JPH0697545A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH0697545A JPH0697545A JP24327692A JP24327692A JPH0697545A JP H0697545 A JPH0697545 A JP H0697545A JP 24327692 A JP24327692 A JP 24327692A JP 24327692 A JP24327692 A JP 24327692A JP H0697545 A JPH0697545 A JP H0697545A
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低ノイズの第2高調波光を出力する固体レー
ザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 ポンピング用半導体レーザ装置1と、該レー
ザ装置1が出力するポンピング用レーザ光により基本波
光を発生させる固体レーザロッド5と、該基本波光を第
2高調波光に変換する波長変換素子6と、この基本波光
が前記固体レーザロッド5内と波長変換素子6内とを通
って共振させる共振手段とからなり、該共振手段から前
記第2高調波光を出力する固体レーザ装置において、該
ポンピング用レーザ光が固体レーザロッド5の一端面5
aに対して斜めに入射する構成とした。
ザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 ポンピング用半導体レーザ装置1と、該レー
ザ装置1が出力するポンピング用レーザ光により基本波
光を発生させる固体レーザロッド5と、該基本波光を第
2高調波光に変換する波長変換素子6と、この基本波光
が前記固体レーザロッド5内と波長変換素子6内とを通
って共振させる共振手段とからなり、該共振手段から前
記第2高調波光を出力する固体レーザ装置において、該
ポンピング用レーザ光が固体レーザロッド5の一端面5
aに対して斜めに入射する構成とした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は固体レーザロッドと波長
変換素子と組み合わせた固体レーザ装置に関する。
変換素子と組み合わせた固体レーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、情報の高密度化が活発になってお
り、光情報機器や光センサー等に用いるコヒーレント光
をより短波長化する研究が活発に行われている。
り、光情報機器や光センサー等に用いるコヒーレント光
をより短波長化する研究が活発に行われている。
【0003】短波長コヒーレント光を得る方法として、
非線形光学材料を用いて第2高調波光を発生させる研究
が活発にされており、例えば旭硝子研究報告、40
[1](1991)第85頁〜第94頁に固体レーザロ
ッドと組み合わせた固体レーザ装置が記載されている。
非線形光学材料を用いて第2高調波光を発生させる研究
が活発にされており、例えば旭硝子研究報告、40
[1](1991)第85頁〜第94頁に固体レーザロ
ッドと組み合わせた固体レーザ装置が記載されている。
【0004】図7に従来の固体レーザ装置の概略図を示
す。半導体レーザ装置51より出力した波長809nm
のレーザ光は、NdがドープされたYAG結晶からなる
固体レーザロッド52に波長809nmの光を略100
%透過し、波長1064nmの光を略100%反射する
光学膜をコートした一端面52aから垂直に入射され、
この固体レーザロッド52内を通った後他端面52bか
ら基本波光である波長1064nmの光が出力される。
この基本波光は非線形光学結晶KTP(KTiOP
O4)からなる波長変換素子53を通って出力ミラー5
4の波長1064nmの光に対して反射率が99%とな
るコートが施された一端面54aで反射され、再び波長
変換素子53内、固体レーザロッド52内を通って、該
ロッド52の一端面52aで再び反射される。
す。半導体レーザ装置51より出力した波長809nm
のレーザ光は、NdがドープされたYAG結晶からなる
固体レーザロッド52に波長809nmの光を略100
%透過し、波長1064nmの光を略100%反射する
光学膜をコートした一端面52aから垂直に入射され、
この固体レーザロッド52内を通った後他端面52bか
ら基本波光である波長1064nmの光が出力される。
この基本波光は非線形光学結晶KTP(KTiOP
O4)からなる波長変換素子53を通って出力ミラー5
4の波長1064nmの光に対して反射率が99%とな
るコートが施された一端面54aで反射され、再び波長
変換素子53内、固体レーザロッド52内を通って、該
ロッド52の一端面52aで再び反射される。
