JPH0697351A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0697351A JPH0697351A JP4272414A JP27241492A JPH0697351A JP H0697351 A JPH0697351 A JP H0697351A JP 4272414 A JP4272414 A JP 4272414A JP 27241492 A JP27241492 A JP 27241492A JP H0697351 A JPH0697351 A JP H0697351A
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- semiconductor chip
- semiconductor device
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- leads
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置において、リードを固
定する絶縁フィルム、接着剤として高耐熱性のものを使
用する必要性をなくし、封止樹脂の薄型化を図り、信号
経路、電源経路の低インピーダンス化を図り、放熱性を
高めつつ封止樹脂の幅を狭くする。 【構成】 リードフレームをそのインナーリード６とア
ウターリード４との接続部が半導体チップ１上方に位置
するように離間配置し、インナーリード６の先端を半導
体チップ１の電極２に直接的にボンディングする。
定する絶縁フィルム、接着剤として高耐熱性のものを使
用する必要性をなくし、封止樹脂の薄型化を図り、信号
経路、電源経路の低インピーダンス化を図り、放熱性を
高めつつ封止樹脂の幅を狭くする。 【構成】 リードフレームをそのインナーリード６とア
ウターリード４との接続部が半導体チップ１上方に位置
するように離間配置し、インナーリード６の先端を半導
体チップ１の電極２に直接的にボンディングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、特に幅を狭くすることができる新規な樹脂封止型半
導体装置に関する。
置、特に幅を狭くすることができる新規な樹脂封止型半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は樹脂封止型半導体装置の従来例を
示す一部切欠斜視図である。図面において、ａは半導体
チップ、ｂはリードで、その先端部分は例えばポリイミ
ドフィルム等の絶縁フィルムｃを介して半導体チップａ
の表面に接着されている。ｄはコモンバーで、半導体チ
ップａの幅方向における中央部を長手方向に沿って配置
され、一部のリードａと一体に形成されて外部に導出さ
れている。そして、該コモンバーｄも絶縁フィルムｃを
介して半導体チップａの表面に接着されている。
示す一部切欠斜視図である。図面において、ａは半導体
チップ、ｂはリードで、その先端部分は例えばポリイミ
ドフィルム等の絶縁フィルムｃを介して半導体チップａ
の表面に接着されている。ｄはコモンバーで、半導体チ
ップａの幅方向における中央部を長手方向に沿って配置
され、一部のリードａと一体に形成されて外部に導出さ
れている。そして、該コモンバーｄも絶縁フィルムｃを
介して半導体チップａの表面に接着されている。
【０００３】ｅはリードａ先端部あるいはコモンバーｄ
と、半導体チップａの電極との間を接続する金ワイヤ、
ｆは封止樹脂である。リードａの封止樹脂ｆから外部に
突出した部分は封止樹脂ｆの側面に沿うようにＪ字状に
曲折されている。
と、半導体チップａの電極との間を接続する金ワイヤ、
ｆは封止樹脂である。リードａの封止樹脂ｆから外部に
突出した部分は封止樹脂ｆの側面に沿うようにＪ字状に
曲折されている。
【０００４】図５は本願出願人会社により開発された別
の従来例を示すもので、本樹脂封止型半導体装置は、リ
ードフレームとして銅からなるインナーリードｇをアル
ミニウムからなる中間材（エッチングストッパ）ｈを介
して銅からなるアウターリードｉに接続したものを用
い、インナーリードｇの先端をそこに形成されたアルミ
ニウムからなるバンプｊを介して半導体チップａの電極
にボンディングしたものである。
の従来例を示すもので、本樹脂封止型半導体装置は、リ
ードフレームとして銅からなるインナーリードｇをアル
ミニウムからなる中間材（エッチングストッパ）ｈを介
して銅からなるアウターリードｉに接続したものを用
い、インナーリードｇの先端をそこに形成されたアルミ
ニウムからなるバンプｊを介して半導体チップａの電極
にボンディングしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
従来の樹脂封止型半導体装置には、金ワイヤｅをボンデ
ィングする際に４００℃程度の高い温度に加熱する必要
があり、その温度に耐えられるような高耐熱性絶縁フィ
ルム、高耐熱性接着剤を使用する必要があるが、そのよ
うな材料は少なく、しかも高価であるという問題があっ
た。また、このような高耐熱性接着層にはイオン性不純
