JPH1075014A - 不動態化垂直空洞面発光レーザ - Google Patents
不動態化垂直空洞面発光レーザInfo
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- JPH1075014A JPH1075014A JP9202435A JP20243597A JPH1075014A JP H1075014 A JPH1075014 A JP H1075014A JP 9202435 A JP9202435 A JP 9202435A JP 20243597 A JP20243597 A JP 20243597A JP H1075014 A JPH1075014 A JP H1075014A
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- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 物理的および化学的損傷から保護され、その
製造工程が簡略化され、信頼性が向上した発光素子およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板の面の上に配設された分散型
ブラッグ反射器の第１の積層体, この第１の積層体の上
に配設された第１のクラッド層, 第１のクラッド層の上
に配設された活性領域, 活性領域の上に配設された第２
のクラッド層, 第２のクラッド層の上に配設された分散
型ブラッグ反射器の第２の積層体を含む不動態化垂直空
洞面発光レーザ。放出される光の波長の約半分の整数倍
の光学的厚みを有する不動態化層がこの垂直空洞面発光
レーザの上に配設される。
製造工程が簡略化され、信頼性が向上した発光素子およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板の面の上に配設された分散型
ブラッグ反射器の第１の積層体, この第１の積層体の上
に配設された第１のクラッド層, 第１のクラッド層の上
に配設された活性領域, 活性領域の上に配設された第２
のクラッド層, 第２のクラッド層の上に配設された分散
型ブラッグ反射器の第２の積層体を含む不動態化垂直空
洞面発光レーザ。放出される光の波長の約半分の整数倍
の光学的厚みを有する不動態化層がこの垂直空洞面発光
レーザの上に配設される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的には光学素子
に関し、特に発光素子に関するものである。
に関し、特に発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥ
Ｌ）と呼ばれる発光素子に対する関心が高まっている。
ＶＣＳＥＬにはアレイの形成が可能であること、処理面
に対して垂直に発光すること、および大量生産が可能で
あること等いくつかの利点がある。
Ｌ）と呼ばれる発光素子に対する関心が高まっている。
ＶＣＳＥＬにはアレイの形成が可能であること、処理面
に対して垂直に発光すること、および大量生産が可能で
あること等いくつかの利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＶＣＳＥＬは
物理的および化学的損傷からの保護を必要とする敏感な
素子である。現在、ＶＣＳＥＬは不動態化されないか、
不動態化されたとしてもＶＣＳＥＬの性能の維持に対す
る配慮がなされず、その結果その物理的完全性が損なわ
れ、性能特性が著しく低下する。ＶＣＳＥＬは物理的お
よび化学的損傷を受けやすいままでは、大量生産および
用途の拡大の上ではいつくかの欠点および問題点を有す
ることとなる。
物理的および化学的損傷からの保護を必要とする敏感な
素子である。現在、ＶＣＳＥＬは不動態化されないか、
不動態化されたとしてもＶＣＳＥＬの性能の維持に対す
る配慮がなされず、その結果その物理的完全性が損なわ
れ、性能特性が著しく低下する。ＶＣＳＥＬは物理的お
よび化学的損傷を受けやすいままでは、大量生産および
用途の拡大の上ではいつくかの欠点および問題点を有す
ることとなる。
【０００４】従来のＶＣＳＥＬにはいくつかの欠点およ
び問題点があり、大量生産には適さないことは明らかで
ある。したがって、物理的および化学的損傷から保護さ
れ、その製造工程が簡略化され、信頼性が向上した発光
素子およびその製造方法に対する強い要望がある。
び問題点があり、大量生産には適さないことは明らかで
ある。したがって、物理的および化学的損傷から保護さ
れ、その製造工程が簡略化され、信頼性が向上した発光
素子およびその製造方法に対する強い要望がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】半導体基板上に配置され
た垂直空洞面発光レーザを含み、また、この半導体基板
の表面に配設された分散型ブラッグ反射器の第１の積層
体、分散型ブラッグ反射器の第１の積層体の上に配設さ
れた第１のクラッド領域、第１のクラッド領域の上に配
設された活性領域、活性領域の上に配設された第２のク
ラッド領域、および第２のクラッド領域の上に配設され
た分散型ブラッグ反射器の第２の積層体を含む不動態化
垂直空洞面発光レーザにおいて、上記の問題および他の
問題が少なくとも部分的に解決され、上記の目的が達成
される。この垂直空洞面発光レーザは選択された波長の
光を放出するように設計され、この垂直空洞面発光レー
ザの上には不動態化層が配設され、この不動態化層は放
出される光の波長の約半分の整数倍の光学的厚みを有し
てこのレーザを不動態化しこれを保護する。
た垂直空洞面発光レーザを含み、また、この半導体基板
の表面に配設された分散型ブラッグ反射器の第１の積層
体、分散型ブラッグ反射器の第１の積層体の上に配設さ
れた第１のクラッド領域、第１のクラッド領域の上に配
設された活性領域、活性領域の上に配設された第２のク
ラッド領域、および第２のクラッド領域の上に配設され
た分散型ブラッグ反射器の第２の積層体を含む不動態化
垂直空洞面発光レーザにおいて、上記の問題および他の
問題が少なくとも部分的に解決され、上記の目的が達成
される。この垂直空洞面発光レーザは選択された波長の
光を放出するように設計され、この垂直空洞面発光レー
ザの上には不動態化層が配設され、この不動態化層は放
出される光の波長の約半分の整数倍の光学的厚みを有し
てこのレーザを不動態化しこれを保護する。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１および図２は矢印１２１で示
す光を放出する本発明に係る発光素子を示し、図１には
リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５を、図２にはプレーナ型ＶＣ
ＳＥＬ２０５を示す。図１および図２に示すように、リ
ッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２
０５はいずれも面１０２を有する半導体基板１０１を含
む。層１１０および層１１１によって例示する複数の交
互層を有する分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第１の
積層体１０９が基板１０１の面１０２の上に配置されて
いる。ドープされた層１１４とドープされていない層１
１５とを含む第１のクラッド領域１１３が積層体１０９
の上に配置されている。バリア層１１８, 量子井戸層１
１９およびバリア層１２０を含む活性領域１１７が第１
のクラッド領域１１３の上に配置されている。ドープさ
れていない層１２４とドープされた層１２５とを含む第
２のクラッド領域１２３が活性領域１１７の上に配置さ
れている。層１２８および層１２９によって例示する複
数の交互層を有する分散型ブラッグ反射器の第２の積層
体１２７が第２のクラッド領域１２３の上に配置されて
いる。層１３３と面１３６を有する層１３５とを含む接
点領域１３２が第２の積層体１２７の上に配置されてい
る。厚さ１４１の不動態化層１４０を上に設けた導電層
１３０が接点領域１３２の面１３６の少なくとも一部の
上に配置されている。図１に示すように、リッジ型ＶＣ
ＳＥＬ１０５はまた側壁１０６, 面１０７および取り囲
み層１４３によって画成されるリッジを含み、図２には
損傷された領域２３４を有するプレーナ型ＶＣＳＥＬ２
０５を示す。
す光を放出する本発明に係る発光素子を示し、図１には
リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５を、図２にはプレーナ型ＶＣ
ＳＥＬ２０５を示す。図１および図２に示すように、リ
ッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２
０５はいずれも面１０２を有する半導体基板１０１を含
む。層１１０および層１１１によって例示する複数の交
互層を有する分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第１の
積層体１０９が基板１０１の面１０２の上に配置されて
いる。ドープされた層１１４とドープされていない層１
１５とを含む第１のクラッド領域１１３が積層体１０９
の上に配置されている。バリア層１１８, 量子井戸層１
１９およびバリア層１２０を含む活性領域１１７が第１
のクラッド領域１１３の上に配置されている。ドープさ
れていない層１２４とドープされた層１２５とを含む第
２のクラッド領域１２３が活性領域１１７の上に配置さ
れている。層１２８および層１２９によって例示する複
数の交互層を有する分散型ブラッグ反射器の第２の積層
体１２７が第２のクラッド領域１２３の上に配置されて
いる。層１３３と面１３６を有する層１３５とを含む接
点領域１３２が第２の積層体１２７の上に配置されてい
る。厚さ１４１の不動態化層１４０を上に設けた導電層
１３０が接点領域１３２の面１３６の少なくとも一部の
上に配置されている。図１に示すように、リッジ型ＶＣ
ＳＥＬ１０５はまた側壁１０６, 面１０７および取り囲
み層１４３によって画成されるリッジを含み、図２には
損傷された領域２３４を有するプレーナ型ＶＣＳＥＬ２
０５を示す。
【０００７】図１および図２は概略図であり、本発明を
より明確に例示するために多数の要素を省略あるいは簡
略化したものであることを指摘しておく。さらに、図１
および図２は断面図であり、発光素子１００は図面の向
こう側と手前側および図面の左右に広がりを有するもの
であることに注意されたい。したがって、この発光素子
は発光素子のアレイあるいは単一の素子のいずれの例示
にも用いうるものである。さらに、リッジ型ＶＣＳＥＬ
１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５は、矢印１２
１で表わす放出光を正方形, 円, 三角形等のさまざまな
形状パターンに整形しうるように形成可能であることを
指摘しておく。
より明確に例示するために多数の要素を省略あるいは簡
略化したものであることを指摘しておく。さらに、図１
および図２は断面図であり、発光素子１００は図面の向
こう側と手前側および図面の左右に広がりを有するもの
であることに注意されたい。したがって、この発光素子
は発光素子のアレイあるいは単一の素子のいずれの例示
にも用いうるものである。さらに、リッジ型ＶＣＳＥＬ
１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５は、矢印１２
１で表わす放出光を正方形, 円, 三角形等のさまざまな
形状パターンに整形しうるように形成可能であることを
指摘しておく。
【０００８】一般的に、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およ
びプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５はガリウムヒ素, リン化
インジウム等の任意の適当な半導体基板１０１上に製作
することができ、半導体基板１０１は面１０２を有す
る。分散型ブラッグ反射器の積層体１０９, クラッド領
域１１３，活性領域１１７, クラッド領域１２３, 分散
型ブラッグ反射器の積層体１２７および接点領域１３２
が分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitax
y）, 有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ：metal organic
chemical vapor deposition ）等の任意の適当な方法
で面１０２上にエピタキシャル堆積される。
びプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５はガリウムヒ素, リン化
インジウム等の任意の適当な半導体基板１０１上に製作
することができ、半導体基板１０１は面１０２を有す
る。分散型ブラッグ反射器の積層体１０９, クラッド領
域１１３，活性領域１１７, クラッド領域１２３, 分散
型ブラッグ反射器の積層体１２７および接点領域１３２
が分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitax
y）, 有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ：metal organic
chemical vapor deposition ）等の任意の適当な方法
で面１０２上にエピタキシャル堆積される。
【０００９】図１および図２に示すように、接点領域１
１２は半導体基板１０１の下側に配設される。接点領域
１１２はこの発光素子の電気接点を成す。接点領域１１
２が半導体基板１０１の下面に配設された状態では、半
導体基板１０１は分散型ブラッグ反射器の積層体１０９
への電路の一部となる。一般的に、接点領域１１２は導
電性金属をこの下面にスパッタリングあるいは蒸着し、
その後アニーリングするといった当該技術分野において
周知の任意の方法で製作され、これによって分散型ブラ
ッグ反射器の積層体１０９が半導体基板１０１を介して
接点領域１１２に電気的に結合される。しかし、分散型
ブラッグ反射器の積層体１０９の電圧源への電気的結合
には他の選択肢すなわち方法も利用可能であることを指
摘しておく。たとえば、分散型ブラッグ反射器の積層体
１０９は分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の一部を
露出し、その露出部分を金属化し、続いてその金属化し
た部分を電気的にボンディングすることによって直接結
合することも可能である。また、接点領域１１２は必要
であれば積層体１０９に隣接する基板１０１の上面１０
２の露出部分（図示せず）の上に配置することも可能で
ある。
１２は半導体基板１０１の下側に配設される。接点領域
１１２はこの発光素子の電気接点を成す。接点領域１１
２が半導体基板１０１の下面に配設された状態では、半
導体基板１０１は分散型ブラッグ反射器の積層体１０９
への電路の一部となる。一般的に、接点領域１１２は導
電性金属をこの下面にスパッタリングあるいは蒸着し、
その後アニーリングするといった当該技術分野において
周知の任意の方法で製作され、これによって分散型ブラ
ッグ反射器の積層体１０９が半導体基板１０１を介して
接点領域１１２に電気的に結合される。しかし、分散型
ブラッグ反射器の積層体１０９の電圧源への電気的結合
には他の選択肢すなわち方法も利用可能であることを指
摘しておく。たとえば、分散型ブラッグ反射器の積層体
１０９は分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の一部を
露出し、その露出部分を金属化し、続いてその金属化し
た部分を電気的にボンディングすることによって直接結
合することも可能である。また、接点領域１１２は必要
であれば積層体１０９に隣接する基板１０１の上面１０
２の露出部分（図示せず）の上に配置することも可能で
ある。
【００１０】一般的に、分散型ブラッグ反射器の積層体
１０９および１２７は層１１０, １１１および層１２
８, １２９によってそれぞれ例示される複数の交互層か
らなる。積層体１０９および１２７の複数の交互層は、
交互に異なる屈折率を有する材料層を成し、それによっ
て活性領域１１７で生成された光子を反射し続いて光と
して放出する（矢印１２１）ことを可能とする。これら
の交互層は、さまざまな濃度すなわち量のアルミニウム
およびガリウムを有するアルミニウム・ガリウム砒素
（ＡｌＧａＡｓ），さまざまな濃度すなわち量のアルミ
ニウムおよびガリウムを有するリン化インジウム・アル
ミニウム・ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ）等の任意の適当
な材料で製作される。しかし、本発明の一実施形態にお
いては、積層体１０９および１２７はアルミニウムおよ
びガリウムの濃度が交互に異なるアルミニウム・ガリウ
ム砒素で製作される。たとえば、層１１０, １１１はそ
れぞれＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)ＡｓとＡｌ(0.80)Ｇａ
(0.20)Ａｓからなり、層１２９, １２８はそれぞれＡｌ
(0.80)Ｇａ(0.20)ＡｓとＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａｓから
なる。この例では具体的な濃度を挙げたが、これらの濃
度は例に過ぎず、これらの濃度は好適な濃度を中心に２
５％の幅を持たせることができることを指摘しておく。
１０９および１２７は層１１０, １１１および層１２
８, １２９によってそれぞれ例示される複数の交互層か
らなる。積層体１０９および１２７の複数の交互層は、
交互に異なる屈折率を有する材料層を成し、それによっ
て活性領域１１７で生成された光子を反射し続いて光と
して放出する（矢印１２１）ことを可能とする。これら
の交互層は、さまざまな濃度すなわち量のアルミニウム
およびガリウムを有するアルミニウム・ガリウム砒素
（ＡｌＧａＡｓ），さまざまな濃度すなわち量のアルミ
ニウムおよびガリウムを有するリン化インジウム・アル
ミニウム・ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ）等の任意の適当
な材料で製作される。しかし、本発明の一実施形態にお
いては、積層体１０９および１２７はアルミニウムおよ
びガリウムの濃度が交互に異なるアルミニウム・ガリウ
ム砒素で製作される。たとえば、層１１０, １１１はそ
れぞれＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)ＡｓとＡｌ(0.80)Ｇａ
(0.20)Ａｓからなり、層１２９, １２８はそれぞれＡｌ
(0.80)Ｇａ(0.20)ＡｓとＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａｓから
なる。この例では具体的な濃度を挙げたが、これらの濃
度は例に過ぎず、これらの濃度は好適な濃度を中心に２
５％の幅を持たせることができることを指摘しておく。
【００１１】積層体１０９および１２７は通常それぞれ
任意の適当なｎ型ドーパントおよびｐ型ドーパントでド
ープされる。一般的にセレン（Ｓｅ）, シリコン（Ｓ
ｉ）等の任意の適当なｎ型ドーパントおよび炭素
（Ｃ）, ベリリウム（Ｂｅ）等の任意の適当なｐ型ドー
パントの使用が可能である。これらのドーパントの濃度
の範囲は１Ｅ１５ｃｍ-3から１Ｅ２１ｃｍ-3とすること
ができ、好適な範囲は１Ｅ１６ｃｍ-3から１Ｅ２０ｃｍ
-3、公称範囲は１Ｅ１７ｃｍ-3から１Ｅ１９ｃｍ-3、公
称値は１Ｅ１８ｃｍ-3である。
任意の適当なｎ型ドーパントおよびｐ型ドーパントでド
ープされる。一般的にセレン（Ｓｅ）, シリコン（Ｓ
ｉ）等の任意の適当なｎ型ドーパントおよび炭素
