JPH0697700B2 - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPH0697700B2 JPH0697700B2 JP2012606A JP1260690A JPH0697700B2 JP H0697700 B2 JPH0697700 B2 JP H0697700B2 JP 2012606 A JP2012606 A JP 2012606A JP 1260690 A JP1260690 A JP 1260690A JP H0697700 B2 JPH0697700 B2 JP H0697700B2
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- Japan
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- light
- conductive layer
- receiving surface
- groove
- back surface
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は結晶シリコン太陽電池に係り、特に、表面反
射，集電抵抗の低減に配慮した太陽電池素子に関する。
射，集電抵抗の低減に配慮した太陽電池素子に関する。
太陽電池素子の効率を高めるため、素子の表面反射によ
る光エネルギー損失の低減、素子内での集電抵抗の損失
の低減が図られている。表面反射の低減に関しては、単
結晶太陽電池では公知のアルカリ溶液によるシリコンの
面方位によるエッチ速度のちがいを利用した（100）面
上へのピラミッド形成（テクスチャーエッチング）やＶ
溝形成が行われている（例えば特開昭61−206272号公
報）。
る光エネルギー損失の低減、素子内での集電抵抗の損失
の低減が図られている。表面反射の低減に関しては、単
結晶太陽電池では公知のアルカリ溶液によるシリコンの
面方位によるエッチ速度のちがいを利用した（100）面
上へのピラミッド形成（テクスチャーエッチング）やＶ
溝形成が行われている（例えば特開昭61−206272号公
報）。
集電抵抗損失の増加を防ぐには、電極線幅を細くして多
数形成することが必要であり、高価なホトリソグラフィ
ー等の技術を要していた。
数形成することが必要であり、高価なホトリソグラフィ
ー等の技術を要していた。
〔発明が解決しようとする課題〕 多結晶シリコン太陽電池は低コストであるが、結晶方位
がランダムのため、前述のアルカリ溶液によるシリコン
の面方位エッチ速度の違いを利用したテクスチャーエッ
チングが不完全となるため、光の表面反射を低減するこ
とが困難であった。さらに、エッチングによりシリコン
基板に厚みが薄い部分ができ、素子製作時に基板の割れ
が生じる場合があった。
がランダムのため、前述のアルカリ溶液によるシリコン
の面方位エッチ速度の違いを利用したテクスチャーエッ
チングが不完全となるため、光の表面反射を低減するこ
とが困難であった。さらに、エッチングによりシリコン
基板に厚みが薄い部分ができ、素子製作時に基板の割れ
が生じる場合があった。
また、素子内の電極線幅を細くして多数形成すること
は、高価なホトリソグラフィー技術を必要としていた。
は、高価なホトリソグラフィー技術を必要としていた。
本発明の課題は、単結晶シリコン太陽電池表面の光の反
射を低減し、かつ電池内の集電抵抗を低減させ、さらに
素子製作時における基板の割れを防止するにある。
射を低減し、かつ電池内の集電抵抗を低減させ、さらに
素子製作時における基板の割れを防止するにある。
上記の課題は、基板上に形成された受光面導電層と、該
受光面導電層に接して形成され発生する電流を集電する
受光面電極と、前記基板の前記受光面導電層が形成され
ている面の反対側の面に形成された裏面導電層と、該裏
面導電層に接して形成された裏面電極と、を備えた太陽
電池素子において、前記基板の受光面及び裏面に多数の
凹みが設けられ、前記受光面導電層及び前記裏面導電層
は該多数の凹みをおおって形成され、前記受光面導電層
及び裏面導電層に設けられた凹みが、互いに平行な複数
の溝であり、該受光面導電層側の溝の位置と、これに対
応する裏面導電層側の溝の位置が異なっていることによ
り達成される。
受光面導電層に接して形成され発生する電流を集電する
受光面電極と、前記基板の前記受光面導電層が形成され
ている面の反対側の面に形成された裏面導電層と、該裏
面導電層に接して形成された裏面電極と、を備えた太陽