【0005】このようにして、前記基本波光は共振器と
なる固体レーザロッド52の一端面52aと出力ミラー
54の一端面54a間で共振する。この共振器内では基
本波光が波長変換素子53を何度も往復することにより
第2高調波光である波長532nmの光に効率よく変換
されて、前記出力ミラー54の他端面54bから出力さ
れる。
なる固体レーザロッド52の一端面52aと出力ミラー
54の一端面54a間で共振する。この共振器内では基
本波光が波長変換素子53を何度も往復することにより
第2高調波光である波長532nmの光に効率よく変換
されて、前記出力ミラー54の他端面54bから出力さ
れる。
【0006】しかしながら、従来の固体レーザ装置で
は、第2高調波光にノイズが生じるため、SN比が悪く
なるといった問題があった。
は、第2高調波光にノイズが生じるため、SN比が悪く
なるといった問題があった。
【0007】ところで、前述の文献には1/4波長板を
用いてこのノイズを低減できることが記載されている
が、斯る方法では、1/4波長板を用いることにより、
装置が大型化し、またこの1/4波長板に関して細かな
アライメント調整が必要であるといった問題が生じる。
用いてこのノイズを低減できることが記載されている
が、斯る方法では、1/4波長板を用いることにより、
装置が大型化し、またこの1/4波長板に関して細かな
アライメント調整が必要であるといった問題が生じる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
を鑑み成されたものであり、小型化が可能で、且つ第2
高調波光のノイズを低減できる固体レーザ装置を提供す
ることを課題とする。
を鑑み成されたものであり、小型化が可能で、且つ第2
高調波光のノイズを低減できる固体レーザ装置を提供す
ることを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の固体レーザ装置
は、ポンピング用レーザ装置と、該レーザ装置が出力す
るポンピング用レーザ光により基本波光を発生させる固
体レーザロッドと、該基本波光を第2高調波光に変換す
る波長変換素子と、この基本波光が前記固体レーザロッ
ド内と波長変換素子内とを通って共振させる手段とから
なり、前記第2高調波光を出力する固体レーザ装置にお
いて、該ポンピング用レーザ光が固体レーザロッドの一
端面に対して斜めに入射することを特徴とする。
は、ポンピング用レーザ装置と、該レーザ装置が出力す
るポンピング用レーザ光により基本波光を発生させる固
体レーザロッドと、該基本波光を第2高調波光に変換す
る波長変換素子と、この基本波光が前記固体レーザロッ
ド内と波長変換素子内とを通って共振させる手段とから
なり、前記第2高調波光を出力する固体レーザ装置にお
いて、該ポンピング用レーザ光が固体レーザロッドの一
端面に対して斜めに入射することを特徴とする。
【0010】前記固体レーザロッドはNdドープのYV
O4結晶であることが好ましく、特に、この固体レーザ
ロッドの一端面は(100)面であることが望ましい。
O4結晶であることが好ましく、特に、この固体レーザ
ロッドの一端面は(100)面であることが望ましい。
【0011】更に、前記ポンピング用レーザ光は固体レ
ーザロッドの一端面の法線方向に対して、角度4°〜1
0°で入射することが好ましい。
ーザロッドの一端面の法線方向に対して、角度4°〜1
0°で入射することが好ましい。
【0012】
【作用】本発明の上記構成では、固体レーザロッドを光
励起するポンピング用レーザ光をこの固体レーザロッド
の一端面に対して斜めに入射するので、この固体レーザ
装置から出力される第2高調波光のノイズを低減でき
る。
励起するポンピング用レーザ光をこの固体レーザロッド
の一端面に対して斜めに入射するので、この固体レーザ
装置から出力される第2高調波光のノイズを低減でき
る。
【0013】
【実施例】以下、本発明に係る一実施例の固体レーザ装
置について図を参照しつつ説明する。図1はこの固体レ
ーザ装置を示す概略図である。尚、図中<a>、<b
>、<c>は以下で説明するYVO4単結晶のa、b、
c結晶軸方向をそれぞれ示す。
置について図を参照しつつ説明する。図1はこの固体レ
ーザ装置を示す概略図である。尚、図中<a>、<b
>、<c>は以下で説明するYVO4単結晶のa、b、
c結晶軸方向をそれぞれ示す。
【0014】図1中、1は波長809nm、出力100
mW、直線偏光(TEモード)で且つシングルモードの
固体レーザポンピング用レーザ光を出力するポンピング
用半導体レーザ装置である。2はこの半導体レーザ装置
1から出力されたレーザ光を平行光にするコリメータレ
ンズ(例えば開口数N.A.=0.6)であり、3は該
レーザ光のビーム径を円形に修正するアナモリフィック
