JPH0697690B2 - オーム性電極を備えたｃＢＮ半導体装置とその製造方法 - Google Patents
オーム性電極を備えたｃＢＮ半導体装置とその製造方法Info
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- JPH0697690B2 JPH0697690B2 JP28244492A JP28244492A JPH0697690B2 JP H0697690 B2 JPH0697690 B2 JP H0697690B2 JP 28244492 A JP28244492 A JP 28244492A JP 28244492 A JP28244492 A JP 28244492A JP H0697690 B2 JPH0697690 B2 JP H0697690B2
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- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/932—Boron nitride semiconductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はｃＢＮ(立方晶窒化ほう
素)半導体装置に関し、より詳細には、ｎ型又はｐ型或
いはｐｎ接合型のｃＢＮ半導体にオーム性電極を形成す
る技術に関する。ｃＢＮを整流素子、トランジスタ、発
光ダイオード等とそれらの集積素子等の固体電子素子、
光電子素子として用いられる。
素)半導体装置に関し、より詳細には、ｎ型又はｐ型或
いはｐｎ接合型のｃＢＮ半導体にオーム性電極を形成す
る技術に関する。ｃＢＮを整流素子、トランジスタ、発
光ダイオード等とそれらの集積素子等の固体電子素子、
光電子素子として用いられる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ｃＢＮ
は６.３eＶ前後と考えられる間接型ギャップを有する半
導体であり、ｃＢＮによりｐｎ接合が作製でき、整流素
子、発光ダイオードの可能性が示されている。しかし、
ｐ型、ｎ型のｃＢＮ結晶それぞれについてオーム性を例
証された電極はなく、その非オーム性にもかかわらず、
銀ペーストを電極として使用されている。Ｔiを用いた
報告はあるが、オーム性が明確に示されていないのが現
状である。
は６.３eＶ前後と考えられる間接型ギャップを有する半
導体であり、ｃＢＮによりｐｎ接合が作製でき、整流素
子、発光ダイオードの可能性が示されている。しかし、
ｐ型、ｎ型のｃＢＮ結晶それぞれについてオーム性を例
証された電極はなく、その非オーム性にもかかわらず、
銀ペーストを電極として使用されている。Ｔiを用いた
報告はあるが、オーム性が明確に示されていないのが現
状である。
【０００３】本発明は、上記状況に鑑みて、ｃＢＮを固
体の電子的素子等として用いるのに必須のオーム性電極
を形成する技術を提供することを目的としている。
体の電子的素子等として用いるのに必須のオーム性電極
を形成する技術を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
に向け研究の結果、ｐ型ｃＢＮには白金を、ｎ型ｃＢＮ
にはモリブデンを常温で蒸着し、それぞれ高温アニール
することによりオーム性電極を形成し得ることを、それ
らについての電流電圧特性の測定による判定によって確
認し得た。この単純な手法による限り、上記以外の数種
の金属について試行した限りでは上記金属のみがオーム
性を示すことが判明し、ここに本発明をなしたものであ
る。
に向け研究の結果、ｐ型ｃＢＮには白金を、ｎ型ｃＢＮ
にはモリブデンを常温で蒸着し、それぞれ高温アニール
することによりオーム性電極を形成し得ることを、それ
らについての電流電圧特性の測定による判定によって確
認し得た。この単純な手法による限り、上記以外の数種
の金属について試行した限りでは上記金属のみがオーム
性を示すことが判明し、ここに本発明をなしたものであ
る。
【０００５】すなわち、本発明は、ｎ型、ｐ型又はｐｎ
接合型のｃＢＮ半導体において、ｎ型部分にモリブデン
が、ｐ型部分に白金がオーム性接触して電極を構成して
いることを特徴とするｃＢＮ半導体装置を要旨としてい
る。
接合型のｃＢＮ半導体において、ｎ型部分にモリブデン
が、ｐ型部分に白金がオーム性接触して電極を構成して
いることを特徴とするｃＢＮ半導体装置を要旨としてい
る。
【０００６】また、その製造方法は、ｎ型、ｐ型又はｐ
ｎ接合型のｃＢＮ半導体にオーム性電極を形成するに際
して、蒸着により、ｎ型部分にモリブデンを、ｐ型部分
に白金を付着させた後、不活性ガス雰囲気中で３００〜
１１００℃にて加熱処理することにより、モリブデン及
び／又は白金をオーム性接触させることを特徴としてい
る。
ｎ接合型のｃＢＮ半導体にオーム性電極を形成するに際
して、蒸着により、ｎ型部分にモリブデンを、ｐ型部分
に白金を付着させた後、不活性ガス雰囲気中で３００〜
１１００℃にて加熱処理することにより、モリブデン及
び／又は白金をオーム性接触させることを特徴としてい
る。
【０００７】以下に本発明を更に詳述する。
【０００８】
【０００９】ｎ型又はｐ型のｃＢＮ半導体或いはｐｎ接
合型のｃＢＮ半導体を試料とし、この試料表面を清浄に
すべく前処理する。普通には稀塩酸で約３０分煮沸して
おき、蒸着直前に稀塩酸にて超音波洗浄する。ｃＢＮ半