（Ｃ）, ベリリウム（Ｂｅ）等の任意の適当なｐ型ドー
パントの使用が可能である。これらのドーパントの濃度
の範囲は１Ｅ１５ｃｍ-3から１Ｅ２１ｃｍ-3とすること
ができ、好適な範囲は１Ｅ１６ｃｍ-3から１Ｅ２０ｃｍ
-3、公称範囲は１Ｅ１７ｃｍ-3から１Ｅ１９ｃｍ-3、公
称値は１Ｅ１８ｃｍ-3である。
【００１２】積層体１０９および１２７中の層１１０,
１１１および層１２８, １２９で例示する複数の交互層
は任意の適当な数の交互対を持つものとすることができ
る。すなわち、層１１０および１１１を１つの交互対と
し、層１２８および１２９を別の交互対とし、交互対の
具体的数は任意の数とすることができる。一般的に、交
互対の数の範囲は２０対から６０対とすることができ、
好適な数の範囲は２５対から５５対、公称数は３０対か
ら４５対の範囲である。しかし、発光素子が８５０ナノ
メートルの光（矢印１２１）を放出するように調整され
る本発明の一実施形態においては、積層体１０９および
１２７はそれぞれ４０対と２８対の交互層を有する。層
１１０, １１１および層１２８, １２９で例示する交互
層の厚みは発光素子から放出される光（矢印１２１）の
波長に応じて決定および調整される。
１１１および層１２８, １２９で例示する複数の交互層
は任意の適当な数の交互対を持つものとすることができ
る。すなわち、層１１０および１１１を１つの交互対と
し、層１２８および１２９を別の交互対とし、交互対の
具体的数は任意の数とすることができる。一般的に、交
互対の数の範囲は２０対から６０対とすることができ、
好適な数の範囲は２５対から５５対、公称数は３０対か
ら４５対の範囲である。しかし、発光素子が８５０ナノ
メートルの光（矢印１２１）を放出するように調整され
る本発明の一実施形態においては、積層体１０９および
１２７はそれぞれ４０対と２８対の交互層を有する。層
１１０, １１１および層１２８, １２９で例示する交互
層の厚みは発光素子から放出される光（矢印１２１）の
波長に応じて決定および調整される。
【００１３】一般的に、クラッド領域１１３の層１１
４, １１５およびクラッド領域１２３の層１２４, １２
５は積層体１０９および１２７と同じ材料で製作され
る。たとえば、本発明の前記好適実施例においては、層
１１４, １１５, １２４および１２５はアルミニウム・
ガリウム砒素で製作される。しかし、層１１５および１
２４はドープされず、層１１４は積層体１０９のドーパ
ントに対応し、それと異なる濃度あるいは一致した濃度
のドーパントでドープされ、層１２５は積層体１２７の
ドーパントに対応し、それと異なる濃度あるいは一致し
た濃度のドーパントでドープされる。より詳細には、積
層体１０９および１２７がＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａｓと
Ａｌ(0.80)Ｇａ(0.20)Ａｓの交互層を含む場合、層１１
４および１２５はＡｌ(0.5) Ｇａ(0.5) Ａｓからなり、
層１１５および１２４はＡｌ(0.3) Ｇａ(0.7) Ａｓから
なる。
４, １１５およびクラッド領域１２３の層１２４, １２
５は積層体１０９および１２７と同じ材料で製作され
る。たとえば、本発明の前記好適実施例においては、層
１１４, １１５, １２４および１２５はアルミニウム・
ガリウム砒素で製作される。しかし、層１１５および１
２４はドープされず、層１１４は積層体１０９のドーパ
ントに対応し、それと異なる濃度あるいは一致した濃度
のドーパントでドープされ、層１２５は積層体１２７の
ドーパントに対応し、それと異なる濃度あるいは一致し
た濃度のドーパントでドープされる。より詳細には、積
層体１０９および１２７がＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａｓと
Ａｌ(0.80)Ｇａ(0.20)Ａｓの交互層を含む場合、層１１
４および１２５はＡｌ(0.5) Ｇａ(0.5) Ａｓからなり、
層１１５および１２４はＡｌ(0.3) Ｇａ(0.7) Ａｓから
なる。
【００１４】一般的に、これら各種の要素の厚みに言及
するとき、その測定値は光学的厚みを指す。層１１４,
１１５, １２４および１２５の光学的厚みは放出される
光（矢印１２１）の波長を測度として用いる当該技術に
おいて周知の方法で判定される。したがって、層１１
４, １１５, １２４および１２５の具体的な光学的厚み
は発光素子から放出される光の波長に応じて異なるもの
となる。
するとき、その測定値は光学的厚みを指す。層１１４,
１１５, １２４および１２５の光学的厚みは放出される
光（矢印１２１）の波長を測度として用いる当該技術に
おいて周知の方法で判定される。したがって、層１１
４, １１５, １２４および１２５の具体的な光学的厚み
は発光素子から放出される光の波長に応じて異なるもの
となる。
【００１５】図１および図２に示すように、活性領域１
１７はバリア層１１８とバリア層１２０とを含み、その
間に量子井戸層１１９が配設されている。しかし、活性
領域１１７はその最も簡単な形態で示されており、活性
領域１１７は複数のバリア層および複数の量子井戸層を
含む場合もありうることを指摘しておく。量子井戸層１
１９およびバリア層１１８, １２０はガリウム砒素, ア
ルミニウム・ガリウム砒素, リン化インジウム・ガリウ
ム、リン化インジウム・アルミニウム・ガリウム等の任
意の適当な材料で製作される。しかし、本発明の好適実
施例においては、量子井戸層１１９はガリウム砒素で製
作され、バリア層１１８および１２０はアルミニウム・
ガリウム砒素（たとえばＡｌ(0.3) Ｇａ(0.7) Ａｓ）で
製作される。量子井戸層１１９およびバリア層１１８,
１２０は任意の適当な厚みに製作可能であるが、本発明
の好適実施例においては、量子井戸層１１９およびバリ
ア層１１８, １２０の厚みの範囲は５０Åから１５０Å
とすることができ、好適な範囲は７５Åから１２５Åで
あり、公称値は１００Åである。しかし、一般的に、活
性領域１１７およびクラッド領域１１３, １２３全体の
光学的厚みは放出される光の１波長分あるいはその倍数
であることを指摘しておく。
１７はバリア層１１８とバリア層１２０とを含み、その
間に量子井戸層１１９が配設されている。しかし、活性
領域１１７はその最も簡単な形態で示されており、活性
領域１１７は複数のバリア層および複数の量子井戸層を
含む場合もありうることを指摘しておく。量子井戸層１
１９およびバリア層１１８, １２０はガリウム砒素, ア
ルミニウム・ガリウム砒素, リン化インジウム・ガリウ
ム、リン化インジウム・アルミニウム・ガリウム等の任
