JPH0697323A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0697323A
JPH0697323A JP4245384A JP24538492A JPH0697323A JP H0697323 A JPH0697323 A JP H0697323A JP 4245384 A JP4245384 A JP 4245384A JP 24538492 A JP24538492 A JP 24538492A JP H0697323 A JPH0697323 A JP H0697323A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat dissipation
package
die pad
heat
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP4245384A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Takebe
堅一 建部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
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Publication of JPH0697323A publication Critical patent/JPH0697323A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐湿性を低下させることなく、樹脂封止型Ｌ
ＳＩパッケージの放熱性を改善する。 【構成】 半導体チップ５を搭載したダイパッド６の裏
面に貫通孔７を設け、この貫通孔７内に液状ないしゲル
状の放熱材８を充填すると共に、パッケージ本体２の底
面に放熱板３を接合した樹脂封止型ＬＳＩパッケージ１
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、半導体チップを封止するＬＳＩパッケージ
の放熱性の改善に適用して有効な技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＱＦＰ(Quad Flat Package) など
の樹脂封止型ＬＳＩパッケージは、ＬＳＩの高集積化、
高速化に伴って半導体チップの発熱量が増大しているた
め、放熱性の改善が重要な課題となっている。
【０００３】このような放熱性改善対策の一つに、パッ
ケージ本体の底面に金属製の放熱板を接合するものがあ
る。これは、半導体チップを搭載したダイパッドの裏面
に放熱板を貼り付けてその裏面をパッケージ本体の底面
に露出させ、この放熱板とダイパッドとを通じて半導体
チップの熱を外部に逃がすようにしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッケ
ージ本体の底面に金属製の放熱板を接合する前記従来技
術は、パッケージ本体と放熱板との界面剥離などに起因
してパッケージ本体の底面から水分が内部に浸入し易
く、信頼性に問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、樹脂封止型ＬＳ
Ｉパッケージの耐湿性を低下させることなく、放熱性を
向上させることのできる技術を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００８】本発明の樹脂封止型ＬＳＩパッケージは、
半導体チップを搭載したダイパッドの裏面に貫通孔を設
けて該貫通孔内に液状ないしゲル状の放熱材を充填する
と共に、パッケージ本体の底面に放熱板を接合したもの
である。
【０００９】
【作用】上記した手段によれば、半導体チップの熱をダ
イパッド、放熱材および放熱板を通じて外部に逃がすこ
とができるので、放熱性の高い樹脂封止型ＬＳＩパッケ
ージを提供することができる。
【００１０】また、ダイパッドと放熱板との間に放熱材
を充填した貫通孔を設けたことにより、パッケージ本体
底面からの水分の浸入経路が長くなり、耐湿性の低下が
防止される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例である樹脂封止型Ｌ
ＳＩパッケージの構成を図１を用いて説明する。
【００１２】本実施例の樹脂封止型ＬＳＩパッケージ１
は、合成樹脂の成型体からなるパッケージ本体２の底面
に放熱板３が接着剤４により接合されている。半導体チ
ップ５を搭載したダイパッド６の裏面には、貫通孔７が
設けられており、この貫通孔７内には、ゲル状の放熱材
８が充填されている。半導体チップ５の電極パッド９と
リード１０との間には、Ａｕのワイヤ１１がボンディン
グされている。
【００１３】上記放熱板３、ダイパッド６およびリード
１０は、Ｃｕなどの高熱伝導性金属で構成されている。
また、貫通孔７内の放熱材８は、Ｃｕ、Ａｌなどの高熱
伝導性金属粉末を混入したシリコーンゲルで構成されて
いる。なお、放熱材８は、熱伝導性が良く、吸湿性の低
い液状ないしゲル状の物質であれば、金属粉末を混入し
たシリコーンゲルに限定されるものではない。
【００１４】上記ＬＳＩパッケージ１を組み立てるに
は、常法によりダイパッド６上にＡｇペーストなどを用
いて半導体チップ５を接合した後、電極パッド９とリー
ド１０との間にワイヤ１１をボンディングし、続いてト
ランスファモールドによりパッケージ本体２を成形す
る。ダイパッド６の裏面の貫通孔７は、このとき同時に
形成する。その後、貫通孔７内に放熱材８を充填した
後、パッケージ本体２の底面に放熱板３を接合する。
【００１５】上記のように構成された本実施例によれ
ば、半導体チップ５の熱をダイパッド６、放熱材８およ
び放熱板３を通じて外部に逃がすことができるので、放
熱性の高い樹脂封止型ＬＳＩパッケージ１を提供するこ
とができる。
【００１６】また、ダイパッド６と放熱板３との間に放
熱材８を充填した貫通孔７を設けたことにより、ダイパ
ッドの裏面に放熱板を直接接合する従来技術に比べてパ
ッケージ本体２底面からの水分の浸入経路が長くなるた
め、耐湿性の低下が防止され、信頼性の高い樹脂封止型
ＬＳＩパッケージ１を提供することができる。
【００１７】さらに、ＬＳＩパッケージ１を半田リフロ
ーによって基板に実装する際の熱ストレスなどに起因す
る応力を貫通孔７内に充填したゲル状の放熱材８が吸収
するので、パッケージクラック耐性の向上した樹脂封止
型ＬＳＩパッケージ１を提供することができる。
【００１８】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００１９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００２０】半導体チップを搭載したダイパッドの裏面
に貫通孔を設けて該貫通孔内に液状ないしゲル状の放熱
材を充填すると共に、パッケージ本体の底面に放熱板を
接合したことにより、樹脂封止型ＬＳＩパッケージの耐
湿性を低下させることなく、放熱性を向上させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるＬＳＩパッケージを示
す断面図である。
【符号の説明】
１ 樹脂封止型ＬＳＩパッケージ ２ パッケージ本体 ３ 放熱板 ４ 接着剤 ５ 半導体チップ ６ ダイパッド ７ 貫通孔 ８ 放熱材 ９ 電極パッド １０ リード １１ ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを搭載したダイパッドの裏
    面に設けた貫通孔内に液状ないしゲル状の放熱材を充填
    すると共に、パッケージ本体の底面に放熱板を接合した
    ことを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 前記放熱材は、金属粉末を混入したシリ
    コーンゲルであることを特徴とする請求項１記載の半導
    体集積回路装置。
  3. 【請求項３】 前記ダイパッドおよび放熱板がＣｕから
    なることを特徴とする請求項１または２記載の半導体集
    積回路装置。
JP4245384A 1992-09-16 1992-09-16 半導体集積回路装置 Pending JPH0697323A (ja)

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