導体には単結晶、焼結体、薄膜等、各種形態のものが可
能である。
合型のｃＢＮ半導体を試料とし、この試料表面を清浄に
すべく前処理する。普通には稀塩酸で約３０分煮沸して
おき、蒸着直前に稀塩酸にて超音波洗浄する。ｃＢＮ半
導体には単結晶、焼結体、薄膜等、各種形態のものが可
能である。
【００１０】電極材料金属としては、ｎ型ｃＢＮ半導体
の場合にはモリブデンを用い、ｐ型ｃＢＮ半導体の場合
には白金を用いて、蒸着法により付着させる。蒸着法と
しては、電極材料金属を蒸着し得る装置であれば特に制
限はない。
の場合にはモリブデンを用い、ｐ型ｃＢＮ半導体の場合
には白金を用いて、蒸着法により付着させる。蒸着法と
しては、電極材料金属を蒸着し得る装置であれば特に制
限はない。
【００１１】蒸着法として代表的なスパッタリング法の
場合、例えば、図１に示す構造の２極直流スパッタリン
グ装置を用いることができる。この装置による場合、下
方陽極上に試料(ｃＢＮ)を絶縁ワニスにて固定する。ワ
ニスは結晶表面をたすきに掛け渡すようにすることによ
って後の測定をし易いようにする(図２、図３参照)。下
方から５〜１００mm、普通には１０〜１５mmに置く陰極
に、普通には１５mm径の蒸着すべき電極材料金属の円盤
を保持する。これらを真空槽中に設置し、約１０-6Ｔor
rにほぼ１時間置き、超高純度アルゴンガスを導入して
約１０-2Ｔorrとし、上下電極間に１〜５kＶ、普通には
２〜３kＶの電圧を印加すると、０.５〜１０mＡ、普通
には約５mＡの電流が流れる。その状態に置くと３０〜
６０分で金属光沢のものの付着を認められるようにな
る。
場合、例えば、図１に示す構造の２極直流スパッタリン
グ装置を用いることができる。この装置による場合、下
方陽極上に試料(ｃＢＮ)を絶縁ワニスにて固定する。ワ
ニスは結晶表面をたすきに掛け渡すようにすることによ
って後の測定をし易いようにする(図２、図３参照)。下
方から５〜１００mm、普通には１０〜１５mmに置く陰極
に、普通には１５mm径の蒸着すべき電極材料金属の円盤
を保持する。これらを真空槽中に設置し、約１０-6Ｔor
rにほぼ１時間置き、超高純度アルゴンガスを導入して
約１０-2Ｔorrとし、上下電極間に１〜５kＶ、普通には
２〜３kＶの電圧を印加すると、０.５〜１０mＡ、普通
には約５mＡの電流が流れる。その状態に置くと３０〜
６０分で金属光沢のものの付着を認められるようにな
る。
【００１２】蒸着により電極金属材料を付着した後、高
温アニール法によって電極金属材料をｃＢＮ半導体にオ
ーム性接触させる。
温アニール法によって電極金属材料をｃＢＮ半導体にオ
ーム性接触させる。
【００１３】高温アニールでは、アルゴン等の不活性ガ
ス雰囲気中で３００〜１１００℃にて加熱処理する。
ス雰囲気中で３００〜１１００℃にて加熱処理する。
【００１４】例えば、高純度アルゴンガス中で、約３０
０℃からｃＢＮが相変態を起こす約１１００℃の間、一
番普通には５００℃にて約１０分から３０分処理する。
０℃からｃＢＮが相変態を起こす約１１００℃の間、一
番普通には５００℃にて約１０分から３０分処理する。
【００１５】蒸着のままでは電圧電流特性が直線的でな
いが、上述の高温アニールを行うことにより、＋５Ｖ〜
−５Ｖの範囲からそれを超えて直線的な電圧電流特性が
認められ、オーミック電極が形成されていることを容易
に確認できる。
いが、上述の高温アニールを行うことにより、＋５Ｖ〜
−５Ｖの範囲からそれを超えて直線的な電圧電流特性が
認められ、オーミック電極が形成されていることを容易
に確認できる。
【００１６】実験に使用した結晶は不規則な形態の断面
の径、或いはその二辺と長さが約０.３mm〜約２mm程の
ものであったが、本発明の電極の性能は前述の如く各種
の形態のｃＢＮは勿論のこと、その寸法に関わりなく実
現し得るものである。
の径、或いはその二辺と長さが約０.３mm〜約２mm程の
ものであったが、本発明の電極の性能は前述の如く各種
の形態のｃＢＮは勿論のこと、その寸法に関わりなく実
現し得るものである。
【００１７】次に本発明の実施例を示す。
【００１８】
【実施例１】
【００１９】本例はｐ型のｃＢＮ半導体結晶についての
例である。
例である。
【００２０】まず、スパッタリング蒸着する電極金属材
料として白金を用いた。この電極金属材料を図１に示す
スパッタリング装置によってｐ型ｃＢＮ半導体結晶に付
着させた。
料として白金を用いた。この電極金属材料を図１に示す
スパッタリング装置によってｐ型ｃＢＮ半導体結晶に付
着させた。
【００２１】次いで、高純度アルゴンガスの僅かな流れ
の中で、５００℃で３０分加熱した後、電圧電流特性を
図４の要領で測定した。その結果を図５に示す。図中、
△印の試料が蒸着したままの状態のものであり、直線性
がなくオーム的な接触をしていないことを示している。
一方、高温アニール処理した○印の試料は、殆ど直線と
なり、結晶を含む全抵抗は約４００ｋオームであった。
オーム性接触の電極が形成されたと判定し得る。
の中で、５００℃で３０分加熱した後、電圧電流特性を
図４の要領で測定した。その結果を図５に示す。図中、
△印の試料が蒸着したままの状態のものであり、直線性
がなくオーム的な接触をしていないことを示している。
一方、高温アニール処理した○印の試料は、殆ど直線と
なり、結晶を含む全抵抗は約４００ｋオームであった。
オーム性接触の電極が形成されたと判定し得る。
【００２２】図６は、他のｐ型ｃＢＮ半導体結晶につい
