JPH0697579A - 半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザアレイInfo
- Publication number
- JPH0697579A JPH0697579A JP24529892A JP24529892A JPH0697579A JP H0697579 A JPH0697579 A JP H0697579A JP 24529892 A JP24529892 A JP 24529892A JP 24529892 A JP24529892 A JP 24529892A JP H0697579 A JPH0697579 A JP H0697579A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- microcavity
- layer
- substrate
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上に集積化されたマイクロキャビ
ティレーザを任意に駆動することができ、機能の柔軟性
と集積化が容易な半導体レーザアレイを提供すること。 【構成】 半導体基板上にマイクロキャビティレーザを
集積化した半導体レーザアレイにおいて、半導体基板１
０内に２次元電子ガスのチャネル１３を形成すると共
に、電子エミッタ１７及び方向制御電極１８を形成し、
２次元電子ガスのチャネル１３を介して各マイクロキャ
ビティレーザ２０への電流注入，共通アース及びスイッ
チング制御などを行うことを特徴とする。
ティレーザを任意に駆動することができ、機能の柔軟性
と集積化が容易な半導体レーザアレイを提供すること。 【構成】 半導体基板上にマイクロキャビティレーザを
集積化した半導体レーザアレイにおいて、半導体基板１
０内に２次元電子ガスのチャネル１３を形成すると共
に、電子エミッタ１７及び方向制御電極１８を形成し、
２次元電子ガスのチャネル１３を介して各マイクロキャ
ビティレーザ２０への電流注入，共通アース及びスイッ
チング制御などを行うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光インターコ
ネクション，光情報処理等に利用される半導体レーザに
係わり、特に集積化に適した低しきい値のマイクロキャ
ビティレーザを用いた半導体レーザアレイに関する。
ネクション，光情報処理等に利用される半導体レーザに
係わり、特に集積化に適した低しきい値のマイクロキャ
ビティレーザを用いた半導体レーザアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロキャビティレーザは、活性層か
らの自然放出光を効率的に発振共振器モードに結合させ
ることにより、原理的にはしきい値のないレーザを実現
するものであり、一般に活性層を分布反射膜（ＤＢＲ）
で挟んで構成される。従来、このようなレーザを集積化
する場合、図５に示すように、半導体基板上に複数のマ
イクロキャビティレーザを設置し、その上下に共通電極
を設けて各素子への給電を行っている。
らの自然放出光を効率的に発振共振器モードに結合させ
ることにより、原理的にはしきい値のないレーザを実現
するものであり、一般に活性層を分布反射膜（ＤＢＲ）
で挟んで構成される。従来、このようなレーザを集積化
する場合、図５に示すように、半導体基板上に複数のマ
イクロキャビティレーザを設置し、その上下に共通電極
を設けて各素子への給電を行っている。
【０００３】なお、図中５０はｎ−ＧａＡｓ基板、５１
はｎ−ＡｌＡｓとｎ−ＡｌＧａＡｓを交互に積層したＤ
ＢＲ反射鏡、５２はＧａＡｓからなる単一量子井戸活性
層、５３はｐ−ＡｌＡｓとｐ−ＡｌＧａＡｓを交互に積
層したＤＢＲ反射鏡、５４はイオン注入による高抵抗
層、５５はＺｎ拡散によるｐ−ＧａＡｓ層、５６は基板
下面に被着されたＡｕ−Ｇｅ電極、５７は基板上面に被
着されて光出力窓を有するＡｕ−Ｃｒ電極を示してい
る。
はｎ−ＡｌＡｓとｎ−ＡｌＧａＡｓを交互に積層したＤ
ＢＲ反射鏡、５２はＧａＡｓからなる単一量子井戸活性
層、５３はｐ−ＡｌＡｓとｐ−ＡｌＧａＡｓを交互に積
層したＤＢＲ反射鏡、５４はイオン注入による高抵抗
層、５５はＺｎ拡散によるｐ−ＧａＡｓ層、５６は基板
下面に被着されたＡｕ−Ｇｅ電極、５７は基板上面に被
着されて光出力窓を有するＡｕ−Ｃｒ電極を示してい
る。
【０００４】しかしながら、この種の装置にあっては次
のような問題があった。即ち、半導体基板上に２次元配
列されている各レーザに対して、通常の金属配線で給電
するため、全てのレーザを同時に駆動することはできる
が、特定レーザを選択的に発振させることは困難であ
り、機能の発展性が少ない。また、電極の一方を各レー
ザ毎に分離することにより選択的駆動は可能であるが、
この場合は基板表面上に多数の電極の取出し配線が必要
となり、さらに外部回路と接続するための多数のボンデ
ィングパッドも必要となる。そして、集積化するマイク
ロキャビティレーザの数が増えてこれらの間隔が短くな
るに伴い、上記の配線やボンディングパッドを形成する
のは実質的に困難となる。
のような問題があった。即ち、半導体基板上に２次元配
列されている各レーザに対して、通常の金属配線で給電