プリズムペア、4はこの平行光を集光する集光レンズ
(例えば開口数N.A.=0.3)である。
mW、直線偏光(TEモード)で且つシングルモードの
固体レーザポンピング用レーザ光を出力するポンピング
用半導体レーザ装置である。2はこの半導体レーザ装置
1から出力されたレーザ光を平行光にするコリメータレ
ンズ(例えば開口数N.A.=0.6)であり、3は該
レーザ光のビーム径を円形に修正するアナモリフィック
プリズムペア、4はこの平行光を集光する集光レンズ
(例えば開口数N.A.=0.3)である。
【0015】5は前記半導体レーザ装置1の前方に配置
されたNd(例えば1〜3at.%)がドープされたY
VO4単結晶からなる固体レーザロッドで、前記集光レ
ンズ4により集光されたポンピング用レーザ光は、その
直線偏光方向とYVO4単結晶のc軸方向が一致するよ
うに、且つ以下で出力される第2高調波光のノイズを低
減するため、この固体レーザロッドの一端面(平面)5
aに斜めに、即ち該端面5aの法線方向と前記レーザ光
の成す角度θ(好ましくはθ≧4°、より好ましくはθ
=4〜10°)で入射され、該レーザ光によりNd(ネ
オジウム)原子が光励起されて前記c軸方向と平行な直
線偏光をもつTE00モードの波長1064nmの基本波
光を出力する。尚、この固体レーザロッド5は、例えば
縦10mm、横10mm、及び基本波光の自己吸収が大
きくならない程度の例えば1mmの厚みの板形状であ
り、前記ポンピング用レーザ光の入射側一端面5aは
(100)面、所謂a面であり、カット後研摩されて作
成される。
されたNd(例えば1〜3at.%)がドープされたY
VO4単結晶からなる固体レーザロッドで、前記集光レ
ンズ4により集光されたポンピング用レーザ光は、その
直線偏光方向とYVO4単結晶のc軸方向が一致するよ
うに、且つ以下で出力される第2高調波光のノイズを低
減するため、この固体レーザロッドの一端面(平面)5
aに斜めに、即ち該端面5aの法線方向と前記レーザ光
の成す角度θ(好ましくはθ≧4°、より好ましくはθ
=4〜10°)で入射され、該レーザ光によりNd(ネ
オジウム)原子が光励起されて前記c軸方向と平行な直
線偏光をもつTE00モードの波長1064nmの基本波
光を出力する。尚、この固体レーザロッド5は、例えば
縦10mm、横10mm、及び基本波光の自己吸収が大
きくならない程度の例えば1mmの厚みの板形状であ
り、前記ポンピング用レーザ光の入射側一端面5aは
(100)面、所謂a面であり、カット後研摩されて作
成される。
【0016】6は前記固体レーザロッド5の前方に配置
されたKTiOPO4(KTP)単結晶(非線形光学材
料)からなる例えば長方体または立方体形状の波長変換
素子で、前記波長1064nmの基本波光を波長532
nmの第2高調波光に波長変換する。この波長変換素子
6は例えば縦3mm、横3mm、厚み3〜7mmの寸法
を持つ。尚、このKTP単結晶は、前記TE00モードの
基本波光と第2高調波光がタイプII(タイプ ツー)位
相整合が可能なようにカットされ、配置されている。
されたKTiOPO4(KTP)単結晶(非線形光学材
料)からなる例えば長方体または立方体形状の波長変換
素子で、前記波長1064nmの基本波光を波長532
nmの第2高調波光に波長変換する。この波長変換素子
6は例えば縦3mm、横3mm、厚み3〜7mmの寸法
を持つ。尚、このKTP単結晶は、前記TE00モードの
基本波光と第2高調波光がタイプII(タイプ ツー)位
相整合が可能なようにカットされ、配置されている。
【0017】7は前記波長変換素子6の前方に配置さ
れ、該素子6側に曲率半径40mmの凹面7aを持つ口
径10mmφの出力ミラーである。
れ、該素子6側に曲率半径40mmの凹面7aを持つ口
径10mmφの出力ミラーである。
【0018】前記固体レーザロッド5の一端面5aに
は、前記ポンピング用レーザ光を良好に透過(例えば透
過率95%)させ、前記基本波光を良好に反射(反射率
99%以上)させると共に前記第2高調波光を良好に反
射(反射率99%以上)させるコーティングが施されて
おり、他の一端面5bには、前記基本波光を良好に透過
(透過率99%以上)する所謂AR(Anti-Reflectin
g)コートがコーティングされている。
は、前記ポンピング用レーザ光を良好に透過(例えば透
過率95%)させ、前記基本波光を良好に反射(反射率
99%以上)させると共に前記第2高調波光を良好に反
射(反射率99%以上)させるコーティングが施されて
おり、他の一端面5bには、前記基本波光を良好に透過
(透過率99%以上)する所謂AR(Anti-Reflectin
g)コートがコーティングされている。
【0019】また、前記波長変換素子6の固体レーザロ