ての例であり、直線性を示しており、全抵抗は約９Ｋオ
ームであった。
ての例であり、直線性を示しており、全抵抗は約９Ｋオ
ームであった。
【００２３】
【実施例２】
【００２４】本例はｎ型ｃＢＮ半導体結晶についての例
である。
である。
【００２５】スパッタリング蒸着する電極金属材料とし
てモリブデンを用いた。実施例１の場合と同様にして、
この電極金属材料をｎ型ｃＢＮ半導体結晶に蒸着し、同
じ条件で高温アニール処理を行い、電圧電流特性を測定
した。その結果を図７に示す。図中、△印の試料は蒸着
したままのもので、○印の試料が高温アニール処理した
ものである。蒸着後高温アニール処理することにより、
殆ど直線的な電圧電流特性となっていることがわかる。
全抵抗は約９００ｋオームであった。この場合もオーム
性接触の電極が形成されたと判定し得る。
てモリブデンを用いた。実施例１の場合と同様にして、
この電極金属材料をｎ型ｃＢＮ半導体結晶に蒸着し、同
じ条件で高温アニール処理を行い、電圧電流特性を測定
した。その結果を図７に示す。図中、△印の試料は蒸着
したままのもので、○印の試料が高温アニール処理した
ものである。蒸着後高温アニール処理することにより、
殆ど直線的な電圧電流特性となっていることがわかる。
全抵抗は約９００ｋオームであった。この場合もオーム
性接触の電極が形成されたと判定し得る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ｃＢＮ半導体にオーム性電極を形成し得るので、ｃＢＮ
による電子的或いは光電子工学的固体素子の実用化の重
要な必要条件の一つを満たし得る効果は大きい。
ｃＢＮ半導体にオーム性電極を形成し得るので、ｃＢＮ
による電子的或いは光電子工学的固体素子の実用化の重
要な必要条件の一つを満たし得る効果は大きい。
【図１】直流二極スパッタリング装置の概略図である。
【図２】蒸着要領を示す上面図である。
【図３】蒸着要領を示す側面図である。
【図４】電圧電流特性の測定回路の例を示す説明図であ
る。
る。
【図５】実施例１においてｐ型ｃＢＮ半導体結晶に白金
(電極金属材料)を付着させた場合の電圧電流特性を示す
図で、△印が蒸着のままの場合、○印が蒸着後高温アニ
ール処理を行った場合を示す。
(電極金属材料)を付着させた場合の電圧電流特性を示す
図で、△印が蒸着のままの場合、○印が蒸着後高温アニ
ール処理を行った場合を示す。
【図６】実施例１において他のｐ型ｃＢＮ半導体結晶に
白金(電極金属材料)を蒸着し高温アニール処理を行った
場合の電圧電流特性を示す図である。
白金(電極金属材料)を蒸着し高温アニール処理を行った
場合の電圧電流特性を示す図である。
【図７】実施例２においてｎ型ｃＢＮ半導体結晶にモリ
ブデン(電極金属材料)を蒸着し高温アニール処理を行っ
た場合の電圧電流特性を示す図である。
ブデン(電極金属材料)を蒸着し高温アニール処理を行っ
た場合の電圧電流特性を示す図である。
１ 試料 ２ 試料側(陽極) ３ ターゲット側(陰極) ４ 高圧ケーブル ５ 高圧電源 ６ Ａrボンベ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−167877（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−137081（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−52854（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型、ｐ型又はｐｎ接合型のｃＢＮ半導
体において、ｎ型部分にモリブデンが、ｐ型部分に白金
がオーム性接触して電極を構成していることを特徴とす
るｃＢＮ半導体装置。 - 【請求項２】 ｎ型、ｐ型又はｐｎ接合型のｃＢＮ半導
体にオーム性電極を形成するに際して、蒸着により、ｎ
型部分にモリブデンを、ｐ型部分に白金を付着させた
後、不活性ガス雰囲気中で３００〜１１００℃にて加熱
処理することにより、モリブデン及び／又は白金をオー
ム性接触させることを特徴とするｃＢＮ半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28244492A JPH0697690B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | オーム性電極を備えたｃＢＮ半導体装置とその製造方法 |
| US08/124,754 US5414279A (en) | 1992-09-28 | 1993-09-22 | cBN semiconductor device having an ohmic electrode and a method of making the same |
| US08/305,658 US5444017A (en) | 1992-09-28 | 1994-09-14 | Method of making cBN semiconductor device having an ohmic electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28244492A JPH0697690B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | オーム性電極を備えたｃＢＮ半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112473A JPH06112473A (ja) | 1994-04-22 |