物が含まれ、このイオン性不純物が電極腐食の原因とな
るという問題があり、また、高耐熱性接着剤は高耐熱性
を有するといえども４００℃の温度下に置かれれば熱に
よる変質を完全に回避することが少なくとも現状では不
可能であり、高耐熱性接着剤を使用することによって信
頼度が低くなるという問題もあった。
従来の樹脂封止型半導体装置には、金ワイヤｅをボンデ
ィングする際に４００℃程度の高い温度に加熱する必要
があり、その温度に耐えられるような高耐熱性絶縁フィ
ルム、高耐熱性接着剤を使用する必要があるが、そのよ
うな材料は少なく、しかも高価であるという問題があっ
た。また、このような高耐熱性接着層にはイオン性不純
物が含まれ、このイオン性不純物が電極腐食の原因とな
るという問題があり、また、高耐熱性接着剤は高耐熱性
を有するといえども４００℃の温度下に置かれれば熱に
よる変質を完全に回避することが少なくとも現状では不
可能であり、高耐熱性接着剤を使用することによって信
頼度が低くなるという問題もあった。
【０００６】そして、図４に示す樹脂封止型半導体装置
によれば、金ワイヤｅを介してリードｂと半導体チップ
ａの電極ｊとを接続するので金ワイヤｅによるアーチが
でき、そのアーチによって封止樹脂ｆの薄型化が制約さ
れるという問題があった。そして、金ワイヤｅがリード
ｂと半導体チップａとの間に介在し、その金ワイヤｅは
樹脂封止型半導体装置の多ピン化に伴って細くせざるを
得ない反面、アーチを形成せざるを得ないので長さを短
かくすることが制約される。従って、信号伝送経路、電
源経路の電気抵抗値が高くなり、高速化が制約されると
共に、放熱性も良好にできにくい。
によれば、金ワイヤｅを介してリードｂと半導体チップ
ａの電極ｊとを接続するので金ワイヤｅによるアーチが
でき、そのアーチによって封止樹脂ｆの薄型化が制約さ
れるという問題があった。そして、金ワイヤｅがリード
ｂと半導体チップａとの間に介在し、その金ワイヤｅは
樹脂封止型半導体装置の多ピン化に伴って細くせざるを
得ない反面、アーチを形成せざるを得ないので長さを短
かくすることが制約される。従って、信号伝送経路、電
源経路の電気抵抗値が高くなり、高速化が制約されると
共に、放熱性も良好にできにくい。
【０００７】それに対して、図５に示すところの従来の
樹脂封止型半導体装置によれば、図４に示す樹脂封止型
半導体装置の持つ問題を回避できる。即ち、金ワイヤを
使用しないので、金ワイヤを使用することにより生じる
問題がないのである。具体的には、リードのアルミニウ
ムバンプと半導体チップのアルミニウムパッドとの接合
は室温乃至２００℃、例えば１２０℃の温度で行うこと
ができ、絶縁フィルム、接着剤を使用したとしてもこの
程度の温度に耐えられる程度の耐熱性があれば良い。そ
の点で図５の樹脂封止型半導体装置は優れているといえ
る。
樹脂封止型半導体装置によれば、図４に示す樹脂封止型
半導体装置の持つ問題を回避できる。即ち、金ワイヤを
使用しないので、金ワイヤを使用することにより生じる
問題がないのである。具体的には、リードのアルミニウ
ムバンプと半導体チップのアルミニウムパッドとの接合
は室温乃至２００℃、例えば１２０℃の温度で行うこと
ができ、絶縁フィルム、接着剤を使用したとしてもこの
程度の温度に耐えられる程度の耐熱性があれば良い。そ
の点で図５の樹脂封止型半導体装置は優れているといえ
る。
【０００８】しかし、図５の樹脂封止型半導体装置には
その幅を狭くすることに限界があった。というのは、イ
ンナーリードｇとアウターリードｉとの接続部分が半導
体チップａの上方から食み出したところに位置し、その
接続部分が封止樹脂ｆから食み出さないように樹脂封止
する関係上封止樹脂ｆの幅は半導体チップａの幅よりも
相当に広くなってしまうからである。
その幅を狭くすることに限界があった。というのは、イ
ンナーリードｇとアウターリードｉとの接続部分が半導
体チップａの上方から食み出したところに位置し、その
接続部分が封止樹脂ｆから食み出さないように樹脂封止
する関係上封止樹脂ｆの幅は半導体チップａの幅よりも
相当に広くなってしまうからである。
【０００９】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、樹脂封止型半導体装置において、リ
ードを固定する絶縁フィルム、接着剤として高耐熱性の
ものを使用をする必要性をなくし、封止樹脂の薄型化を
図り、信号経路、電源経路の低インピーダンス化を図
り、放熱性を高めつつ封止樹脂の幅を狭くすることを目
的とする。
されたものであり、樹脂封止型半導体装置において、リ
ードを固定する絶縁フィルム、接着剤として高耐熱性の
ものを使用をする必要性をなくし、封止樹脂の薄型化を
図り、信号経路、電源経路の低インピーダンス化を図
り、放熱性を高めつつ封止樹脂の幅を狭くすることを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明樹脂封止型半導体
装置は、リードフレームをそのインナーリードとアウタ
ーリードとの接続部が半導体チップ上方に位置するよう
に離間配置し、インナーリードの先端を半導体チップの
電極に直接的に、即ちワイヤを介することなくボンディ