電池素子において、前記基板の受光面及び裏面に多数の
凹みが設けられ、前記受光面導電層及び前記裏面導電層
は該多数の凹みをおおって形成され、前記受光面導電層
及び裏面導電層に設けられた凹みが、互いに平行な複数
の溝であり、該受光面導電層側の溝の位置と、これに対
応する裏面導電層側の溝の位置が異なっていることによ
り達成される。
受光面の複数の溝からなる凹みに照射された光は、その
一部が素子内に入射し、一部は反射される。反射された
光はさらに凹みの側壁面に当たってその一部がまた、素
子内に入射される。順次、このような動作が繰り返され
るため、素子受光面に照射された光が実質的に素子外に
反射される量がすくなくなる。
一部が素子内に入射し、一部は反射される。反射された
光はさらに凹みの側壁面に当たってその一部がまた、素
子内に入射される。順次、このような動作が繰り返され
るため、素子受光面に照射された光が実質的に素子外に
反射される量がすくなくなる。
また、受光面及びその裏面の凹み壁面に形成される導電
層により全体としての、導電層断面積が増加し、熱電抵
抗が低減する。太陽電池においては、受光面導電層中の
ｎ＋濃度をひくくしてオージェー（AUGER）効果による
ライフタイムの低下を防止することが必要であるため、
通常ｎ＋層である受光面導電層のシート抵抗が高くなる
のが避けられず、この層の抵抗が集電抵抗の大部分を占
めており、この導電層の抵抗の低減は太陽電池全体の集
電抵抗の低減に大きく影響する。
層により全体としての、導電層断面積が増加し、熱電抵
抗が低減する。太陽電池においては、受光面導電層中の
ｎ＋濃度をひくくしてオージェー（AUGER）効果による
ライフタイムの低下を防止することが必要であるため、
通常ｎ＋層である受光面導電層のシート抵抗が高くなる
のが避けられず、この層の抵抗が集電抵抗の大部分を占
めており、この導電層の抵抗の低減は太陽電池全体の集
電抵抗の低減に大きく影響する。
受光面及びその裏面に形成される凹みが、それぞれ受光
面電極及び裏面電極に交叉する方向に形成された溝であ
れば、電極に向かう方向の電流の流路断面積が増加し、
特にその方向での集電抵抗の低減に効果的である。さら
に、複数の溝からなる凹みの位置が、受光面と裏面とで
異なっているので、溝部における基板の厚みが薄くなら
ない。これにより、基板の割れが防止できる。
面電極及び裏面電極に交叉する方向に形成された溝であ
れば、電極に向かう方向の電流の流路断面積が増加し、
特にその方向での集電抵抗の低減に効果的である。さら
に、複数の溝からなる凹みの位置が、受光面と裏面とで
異なっているので、溝部における基板の厚みが薄くなら
ない。これにより、基板の割れが防止できる。
以下、本発明の実施例を第１図、第２図、第５図〜第８
図により説明する。太陽電池素子１は、Ｐ型多結晶シリ
コン基板であるキャスト基板11と、該キャスト基板11の
受光面側の面上に該面をおおって形成された受光面ｎ＋
型導電層３と、該受光面導電層に平行線状に形成された
受光面電極と、を備えている。キャスト基板11は、厚さ
がほぼ400μｍで、比抵抗がほぼ1.0Ω/mであり、受光面
導電層３は、厚さがほぼ0.3μｍ、シート抵抗がほぼ70
Ω／□である。キャスト基板11の受光面側の面には、深
さがほぼ50μｍ、幅がほぼ100μｍの直線状の溝21がほ
ぼ100μｍの間隔で、平行に多数、形成されている。ま
た、前記溝21と同じ深さ、幅の直線状の溝22が、溝21と
直交する方向に、均一な間隔をおいて、多数形成されて
いる。前記受光面導電層３は、溝21,22の底面，側面に
も、同様な厚さ（ほぼ、0.3μｍ）で形成されている。
また、溝22内にはAgペーストの印刷及び焼成により、前
記受光面電極の一部をなす受光面フィンガー電極61がほ
ぼ溝を充填するように形成されており、所定の間隔をお
いて選定された溝21にも、前記受光面フィンガー電極61
と同様にして同じく、前記受光面電極の一部をなす受光
面バスバー電極62が形成されている。受光面バスバー電
極62と受光面フィンガー電極61とは、その交叉位置で電
気的に接続されており、受光面バスバー電極62が幹とす
れば、受光面フィンガー電極61は幹に対する枝の関係に
ある。
図により説明する。太陽電池素子１は、Ｐ型多結晶シリ
コン基板であるキャスト基板11と、該キャスト基板11の
受光面側の面上に該面をおおって形成された受光面ｎ＋
型導電層３と、該受光面導電層に平行線状に形成された
受光面電極と、を備えている。キャスト基板11は、厚さ
がほぼ400μｍで、比抵抗がほぼ1.0Ω/mであり、受光面