するため、全てのレーザを同時に駆動することはできる
が、特定レーザを選択的に発振させることは困難であ
り、機能の発展性が少ない。また、電極の一方を各レー
ザ毎に分離することにより選択的駆動は可能であるが、
この場合は基板表面上に多数の電極の取出し配線が必要
となり、さらに外部回路と接続するための多数のボンデ
ィングパッドも必要となる。そして、集積化するマイク
ロキャビティレーザの数が増えてこれらの間隔が短くな
るに伴い、上記の配線やボンディングパッドを形成する
のは実質的に困難となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、マイ
クロキャビティレーザを集積化した半導体レーザアレイ
においては、半導体基板上に２次元配列されている各レ
ーザに対して、特定レーザを選択的に駆動するのは困難
であり、機能の発展性が少ないという問題があった。
クロキャビティレーザを集積化した半導体レーザアレイ
においては、半導体基板上に２次元配列されている各レ
ーザに対して、特定レーザを選択的に駆動するのは困難
であり、機能の発展性が少ないという問題があった。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、基板上に集積化された
マイクロキャビティレーザを選択的に駆動することがで
き、機能の柔軟性と集積化が容易な半導体レーザアレイ
を提供することにある。
ので、その目的とするところは、基板上に集積化された
マイクロキャビティレーザを選択的に駆動することがで
き、機能の柔軟性と集積化が容易な半導体レーザアレイ
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、２次元
電子ガスのチャネルを用いてマイクロキャビティレーザ
を駆動することにある。即ち本発明は、半導体基板上に
マイクロキャビティレーザを集積化した半導体レーザア
レイにおいて、半導体基板内に２次元電子ガスのチャネ
ルを形成し、この２次元電子ガスのチャネルを介して各
マイクロキャビティレーザへの電流注入を行うことを特
徴とする。
電子ガスのチャネルを用いてマイクロキャビティレーザ
を駆動することにある。即ち本発明は、半導体基板上に
マイクロキャビティレーザを集積化した半導体レーザア
レイにおいて、半導体基板内に２次元電子ガスのチャネ
ルを形成し、この２次元電子ガスのチャネルを介して各
マイクロキャビティレーザへの電流注入を行うことを特
徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）
のチャネルを内蔵する半導体基板上にマイクロキャビテ
ィレーザを形成することにより、以下のような作用が生
じる。 (1) 各マイクロキャビティレーザのアース電極を２ＤＥ
Ｇチャネルにオーミック接続することにより、各アース
を半導体基板内部に形成できる。そしてこの場合は、マ
イクロキャビティレーザの同時駆動が可能となる。 (2) ２ＤＥＧチャネルに入力端子（ソース），制御端子
（ゲート）及び出力端子（ドレイン）を設けることによ
り、各マイクロキャビティレーザへの注入電流のオン・
オフ制御が可能となる。そしてこの場合は、マイクロキ
ャビティレーザの選択的駆動が可能となる。 (3) ２ＤＥＧチャネルを配線空間としてフレシキブルな
量子配線（電子の波動性／粒子性を制御して電子の伝搬
方向を制御する）により、マイクロキャビティレーザの
選択的励起が可能になる。
のチャネルを内蔵する半導体基板上にマイクロキャビテ
ィレーザを形成することにより、以下のような作用が生
じる。 (1) 各マイクロキャビティレーザのアース電極を２ＤＥ
Ｇチャネルにオーミック接続することにより、各アース
を半導体基板内部に形成できる。そしてこの場合は、マ
イクロキャビティレーザの同時駆動が可能となる。 (2) ２ＤＥＧチャネルに入力端子（ソース），制御端子
（ゲート）及び出力端子（ドレイン）を設けることによ
り、各マイクロキャビティレーザへの注入電流のオン・
オフ制御が可能となる。そしてこの場合は、マイクロキ
ャビティレーザの選択的駆動が可能となる。 (3) ２ＤＥＧチャネルを配線空間としてフレシキブルな
量子配線（電子の波動性／粒子性を制御して電子の伝搬
方向を制御する）により、マイクロキャビティレーザの
選択的励起が可能になる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例に係わる半導体レ
ーザアレイの概略構成を説明するためのもので、（ａ）
は斜視断面図、（ｂ）は平面図である。図中１０はＧａ
Ａｓ基板であり、この基板１０上にアンドープＧａＡｓ
層１１，ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２が形成されている。そ
して、ＧａＡｓ層１１とＡｌＧａＡｓ層１２で挟まれた
領域に２ＤＥＧチャネル１３が形成されるものとなって
いる。
する。図１は、本発明の第１の実施例に係わる半導体レ
ーザアレイの概略構成を説明するためのもので、（ａ）
は斜視断面図、（ｂ）は平面図である。図中１０はＧａ
Ａｓ基板であり、この基板１０上にアンドープＧａＡｓ
層１１，ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２が形成されている。そ
