JPS58194084A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶パネル、エレクトロクロミック表示パネル
など表示パネルＣ以下液晶パネルを主体に述べる）の製
造方法に関するものであり特に金属配線された液晶パネ
ルに関するものである。

液晶パネルには透明導電膜が用いられているがパターン
の微細化にともない抵抗が問題になｐ必要とする画素以
外は金属配線で抵抗の大きなところを補っていこうとす
る動向がある。特に多１マトリクスパネルではパターン
ピッチＨ１μ程度が必要とされるため画素以外は金属配
線の必要性が生ずる。全面通常このような電極構造は、
ガラス上に透明導電膜を全面形成する工程→これをバタ
ーニングする工８（画素部とリード部を残して）→全面
にＣｒ−ＡＱを真空蒸着する工程→画素部とリード部以
下のＣｆ　−Ａ４をエツチング除去する工程によって得
るか全面に透明導電膜を全面に形成す２− る工程→全面にＣｆ　−Ａｇを形成する工程→リード部
のＣｒ−Ａｕ郁ヲ残してＣｆ−ＡｌＬをエツチングする
工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜をエツチ
ングする工程によって得ていた。いずれの方法も透明導
電膜と金属リード部（Ｃｒ　−’　Ａｕ　）のパターン
あわせが非常に困難、透明導電膜、Ｃｒ　、　Ａｕとそ
れぞれ独立してエツチングするエツチング液の必要性Ｃ
アンダーエツチングの問題）。

Ｃｆ　、　Ａｕ被覆工程が真空法によるため高価である
等々の欠点を有していた。

本発明の目的は真空法では不用能な透明導電膜上のみに
メッキする技術を使って歩留りの良い金属配線液晶パネ
ルを得ることにある。

本発明の液晶パネルを列記すれば、 １、透明導電膜を全面に形成する工程 ２゜　フォトエツチング法で必要とする画素、リード部
を除いてパターニングする工程 ３、残された（画素及びリード部）透明導電膜上のみに
無電解ニッケルメッキ又はその合金メッキする工程 ３− ４、必要な画素を除いてニッケルメッキ又はその合金メ
ッキ被膜をエツチング除去する工程５゜ニッケル又はそ
の合金メッキ部に貴金属メッキを施す工程 又は前記１〜３同様で ４！　ニッケル又はその合金メッキ部に貴金属メッキを
施す工程 ５：　必要な画素を除いて貴金属メッキ被膜及びニッケ
ル又はその合金被膜ヲエッチングする工程 から成る。

前記ニッケル又はニッケル合金被膜のエツチングは、例
えば非エツチング部をレジスト抜法のエツチング液（常
温）に３０秒程度（被膜厚に応じて変動）浸漬して行な
う。

又、前記貴金属ｃ％に金、銀）被膜のエツチングは、非
エツチング部へレジストを塗布後、王水に浸漬すること
により行なう。この後レジストを剥離する。本発明によ
れば前記方法のようなパターン位置合せ（透明導電膜と
金属リード部）の問題がほとんどなく（大きなパターン
である画素部の合わせたけてあり多少ずれても実用上問
題とならない）、安価に金属リード付き液晶パネルが得
られる。

本発明に用いられる透明な絶縁基板としてソーダガラス
、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の無機ガラス、ポリ
エステル、エポキシ、酢酸セルロース等のプラスチック
フィルムが考えられる。液晶のモードによっては片側基
板は不透明でも良く、セラミック上に本発明の電極構造
を構成しても良い。いかにしても信号電極が本発明の電
極構造を有す。用いられる透明導電膜としては酸化ヌズ
系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ素、フッ
素等をドーピングしたもの）でも良いし酸化インジウム
系（酸化インジウム又は酸化スズをド５− 一ブしたもの等）でも良い。これらはＣＶＤ法、真空蒸
着法、スパッタ法、イオンプレイティング法、印刷焼成
法、浸漬焼付は法、スプレー法、パイロゾルＣＶＤ法等
によシ得られる。

