JPH03218684A - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPH03218684A JPH03218684A JP2012606A JP1260690A JPH03218684A JP H03218684 A JPH03218684 A JP H03218684A JP 2012606 A JP2012606 A JP 2012606A JP 1260690 A JP1260690 A JP 1260690A JP H03218684 A JPH03218684 A JP H03218684A
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- solar cell
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は結晶シリコン太陽電池に係り、特に，表面反射
，集電抵杭の低減に配慮した太陽電池素子に関する。
，集電抵杭の低減に配慮した太陽電池素子に関する。
太陽電池素子の効率を高めるため、素子の表面反射によ
る光エネルギー損失の低減、素子内での集電抵杭の損失
の低減が図られている。表面反射の低減に関しては、単
結晶太陽電池では公知のアルカリ溶液によるシリコンの
面方位によるエッチ速度のちがいを利用した（１ ０
０）面上へのピラミッド形成（テクスチャーエッチング
）や■溝形成が行われている（例えば特開昭６１− ２
０６２７２号公報）。
る光エネルギー損失の低減、素子内での集電抵杭の損失
の低減が図られている。表面反射の低減に関しては、単
結晶太陽電池では公知のアルカリ溶液によるシリコンの
面方位によるエッチ速度のちがいを利用した（１ ０
０）面上へのピラミッド形成（テクスチャーエッチング
）や■溝形成が行われている（例えば特開昭６１− ２
０６２７２号公報）。
集電抵抗損失の増加を防ぐには、電極線幅を細くして多
数形成することが必要であり，高価なホトリソグラフィ
ー等の技術を要していた。
数形成することが必要であり，高価なホトリソグラフィ
ー等の技術を要していた。
多結晶シリコン太陽電池は低コストであるが、結晶方位
がランダムのため、前述のアルカリ溶液によるシリコン
の面方位エッチ速度の違いを利用したテクスチャーエッ
チングが不完全となるため、光の表面反射を低減するこ
とが困難であった。
がランダムのため、前述のアルカリ溶液によるシリコン
の面方位エッチ速度の違いを利用したテクスチャーエッ
チングが不完全となるため、光の表面反射を低減するこ
とが困難であった。
また、素子内の電極線幅を細くして多数形成することは
、高価なホトリソグラフイー技術を必要としていた。
、高価なホトリソグラフイー技術を必要としていた。
本発明の課題は、多結晶シリコン太陽電池表面の光の反
射を低減し、かつ電池内の集電抵抗を低，威させるにあ
る６ 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題は、基板上に形成された受光面導電層と，該
受光面導電層に接して形成され発生する電流を集電する
受光面電極と，を備えた太陽電池素子において、前記基
板の受光面に多数の凹みが設けられ、前記受光面導電層
が該凹みの面を覆って形成されることにより達成される
。
射を低減し、かつ電池内の集電抵抗を低，威させるにあ
る６ 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題は、基板上に形成された受光面導電層と，該
受光面導電層に接して形成され発生する電流を集電する
受光面電極と，を備えた太陽電池素子において、前記基
板の受光面に多数の凹みが設けられ、前記受光面導電層
が該凹みの面を覆って形成されることにより達成される
。
上記凹みは、基板の受光面に形成された、互いに平行な
複数の溝であってもよいし、基板の受光面に形成された
、互いに接する複数の穴であってもよい。
複数の溝であってもよいし、基板の受光面に形成された
、互いに接する複数の穴であってもよい。
また、基板の受光面に互いに平行な複数の溝が形成され
、受光面電極は前記基板の受光面に前記複数の溝に交叉
する方向に設けられた溝に形成されている、請求項２に
記載の太陽電池素子としてもよい。
、受光面電極は前記基板の受光面に前記複数の溝に交叉
する方向に設けられた溝に形成されている、請求項２に
記載の太陽電池素子としてもよい。
また、基板上に形成された受光面導電層と、該受光面導
電層に接して形成され発生する電流を集電する受光面電
極と、前記基板の前記受光面導電層が形成されている面
の反対側の面に形成された裏面導電層と、該裏面導電層
に接して形成された裏面電極と、を備えた太陽電池素子
において、前記基板の受光面及び裏面に多数の凹みが設
けられ，前記受光面導電層及び前記裏面導電層は該多数
の凹みをおおって形成されている太陽電池素子によって
も達成される。
電層に接して形成され発生する電流を集電する受光面電
極と、前記基板の前記受光面導電層が形成されている面
の反対側の面に形成された裏面導電層と、該裏面導電層
に接して形成された裏面電極と、を備えた太陽電池素子