して、ＧａＡｓ層１１とＡｌＧａＡｓ層１２で挟まれた
領域に２ＤＥＧチャネル１３が形成されるものとなって
いる。
【００１０】ＡｌＧａＡｓ層１２上には、複数のマイク
ロキャビティレーザ２０が形成されている。マイクロキ
ャビティレーザ２０は、ＧａＡｓ活性層２１をｎ型クラ
ッド層２２，ｐ型クラッド層２３で挟み、さらにこのダ
ブルヘテロ構造部をｎ型の分布ブラッグ反射膜（ＤＢＲ
反射鏡）２４とｐ型のＤＢＲ反射鏡２５で挟んだもので
あり、基板１０に対して垂直に立つ円柱状に形成されて
いる。
ロキャビティレーザ２０が形成されている。マイクロキ
ャビティレーザ２０は、ＧａＡｓ活性層２１をｎ型クラ
ッド層２２，ｐ型クラッド層２３で挟み、さらにこのダ
ブルヘテロ構造部をｎ型の分布ブラッグ反射膜（ＤＢＲ
反射鏡）２４とｐ型のＤＢＲ反射鏡２５で挟んだもので
あり、基板１０に対して垂直に立つ円柱状に形成されて
いる。
【００１１】各々のマイクロキャビティレーザ２０間に
は、誘電体層１５が埋込み形成されている。そして、こ
れらの上に金属電極１６が形成され、電極１６の一部に
はマイクロキャビティレーザ２０からの光を取出すため
の光取出し窓１６ａが形成されている。また、基板１０
上の一部には、電子を放出する電子エミッタ１７及び放
出された電子の方向を制御する方向制御電極１８が形成
されている。なお、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２のマイクロ
キャビティレーザ２０と接する領域は、不純物拡散等に
よりｎ+ 層となっている。
は、誘電体層１５が埋込み形成されている。そして、こ
れらの上に金属電極１６が形成され、電極１６の一部に
はマイクロキャビティレーザ２０からの光を取出すため
の光取出し窓１６ａが形成されている。また、基板１０
上の一部には、電子を放出する電子エミッタ１７及び放
出された電子の方向を制御する方向制御電極１８が形成
されている。なお、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２のマイクロ
キャビティレーザ２０と接する領域は、不純物拡散等に
よりｎ+ 層となっている。
【００１２】マイクロキャビティレーザ２０の円柱及び
電子エミッタ１７の位置関係は図１（ｂ）に示す通りで
あり、電子エミッタ１７には方向制御電極１８が側面配
置されている。そして、電子エミッタ１７から放出され
る電子の軌道を方向制御電極１８により制御し、図中破
線に示すようにマイクロキャビティレーザ２０のいずれ
かを選択的に駆動するものとなっている。
電子エミッタ１７の位置関係は図１（ｂ）に示す通りで
あり、電子エミッタ１７には方向制御電極１８が側面配
置されている。そして、電子エミッタ１７から放出され
る電子の軌道を方向制御電極１８により制御し、図中破
線に示すようにマイクロキャビティレーザ２０のいずれ
かを選択的に駆動するものとなっている。
【００１３】上記の構造を作成するには、まずＧａＡｓ
基板１０上に、分子ビームエピタキシー法（ＭＢＥ）や
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、アンドープ
ＧａＡｓ層１１とｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２を成長して２
ＤＥＧチャネル１３を形成する。この上に、ｎ型ＤＢＲ
反射鏡２４（ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ），ｎ型クラッド
層２２（バリア層），活性層２１（ＧａＡｓ単一量子井
戸：ＳＱＷ），ｐ型クラッド層２３（バリア層）及びｐ
型ＤＢＲ反射鏡２５（（ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）を順
次成長形成する。
基板１０上に、分子ビームエピタキシー法（ＭＢＥ）や
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、アンドープ
ＧａＡｓ層１１とｎ−ＡｌＧａＡｓ層１２を成長して２
ＤＥＧチャネル１３を形成する。この上に、ｎ型ＤＢＲ
反射鏡２４（ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ），ｎ型クラッド
層２２（バリア層），活性層２１（ＧａＡｓ単一量子井
戸：ＳＱＷ），ｐ型クラッド層２３（バリア層）及びｐ
型ＤＢＲ反射鏡２５（（ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）を順
次成長形成する。
【００１４】次いで、円形パターンのマスクを用いて上
記各層２５，２３，２１，２２，２４をパターニング
し、マイクロキャビティのアレイ構造を形成する。さら
に、マイクロキャビティの間にＳｉＯ2 等の誘電体層１
５を埋込み表面を平坦化する。そして、表面に金属電極
１６を形成し、この電極１６のマイクロキャビティレー
ザ２０上の部分に光取出し用の窓１６ａを形成すること
により、図１に示す構造が得られる。
記各層２５，２３，２１，２２，２４をパターニング
し、マイクロキャビティのアレイ構造を形成する。さら
に、マイクロキャビティの間にＳｉＯ2 等の誘電体層１