ングしたことを特徴とする。
装置は、リードフレームをそのインナーリードとアウタ
ーリードとの接続部が半導体チップ上方に位置するよう
に離間配置し、インナーリードの先端を半導体チップの
電極に直接的に、即ちワイヤを介することなくボンディ
ングしたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明樹脂封止型半導体装置によれば、インナ
ーリードの先端を半導体チップの電極に直接的に、即ち
ワイヤを介することなくボンディングしたもので、ワイ
ヤのアーチによる封止樹脂の薄型化に対する制約から開
放される。そして、ワイヤを使用することによって生じ
た信号経路、電源経路のインピーダンスの低減化への制
約もなくなる。
ーリードの先端を半導体チップの電極に直接的に、即ち
ワイヤを介することなくボンディングしたもので、ワイ
ヤのアーチによる封止樹脂の薄型化に対する制約から開
放される。そして、ワイヤを使用することによって生じ
た信号経路、電源経路のインピーダンスの低減化への制
約もなくなる。
【００１２】また、リードと電極のボンディング時に必
要な加熱温度がワイヤボンディングの場合のそれよりも
相当に低くできるので接着剤を使用したとしても信頼度
を高くできる。そして、アウターリードとインナーリー
ドとの接続部を半導体チップ上方にそれと離間して配置
して樹脂封止するので封止樹脂の幅を狭くできる。
要な加熱温度がワイヤボンディングの場合のそれよりも
相当に低くできるので接着剤を使用したとしても信頼度
を高くできる。そして、アウターリードとインナーリー
ドとの接続部を半導体チップ上方にそれと離間して配置
して樹脂封止するので封止樹脂の幅を狭くできる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は一部切欠斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ
線視斜視図である。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は一部切欠斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ
線視斜視図である。
【００１４】図面において、１は半導体チップ、２は該
半導体チップ１の表面に形成された電極、３は銅からな
る比較的厚い（例えば１００〜２００μｍ）のアウター
リード４にアルミニウムからなる中間材（エッチングス
トッパ）５を介して薄い（例えば１０〜７０μｍの）イ
ンナーリード６を形成してなるもので、例えば特願平１
−２８８１７３号、特願平３−３０６６６９号、特願平
３−２７４８４３号等により提案された製造方法で製造
することができる。
半導体チップ１の表面に形成された電極、３は銅からな
る比較的厚い（例えば１００〜２００μｍ）のアウター
リード４にアルミニウムからなる中間材（エッチングス
トッパ）５を介して薄い（例えば１０〜７０μｍの）イ
ンナーリード６を形成してなるもので、例えば特願平１
−２８８１７３号、特願平３−３０６６６９号、特願平
３−２７４８４３号等により提案された製造方法で製造
することができる。
【００１５】尚、７は各インナーリード６の内端部下面
に形成されたアルミニウムからなるバンプで、上記中間
材５と同時に形成される。８はインナーリード３の一部
を成し、アウターリード４と同時に形成された厚肉の共
通電極（バスバー）であり、銅からなる。尚、この共通
電極８は不可欠ではない。
に形成されたアルミニウムからなるバンプで、上記中間
材５と同時に形成される。８はインナーリード３の一部
を成し、アウターリード４と同時に形成された厚肉の共
通電極（バスバー）であり、銅からなる。尚、この共通
電極８は不可欠ではない。
【００１６】リードフレーム３の各アウターリード４と
インナーリード６との中間材５を介しての接続部は、半
導体チップ２の上方にそれと適宜離間して位置されてい
る。尚、リードフレーム３の裏面には図２に示すように
それと半導体チップ１との絶縁のために絶縁シート（図
示しない）がコーティングされている。
インナーリード６との中間材５を介しての接続部は、半
導体チップ２の上方にそれと適宜離間して位置されてい
る。尚、リードフレーム３の裏面には図２に示すように
それと半導体チップ１との絶縁のために絶縁シート（図
示しない）がコーティングされている。
【００１７】コーティング材料としては、エポキシ系、
ポリイミド系、アクリル系等の材料を用いることがで
き、使用可能な材料の種類が多い。というのは、インナ
ーリード６のバンプ７と半導体チップ１の電極２とは室
温ないし２００℃の比較的低い温度で行うことのできる
シングルポイントボンディングによりボンディングする
ことができ、必要な耐熱温度が低いからである。
ポリイミド系、アクリル系等の材料を用いることがで
き、使用可能な材料の種類が多い。というのは、インナ
ーリード６のバンプ７と半導体チップ１の電極２とは室
温ないし２００℃の比較的低い温度で行うことのできる
シングルポイントボンディングによりボンディングする
