、
所望の形状となるようにレジスト材料にて回路形成を行
なった後、金属材料より成る第２の導電層を所望の形状
にて形成し、前記レジスト材料を除去した後、該レジス
ト材料下の第１の導電層のみを除去することを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】本発明の構成では、第１の導電層はＮｉ又はＮ
ｉの合金を蒸着法で透明電極上に形成し、次いで、該第
１の導電層上に第２の導電層を形成する工程を含むのを
基本とする。他の手法としては、第１の導電層を透明電
極１上に全面に形成した後、所望形状のレジストを用い
て第２の導電層を形成し、前記レジストを除去した後、
露出した前記第１の導電層をエッチング除去する工程を
踏むものが挙げられる。さらに、他の手法としては、第
１と第２の導電層を順次透明電極上に全面に析出させた
後、レジスト４を用いて回路形成し、前記第２の導電
層、第１の導電層を順次エッチング除去した後、レジス
トを除去する工程を踏むものが挙げられる。
ｉの合金を蒸着法で透明電極上に形成し、次いで、該第
１の導電層上に第２の導電層を形成する工程を含むのを
基本とする。他の手法としては、第１の導電層を透明電
極１上に全面に形成した後、所望形状のレジストを用い
て第２の導電層を形成し、前記レジストを除去した後、
露出した前記第１の導電層をエッチング除去する工程を
踏むものが挙げられる。さらに、他の手法としては、第
１と第２の導電層を順次透明電極上に全面に析出させた
後、レジスト４を用いて回路形成し、前記第２の導電
層、第１の導電層を順次エッチング除去した後、レジス
トを除去する工程を踏むものが挙げられる。
【００１３】本発明で用いられる第１の導電層のＮｉ又
はＮｉ合金層は蒸着法が用いられる本発明での蒸着法と
はスパッタリング法も含むことはもち論である。透明導
電膜（例えばＩＯやＩＴＯ）への密着を良好にするため
には基板の加熱蒸着法は極めて有効である。
はＮｉ合金層は蒸着法が用いられる本発明での蒸着法と
はスパッタリング法も含むことはもち論である。透明導
電膜（例えばＩＯやＩＴＯ）への密着を良好にするため
には基板の加熱蒸着法は極めて有効である。
【００１４】第２の導電層は銅、Ｎｉ、ハンダ、Ａｌ、
Ａｕ、Ａｇ等の金属や合金が用いられる。形成法として
は蒸着法や電着法、加熱溶解法等が適宜用いられる。低
抵抗電極材料を得るには電着法や加熱溶解法が簡便であ
る。
Ａｕ、Ａｇ等の金属や合金が用いられる。形成法として
は蒸着法や電着法、加熱溶解法等が適宜用いられる。低
抵抗電極材料を得るには電着法や加熱溶解法が簡便であ
る。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の基本をなす第１の実施例を
示すものであり、透明電極１上にＮｉ又はＮｉ合金から
成る第１の導電層２を形成し、次いで、第２の導電層３
を形成する工程から成るものである。ここで、第１の導
電層２の厚さは通常数１０００Å程度に、第２の導電層
３の厚さは通常数１０μｍ〜数１００μｍ程度に設定さ
れる。
示すものであり、透明電極１上にＮｉ又はＮｉ合金から
成る第１の導電層２を形成し、次いで、第２の導電層３
を形成する工程から成るものである。ここで、第１の導
電層２の厚さは通常数１０００Å程度に、第２の導電層
３の厚さは通常数１０μｍ〜数１００μｍ程度に設定さ
れる。
【００１６】図２は、第２〜第４の実施例を示すもので
あり、いずれの実施例も、まず、透明電極１上にＮｉ又
はＮｉ合金から成る第１の導電層２を形成し、透明電極
１上にＮｉ又はＮｉ合金から成る第１の導電層２を所望
の形状に形成し、次いで、該第１の導電層２上に第２の
導電層３を形成する。
あり、いずれの実施例も、まず、透明電極１上にＮｉ又
はＮｉ合金から成る第１の導電層２を形成し、透明電極
１上にＮｉ又はＮｉ合金から成る第１の導電層２を所望
の形状に形成し、次いで、該第１の導電層２上に第２の
導電層３を形成する。
【００１７】すなわち、図２の２−１−Ａに示す第２の
実施例の場合は、第１の導電層２を形成するべく、マス
ク合せしてＮｉを蒸着する工程から成る方法であり、図
２−１−Ｂに示す第３の実施例の場合は、透明電極１上
にＮｉの第１の導電層２を形成し（図２−１−Ｂ−
（イ））、該第１の導電層２上にレジスト（アサヒ化研
社製、ＷＲ−５２０Ｃ）層４を形成し、次いで、露出し
ている第１の導電層２を硝酸／燐酸液（５０：５０）系
でエッチング（図２−１−Ｂ−（ロ））した後、該レジ
ストを除去する（図２−１−Ｂ−（ハ））工程から成る
方法であり、そして、図２−１−Ｃに示す第４の実施例
では、予じめ透明電極１上にレジスト層４を形成してお
き（図２−１−Ｃ−（イ））、次いで、全面にＮｉ層２
を蒸着により形成し（図２−１−Ｃ−（ロ））た後、５
％苛性ソーダにより該レジスト層４を溶解除去する（図
２−１−Ｃ−（ハ））工程から成る方法を示したもので
ある。
実施例の場合は、第１の導電層２を形成するべく、マス
ク合せしてＮｉを蒸着する工程から成る方法であり、図
２−１−Ｂに示す第３の実施例の場合は、透明電極１上
にＮｉの第１の導電層２を形成し（図２−１−Ｂ−
（イ））、該第１の導電層２上にレジスト（アサヒ化研
社製、ＷＲ−５２０Ｃ）層４を形成し、次いで、露出し
ている第１の導電層２を硝酸／燐酸液（５０：５０）系
でエッチング（図２−１−Ｂ−（ロ））した後、該レジ
ストを除去する（図２−１−Ｂ−（ハ））工程から成る
方法であり、そして、図２−１−Ｃに示す第４の実施例
では、予じめ透明電極１上にレジスト層４を形成してお