５を埋込み表面を平坦化する。そして、表面に金属電極
１６を形成し、この電極１６のマイクロキャビティレー
ザ２０上の部分に光取出し用の窓１６ａを形成すること
により、図１に示す構造が得られる。
【００１５】このように本実施例によれば、ＧａＡｓ基
板１０上に２ＤＥＧチャネル１３を形成すると共に、電
子エミッタ１７及び方向制御電極１８を形成し、その上
に複数のマイクロキャビティレーザ２０を集積化してい
るので、電子エミッタ１７から電子を放出し方向制御電
極１８により電子の方向を制御することにより、基板１
０上に集積された複数のマイクロキャビティレーザ２０
を選択的に発振させることができる。そしてこの場合、
レーザ毎に独立した電極を設ける必要もないので、集積
化に際しても有効である。また、方向制御電極１８に印
加する電圧を変えるのみで、駆動するレーザを順次切り
替えることができる利点がある。
板１０上に２ＤＥＧチャネル１３を形成すると共に、電
子エミッタ１７及び方向制御電極１８を形成し、その上
に複数のマイクロキャビティレーザ２０を集積化してい
るので、電子エミッタ１７から電子を放出し方向制御電
極１８により電子の方向を制御することにより、基板１
０上に集積された複数のマイクロキャビティレーザ２０
を選択的に発振させることができる。そしてこの場合、
レーザ毎に独立した電極を設ける必要もないので、集積
化に際しても有効である。また、方向制御電極１８に印
加する電圧を変えるのみで、駆動するレーザを順次切り
替えることができる利点がある。
【００１６】図２は、本発明の第２の実施例の要部構成
を説明するためのもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。この実施例は、基板表面又はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ層１２上に制御電極１９を形成したものである。こ
の場合、制御電極１９に負バイアスを印加することによ
り、２ＤＥＧチャネル１３に空乏層１３ａが形成され、
この空乏層１３ａが電子反射鏡となる。そして、この電
子反射鏡を利用して電子エミッタ１７から放出される電
子の軌道を変えることができる。このため、制御電極１
９のバイアスのオン・オフにより、図中に示すように駆
動するマイクロキャビティレーザ２０を切り替えること
も可能となる。また、電子エミッタ１７からマイクロキ
ャビティレーザ２０までの経路を各種選択することがで
き、これにより電子エミッタ１７の配置の自由度が増す
利点がある。
を説明するためのもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。この実施例は、基板表面又はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ層１２上に制御電極１９を形成したものである。こ
の場合、制御電極１９に負バイアスを印加することによ
り、２ＤＥＧチャネル１３に空乏層１３ａが形成され、
この空乏層１３ａが電子反射鏡となる。そして、この電
子反射鏡を利用して電子エミッタ１７から放出される電
子の軌道を変えることができる。このため、制御電極１
９のバイアスのオン・オフにより、図中に示すように駆
動するマイクロキャビティレーザ２０を切り替えること
も可能となる。また、電子エミッタ１７からマイクロキ
ャビティレーザ２０までの経路を各種選択することがで
き、これにより電子エミッタ１７の配置の自由度が増す
利点がある。
【００１７】図３は、本発明の第３の実施例の要部構成
を示す断面図である。この実施例では、図１の構成に加
え、基板１０とＧａＡｓ層１１との間にｎ+ 型のＧａＡ
ｓ層３１を形成している。また、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１
２の下にアンドープのＡｌＧａＡｓ層３２を形成してい
る。
を示す断面図である。この実施例では、図１の構成に加
え、基板１０とＧａＡｓ層１１との間にｎ+ 型のＧａＡ
ｓ層３１を形成している。また、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１
２の下にアンドープのＡｌＧａＡｓ層３２を形成してい
る。
【００１８】このような構成であれば、電子エミッタ１
７による選択的な励起時は、図４（ａ）のバンド図に示
すように、電子エミッタ１７からの電子が２ＤＥＧチャ
ネル１３を通ってマイクロキャビティレーザ２０に供給
される。従って、第１の実施例と同様な効果が得られ
る。さらに、ｎ+ −ＧａＡｓ層３１を設け、これに負バ
イアスを強く印加することにより、図４（ｂ）のバンド
図に示すように、２ＤＥＧチャネル１３の全体が低抵抗
化する。この場合は、全てのマイクロキャビティレーザ
２０を同時に駆動することができる。
７による選択的な励起時は、図４（ａ）のバンド図に示
すように、電子エミッタ１７からの電子が２ＤＥＧチャ
ネル１３を通ってマイクロキャビティレーザ２０に供給
される。従って、第１の実施例と同様な効果が得られ
る。さらに、ｎ+ −ＧａＡｓ層３１を設け、これに負バ
イアスを強く印加することにより、図４（ｂ）のバンド
図に示すように、２ＤＥＧチャネル１３の全体が低抵抗