導電層３は、厚さがほぼ0.3μｍ、シート抵抗がほぼ70
Ω／□である。キャスト基板11の受光面側の面には、深
さがほぼ50μｍ、幅がほぼ100μｍの直線状の溝21がほ
ぼ100μｍの間隔で、平行に多数、形成されている。ま
た、前記溝21と同じ深さ、幅の直線状の溝22が、溝21と
直交する方向に、均一な間隔をおいて、多数形成されて
いる。前記受光面導電層３は、溝21,22の底面，側面に
も、同様な厚さ（ほぼ、0.3μｍ）で形成されている。
また、溝22内にはAgペーストの印刷及び焼成により、前
記受光面電極の一部をなす受光面フィンガー電極61がほ
ぼ溝を充填するように形成されており、所定の間隔をお
いて選定された溝21にも、前記受光面フィンガー電極61
と同様にして同じく、前記受光面電極の一部をなす受光
面バスバー電極62が形成されている。受光面バスバー電
極62と受光面フィンガー電極61とは、その交叉位置で電
気的に接続されており、受光面バスバー電極62が幹とす
れば、受光面フィンガー電極61は幹に対する枝の関係に
ある。
上記のような受光面の構造では、太陽電池の集電抵抗の
最も大きな割合を占めているｎ＋型導電層３から受光面
フィンガー電極61までの間の集電抵抗が小さくなる。す
なわち、ｎ＋型導電層の受光面フィンガー電極61の長手
方向に平行な面での断面積が、溝21がない場合に比べ
て、ほぼ、1.5倍となっているので、集電抵抗は1/1.5と
なる。このことはまた、溝21がある場合のｎ＋型導電層
３のシート抵抗70Ω／□が、溝がない場合のシート抵抗
50Ω／□に相当することを意味する。ｎ＋型導電層３の
シート抵抗50Ω／□、受光面フィンガー電極線幅100μ
ｍに対する最適な受光面フィンガー間隔は3mmであり、
溝22の間隔、すなわち受光面フィンガー電極61の間隔は
3mmとしてある。
最も大きな割合を占めているｎ＋型導電層３から受光面
フィンガー電極61までの間の集電抵抗が小さくなる。す
なわち、ｎ＋型導電層の受光面フィンガー電極61の長手
方向に平行な面での断面積が、溝21がない場合に比べ
て、ほぼ、1.5倍となっているので、集電抵抗は1/1.5と
なる。このことはまた、溝21がある場合のｎ＋型導電層
３のシート抵抗70Ω／□が、溝がない場合のシート抵抗
50Ω／□に相当することを意味する。ｎ＋型導電層３の
シート抵抗50Ω／□、受光面フィンガー電極線幅100μ
ｍに対する最適な受光面フィンガー間隔は3mmであり、
溝22の間隔、すなわち受光面フィンガー電極61の間隔は
3mmとしてある。
さらに、本実施例の太陽電池素子は、裏面に、受光面側
の溝21と平行な溝23及び溝22と平行な溝24が多数形成さ
れている。溝23と溝24の深さはほぼ等しく、その幅もほ
ぼ等しい。溝23の間隔は溝22の間隔と同じくほぼ100μ
ｍである。前記シリコン基板１の裏面には、前記溝23,2
4の底面，側面を含めて、裏面導電層４が全面に形成さ
れている。この裏面導電層４は、Ｐ＋型導電層であり、
そのシート抵抗はほぼ30Ω／□、厚さほぼ７μｍであ
る。溝24内には裏面フィンガー電極51が受光面側の電極
と同様の方法で形成されている。また、裏面フィンガー
電極51と直交する溝23のいくつかには、裏面バスバー電
極52が形成され、前記裏面フィンガー電極51と電気的に
接続されている。溝24の間隔は、集電抵抗を小さくする
には狭くした方が良いが、狭くすると電極を形成するAg
ペーストの費用が嵩む。本実施例においては、溝24の側
壁面による導電層の断面増加による集電抵抗低下を考慮
して、溝24の間隔を1mmとし、従来の全面に形成された
裏面電極に比べ、材料費の低減が可能となった。また、
受光面の溝21,22の形成位置と、裏面の溝23,24の形成位
置をずらすことにより溝部でのシリコン基板の厚みの減
少を少なくし、素子製作時の割れを少なくできた。
の溝21と平行な溝23及び溝22と平行な溝24が多数形成さ
れている。溝23と溝24の深さはほぼ等しく、その幅もほ
ぼ等しい。溝23の間隔は溝22の間隔と同じくほぼ100μ
ｍである。前記シリコン基板１の裏面には、前記溝23,2
4の底面，側面を含めて、裏面導電層４が全面に形成さ
れている。この裏面導電層４は、Ｐ＋型導電層であり、
そのシート抵抗はほぼ30Ω／□、厚さほぼ７μｍであ
る。溝24内には裏面フィンガー電極51が受光面側の電極
と同様の方法で形成されている。また、裏面フィンガー
電極51と直交する溝23のいくつかには、裏面バスバー電
極52が形成され、前記裏面フィンガー電極51と電気的に