ッド5側の一端面6a及び他の一端面6bには、基本波
光を良好に透過(透過率99%以上)させるARコート
と共に第2高調波光を良好に透過(例えば光損失8%以
下)させるコーティングが施されている。
ッド5側の一端面6a及び他の一端面6bには、基本波
光を良好に透過(透過率99%以上)させるARコート
と共に第2高調波光を良好に透過(例えば光損失8%以
下)させるコーティングが施されている。
【0020】更に、前記出力ミラー7の凹面7aには、
基本波光を良好に反射(反射率99%以上)させると共
に第2高調波光を良好に透過(例えば光損失20%以
下)させるコーティングが施されている。
基本波光を良好に反射(反射率99%以上)させると共
に第2高調波光を良好に透過(例えば光損失20%以
下)させるコーティングが施されている。
【0021】従って、前記固体レーザロッド5から出力
された基本波光は、共振器となる前記固体レーザロッド
5の一端面5aと出力ミラー7の凹面7a間に閉じ込め
られて共振し、基本波レーザ光が発生する。この基本波
レーザ光は前記波長変換素子6内で第2高調波光に効率
よく波長変換され、コヒーレントな第2高調波光が前記
出力ミラー7から出力される。
された基本波光は、共振器となる前記固体レーザロッド
5の一端面5aと出力ミラー7の凹面7a間に閉じ込め
られて共振し、基本波レーザ光が発生する。この基本波
レーザ光は前記波長変換素子6内で第2高調波光に効率
よく波長変換され、コヒーレントな第2高調波光が前記
出力ミラー7から出力される。
【0022】尚、本実施例では、前記固体レーザロッド
5の他端面5bと波長変換素子6の一端面6a間の距離
は例えば1mm、前記波長変換素子6の他端面6bと出
力ミラー7の凹面7a間の距離は例えば20mmで、前
記固体レーザロッド5の他端面5aと出力ミラー7の凹
面7a間の距離は前記基本波光が共振可能な距離が選択
される。また、半導体レーザ装置1と固体レーザロッド
5の距離は適宜選択できる。
5の他端面5bと波長変換素子6の一端面6a間の距離
は例えば1mm、前記波長変換素子6の他端面6bと出
力ミラー7の凹面7a間の距離は例えば20mmで、前
記固体レーザロッド5の他端面5aと出力ミラー7の凹
面7a間の距離は前記基本波光が共振可能な距離が選択
される。また、半導体レーザ装置1と固体レーザロッド
5の距離は適宜選択できる。
【0023】以下、図2に示すように前記アナモリフィ
ックプリズムペア3と集光レンズ4の間に偏光ビームス
プリッタ20と該スプリッタ20の側方側にフォトダイ
オード等の光検出器21を配置し、半導体レーザ1の出
力するポピング用レーザ光のTMモード成分を検出する
と共に前記出力ミラー7の前方にフォトダイオード等の
光検出器22を配置して第2高調波光を検出した。尚、
このシステムでは、固体レーザロッド5、波長変換素子
6、及び出力ミラー7を一体に回転する回転ステージ2
3により、前記固体レーザロッド5の一端面5aの法線
方向とポンピング用レーザ光の入射方向の成す角度θを
任意に設定でき、また集光レンズ4は図示しない駆動機
構により光軸方向に移動可能である。
ックプリズムペア3と集光レンズ4の間に偏光ビームス
プリッタ20と該スプリッタ20の側方側にフォトダイ
オード等の光検出器21を配置し、半導体レーザ1の出
力するポピング用レーザ光のTMモード成分を検出する
と共に前記出力ミラー7の前方にフォトダイオード等の
光検出器22を配置して第2高調波光を検出した。尚、
このシステムでは、固体レーザロッド5、波長変換素子
6、及び出力ミラー7を一体に回転する回転ステージ2
3により、前記固体レーザロッド5の一端面5aの法線
方向とポンピング用レーザ光の入射方向の成す角度θを
任意に設定でき、また集光レンズ4は図示しない駆動機
構により光軸方向に移動可能である。
【0024】図3に図2に示すシステムにおいて測定し
た第2高調波光のSN比及び出力と、固体レーザロッド
5の一端面5aの法線方向とポンピング用レーザ光の入
射方向の成す角度θの関係を示す。尚、このポンピング
用レーザ光は前記端面5aの表面で焦点が合うように設
定し、またSN比の測定は周波数1MHzにおいて行っ
た。
た第2高調波光のSN比及び出力と、固体レーザロッド
5の一端面5aの法線方向とポンピング用レーザ光の入
射方向の成す角度θの関係を示す。尚、このポンピング
用レーザ光は前記端面5aの表面で焦点が合うように設
定し、またSN比の測定は周波数1MHzにおいて行っ
た。
【0025】この図3から、前記角度θが4°以上の場
合に、前記角度θ=0°に比べてSN比が大きくなるこ
とが判る。そして、前記角度θが4°〜10°である場
合には、SN比が約82dBより大きな値をもち、また
出力も約2.2mWよりも大きな値をもち、前記角度θ