ことができ、必要な耐熱温度が低いからである。
【００１８】リードフレーム３の各インナーリード６は
適宜曲折せしめられてその先端部下面のバンプ７が半導
体チップ１表面の電極２上に位置され該バンプ７と電極
（アルミニウムからなる）２とがそのシングルポイント
ボンディングされている。９は封止樹脂である。この封
止樹脂９は図５に示す従来の樹脂封止型半導体装置に比
較して幅を狭くすることができる。
適宜曲折せしめられてその先端部下面のバンプ７が半導
体チップ１表面の電極２上に位置され該バンプ７と電極
（アルミニウムからなる）２とがそのシングルポイント
ボンディングされている。９は封止樹脂である。この封
止樹脂９は図５に示す従来の樹脂封止型半導体装置に比
較して幅を狭くすることができる。
【００１９】というのは、従来の樹脂封止型半導体装置
においてはインナーリードとアウターリードとの接続部
が半導体チップの外側に位置されていたのに対して、本
樹脂封止型半導体装置においてはそれが半導体チップの
上方に位置せしめられているからである。尚、アウター
リード４の封止樹脂９から露出した部分は、樹脂封止
後、Ｊ字状に延びるようにして先端が封止樹脂９底面に
て内側にフォーミングされるが、必ずしもそのようにす
ることはなく、図５に示すようにアウターリード４の先
端が封止樹脂９の側面にて外側に延びるようにフォーミ
ングしても良い。
においてはインナーリードとアウターリードとの接続部
が半導体チップの外側に位置されていたのに対して、本
樹脂封止型半導体装置においてはそれが半導体チップの
上方に位置せしめられているからである。尚、アウター
リード４の封止樹脂９から露出した部分は、樹脂封止
後、Ｊ字状に延びるようにして先端が封止樹脂９底面に
て内側にフォーミングされるが、必ずしもそのようにす
ることはなく、図５に示すようにアウターリード４の先
端が封止樹脂９の側面にて外側に延びるようにフォーミ
ングしても良い。
【００２０】尚、同程度のピン数の樹脂封止型半導体装
置を図１に示すように構成した場合と図５の従来例のよ
うに構成した場合とのボンディング部における寄生抵抗
を比較すると本樹脂封止型半導体装置の方が約１／５．
３８にできる。というのは、金ワイヤの場合、その直径
は２５μｍ以上にすることは難しく、その断面積は１９
６２μｍ2 程度にしかできないのに対して、インナーリ
ード６は厚さ５０μｍ、幅１５０μｍ程度に形成でき、
従って、断面積を７５００μｍ2 にすることができる。
置を図１に示すように構成した場合と図５の従来例のよ
うに構成した場合とのボンディング部における寄生抵抗
を比較すると本樹脂封止型半導体装置の方が約１／５．
３８にできる。というのは、金ワイヤの場合、その直径
は２５μｍ以上にすることは難しく、その断面積は１９
６２μｍ2 程度にしかできないのに対して、インナーリ
ード６は厚さ５０μｍ、幅１５０μｍ程度に形成でき、
従って、断面積を７５００μｍ2 にすることができる。
【００２１】そのうえ、金と銅の比抵抗の比は２．３
５：１．６７であり銅の方が比抵抗が小さい。その結
果、（５０×１５０／π（２５）2 ）×２．３５／１．
６７＝５３８となり、従来の抵抗より本実施例の抵抗を
１／５．３８にできる。このように、インナーリードと
半導体チップとの接続部分の抵抗について従来よりも相
当に小さくできるので、ハイビジョン対応に伴って要求
される高速化にも対応できる。
５：１．６７であり銅の方が比抵抗が小さい。その結
果、（５０×１５０／π（２５）2 ）×２．３５／１．
６７＝５３８となり、従来の抵抗より本実施例の抵抗を
１／５．３８にできる。このように、インナーリードと
半導体チップとの接続部分の抵抗について従来よりも相
当に小さくできるので、ハイビジョン対応に伴って要求
される高速化にも対応できる。
【００２２】図３は本発明樹脂封止型半導体装置の他の
実施例を示す断面図である。本樹脂封止型半導体装置は
半導体チップ１上面両側分とアウターリード４との間に
例えば紫外線熱硬化型エポキシ樹脂あるいは印刷可能な
ポリイミドペーストからなるスペーサ１０を設け、半導
体チップ１のエッヂにおけるアウターリード４とのショ
ートを防止するようにしたものである。尚、本樹脂封止
型半導体装置はスペーサ１０を設けた点以外では図１に
示した樹脂封止型半導体装置とは異なるところはない。
実施例を示す断面図である。本樹脂封止型半導体装置は
半導体チップ１上面両側分とアウターリード４との間に
例えば紫外線熱硬化型エポキシ樹脂あるいは印刷可能な
ポリイミドペーストからなるスペーサ１０を設け、半導
体チップ１のエッヂにおけるアウターリード４とのショ
ートを防止するようにしたものである。尚、本樹脂封止
型半導体装置はスペーサ１０を設けた点以外では図１に
示した樹脂封止型半導体装置とは異なるところはない。
【００２３】
【発明の効果】本発明樹脂封止型半導体装置は、リード
フレームをそのインナーリードとアウターリードとの接
続部が半導体チップ上方に位置するように離間配置し、
インナーリードの先端を半導体チップの電極に直接的に
ボンディングしたことを特徴とするものである。従っ
て、本発明樹脂封止型半導体装置によれば、インナーリ