接続されている。溝24の間隔は、集電抵抗を小さくする
には狭くした方が良いが、狭くすると電極を形成するAg
ペーストの費用が嵩む。本実施例においては、溝24の側
壁面による導電層の断面増加による集電抵抗低下を考慮
して、溝24の間隔を1mmとし、従来の全面に形成された
裏面電極に比べ、材料費の低減が可能となった。また、
受光面の溝21,22の形成位置と、裏面の溝23,24の形成位
置をずらすことにより溝部でのシリコン基板の厚みの減
少を少なくし、素子製作時の割れを少なくできた。
上述の構成の太陽電池素子において、溝21の溝底面に当
った光は、一部素子内に入射し、一部は反射されるが反
射された光のさらに一部は、溝21の側面に当る。該側面
に当った光は一部が素子内に入射し一部が反射される。
順次、このような入射，反射が繰り返されるので、溝21
に入射した光は平坦部（溝でない部分）に入射した光に
比べ、最終的に素子外に反射される光の量が少ないの
で、光から電気への変換効率が向上する。
った光は、一部素子内に入射し、一部は反射されるが反
射された光のさらに一部は、溝21の側面に当る。該側面
に当った光は一部が素子内に入射し一部が反射される。
順次、このような入射，反射が繰り返されるので、溝21
に入射した光は平坦部（溝でない部分）に入射した光に
比べ、最終的に素子外に反射される光の量が少ないの
で、光から電気への変換効率が向上する。
本実施例においては溝の深さをほぼ50μｍ、溝幅をほぼ
100μｍとしたが、溝幅をせまくし、溝深さを深くして
溝の壁面部分をふやすほど、変換効率の向上に有効であ
る。
100μｍとしたが、溝幅をせまくし、溝深さを深くして
溝の壁面部分をふやすほど、変換効率の向上に有効であ
る。
ｎ＋型導電層３は、そのシート抵抗が70Ω／□と高いこ
とから判るように、不純物濃度が低い。このためオージ
ェー（Auger）効果によるｎ＋型導電層の少数キャリア
ライフタイムの低下が少なく、光生成電流のｎ＋型導電
層における再結合損失が少ない。このため、高い変換効
率が得られる。また、ｎ＋型導電層のシート抵抗は理想
的には150Ω／□程度、すなわち、シート抵抗が150Ω／
□程度になるような不純物濃度であることが望ましい
が、そうするためには、溝22,受光面フィンガー電極61
の幅を狭くして本数を増やし、かつ溝22および受光面フ
ィンガー電極61の深さを深くする必要がある。
とから判るように、不純物濃度が低い。このためオージ
ェー（Auger）効果によるｎ＋型導電層の少数キャリア
ライフタイムの低下が少なく、光生成電流のｎ＋型導電
層における再結合損失が少ない。このため、高い変換効
率が得られる。また、ｎ＋型導電層のシート抵抗は理想
的には150Ω／□程度、すなわち、シート抵抗が150Ω／
□程度になるような不純物濃度であることが望ましい
が、そうするためには、溝22,受光面フィンガー電極61
の幅を狭くして本数を増やし、かつ溝22および受光面フ
ィンガー電極61の深さを深くする必要がある。
また、本実施例は、ｐ型多結晶シリコン基板に受光面ｎ
＋型導電層、裏面ｐ＋型導電層を設けたものであるが、
ｎ＋型多結晶シリコン基板に、受光面ｐ＋型導電層，裏
面ｎ＋型導電層を設けてもよい。
＋型導電層、裏面ｐ＋型導電層を設けたものであるが、
ｎ＋型多結晶シリコン基板に、受光面ｐ＋型導電層，裏
面ｎ＋型導電層を設けてもよい。
本実施例の製造方法を次に説明する。まず、ｐ型多結晶
シリコン基板11の受光面に、耐薬品性のレジストが、ス
クリーン印刷される。このとき互いに直交する２方向の
溝となる部分以外の部分にレジストが付着されるように
印刷される。このときのレジストとレジストの最小間隔
は、スクリーン印刷では、ほぼ50μｍが最小限界であ
り、前述の実施例においてはレジストの間隔として、こ
の数値が採用された。次にスクリーン印刷された面に弗
硝酸エッチングが行われ、シリコン基板受光面の前記レ
ジストでおおわれていない部分に、深さがほぼ50μｍ、
幅がほぼ70μｍの溝が形成される。次に前記印刷された
レジストが洗浄，除去される。次いでシリコン基板全体
に対してアルカリ溶液によるテクスチャーエッチングが
行われ、溝深さほぼ50μｍ、溝幅ほぼ100μｍの溝が形
成される。次に拡散法により、受光面にシート抵抗がほ
ぼ70Ω／□、厚みがほぼ0.3μｍのｎ＋型導電層（受光
面導電層）３が形成される。次に受光面に形成された溝
のうちの、間隔3mmごとに形成された溝および、これに
直交する溝の一部にAgペーストが印刷され、焼成され