| JPH0697690B2 true JPH0697690B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17652504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28244492A Expired - Lifetime JPH0697690B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | オーム性電極を備えたｃＢＮ半導体装置とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5414279A (ja) |
| JP (1) | JPH0697690B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646474A (en) * | 1995-03-27 | 1997-07-08 | Wayne State University | Boron nitride cold cathode |
| DE10336248B3 (de) * | 2003-08-07 | 2004-09-30 | J. Eberspächer GmbH & Co. KG | Temperiersystem für ein Fahrzeug und Verfahren zum Betreiben eines Temperiersystems für ein Fahrzeug |
| RU2377699C1 (ru) * | 2008-08-21 | 2009-12-27 | Открытое акционерное общество "Оптрон" | Светоизлучающий элемент |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3435398A (en) * | 1966-04-19 | 1969-03-25 | Gen Electric | Thermistor device and method of producing said device |
| US4875967A (en) * | 1987-05-01 | 1989-10-24 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for growing a single crystal of cubic boron nitride semiconductor and method for forming a p-n junction thereof, and light emitting element |
| JPH03137081A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐ型ｃＢＮのオーム性電極形成方法 |
| US5240877A (en) * | 1989-11-28 | 1993-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for manufacturing an ohmic electrode for n-type cubic boron nitride |
| JPH03167877A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｎ型立方晶窒化硼素のオーム性電極及びその形成方法 |
| US5227318A (en) * | 1989-12-06 | 1993-07-13 | General Motors Corporation | Method of making a cubic boron nitride bipolar transistor |
| EP0458353B1 (en) * | 1990-05-24 | 1996-09-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ohmic contact electrodes for n-type semiconductor cubic boron nitride |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP28244492A patent/JPH0697690B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-22 US US08/124,754 patent/US5414279A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-14 US US08/305,658 patent/US5444017A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112473A (ja) | 1994-04-22 |
| US5444017A (en) | 1995-08-22 |
| US5414279A (en) | 1995-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |