JPH0637221A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0637221A JPH0637221A JP4190349A JP19034992A JPH0637221A JP H0637221 A JPH0637221 A JP H0637221A JP 4190349 A JP4190349 A JP 4190349A JP 19034992 A JP19034992 A JP 19034992A JP H0637221 A JPH0637221 A JP H0637221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- semiconductor chip
- lead frame
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】製造時間を短縮し、チップクラック不良を低減
した高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供すること。 【構成】リードフレーム１のプレス打抜き加工したバリ
面側５が上になるように配置し、半導体チップ２をダイ
ボンディングすると共にワイヤボンディングする。次
に、エポキシ樹脂８等による樹脂モールド層を形成する
が、この時に半導体チップ２は、モールド内の薄肉側
（フラット形状側）７、即ちリードフレーム１のバリ面
側６に配置し樹脂封止する。
した高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供すること。 【構成】リードフレーム１のプレス打抜き加工したバリ
面側５が上になるように配置し、半導体チップ２をダイ
ボンディングすると共にワイヤボンディングする。次
に、エポキシ樹脂８等による樹脂モールド層を形成する
が、この時に半導体チップ２は、モールド内の薄肉側
（フラット形状側）７、即ちリードフレーム１のバリ面
側６に配置し樹脂封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小信号トランジスタに好
適する樹脂封止型半導体装置に関する。
適する樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、小信号トランジスタ等の半導体装
置は半導体チップを封止する封止用樹脂の特性向上によ
り樹脂封止パッケージが多く用いられるようになってい
る。
置は半導体チップを封止する封止用樹脂の特性向上によ
り樹脂封止パッケージが多く用いられるようになってい
る。
【０００３】そして、上記樹脂封止パッケージとして
は、主としてエポキシ、シリコーン、フェノールなどの
樹脂が用いられ、モールド、ディッピングなどにより基
板またはリードフレームが樹脂封止される。
は、主としてエポキシ、シリコーン、フェノールなどの
樹脂が用いられ、モールド、ディッピングなどにより基
板またはリードフレームが樹脂封止される。
【０００４】図３は、上記したような従来例に係る半導
体装置の構成を示す図で、（ａ）はフラット部側より見
た図、（ｂ）は上面から見た断面図、（ｃ）は側面から
みた断面図を示したものである。
体装置の構成を示す図で、（ａ）はフラット部側より見
た図、（ｂ）は上面から見た断面図、（ｃ）は側面から
みた断面図を示したものである。
【０００５】同図に示すように、従来の半導体装置にお
いては、銅合金あるいは鉄合金、又はアルミニウム合金
等により所定形状にプレス加工したリードフレーム１
（放熱板）上のプレス加工面側（抜きダレ側）５に、半
導体素子２を熱伝導性を持たせて取り付けて、該半導体
素子２の各電極とリードフレーム１のリード９をワイヤ
ボンディングにより接続する。
いては、銅合金あるいは鉄合金、又はアルミニウム合金
等により所定形状にプレス加工したリードフレーム１
（放熱板）上のプレス加工面側（抜きダレ側）５に、半
導体素子２を熱伝導性を持たせて取り付けて、該半導体
素子２の各電極とリードフレーム１のリード９をワイヤ
ボンディングにより接続する。
【０００６】次に、所定の半導体素子２が形成された半
導体チップの上面をエンキャップ材４によりコーティン
グする。そして、エポキシ樹脂８を用いてモールドし、
樹脂層を形成し封止し、更に、半導体装置部分と搬送板
部とを分離してリード９に半田付けした後、テスト、マ
ークして完成する。
導体チップの上面をエンキャップ材４によりコーティン
グする。そして、エポキシ樹脂８を用いてモールドし、
樹脂層を形成し封止し、更に、半導体装置部分と搬送板
部とを分離してリード９に半田付けした後、テスト、マ
ークして完成する。
【０００７】このように、従来例の半導体装置では半導
体チップ２は樹脂封止体の厚肉側（Ｒ側）になるように
樹脂封止を行っていた。つまり、リード表面に半田メッ
キ、半田ディップあるいは錫メッキ等を施して、リード
９をフレームより切断した後、テスト、マークを実施し
ていた。
体チップ２は樹脂封止体の厚肉側（Ｒ側）になるように