意の適当な材料で製作される。しかし、本発明の好適実
施例においては、量子井戸層１１９はガリウム砒素で製
作され、バリア層１１８および１２０はアルミニウム・
ガリウム砒素（たとえばＡｌ(0.3) Ｇａ(0.7) Ａｓ）で
製作される。量子井戸層１１９およびバリア層１１８,
１２０は任意の適当な厚みに製作可能であるが、本発明
の好適実施例においては、量子井戸層１１９およびバリ
ア層１１８, １２０の厚みの範囲は５０Åから１５０Å
とすることができ、好適な範囲は７５Åから１２５Åで
あり、公称値は１００Åである。しかし、一般的に、活
性領域１１７およびクラッド領域１１３, １２３全体の
光学的厚みは放出される光の１波長分あるいはその倍数
であることを指摘しておく。
【００１６】図１および図２に示すように、接点領域１
３２は層１３３および１３５を含み、分散型ブラッグ反
射器の積層体１２７への電気接点を成す。一般的に、層
１３３および１３５は積層体１０９および１２７と同じ
材料で製作される。たとえば、本発明の前記好適実施例
においては、層１３３および１３５はアルミニウム・ガ
リウム砒素で製作され、層１３３はＡｌ(0.8) Ｇａ
(0.2) Ａｓであり、層１３５はＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａ
ｓである。しかし、層１３３および１３５は層１３３に
ついては１Ｅ１５から１Ｅ２１ｃｍ-3の範囲のドーピン
グ濃度で強くドープされる。好適な範囲は１Ｅ１６から
１Ｅ２０ｃｍ-3であり、公称範囲は１Ｅ１７から１Ｅ１
９ｃｍ-3である。層１３５については、１Ｅ１７から１
Ｅ２１ｃｍ-3の範囲のドーピング濃度でドープされ、好
適な範囲は１Ｅ１８から１Ｅ２０ｃｍ-3であり、公称範
囲は１Ｅ１９から１Ｅ２０ｃｍ-3、公称値は１Ｅ１９ｃ
ｍ-3である。
３２は層１３３および１３５を含み、分散型ブラッグ反
射器の積層体１２７への電気接点を成す。一般的に、層
１３３および１３５は積層体１０９および１２７と同じ
材料で製作される。たとえば、本発明の前記好適実施例
においては、層１３３および１３５はアルミニウム・ガ
リウム砒素で製作され、層１３３はＡｌ(0.8) Ｇａ
(0.2) Ａｓであり、層１３５はＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａ
ｓである。しかし、層１３３および１３５は層１３３に
ついては１Ｅ１５から１Ｅ２１ｃｍ-3の範囲のドーピン
グ濃度で強くドープされる。好適な範囲は１Ｅ１６から
１Ｅ２０ｃｍ-3であり、公称範囲は１Ｅ１７から１Ｅ１
９ｃｍ-3である。層１３５については、１Ｅ１７から１
Ｅ２１ｃｍ-3の範囲のドーピング濃度でドープされ、好
適な範囲は１Ｅ１８から１Ｅ２０ｃｍ-3であり、公称範
囲は１Ｅ１９から１Ｅ２０ｃｍ-3、公称値は１Ｅ１９ｃ
ｍ-3である。
【００１７】ここで図１のリッジ型ＶＣＳＥＬ１０５に
ついて詳細に見ると、エピタキシャル堆積の終了後、分
散型ブラッグ反射器の積層体１０９がパターニングさ
れ、リッジすなわちメサが形成される。一般的には、リ
ッジはフォトリソグラフィ, エッチング, 引上法(lift-
off), その任意の組み合わせ等の当該技術において周知
の任意の適当な方法で製作される。分散型ブラッグ反射
器の積層体１０９内にリッジを画成することによって、
積層体１０９内に活性領域１１７内に形成される光およ
び動作電流を反射および誘導する光路が画成される。
ついて詳細に見ると、エピタキシャル堆積の終了後、分
散型ブラッグ反射器の積層体１０９がパターニングさ
れ、リッジすなわちメサが形成される。一般的には、リ
ッジはフォトリソグラフィ, エッチング, 引上法(lift-
off), その任意の組み合わせ等の当該技術において周知
の任意の適当な方法で製作される。分散型ブラッグ反射
器の積層体１０９内にリッジを画成することによって、
積層体１０９内に活性領域１１７内に形成される光およ
び動作電流を反射および誘導する光路が画成される。
【００１８】図２に転じて、エピタキシャル堆積が終了
すると、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の上にイ
オン注入マスク（図示せず）が形成される。このイオン
注入マスクはフォトリソグラフィ, 蒸着, エッチング,
その任意の組み合わせ等当該技術において周知の任意の
適当な方法で製作される。このイオン注入マスクは積層
体１０９の一部を露出する開口部を有し、一方で積層体
１０９の他の部分を覆ってこれを保護する。通常、この
イオン注入マスクはドット・パターンに形成される。す
なわち、イオン注入マスクからなる島が積層体１０９上
に配置される。イオン注入マスクの形成後、積層体１０
９に当該技術において周知の任意の適当な方法を用いて
イオン注入が行なわれる。一般的に、イオン注入におい
ては、積層体１０９の露出された面を介してイオンが注
入され、そのときイオン注入マスクは積層体１０９の露
出されていない面を保護し、イオンの侵入を防止する。
イオンが露出面を通過して積層体１０９に達すると、か
かるイオンは結晶格子構造を損傷し、高抵抗の損傷領域
２３４が発生する。損傷領域２３４は損傷のない領域の
ように容易に導電せず、電流は損傷のない領域に閉じ込
められる。
すると、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の上にイ
オン注入マスク（図示せず）が形成される。このイオン
注入マスクはフォトリソグラフィ, 蒸着, エッチング,
その任意の組み合わせ等当該技術において周知の任意の
適当な方法で製作される。このイオン注入マスクは積層
体１０９の一部を露出する開口部を有し、一方で積層体
１０９の他の部分を覆ってこれを保護する。通常、この
イオン注入マスクはドット・パターンに形成される。す
なわち、イオン注入マスクからなる島が積層体１０９上
に配置される。イオン注入マスクの形成後、積層体１０
９に当該技術において周知の任意の適当な方法を用いて
イオン注入が行なわれる。一般的に、イオン注入におい
ては、積層体１０９の露出された面を介してイオンが注
入され、そのときイオン注入マスクは積層体１０９の露
出されていない面を保護し、イオンの侵入を防止する。
イオンが露出面を通過して積層体１０９に達すると、か
かるイオンは結晶格子構造を損傷し、高抵抗の損傷領域
２３４が発生する。損傷領域２３４は損傷のない領域の
ように容易に導電せず、電流は損傷のない領域に閉じ込
められる。
【００１９】リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５あるいはプレー