て、受光面フィンガー電極61および受光面バスバー電極
62が形成される。裏面電極も同様の方法で形成される。
このようにして製造された太陽電池素子が通常複数個組
み合わされ、電力を取り出すターミナルが設けられて太
陽電池となる。
シリコン基板11の受光面に、耐薬品性のレジストが、ス
クリーン印刷される。このとき互いに直交する２方向の
溝となる部分以外の部分にレジストが付着されるように
印刷される。このときのレジストとレジストの最小間隔
は、スクリーン印刷では、ほぼ50μｍが最小限界であ
り、前述の実施例においてはレジストの間隔として、こ
の数値が採用された。次にスクリーン印刷された面に弗
硝酸エッチングが行われ、シリコン基板受光面の前記レ
ジストでおおわれていない部分に、深さがほぼ50μｍ、
幅がほぼ70μｍの溝が形成される。次に前記印刷された
レジストが洗浄，除去される。次いでシリコン基板全体
に対してアルカリ溶液によるテクスチャーエッチングが
行われ、溝深さほぼ50μｍ、溝幅ほぼ100μｍの溝が形
成される。次に拡散法により、受光面にシート抵抗がほ
ぼ70Ω／□、厚みがほぼ0.3μｍのｎ＋型導電層（受光
面導電層）３が形成される。次に受光面に形成された溝
のうちの、間隔3mmごとに形成された溝および、これに
直交する溝の一部にAgペーストが印刷され、焼成され
て、受光面フィンガー電極61および受光面バスバー電極
62が形成される。裏面電極も同様の方法で形成される。
このようにして製造された太陽電池素子が通常複数個組
み合わされ、電力を取り出すターミナルが設けられて太
陽電池となる。
このようにして製作された太陽電池の表面の反射は、テ
クスチャーエッチングされた多結晶シリコン基板を用い
た太陽電池に比べほぼ50％に低減された。また集電抵抗
は従来の溝なしのシート抵抗70Ω／□に対して、ほぼ70
％に低減された。また、変換効率は、従来の太陽電池に
比べほぼその15％向上した。
クスチャーエッチングされた多結晶シリコン基板を用い
た太陽電池に比べほぼ50％に低減された。また集電抵抗
は従来の溝なしのシート抵抗70Ω／□に対して、ほぼ70
％に低減された。また、変換効率は、従来の太陽電池に
比べほぼその15％向上した。
第３図、第４図、第９図及び第10図は、受光面のみに本
発明と同様の構成を適用した太陽電池素子の参考例を示
す。
発明と同様の構成を適用した太陽電池素子の参考例を示
す。
第３図及び第４図は、上で述べた実施例の受光面と同じ
構成を有する参考例の断面図である。なお、第３図は第
２図のIII−III線矢視断面に対応し、第４図は第２図の
IV−IV線矢視断面に対応する。
構成を有する参考例の断面図である。なお、第３図は第
２図のIII−III線矢視断面に対応し、第４図は第２図の
IV−IV線矢視断面に対応する。
第９図は、受光面に形成される溝21が、直線状でなく、
互いに平行な曲線状をなしている参考例である。
互いに平行な曲線状をなしている参考例である。
第10図は、受光面に溝21のかわりに多数の互いに接する
穴状のくぼみ21Aが設けられている参考例である。
穴状のくぼみ21Aが設けられている参考例である。
本発明によれば、太陽電池素子の受光面及び裏面に多数
のくぼみが形成され、受光面導電層及び裏面導電層が該
くぼみの面をおおって形成されているので、入射した光
の反射が少なくなるとともに、素子内の集電抵抗が低減
され、変換効率が向上する効果がある。かつ、受光面と
裏面では溝の位置が異なるので、素子製作時における基
板の割れを防止する効果がある。
のくぼみが形成され、受光面導電層及び裏面導電層が該
くぼみの面をおおって形成されているので、入射した光
の反射が少なくなるとともに、素子内の集電抵抗が低減
され、変換効率が向上する効果がある。かつ、受光面と
裏面では溝の位置が異なるので、素子製作時における基
板の割れを防止する効果がある。
第１図は本発明の実施例である太陽電池素子の受光面を
示す平面図、第２図は第１図のＡ部詳細を示す平面図、
第３図及び第４図は参考例を示す断面図、第５図は本発
明の実施例である太陽電池素子の裏面を示す平面図、第
６図は第５図のＡ部詳細を示す平面図、第７図は第６図
のVII−VII線矢視断面図、第８図は第６図のVIII−VIII
線矢視断面図、第９図及び第10図は参考例を示す斜視図
である。１……太陽電池素子、３……受光面導電層、４
……裏面導電層、５……裏面電極、11……基板（多結晶
シリコン基板）、21,22,23,24……凹み（溝）、61……
受光面電極（受光面フィンガー電極）、62……受光面電