樹脂封止を行っていた。つまり、リード表面に半田メッ
キ、半田ディップあるいは錫メッキ等を施して、リード
９をフレームより切断した後、テスト、マークを実施し
ていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したよう
な半導体装置は、信頼性評価の半田浸加熱及び熱衝撃
（高温と低温の繰り返し）試験において、チップクラッ
クが発生し、致命的不良を起こしていた。このような原
因は、樹脂層における内部応用力による影響を受けてし
まうことにある。
な半導体装置は、信頼性評価の半田浸加熱及び熱衝撃
（高温と低温の繰り返し）試験において、チップクラッ
クが発生し、致命的不良を起こしていた。このような原
因は、樹脂層における内部応用力による影響を受けてし
まうことにある。
【０００９】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その第１の目的とするところは、所定形状にプレス
加工したリードフレームの打ち抜き方向の逆側、即ちバ
リのある側に半導体チップを設定することによりエンキ
ャップ材を不要とすることにより製造時間を短縮するこ
とにある。また、第２の目的とするところは、上記半導
体チップを樹脂封止部材の薄肉側に封止することにより
チップクラック不良を低減することにある。
で、その第１の目的とするところは、所定形状にプレス
加工したリードフレームの打ち抜き方向の逆側、即ちバ
リのある側に半導体チップを設定することによりエンキ
ャップ材を不要とすることにより製造時間を短縮するこ
とにある。また、第２の目的とするところは、上記半導
体チップを樹脂封止部材の薄肉側に封止することにより
チップクラック不良を低減することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様による樹脂封止型半導体装置
は、所定形状にプレス加工された放熱部及びリード部を
有するリードフレームと、上記リードフレームにおける
放熱部の打ち抜き方向の逆側でバリのある側に取着され
る半導体チップと、上記半導体チップ及びリードフレー
ムの放熱部とを一体に封止する樹脂封止部材とを具備す
ることを特徴とする。
に、本発明の第１の態様による樹脂封止型半導体装置
は、所定形状にプレス加工された放熱部及びリード部を
有するリードフレームと、上記リードフレームにおける
放熱部の打ち抜き方向の逆側でバリのある側に取着され
る半導体チップと、上記半導体チップ及びリードフレー
ムの放熱部とを一体に封止する樹脂封止部材とを具備す
ることを特徴とする。
【００１１】また、第２の態様による樹脂封止型半導体
装置は、上記半導体チップを、樹脂封止部材の上記放熱
部の打ち抜き方向を覆う樹脂層に比べて薄い樹脂層で覆
われる薄肉側に封止することを特徴とする。
装置は、上記半導体チップを、樹脂封止部材の上記放熱
部の打ち抜き方向を覆う樹脂層に比べて薄い樹脂層で覆
われる薄肉側に封止することを特徴とする。
【００１２】
【作用】即ち、本発明の第１の態様による樹脂封止型半
導体装置では、半導体チップが所定形状にプレス加工し
た放熱板の打ち抜き方法の逆側、即ちバリのある側に設
定される。
導体装置では、半導体チップが所定形状にプレス加工し
た放熱板の打ち抜き方法の逆側、即ちバリのある側に設
定される。
【００１３】また、第２の態様による樹脂封止型半導体
装置では、上記半導体チップが、樹脂封止部材の上記放
熱部の打ち抜き方向を覆う樹脂層に比べて薄い樹脂層で
覆われる薄肉側に封止される。
装置では、上記半導体チップが、樹脂封止部材の上記放
熱部の打ち抜き方向を覆う樹脂層に比べて薄い樹脂層で
覆われる薄肉側に封止される。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の実施例に係る樹脂封止型半
導体装置の構成を示す図で（ａ）はフラット部側より見
た図、（ｂ）は上面から見た断面図、（ｃ）は側面から
みた断面図を示したものである。
導体装置の構成を示す図で（ａ）はフラット部側より見
た図、（ｂ）は上面から見た断面図、（ｃ）は側面から
みた断面図を示したものである。
【００１５】同図に示すように、本実施例の樹脂封止型
半導体装置は、まず、銅合金あるいは鉄合金、アルミニ
ウム合金等により所定形状にプレス加工したリードフレ
ーム１のプレス打抜き加工したバリ面側５が上になるよ
うに配置し、半導体チップ２をダイボンディングすると
共にワイヤボンディングする。
半導体装置は、まず、銅合金あるいは鉄合金、アルミニ
ウム合金等により所定形状にプレス加工したリードフレ
ーム１のプレス打抜き加工したバリ面側５が上になるよ
うに配置し、半導体チップ２をダイボンディングすると
共にワイヤボンディングする。
【００１６】次に、エポキシ樹脂８等による樹脂モール
ド層を形成するが、この時に、半導体チップ２は、モー
ルド内の薄肉側（フラット形状側）７、即ちリードフレ
ーム１のバリ面側６に配置し、樹脂封止する。
ド層を形成するが、この時に、半導体チップ２は、モー
ルド内の薄肉側（フラット形状側）７、即ちリードフレ
ーム１のバリ面側６に配置し、樹脂封止する。
【００１７】尚、図２は上記リードフレーム１に半導体
チップ２をダイボンディング及びワイヤボンディングし
た様子を示す図であり、同図に示すように半導体チップ
２はボンディングワイヤー３によりボンディングされて
いる。
チップ２をダイボンディング及びワイヤボンディングし
た様子を示す図であり、同図に示すように半導体チップ
２はボンディングワイヤー３によりボンディングされて
いる。
【００１８】本実施例は樹脂封止部材における内部応用
力に起因する不良を低減することに着目して発明された
ものである。そして、上記不良を低減するために、リー
ドフレーム１を所定形状にプレス加工する際に打ち抜き
方向の逆側にできるバリ１０を有効に利用している。即
ち、上記リードフレーム１のバリ面側６に半導体チップ
２を配置することにより上記内部応用力に起因する不良
を低減し、上記半導体チップ２を樹脂封止部材８の薄肉
側に配置することにより、従来の半導体装置において用
いられていたエンキャップ材を不要とすることで製造時
間を短縮し、さらにチップクラック不良をも低減してい
る。
力に起因する不良を低減することに着目して発明された
ものである。そして、上記不良を低減するために、リー
ドフレーム１を所定形状にプレス加工する際に打ち抜き
方向の逆側にできるバリ１０を有効に利用している。即
ち、上記リードフレーム１のバリ面側６に半導体チップ
２を配置することにより上記内部応用力に起因する不良
を低減し、上記半導体チップ２を樹脂封止部材８の薄肉
側に配置することにより、従来の半導体装置において用
いられていたエンキャップ材を不要とすることで製造時
間を短縮し、さらにチップクラック不良をも低減してい
る。
【００１９】以下、このチップクラック不良に関する実
験結果について、表１乃至表２を参照して説明する。
尚、表１、表２において、Ａは本発明の樹脂封止型半導
体装置、Ｂは従来の半導体装置による試験結果をそれぞ
れ示している。
験結果について、表１乃至表２を参照して説明する。
尚、表１、表２において、Ａは本発明の樹脂封止型半導
体装置、Ｂは従来の半導体装置による試験結果をそれぞ
れ示している。
【００２０】まず、表１は本発明の樹脂封止型半導体装
置と従来の半導体装置につき半田浸加熱（半田条件；３
５０度・１０秒間）を試験した結果（チップクラック発
生数／試験数）を示したものである。
置と従来の半導体装置につき半田浸加熱（半田条件；３
５０度・１０秒間）を試験した結果（チップクラック発
生数／試験数）を示したものである。
【００２１】
【表１】
【００２２】そして表２は熱衝撃試験、低温−５５度
（３０分）、高温１５０度（３０分）を１サイクルとし
て１０００サイクル試験した結果（チップクラック発生
数／試験数）を示したものである。
（３０分）、高温１５０度（３０分）を１サイクルとし
て１０００サイクル試験した結果（チップクラック発生
数／試験数）を示したものである。
【００２３】
【表２】 上記表１、表２にも示したように、本実施例の樹脂封止
型半導体装置はテスト工程で主に内部応用力に起因する
不良が低減し、歩留が２〜５％向上した。
型半導体装置はテスト工程で主に内部応用力に起因する
不良が低減し、歩留が２〜５％向上した。
【００２４】以上詳述したように、本発明の樹脂封止型
半導体装置はフレームのプレス方向と逆側方向、すなわ
ち抜きバリが発生している側に半導体チップ２をダイマ
ウントし、該ダイマウントされた半導体チップ２をモー
ルド体の薄肉部にもってくるので、バリの有効利用及び
エンキャップ材の廃止の最適な組合せにより、成型品の
内部応力が緩和され、エンキャップ材を有していなくて
も半田ディップ時及び熱衝撃試験におけるチップクラッ
ク不良を防止できる。更に、従来技術ではエンキャップ
材を施していたが、本発明ではエンキャップ材が廃止で
きるため、製造時間短縮化の効果も大である。
半導体装置はフレームのプレス方向と逆側方向、すなわ
ち抜きバリが発生している側に半導体チップ２をダイマ
ウントし、該ダイマウントされた半導体チップ２をモー
ルド体の薄肉部にもってくるので、バリの有効利用及び
エンキャップ材の廃止の最適な組合せにより、成型品の
内部応力が緩和され、エンキャップ材を有していなくて
も半田ディップ時及び熱衝撃試験におけるチップクラッ
ク不良を防止できる。更に、従来技術ではエンキャップ
材を施していたが、本発明ではエンキャップ材が廃止で
きるため、製造時間短縮化の効果も大である。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ワイヤボンディング後
のエンキャップ材を不要とすることにより製造時間を短
縮できると共に、チップクラック不良を低減した高信頼
性の樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
のエンキャップ材を不要とすることにより製造時間を短
縮できると共に、チップクラック不良を低減した高信頼