ナ型ＶＣＳＥＬ２０５の形成後、一連の堆積およびパタ
ーニング工程が実行され、層１４３（図１にのみ示
す）, １３０および１４０が形成される。一般的に、か
かる堆積およびパターニング工程は、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）, プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）, スパッタ
リング, フォトリソグラフィ, 引上法, エッチング等の
当該技術において周知の任意の適当な方法およびその組
み合わせを用いて実行される。
ナ型ＶＣＳＥＬ２０５の形成後、一連の堆積およびパタ
ーニング工程が実行され、層１４３（図１にのみ示
す）, １３０および１４０が形成される。一般的に、か
かる堆積およびパターニング工程は、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）, プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）, スパッタ
リング, フォトリソグラフィ, 引上法, エッチング等の
当該技術において周知の任意の適当な方法およびその組
み合わせを用いて実行される。
【００２０】図１において、層１２７は窒化物, 酸窒化
物, 酸化物等の任意の適当な誘電体材料で製作されてい
る。層１４３が上述の構造を覆うように堆積される。次
に、層１２７がパターニングされ、リッジの面１３６が
露出され、層１４３の他の部分は図１に示すように層１
４３が除去されなかった構造を不動態化すなわち絶縁す
る。
物, 酸化物等の任意の適当な誘電体材料で製作されてい
る。層１４３が上述の構造を覆うように堆積される。次
に、層１２７がパターニングされ、リッジの面１３６が
露出され、層１４３の他の部分は図１に示すように層１
４３が除去されなかった構造を不動態化すなわち絶縁す
る。
【００２１】図１および図２のいずれにも示すように、
次に導電層１３０がかかる構造の上に堆積される。導電
層１３０はチタニウム・タングステン, チタニウム金,
金,アルミニウム, 銀等の任意の適当な導電性材料ある
いは合金で製作される。続いて、導電層１３０がパター
ニングされて接点領域１３２の面１３６が露出され、こ
れによって導電層１３０に面１３６を露出させる開口部
すなわちアパーチャ１３１および導電層１３０を分散型
ブラッグ反射器の積層体１２７に電気的に結合する電気
接点が画成される。
次に導電層１３０がかかる構造の上に堆積される。導電
層１３０はチタニウム・タングステン, チタニウム金,
金,アルミニウム, 銀等の任意の適当な導電性材料ある
いは合金で製作される。続いて、導電層１３０がパター
ニングされて接点領域１３２の面１３６が露出され、こ
れによって導電層１３０に面１３６を露出させる開口部
すなわちアパーチャ１３１および導電層１３０を分散型
ブラッグ反射器の積層体１２７に電気的に結合する電気
接点が画成される。
【００２２】続いて、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５および
プレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５上に面１３６を覆って不動
態化層１４０が堆積される。不動態化層１４０は酸化
物, 窒化物, 酸窒化物等の任意の適当な絶縁性材料で製
作される。不動態化層１４０はスピン・オン処理, プラ
ズマ強化化学蒸着等の化学蒸着（ＣＶＤ）処理といった
任意の適当な方法で接点領域１３２上に堆積される。不
動態化層１４０の厚み１４１は放出される光（矢印１２
１）の波長によって決まり、その光学的厚みはこの例で
は放出される光（矢印１２１）の波長の半分である。た
とえば、放出される光の波長が６７０ナノメートルであ
る場合、不動態化層１４０の厚みは３３５ナノメートル
である。不動態化層１４０をアパーチャ１３１上に堆積
することによって、発光素子１００は光の放出を可能と
しながら機械的および化学的に保護されるすなわち不動
態化される。
プレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５上に面１３６を覆って不動
態化層１４０が堆積される。不動態化層１４０は酸化
物, 窒化物, 酸窒化物等の任意の適当な絶縁性材料で製
作される。不動態化層１４０はスピン・オン処理, プラ
ズマ強化化学蒸着等の化学蒸着（ＣＶＤ）処理といった
任意の適当な方法で接点領域１３２上に堆積される。不
動態化層１４０の厚み１４１は放出される光（矢印１２
１）の波長によって決まり、その光学的厚みはこの例で
は放出される光（矢印１２１）の波長の半分である。た
とえば、放出される光の波長が６７０ナノメートルであ
る場合、不動態化層１４０の厚みは３３５ナノメートル
である。不動態化層１４０をアパーチャ１３１上に堆積
することによって、発光素子１００は光の放出を可能と
しながら機械的および化学的に保護されるすなわち不動
態化される。
【００２３】図３は分散型ブラッグ反射器の積層体１２
７の反射率と発光素子１００から放出される光の波長と
の関係を示す簡略化したグラフである。図３に示すよう
に、反射率の範囲は１（１００パーセント）から０．９
５（９５パーセント）であり、波長の範囲は８００ナノ
メートルから９００ナノメートルである。すなわち、図
３のグラフは不動態化層を有しない積層体１２７の反射
率対波長曲線３０４、不動態化層１４０を有し、光学的
厚み１４１が放出される光の１／４波長に設定された積
層体１２７の反射率対波長曲線３０１、および不動態化
層１４０を有し、光学的厚み１４１が放出される光の半
波長に設定された積層体１２７の反射率対波長曲線３０
６を示す。
７の反射率と発光素子１００から放出される光の波長と
の関係を示す簡略化したグラフである。図３に示すよう
に、反射率の範囲は１（１００パーセント）から０．９
５（９５パーセント）であり、波長の範囲は８００ナノ
メートルから９００ナノメートルである。すなわち、図
３のグラフは不動態化層を有しない積層体１２７の反射
率対波長曲線３０４、不動態化層１４０を有し、光学的
厚み１４１が放出される光の１／４波長に設定された積
層体１２７の反射率対波長曲線３０１、および不動態化
層１４０を有し、光学的厚み１４１が放出される光の半
波長に設定された積層体１２７の反射率対波長曲線３０
６を示す。
【００２４】曲線３０６は曲線３０４に完全に重なり、
光学的厚み１４１が放出される光１２１の半波長である
不動態化層１４０を有する積層体１２７と不動態化層１
４０を有しない積層体１２７との間に反射率の差がない
ことを示している。したがって、曲線３０４では積層体
１２７の反射率が保たれており、曲線３０１（１／４波
長の厚みの不動態化層）は０．２パーセントの反射率の
低下を示している。不動態化層１４０の１／４波長の光
学的厚みに起因する反射率の低下を補償するために、積
層体１２７に多数の交互層を追加しなければならず、か
かる追加の層によって素子の抵抗値と有効共振器間吸収
損が増大する。このために、曲線３０４はＶＣＳＥＬ１
００の所期の設計性能を保持するためには半波長の厚み
の不動態化層を使用すべきことを示している。
光学的厚み１４１が放出される光１２１の半波長である
不動態化層１４０を有する積層体１２７と不動態化層１
４０を有しない積層体１２７との間に反射率の差がない
ことを示している。したがって、曲線３０４では積層体
１２７の反射率が保たれており、曲線３０１（１／４波
長の厚みの不動態化層）は０．２パーセントの反射率の
低下を示している。不動態化層１４０の１／４波長の光
学的厚みに起因する反射率の低下を補償するために、積
層体１２７に多数の交互層を追加しなければならず、か
かる追加の層によって素子の抵抗値と有効共振器間吸収
損が増大する。このために、曲線３０４はＶＣＳＥＬ１
００の所期の設計性能を保持するためには半波長の厚み
の不動態化層を使用すべきことを示している。
【００２５】
【発明の効果】以上に発光素子およびその製造方法が開
示されたことは理解されよう。この発光素子は発光素子
を物理的および化学的損傷から保護し、それによって高
い性能レベルを維持し、また素子寿命を延ばす不動態化
層を含む。さらに、この不動態化層は発光素子の処理フ
ローに組み込まれているから、この発光素子の生産性は
高く、それによって全体的コストが低減され、信頼性お
よび品質の大きな改善が可能となる。
示されたことは理解されよう。この発光素子は発光素子
を物理的および化学的損傷から保護し、それによって高
い性能レベルを維持し、また素子寿命を延ばす不動態化
層を含む。さらに、この不動態化層は発光素子の処理フ
ローに組み込まれているから、この発光素子の生産性は
高く、それによって全体的コストが低減され、信頼性お
よび品質の大きな改善が可能となる。
【００２６】本発明の具体的実施形態を図示および説明
したが、当業者にはこれ以外の変更や改良の考案が可能
であろう。したがって、本発明はここに示した特定の形
態には限定されないものであることが理解されることを
望み、また特許請求の範囲には本発明の精神および範囲
から逸脱しないあらゆる変更態様が含まれることを意図
するものである。
したが、当業者にはこれ以外の変更や改良の考案が可能
であろう。したがって、本発明はここに示した特定の形
態には限定されないものであることが理解されることを
望み、また特許請求の範囲には本発明の精神および範囲
から逸脱しないあらゆる変更態様が含まれることを意図
するものである。
【図１】本発明を実施したリッジ型ＶＣＳＥＬの概略断
面図。
面図。
【図２】本発明を実施したプレーナ型ＶＣＳＥＬの概略
断面図。
断面図。
【図３】分散型ブラッグ反射器の積層体であって、不動
態化層を有しないもの、および放出される光の１／４波
長の不動態化層を有するもの、あるいは半波長の厚みを
有する不動態化層を有するものの反射率対波長の関係を
示すグラフ。
態化層を有しないもの、および放出される光の１／４波
長の不動態化層を有するもの、あるいは半波長の厚みを
有する不動態化層を有するものの反射率対波長の関係を
示すグラフ。
１００ 発光素子 １０１ 半導体基板 １０２ 半導体基板１０１の面 １０５ リッジ型ＶＣＳＥＬ １０６ リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５の側壁 １０７ ＶＣＳＥＬ１０５の面 １０９ 分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第１の積
層体 １１０, １１１ 積層体１０９の層 １１２ 接点領域 １１３ 第１のクラッド領域 １１４, １１５ 第１のクラッド領域の層 １１７ 活性領域 １１８ 活性領域１１７のバリア層 １１９ 活性領域１１７の量子井戸層 １２０ 活性領域１１７のバリア層 １２１ 光 １２３ 第２のクラッド領域 １２４, １２５ 第１のクラッド領域の層 １２７ 分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第２の積
層体 １２８, １２９ 積層体１２７の層 １３０ 導電層 １３２ 接点領域 １３３, １３５ 接点領域１３２の層 １３６ 接点領域１３２の面 １４０ 不動態化層 １４１ 不動態化層１４９の厚み １４３ 取り囲み層 ２０５ プレーナ型ＶＣＳＥＬ ２３４ ＶＣＳＥＬ２０５の損傷された領域 ３０１, ３０４, ３０６ 反射率対波長曲線
層体 １１０, １１１ 積層体１０９の層 １１２ 接点領域 １１３ 第１のクラッド領域 １１４, １１５ 第１のクラッド領域の層 １１７ 活性領域 １１８ 活性領域１１７のバリア層 １１９ 活性領域１１７の量子井戸層 １２０ 活性領域１１７のバリア層 １２１ 光 １２３ 第２のクラッド領域 １２４, １２５ 第１のクラッド領域の層 １２７ 分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第２の積
層体 １２８, １２９ 積層体１２７の層 １３０ 導電層 １３２ 接点領域 １３３, １３５ 接点領域１３２の層 １３６ 接点領域１３２の面 １４０ 不動態化層 １４１ 不動態化層１４９の厚み １４３ 取り囲み層 ２０５ プレーナ型ＶＣＳＥＬ ２３４ ＶＣＳＥＬ２０５の損傷された領域 ３０１, ３０４, ３０６ 反射率対波長曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国アリゾナ州アパチェ・ジャ ンクション、ノース・ラバージ・ロード30
Claims (14)
- 【請求項１】面を有する半導体基板；前記半導体基板の
面上に配設された分散型ブラッグ反射器の第１積層体，
前記分散型ブラッグ反射器の第１積層体上に配設された
第１のクラッド領域, 前記第１クラッド領域上に配設さ
れた活性領域, 前記活性領域上に配設された第２クラッ
ド領域, 前記第２クラッド領域上に配設された分散型ブ
ラッグ反射器の第２積層体を含む垂直空洞面発光レーザ
であって、前記垂直空洞面発光レーザは選択された波長
の光を放出する垂直空洞面発光レーザ；および前記垂直
空洞面発光レーザの上に配設された不動態化層であっ
て、前記不動態化層は放出される光の波長の約半分の整
数倍の光学的厚みを有する不動態化層；から成ることを
特徴とする不動態化垂直空洞面発光レーザ。 - 【請求項２】前記不動態化層は誘電体材料であることを
特徴とする請求項１記載の不動態化垂直空洞面発光レー
ザ。 - 【請求項３】前記不動態化層は二酸化珪素材料であるこ
とを特徴とする請求項２記載の不動態化垂直空洞面発光
レーザ。 - 【請求項４】前記不動態化層は窒化珪素材料であること
を特徴とする請求項２記載の不動態化垂直空洞面発光レ
ーザ。 - 【請求項５】前記分散型ブラッグ反射器の第２積層体上
に配設された接点領域を含むことを特徴とする請求項１
記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。 - 【請求項６】前記接点領域は第１層および第２層を含む
ことを特徴とする請求項５記載の不動態化垂直空洞面発
光レーザ。 - 【請求項７】不動態化垂直空洞面発光レーザであって：
面を有する半導体基板；屈折率の異なる第１の複数の交
互層を有する前記半導体基板の前記面の上に配設された
分散型ブラッグ反射器の第１積層体；前記第１分散型ブ
ラッグ反射器上に配設された第１クラッド領域であっ
て、前記第１クラッド領域は第１のドープされた層と第
１のドープされていない層とを含み、前記第１のドープ
された層は前記第１分散型ブラッグ反射器の積層体の上
に配設され、前記第１のドープされていない層は前記第
１のドープされた層上に配設されている第１クラッド領
域；前記第１のクラッド領域上に配設された活性領域で
あって、前記活性領域は量子井戸と第１バリア領域およ
び第２バリア領域とを含み、前記量子井戸は前記第１バ
リア領域と前記第２バリア領域との間に配置されている
活性領域；前記活性領域上に配設された第２クラッド領
域であって、前記第２クラッド領域は第２のドープされ
た層と第２のドープされていない層とを含み、前記第２
のドープされた層は前記活性領域上に配設され、前記第
２のドープされていない層は前記第２のドープされた層
上に配設されている第２クラッド領域；屈折率の異なる
第２の複数の交互層を有する前記第２クラッド領域上に
配設された分散型ブラッグ反射器の第２積層体；前記分
散型ブラッグ反射器の第２積層体上に配設された接点領
域であって、前記接点領域は第３層および第４層を含む
接点領域；および前記接点領域上に配設された第１層と
第２層とを有する不動態化層であって、前記不動態化層
は前記垂直空洞面発光レーザから放出される光の半波長
の整数倍程度の厚みを有し、それによって前記垂直空洞
面発光レーザを保護する不動態化層；から成ることを特
徴とする不動態化垂直空洞面発光レーザ。 - 【請求項８】前記不動態化層は誘電体材料であることを
特徴とする請求項７記載の不動態化垂直空洞面発光レー
ザ。 - 【請求項９】前記不動態化層は二酸化珪素材料であるこ
とを特徴とする請求項８記載の不動態化垂直空洞面発光
レーザ。 - 【請求項１０】前記不動態化層は窒化珪素材料であるこ
とを特徴とする請求項８記載の不動態化垂直空洞面発光
レーザ。 - 【請求項１１】不動態化垂直空洞面発光レーザの製造方
法であって：面を有する半導体基板を形成する段階；前
記半導体基板の前記面上に第１の複数の交互層を有する
分散型ブラッグ反射器の第１積層体を配設する段階であ
って、前記第１の複数の交互層は異なる屈折率を持つよ
うに形成される段階；前記第１分散型ブラッグ反射器の
積層体上に第１クラッド領域を配設する段階；前記第１
クラッド領域上に活性領域を配設する段階であって、前
記活性領域は量子井戸と第１バリア領域および第２バリ
ア領域とを含み、前記量子井戸は前記第１バリア領域と
前記第２バリア領域との間に配置される段階；前記活性
領域上に第２クラッド領域を配設する段階；前記第２ク
ラッド領域上に第２の複数の交互層を有する分散型ブラ
ッグ反射器の第２積層体を配設する段階であって、前記
第２の複数の交互層は異なる屈折率を持つように形成さ
れる段階；および前記接点領域上に前記垂直空洞面発光
レーザから放出される光の半波長の整数倍程度の厚みを
有する不動態化層を配設し、それによって前記垂直空洞
面発光レーザを保護する段階；から成ることを特徴とす
る不動態化垂直空洞面発光レーザの製造方法。 - 【請求項１２】前記不動態化層を形成する段階におい
て、前記不動態化層は化学蒸着処理によって形成される
ことを特徴とする請求項１１記載の不動態化垂直空洞面
発光レーザの製造方法。 - 【請求項１３】前記不動態化層を形成する段階におい
て、前記化学蒸着処理はプラズマ強化化学蒸着処理であ
ることを特徴とする請求項１１記載の不動態化垂直空洞
面発光レーザの製造方法。 - 【請求項１４】前記不動態化層を形成する段階におい
て、前記不動態化層はスピン・オン処理によって形成さ
れることを特徴とする請求項１１記載の不動態化垂直空
洞面発光レーザの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US682473 | 1996-07-17 | ||
| US08/682,473 US5719893A (en) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | Passivated vertical cavity surface emitting laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075014A true JPH1075014A (ja) | 1998-03-17 |
| JP4359345B2 JP4359345B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=24739862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20243597A Expired - Lifetime JP4359345B2 (ja) | 1996-07-17 | 1997-07-11 | 不動態化垂直空洞面発光レーザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5719893A (ja) |
| EP (1) | EP0820131A1 (ja) |
| JP (1) | JP4359345B2 (ja) |
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| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
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