これらの透明導電膜は所定のフォト工程を経てＨす、　
ＨＣ，ｉ、ｋ　、　Ｃｆ＊ンＣγ１　　レドツクヌ系等
を用いてエツチングパターニングされる。次に透明電極
上にのみニッケルメッキ又はその合金メッキする方法と
しては、通常の５ｎ（Ｊ２→ＰｄＣＡ２→Ｎａｐメツキ
工程のＰｄ（４，工程後に触媒毒であるＰｂ、　８ｂを
含んだ溶液に浸漬する。又は−液タイプの時はニッケル
メッキ又はその合金メッキ前に前記触媒毒に浸漬すると
とによシ選択的なメッキが得られる。

ニッケルメッキ又はニッケル合金メッキの膜厚は５００
Ｘ〜１００ＯＯＡが適当であシ密着性からして１００Ｏ
Ａ〜６０００Ａが適当である。ニッケル又はニッケル合
金としてはニッケル基をペースにＮＺ’−Ｐ　、　Ｎ１
−Ｂ　、　Ｎｆｆ１−Ｃｏ−Ｐ　、　ＩＤ　−Ｃｕ−ｐ
　、　Ｈｉ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ等が用いられるが特にｔＢ
−ｐ、ｕｉ−Ｂ　　は密着性、メッキ液の安定度等が優
６一 れている。Ｐ、Ｂの含有量け１ｗｔ％〜２１）ｗｔ％で
ある。これらを無電解メッキした後、密着性を向上させ
るため常温に１週間以上放置するか、５０℃〜５００℃
で熱処理を行なっても良い。

前記ニッケル又はニッケル合金被膜を形成後熱処理する
場合は、下層との密着性等が向上するもののその表面に
導通性がやや劣る酸化ニッケルが形成されるが、この酸
化ニッケルを除去するため塩化第二鉄の浴中に浸漬させ
るようにしてもよい。

貴金属メッキはニッケル又はその合金メッキの抵抗をさ
らに低下させるにニッケル又はその合金メッキを厚くし
て抵抗を下げると基板との密着性の問題が生ずる）ため
であり、安定性、メッキの答易さ、比抵抗からして金、
銀、Ｐｄ　、　Ｐｔ、　Ｒｈ。

Ｒｕ等が、これらの合金又はその他の卑金属との合金が
良い。使い方からして無電解メッキが良い。

又無電解メッキでも置換型メッキ液が使い易い。

これらの貴金属メッキの厚みは５０　Ａ〜４０００Ａで
あシ、さらに望ましくは５００Ａ〜３０００Ａである。

あまり厚くするとコストが高ぐなシ、又７− 透明導電膜との密着性も劣る。薄すぎると抵抗が十分低
下しないのでおのずから適当な膜厚は貴金属の固有比抵
抗によって決まってくる。この貴金属無電解メッキを施
してから下層金属層等との密着性向上のため、常温に１
週間以上放置するか、８０℃〜５００℃で熱処理を行な
ってもよいがこの熱処理のみを行なう他、前記熱処理と
併用してもよい。

以下実施例によって本発明の詳細な説明する。

実施例１ 第１図のように、上パネル基板の走査電極（鎖線）に対
し下パネル基板に四重マ）　ＩＪクスパネル用に信号電
極である透明導電膜（５％の酸化スズをドープした酸化
インジウム）をエツチング形成した。リード部ｌのピッ
チは１０μ画累部２のサイズは７０μである。次に無電
解メッキプロセスとして１液性の増感剤である日立化成
社製ＨＥ３１ＱＩＢで５分間処理し、触媒毒を含んだ日
立化成社製Ｈ８２０１で１０分間処理し、水洗後、カニ
ゼン社＆’５６８Ｄ無電解ニッケルリンメッキ液を用８
− いて６０℃で３分間処理し、透明導電膜上のみに（第２
図斜線部）ニッケルリンメッキを２００ＯＡ施した。次
妬フオト工程を経て画素上のニッケルリンメッキを第３
図のように前述の方法によりエツチング除去した。Ａ−
８間の抵抗測定をしたところ第１図ではＨＩ　ＫΩ、第
３図では５００Ωであった。次に日本エンゲルハルト社
製置換無電解金メッキ液で６０℃、加分装置換型メッキ
した。Ａ−８間の抵抗はＨ１Ωであった。第１図で走査
電極と組み合わせ１６行×８０桁（５×７ドツト）−！
−ｄｕｔｙ２ で四重マトリクスの液晶パネルを作成したところ端子か
ら遠い所はＯＮ状態でもハーフトーンになシ表示むらが
生じた。しかし同様のパネルを第３図の構成で作成した
ところ表示むらを生じなかった。又前述の従来方法で作
成したパネルは電極の切れ、ショート、ズレ等の不良が
９０％あったが、本発明によって得たものは３０チの不
良（全て用μ部の透明導電膜のエツチング切れ）のみで
あった。