き（図２−１−Ｃ−（イ））、次いで、全面にＮｉ層２
を蒸着により形成し（図２−１−Ｃ−（ロ））た後、５
％苛性ソーダにより該レジスト層４を溶解除去する（図
２−１−Ｃ−（ハ））工程から成る方法を示したもので
ある。
【００１８】この場合、上記第２〜第４の実施例のいず
れにおいても、図２の２−２に示すように、第２の導電
層３の形成手段としては加熱溶解法、例えばハンダ融着
法を用いる。かかるハンダ融着法によれば、ハンダは透
明電極１上における濡れ性が悪いので、第１の導電層２
上にのみ第２の導電層３が形成される。
れにおいても、図２の２−２に示すように、第２の導電
層３の形成手段としては加熱溶解法、例えばハンダ融着
法を用いる。かかるハンダ融着法によれば、ハンダは透
明電極１上における濡れ性が悪いので、第１の導電層２
上にのみ第２の導電層３が形成される。
【００１９】図３は、透明電極１上にＮｉの第１の導電
層２を全面形成し（図３−（イ））、次いで、レジスト
を用いて回路形成するが、レジスト層４は印刷法、写真
法のいずれでもよい（図３−（ロ））。その後、第２の
導電層３を形成する（図３−（ハ））が、その形成法と
しては電着法、加熱溶解法のいずれでもよい。次いで、
レジスト４を除去した後、前記第１の導電層２をエッチ
ング除去する（図３−（ニ））。この場合、エッチング
は湿式では前述の硝酸／燐酸系が用いられる。
層２を全面形成し（図３−（イ））、次いで、レジスト
を用いて回路形成するが、レジスト層４は印刷法、写真
法のいずれでもよい（図３−（ロ））。その後、第２の
導電層３を形成する（図３−（ハ））が、その形成法と
しては電着法、加熱溶解法のいずれでもよい。次いで、
レジスト４を除去した後、前記第１の導電層２をエッチ
ング除去する（図３−（ニ））。この場合、エッチング
は湿式では前述の硝酸／燐酸系が用いられる。
【００２０】図４は、予じめ前述した方法等で第１の導
電層２、第２の導電層３を形成（図４−（イ））した
後、レジスト４を用いてパターニングを行ない（図４−
（ロ））次いで、第２、第１の導電層３、２を順次エッ
チングにより除去する（図４−（ハ））。ここで、湿式
法でエッチングを行なう場合、金属から成る各導電層
２、３に対する選択性が重要であり、例えば第２の導電
層３を銅メッキで作成した場合、エッチング液はアンモ
ニアエッチング液が好ましい。第１の導電層２のエッチ
ングには前述の燐酸／硝酸系が用いられる。
電層２、第２の導電層３を形成（図４−（イ））した
後、レジスト４を用いてパターニングを行ない（図４−
（ロ））次いで、第２、第１の導電層３、２を順次エッ
チングにより除去する（図４−（ハ））。ここで、湿式
法でエッチングを行なう場合、金属から成る各導電層
２、３に対する選択性が重要であり、例えば第２の導電
層３を銅メッキで作成した場合、エッチング液はアンモ
ニアエッチング液が好ましい。第１の導電層２のエッチ
ングには前述の燐酸／硝酸系が用いられる。
【００２１】表１は、従来例（銅ペースト、銅ペースト
／ハンダ）と本発明に係る実施例とについて、その電極
での抵抗値と環境安定性について実験した比較例を示す
ものである。
／ハンダ）と本発明に係る実施例とについて、その電極
での抵抗値と環境安定性について実験した比較例を示す
ものである。
【００２２】なお、表１の実験条件は、３０ｃｍ×３０
ｃｍサイズの基板上に透明電極ＩＯを形成し、上記各形
態の電極を各々２００μｍのライン幅、ピッチ４０ｍｍ
で形成した。その時の全抵抗（接触抵抗を含む）が初期
抵抗であり、環境安定性、すなわち６０−８０％−２０
０Ｈｒ後における抵抗値が環境安定性に対応する抵抗で
ある。
ｃｍサイズの基板上に透明電極ＩＯを形成し、上記各形
態の電極を各々２００μｍのライン幅、ピッチ４０ｍｍ
で形成した。その時の全抵抗（接触抵抗を含む）が初期
抵抗であり、環境安定性、すなわち６０−８０％−２０
０Ｈｒ後における抵抗値が環境安定性に対応する抵抗で
ある。
【００２３】
【表１】 表１の結果から、本発明の場合、明らかに低抵抗、か
つ、環境安定性に優れた形態であることが判る。換言す
れば、本発明を適用すれば、フレキシブルプリント板
（ポリイミドｅｔｃ）への直接回路を高微細に形成する
ことができる。
つ、環境安定性に優れた形態であることが判る。換言す
れば、本発明を適用すれば、フレキシブルプリント板
（ポリイミドｅｔｃ）への直接回路を高微細に形成する
ことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＩＯやＩＴＯ等の透明電極の上に低抵抗で高精細な電極
が安価にかつ、高い信頼性を有して作成することが可能
になった。
ＩＯやＩＴＯ等の透明電極の上に低抵抗で高精細な電極
が安価にかつ、高い信頼性を有して作成することが可能
になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る電極の断面図であ
る。
る。
【図２】第２の実施例に係る電極の断面図である。
【図３】第３の実施例に係る電極の断面図である。
【図４】第４の実施例に係る電極の断面図である。
１ 透明導電膜、 ２ 第１の導電層、 ３ 第２の導電層、 ４ レジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ 7376−4Ｍ Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】 透明電極上にＮｉ又はＮｉ合金にて所望
の形状の第１の導電層を形成し、次いで金属材料より成
る第２の導電層を前記第１の導電層上に形成することを