が0°に比べて良好な値である。特に、前記角度θが6
°〜9°において、SN比、出力とも大きな値をもつこ
とが判る。このことから、ノイズの少ない第2高調波光
を得るには前記角度θが4°以上がよく、4°〜10°
では出力も十分であり望ましく、特に6°〜9°が好ま
しいことが判る。
合に、前記角度θ=0°に比べてSN比が大きくなるこ
とが判る。そして、前記角度θが4°〜10°である場
合には、SN比が約82dBより大きな値をもち、また
出力も約2.2mWよりも大きな値をもち、前記角度θ
が0°に比べて良好な値である。特に、前記角度θが6
°〜9°において、SN比、出力とも大きな値をもつこ
とが判る。このことから、ノイズの少ない第2高調波光
を得るには前記角度θが4°以上がよく、4°〜10°
では出力も十分であり望ましく、特に6°〜9°が好ま
しいことが判る。
【0026】また、図4に図3と同時に測定したポンピ
ング用レーザ光のTMモード成分のSN比及び出力と、
固体レーザロッド5の一端面5aの法線方向とポンピン
グ用レーザ光の入射方向の成す角度θの関係を示す。
ング用レーザ光のTMモード成分のSN比及び出力と、
固体レーザロッド5の一端面5aの法線方向とポンピン
グ用レーザ光の入射方向の成す角度θの関係を示す。
【0027】この図4からポンピング用レーザ光のTM
モード成分のSN比と図3に示す第2高調波光のSN比
に相関があると考えられ、第2高調波光のノイズは半導
体レーザ装置1への戻り光ノイズに起因していると推測
される。
モード成分のSN比と図3に示す第2高調波光のSN比
に相関があると考えられ、第2高調波光のノイズは半導
体レーザ装置1への戻り光ノイズに起因していると推測
される。
【0028】尚、図5は図2中の集光レンズ4の位置を
光軸方向に移動させてポンピング用レーザ光の固体レー
ザロッド5の一端面5aへの焦点位置(集光状態)を変
えた際の第2高調波光のSN比と出力を示し、図6は図
5と同時に測定したポンピング用レーザ光のTMモード
成分のSN比と出力を示す。尚、ここで、前記角度θは
0°であり、図中集点位置が0mmの場合に前記端面5
aに焦点があっている状態である。
光軸方向に移動させてポンピング用レーザ光の固体レー
ザロッド5の一端面5aへの焦点位置(集光状態)を変
えた際の第2高調波光のSN比と出力を示し、図6は図
5と同時に測定したポンピング用レーザ光のTMモード
成分のSN比と出力を示す。尚、ここで、前記角度θは
0°であり、図中集点位置が0mmの場合に前記端面5
aに焦点があっている状態である。
【0029】この図5と図6から、ポンピング用レーザ
光と第2高調波光のSN比と出力には相関があり、図5
中の第2高調波光のSN比変化は半導体レーザ装置1へ
の戻り光ノイズに起因すると考えられ、このノイズは前
記集光状態を変化させることによっても低減が可能であ
ることが判る。
光と第2高調波光のSN比と出力には相関があり、図5
中の第2高調波光のSN比変化は半導体レーザ装置1へ
の戻り光ノイズに起因すると考えられ、このノイズは前
記集光状態を変化させることによっても低減が可能であ
ることが判る。
【0030】従って、固体レーザロッド5の一端面5a
に対してポンピング用レーザ光を斜めに入射する場合、
該端面5aのポンピング用レーザ光の集光状態を変える
ことにより、上述のように該端面5aに焦点を合わせた
場合よりも更に第2高調波光のノイズを低減することが
可能である。
に対してポンピング用レーザ光を斜めに入射する場合、
該端面5aのポンピング用レーザ光の集光状態を変える
ことにより、上述のように該端面5aに焦点を合わせた
場合よりも更に第2高調波光のノイズを低減することが
可能である。
【0031】しかしながら、ポンピング用レーザ光を斜
めに入射する場合、前記入射角θに対するノイズ量が連
続的に変化するので、上記ポンピング用レーザ光の集光
状態を変化させることによりノイズを低減する方法より
も調整が容易である。
めに入射する場合、前記入射角θに対するノイズ量が連
続的に変化するので、上記ポンピング用レーザ光の集光
状態を変化させることによりノイズを低減する方法より
も調整が容易である。
【0032】尚、上記実施例で用いたアナモリフィック
プリズムペア3は省いてもよく、又コリメータレンズ2
を省いてもよく、更にコリーメタレンズ2と集光レンズ
4共省いても効果があり、コリーメタレンズ2、アナモ
リフィックプリズムペア3、及び集光レンズ4共省いて
も効果がある。
プリズムペア3は省いてもよく、又コリメータレンズ2
を省いてもよく、更にコリーメタレンズ2と集光レンズ
4共省いても効果があり、コリーメタレンズ2、アナモ
リフィックプリズムペア3、及び集光レンズ4共省いて
も効果がある。
【0033】又、上述では固体レーザロッド5にNdド