極（受光面バスバー電極）。
示す平面図、第２図は第１図のＡ部詳細を示す平面図、
第３図及び第４図は参考例を示す断面図、第５図は本発
明の実施例である太陽電池素子の裏面を示す平面図、第
６図は第５図のＡ部詳細を示す平面図、第７図は第６図
のVII−VII線矢視断面図、第８図は第６図のVIII−VIII
線矢視断面図、第９図及び第10図は参考例を示す斜視図
である。１……太陽電池素子、３……受光面導電層、４
……裏面導電層、５……裏面電極、11……基板（多結晶
シリコン基板）、21,22,23,24……凹み（溝）、61……
受光面電極（受光面フィンガー電極）、62……受光面電
極（受光面バスバー電極）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 穀内 滋 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 鈴木 悟 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (56)参考文献 特開 昭51−36087（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−66974（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−124483（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−69178（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−143873（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−34583（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−71677（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−125551（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された受光面導電層と、該受
光面導電層に接して形成され発生する電流を集電する受
光面電極と、前記基板の前記受光面導電層が形成されて
いる面の反対側の面に形成された裏面導電層と、該裏面
導電層に接して形成された裏面電極と、を備えた太陽電
池素子において、前記基板の受光面及び裏面に多数の凹
みが設けられ、前記受光面導電層及び前記裏面導電層は
該多数の凹みをおおって形成され、前記受光面導電層及
び裏面導電層に設けられた凹みが、互いに平行な複数の
溝であり、該受光面導電層側の溝の位置と、これに対応
する裏面導電層側の溝の位置が異なっていることを特徴
とする太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012606A JPH0697700B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012606A JPH0697700B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218684A JPH03218684A (ja) | 1991-09-26 |
| JPH0697700B2 true JPH0697700B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=11810014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012606A Expired - Fee Related JPH0697700B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697700B2 (ja) |
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-
1990
- 1990-01-24 JP JP2012606A patent/JPH0697700B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03218684A (ja) | 1991-09-26 |
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