性の樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の
構成を示す図で、（ａ）はフラット部側より見た平面
図、（ｂ）は上面から見た断面図、（ｃ）は側面からみ
た断面図を示す。
構成を示す図で、（ａ）はフラット部側より見た平面
図、（ｂ）は上面から見た断面図、（ｃ）は側面からみ
た断面図を示す。
【図２】リードフレームに半導体チップ２をダイボンデ
ィング及びワイヤボンディングした図を示す。
ィング及びワイヤボンディングした図を示す。
【図３】従来例の半導体装置の構成を示す図で、（ａ）
はフラット部側より見た平面図、（ｂ）は上面から見た
断面図、（ｃ）は側面からみた断面図を示す。
はフラット部側より見た平面図、（ｂ）は上面から見た
断面図、（ｃ）は側面からみた断面図を示す。
１…フレーム、２…半導体チップ、３…ボンディングワ
イヤー、４…エンキャップ材、５…フレーム打抜き側
（ダレ面）、６…フレーム打抜き方向の逆側（バリ
面）、７…樹脂封止部材の薄肉側（フラット形状側）、
８…エポキシ樹脂、９…リード、１０…バリ。
イヤー、４…エンキャップ材、５…フレーム打抜き側
（ダレ面）、６…フレーム打抜き方向の逆側（バリ
面）、７…樹脂封止部材の薄肉側（フラット形状側）、
８…エポキシ樹脂、９…リード、１０…バリ。
Claims (2)
- 【請求項１】 所定形状にプレス加工された放熱部及び
リード部を有するリードフレームと、 上記リードフレームにおける放熱部の打ち抜き方向の逆
側でバリのある側に取着される半導体チップと、 上記半導体チップ及びリードフレームの放熱部とを一体
に封止する樹脂封止部材と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 上記半導体チップを、樹脂封止部材の上
記放熱部の打ち抜き方向を覆う樹脂層に比べて薄い樹脂
層で覆われる薄肉側に封止することを特徴とする請求項
１に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4190349A JPH0637221A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4190349A JPH0637221A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637221A true JPH0637221A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16256721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4190349A Pending JPH0637221A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637221A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158229A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Sharp Corp | リードフレーム及び半導体装置 |
| JP2008511479A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | フリト−レイ ノース アメリカ インコーポレイテッド | 非接触型ローラ端部を有するシート形成装置 |
| WO2018012281A1 (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4190349A patent/JPH0637221A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511479A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | フリト−レイ ノース アメリカ インコーポレイテッド | 非接触型ローラ端部を有するシート形成装置 |
| JP2007158229A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Sharp Corp | リードフレーム及び半導体装置 |
| WO2018012281A1 (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| US10672687B2 (en) | 2016-07-14 | 2020-06-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US10854535B2 (en) | 2016-07-14 | 2020-12-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
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