特徴とする電極形成方法。 - 【請求項２】 前記第１の導電層は、蒸着法により形成
され、前記第２の導電層は前記第１の導電層上のみに形
成することを特徴とする請求項１に記載の電極形成方
法。 - 【請求項３】 透明電極上に蒸着法によりＮｉ又はＮｉ
合金の第１の導電層を形成し、続いて、金属材料より成
る第２の導電層を形成した後、所望の形状になるように
レジスト材料にて回路形成を行なった後、該第２の導電
層と第１の導電層をエッチング除去し、前記レジスト材
料下の第１及び第２の導電層を残すことを特徴とする電
極形成方法。 - 【請求項４】 透明電極上に蒸着法にてＮｉ又はＮｉ合
金の第１の導電層を形成し、続いて、所望の形状となる
ようにレジスト材料にて回路形成を行なった後、金属材
料より成る第２の導電層を所望の形状にて形成し、前記
レジスト材料を除去した後、該レジスト材料下の第１の
導電層のみを除去することを特徴とする電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248391A JPH0697170A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 透明電極上の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248391A JPH0697170A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 透明電極上の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697170A true JPH0697170A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17177414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4248391A Pending JPH0697170A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 透明電極上の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697170A (ja) |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP4248391A patent/JPH0697170A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4543573A (en) | Display panel | |
| DE102018202513B4 (de) | Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements | |
| US3314869A (en) | Method of manufacturing multilayer microcircuitry including electropolishing to smooth film conductors | |
| US4385976A (en) | Solderable layer system, its use and method for manufacturing same | |
| JPH0697170A (ja) | 透明電極上の電極形成方法 | |
| KR950002288B1 (ko) | 매트릭스 배열기판 및 그 제조방법 | |
| JP3684720B2 (ja) | 液晶ディスプレイ用透明導電基板および透明電極形成方法 | |
| JPS5950576A (ja) | 太陽電池の電極の形成方法 | |
| KR100555896B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 금속 버스 전극 제조방법 | |
| JPS63228535A (ja) | 電極パタ−ン形成方法 | |
| JPS58137908A (ja) | 透明電極の形成方法 | |
| JPH0239044B2 (ja) | ||
| DE3710190C2 (ja) | ||
| JPH0682905B2 (ja) | コネクター機能を有するプリント配線板およびその接続方法 | |
| JPS614094A (ja) | 電気光学的機能素子及びその製造方法 | |
| JP3347403B2 (ja) | 集電電極及び電極形成法 | |
| JP2755707B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2652018B2 (ja) | 液晶表示パネル基板，液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| JPS61133979A (ja) | 表示素子の電極構造 | |
| JP2676610B2 (ja) | 透明電導膜 | |
| JPS5914237A (ja) | ガス放電パネルの製造方法 | |
| JPS5927409A (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPS60161686A (ja) | 薄膜非線形素子の製造方法 | |
| JPH04149914A (ja) | 透明電極の形成方法 | |
| JPS58194084A (ja) | 表示パネルの製造方法 |