ープのYVO4を用い、その端面5aとして(100)
面を用いたが、この面以外の面を用いても該面に対して
ポンピング用レーザ光を斜めに入射することにより第2
高調波光のノイズを低減する効果があり、更にはNdド
ープのYAG単結晶等の他の固体レーザロッドでもよ
い。また、波長変換素子6としては、固体レーザロッド
5が出力する基本波光と位相整合可能な他の非線形光学
材料を用いてもよい。
ープのYVO4を用い、その端面5aとして(100)
面を用いたが、この面以外の面を用いても該面に対して
ポンピング用レーザ光を斜めに入射することにより第2
高調波光のノイズを低減する効果があり、更にはNdド
ープのYAG単結晶等の他の固体レーザロッドでもよ
い。また、波長変換素子6としては、固体レーザロッド
5が出力する基本波光と位相整合可能な他の非線形光学
材料を用いてもよい。
【0034】又、上述ではYVO4単結晶のc軸方向と
ポンピング用レーザ光の直線偏光方向を一致させたが、
第2高調波光の出力は低下するが、互いに直交する以外
の角度を有する場合も効果がある。更に、上述では直線
偏光のポンピング用レーザ光を用いたが、円偏光や楕円
偏光でも同様の効果があり、またマルチモードでも効果
があった。
ポンピング用レーザ光の直線偏光方向を一致させたが、
第2高調波光の出力は低下するが、互いに直交する以外
の角度を有する場合も効果がある。更に、上述では直線
偏光のポンピング用レーザ光を用いたが、円偏光や楕円
偏光でも同様の効果があり、またマルチモードでも効果
があった。
【0035】
【発明の効果】本発明の固体レーザ装置は、固体レーザ
ロッドを光励起するポンピング用レーザ光をこの固体レ
ーザロッドの一端面に対して斜めに入射することによ
り、ポンピング用レーザ装置への戻り光を低減できると
考えられ、この結果この固体レーザ装置から出力される
第2高調波光のノイズを低減できる。また前記ノイズを
低減するのに1/4波長板のような光学素子を用いる必
要がないので、固体レーザ装置の小型化が可能である。
更に、前記ポンピング用レーザ光の入射角に対して前記
ノイズ量が連続的に変化するので、調整が容易である。
ロッドを光励起するポンピング用レーザ光をこの固体レ
ーザロッドの一端面に対して斜めに入射することによ
り、ポンピング用レーザ装置への戻り光を低減できると
考えられ、この結果この固体レーザ装置から出力される
第2高調波光のノイズを低減できる。また前記ノイズを
低減するのに1/4波長板のような光学素子を用いる必
要がないので、固体レーザ装置の小型化が可能である。
更に、前記ポンピング用レーザ光の入射角に対して前記
ノイズ量が連続的に変化するので、調整が容易である。
【図1】本発明の実施例に係る固体レーザ装置の概略図
である。
である。
【図2】前記固体レーザ装置の特性を測定するための測
定システムの概略図である。
定システムの概略図である。
【図3】上記実施例の固体レーザ装置のポンピング用レ
ーザ光の入射角θと、第2高調波の出力及びSN比の関
係を示す図である。
ーザ光の入射角θと、第2高調波の出力及びSN比の関
係を示す図である。
【図4】上記実施例の固体レーザ装置のポンピング用レ
ーザ光の入射角θと、該レーザ光の出力及びSN比の関
係を示す図である。
ーザ光の入射角θと、該レーザ光の出力及びSN比の関
係を示す図である。
【図5】固体レーザ装置のポンピング用レーザ光の集光
状態と、第2高調波の出力及びSN比の関係を示す図で
ある。
状態と、第2高調波の出力及びSN比の関係を示す図で
ある。
【図6】固体レーザ装置のポンピング用レーザ光の集光
状態と、該レーザ光の出力及びSN比の関係を示す図で
ある。
状態と、該レーザ光の出力及びSN比の関係を示す図で
ある。
【図7】従来例の固体レーザ装置の概略図である。
1 ポンピング用半導体レーザ装置 5 固体レーザロッド 6 波長変換素子 7 出力ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 光晴 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 野中 英幸 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 ポンピング用レーザ装置と、該レーザ装
置が出力するポンピング用レーザ光により基本波光を発
生させる固体レーザロッドと、該基本波光を第2高調波
光に変換する波長変換素子と、この基本波光が前記固体
レーザロッド内と波長変換素子内とを通って共振させる
共振手段とからなり、該共振手段から前記第2高調波光
を出力する固体レーザ装置において、 前記ポンピング用レーザ光が固体レーザロッドの一端面
に対して斜めに入射することを特徴とする固体レーザ装