本発明によって得られた金属リード部は前述の無電解ニ
ッケルリンメッキよシ、又は前記無電解金９− メッキ後に８０℃〜５００℃で熱処理して、基板−＼の
密着性の向上耐摩耗性の向上をはかっても良い。

実施例２ 実施例１において無電解ニッケルリンメッキ後に置換型
無電解銀メツキ液である高純度化学社製Ｅｉ−９０’Ｏ
を用い８０℃で３０分間施した。次に画素部を残して、
銀及びニッケルリン被膜を前述のエツチング方法を用い
て次々にエツチングして第３図のような信号電極基板を
作成した。Ａ　−８間の抵抗は４０Ωであった。効果は
実施例１と同様であった。

実施例３ 実施例１で無電解ニッケルリンメッキの代わりに上材工
ＩＪＪＪ（ベルニッケル）の無電解ニッケルボロンメッ
キ液を用い３５００Ａメツキした。後は同様の処理でパ
ネルとしたところ効果は同じであった。

実施例４ 実施例１で酸化インジウム系透明導電膜の代わＨ１− りに５ｗｔ％の酸化アンチモンをドープした酸化スズを
用いた。Ａ−Ｂ間の抵抗は１００にΩであった。次に無
電解ニッケルリンメッキ、無電解金メツキ後のＡ−Ｂ間
の抵抗は実施例１と同様であった。パネルとしての効果
は同様であった。

実施例５ 実施例１のプロセスで金メッキの代わりに無電５Ｐｄ）
ツキ（高純度化学社Ｐ　ｄ−５）　ｆ：１５００Ａ施し
た。Ａ　−Ｂ間の抵抗は８０Ωであった。パネルとして
の特性は実施例１と同様であった。

以上実施例によって本発明を説明したが本発明の表示パ
ネルの製造方法により金属リード部を有する表示パネル
の歩留シの大巾なアップがはかられ、その工業的意義は
太きい。

本発明によシ得られた表示パネルばα−Ｎパネル液晶テ
レビ、時計、電車等の表示パネルとして応用可能である
。

【図面の簡単な説明】

第１図・−一般の四重マトリクスパネルの透明導電膜構
造図。 第２図・・本発明により透明導電膜上にのみニッケルリ
ンメッキした電極構造図 第３図・・本発明による画素部を除きニッケルリンメッ
キプラス金又は釧メッキされた信号電極構造図 以　　　上 出願人　株式会社睡訪精工舎 沖　１図 ′７２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 】、少なくとも１方が透明な絶縁基板上に形成された透
   明導電膜をバターニングする工程、バターニングされた
   透明導電股上にのみ選択的に無電解ニッケル又はその合
   金メッキする工程、該ニッケル又はその合金メッキ被膜
   上に貴金属メッキを施す工程、必要とされる画素上の貴
   金属被膜及びニッケル又はその合金メッキ被膜をエツチ
   ングする工程を含むことを特徴とする表示パネルの製造
   方法。 ２゜少なくとも１方が透明な絶縁基板上に形成された透
   明導電膜をバターニングする工程、バターニングされた
   透明導電膜上にのみ選択的に無電解ニッケル又はその合
   金メッキする工程、必要な画素上のニッケル又はその合
   金メッキ被膜をエツチングする工程、残された該ニッケ
   ル又はその合金１− メッキ被膜上に貴金属メッキを施す工程を含むことを特
   徴とする表示パネルの製造方法。