化する。この場合は、全てのマイクロキャビティレーザ
２０を同時に駆動することができる。
【００１９】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。基板上に設置するマイクロキャビテ
ィレーザの数や配置関係は図１に何等限定されるもので
はなく、仕様に応じて適宜変更可能である。また、２Ｄ
ＥＧチャネルを利用して共通アースにしたり、各々のマ
イクロキャビティレーザにＨＥＭＴなどのトランジスタ
を形成して、マイクロキャビティレーザのスイッチング
制御を行うことも可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
れるものではない。基板上に設置するマイクロキャビテ
ィレーザの数や配置関係は図１に何等限定されるもので
はなく、仕様に応じて適宜変更可能である。また、２Ｄ
ＥＧチャネルを利用して共通アースにしたり、各々のマ
イクロキャビティレーザにＨＥＭＴなどのトランジスタ
を形成して、マイクロキャビティレーザのスイッチング
制御を行うことも可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
イクロキャビティレーザを集積化するための半導体基板
内に２次元電子ガスのチャネルを形成することにより、
半導体基板上に２次元配列されているマイクロキャビテ
ィレーザに対して、特定レーザの選択的発振，光強度変
調などが容易で機能の発展性がある半導体レーザアレイ
を実現することが可能となる。
イクロキャビティレーザを集積化するための半導体基板
内に２次元電子ガスのチャネルを形成することにより、
半導体基板上に２次元配列されているマイクロキャビテ
ィレーザに対して、特定レーザの選択的発振，光強度変
調などが容易で機能の発展性がある半導体レーザアレイ
を実現することが可能となる。
【図１】第１の実施例に係る半導体レーザアレイの概略
構成を示す斜視図及び平面図。
構成を示す斜視図及び平面図。
【図２】第２の実施例の要部構成を示す平面図及び断面
図。
図。
【図３】第３の実施例の要部構成を示す断面図。
【図４】第３の実施例の作用を説明するための模式図。
【図５】従来の半導体レーザアレイの概略構成を斜視
図。
図。
１０…ＧａＡｓ基板、 １１…ＧａＡｓ層、 １２…ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、 １３…２ＤＥＧチャネル、 １５…誘電体層、 １６…金属電極、 １６ａ…光取出し窓、 １７…電子エミッタ、 １８…方向制御電極、 ２０…マイクロキャビティレーザ、 ２１…ＳＱＷ活性層、 ２２，２３…クラッド層、 ２４，２５…ＤＢＲ反射鏡。
Claims (1)
- 【請求項１】２次元電子ガスのチャネルを有する半導体
基板と、この基板上に形成された複数のマイクロキャビ
ティレーザとを具備してなり、前記２次元電子ガスのチ
ャネルを介して各マイクロキャビティレーザへの電流注
入を行うことを特徴とする半導体レーザアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24529892A JPH0697579A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24529892A JPH0697579A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697579A true JPH0697579A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17131595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24529892A Pending JPH0697579A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075014A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-03-17 | Motorola Inc | 不動態化垂直空洞面発光レーザ |
| KR20200071557A (ko) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 한국전력공사 | 스마트 바이패스 장치 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP24529892A patent/JPH0697579A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075014A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-03-17 | Motorola Inc | 不動態化垂直空洞面発光レーザ |
| KR20200071557A (ko) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 한국전력공사 | 스마트 바이패스 장치 |
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