置。 - 【請求項2】 前記固体レーザロッドがNdドープのY
VO4結晶からなることを特徴とする請求項1記載の固
体レーザ装置。 - 【請求項3】 前記固体レーザロッドの一端面が(10
0)面であることを特徴とする請求項2記載の固体レー
ザ装置。 - 【請求項4】 前記ポンピング用レーザ光が固体レーザ
ロッドの一端面の法線方向に対して、角度4°〜10°
で入射することを特徴とする請求項1、請求項2、また
は請求項3記載の固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24327692A JPH0697545A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24327692A JPH0697545A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697545A true JPH0697545A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17101462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24327692A Pending JPH0697545A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697545A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
| US6314120B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-11-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser pumped solid state laser |
| JP2014038938A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Ricoh Co Ltd | レーザ装置、光走査装置及び表示装置 |
| KR20210016358A (ko) * | 2018-05-11 | 2021-02-15 | 액썬 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 기하학적 분리를 이용하는 광학적으로 펌핑된 파장 가변형 수직 공진 표면광 레이저 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24327692A patent/JPH0697545A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
| EP0743724B1 (de) * | 1995-05-16 | 1999-07-21 | Coherent Lübeck GmbH | Longitudinal gepumpter Laser |
| US6314120B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-11-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser pumped solid state laser |
| JP2014038938A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Ricoh Co Ltd | レーザ装置、光走査装置及び表示装置 |
| KR20210016358A (ko) * | 2018-05-11 | 2021-02-15 | 액썬 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 기하학적 분리를 이용하는 광학적으로 펌핑된 파장 가변형 수직 공진 표면광 레이저 |
| JP2021527943A (ja) * | 2018-05-11 | 2021-10-14 | エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション | 幾何学的分離を採用する光ポンピングチューナブルvcsel |
| US11749962B2 (en) | 2018-05-11 | 2023-09-05 | Excelitas Technologies Corp. | Optically pumped tunable VCSEL employing geometric isolation |
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