ードの先端を半導体チップの電極に直接的に、即ちワイ
ヤを介することなくボンディングするので、ワイヤのア
ーチによる封止樹脂の薄型化に対する制約から開放され
る。
フレームをそのインナーリードとアウターリードとの接
続部が半導体チップ上方に位置するように離間配置し、
インナーリードの先端を半導体チップの電極に直接的に
ボンディングしたことを特徴とするものである。従っ
て、本発明樹脂封止型半導体装置によれば、インナーリ
ードの先端を半導体チップの電極に直接的に、即ちワイ
ヤを介することなくボンディングするので、ワイヤのア
ーチによる封止樹脂の薄型化に対する制約から開放され
る。
【００２４】そして、ワイヤを使用することによって生
じた信号経路、電源経路のインピーダンスの低減化への
制約もなくなる。そして、アウターリードとインナーリ
ードとの接続部を半導体チップ上方にそれと離間して配
置して樹脂封止するので封止樹脂の幅を狭くできる。
じた信号経路、電源経路のインピーダンスの低減化への
制約もなくなる。そして、アウターリードとインナーリ
ードとの接続部を半導体チップ上方にそれと離間して配
置して樹脂封止するので封止樹脂の幅を狭くできる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は一部切欠斜視
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は一部切欠斜視
図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図２】図１の実施例のリードを裏返しにして示す斜視
図である。
図である。
【図３】本発明樹脂封止型半導体装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】一つの従来例を示す一部切欠斜視図である。
【図５】他の従来例を示す断面図である。
１ 半導体チップ ２ 電極 ４ アウターリード ６ インナーリード ７ バンプ ９ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 明 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 インナーリードとそれより厚肉のアウタ
ーリードとを接続してなるリードフレームを、該アウタ
ーリードとインナーリードとの接続部が半導体チップ上
方にそれと適宜離間して位置するように配置し、 上記インナーリードの先端を半導体チップの電極にバン
プを介してボンディングしたことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27241492A JP3232697B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27241492A JP3232697B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697351A true JPH0697351A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3232697B2 JP3232697B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=17513580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27241492A Expired - Fee Related JP3232697B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232697B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012203A1 (fr) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication |
| US6147398A (en) * | 1997-03-21 | 2000-11-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device package |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27241492A patent/JP3232697B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6147398A (en) * | 1997-03-21 | 2000-11-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device package |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3232697B2 (ja) | 2001-11-26 |
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