において、前記基板の受光面及び裏面に多数の凹みが設
けられ，前記受光面導電層及び前記裏面導電層は該多数
の凹みをおおって形成されている太陽電池素子によって
も達成される。
また、受光面導電層及び裏面導電層に設けられた凹みが
，互いに平行な複数の溝である請求項５に記載の太陽電
池素子としてもよい。
，互いに平行な複数の溝である請求項５に記載の太陽電
池素子としてもよい。
受光面導電層側の溝の位置と、これに対応する裏面導電
層側の溝の位置が異なっている請求項６に記載の太陽電
池素子としてもよい。
層側の溝の位置が異なっている請求項６に記載の太陽電
池素子としてもよい。
さらに、請求項１乃至７に記載の太陽電池素子を備えた
太陽電池としてもよい。
太陽電池としてもよい。
また、前記の課題は、平行な２面を有するシリコン基板
の一方の面に酎薬品性のレジストをスクリーン印刷する
手順と、前記シリコン基板の該耐薬品性のレジストが印
刷された面を弗硝酸エッチングして該基板面に溝を形成
する手順と、弗硝酸エソチング終了後に前記シリコン基
板から前記レシストを洗浄除去する手順と、レジストが
除去された前記シリコン基板全体をアルカリ溶液によっ
てテクスチャーエッチングする手順と、前記シリコン基
板の溝が形成されている側の面に、導電層を形成する手
順と、を備えた太陽電池素子の製造方法によっても達成
される。
の一方の面に酎薬品性のレジストをスクリーン印刷する
手順と、前記シリコン基板の該耐薬品性のレジストが印
刷された面を弗硝酸エッチングして該基板面に溝を形成
する手順と、弗硝酸エソチング終了後に前記シリコン基
板から前記レシストを洗浄除去する手順と、レジストが
除去された前記シリコン基板全体をアルカリ溶液によっ
てテクスチャーエッチングする手順と、前記シリコン基
板の溝が形成されている側の面に、導電層を形成する手
順と、を備えた太陽電池素子の製造方法によっても達成
される。
受光面の凹みに照射された光は、その一部が素子内に入
射し、一部は反射される。反射された光はさらに凹みの
側壁面に当ってその一部がまた、素子内に入射される。
射し、一部は反射される。反射された光はさらに凹みの
側壁面に当ってその一部がまた、素子内に入射される。
順次、このような動作が繰り返されるため、素子受光面
に照射された光が実質的に素子外に反射される量がすく
なくなる。
に照射された光が実質的に素子外に反射される量がすく
なくなる。
また、凹み壁面に形成される導電層により全体としての
、導電層断面積が増加し、熱電抵抗が低減する。太陽電
池においては、導電層中のｎ十濃度をひくくシてオージ
ェー（ＡＵＧＥＲ）効果によるライフタイムの低下を防
止することが必要であるため、通常ｎ十層である導電層
のシート抵抗が高くなるのが避けられず、この層の抵抗
が集電抵杭の大部分を占めており，この導電層の抵抗の
低減は太陽電池全体の集電抵杭の低減に大きく影響する
。
、導電層断面積が増加し、熱電抵抗が低減する。太陽電
池においては、導電層中のｎ十濃度をひくくシてオージ
ェー（ＡＵＧＥＲ）効果によるライフタイムの低下を防
止することが必要であるため、通常ｎ十層である導電層
のシート抵抗が高くなるのが避けられず、この層の抵抗
が集電抵杭の大部分を占めており，この導電層の抵抗の
低減は太陽電池全体の集電抵杭の低減に大きく影響する
。
受光面に形成される凹みが、受光面電極に交叉する方向
に形成された溝であれば、受光面電極に向かう方向の電
流の流路断面積が増加し、特にその方向での集電抵杭の
低減に効果的である。
に形成された溝であれば、受光面電極に向かう方向の電
流の流路断面積が増加し、特にその方向での集電抵杭の
低減に効果的である。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図により説明す
る。太陽電池素子１は、Ｐ型多結晶シリコン基板である
キャスト基板１１と、該キャスト基板１１の受光面側の
面上に該面をおおって形成された受光面ｎ十型導電層３
と、該受光面導電層に平行線状に形成された受光面電極
と、を備えている。キャスト基板１１の受光面側と反対
側の面（以下裏面という）には、その面をおおって裏面
Ｐ十型導電層４が形成され、該裏面導電層４上には、更
にＡｇ電極である裏面電極５が形成されている。キャス
ト基板１１は、厚さがほぼ４００μｍで、比抵抗がほぼ
１．０Ω／ｍであり、受光面導電層３は，厚さがほぼ０
．３μｍ、シート抵抗がほぼ７ｏΩ／口である。キャス
ト基板１１の受光面側の面には、深さがほぼ５０μｍ、
幅がほぼ１００μｍの直線状の溝２１がほぼ１００μｍ
の間隔で、平行に多数、形成されている。また５前記溝
２１と同じ深さ、幅の直線状の溝２２が、溝２１と直交
する方向に、均一な間隔をおいて、多数形成されている
。前記受光面導電層３は、溝２１．２２の底面，側面に
も、同様な厚さ（ほぼ、０．３μｍ）で形成されている
。また、溝２２内にはＡｇペーストの印刷及び焼成によ
り、前記受光面電極の一部をなす受光面フィンガー電極
６１がほぼ溝を充填するように形成されており、所定の
間隔をおいて選定された溝２１にも、前記受光面フィン
ガー電極６１と同様にして同じく、前記受光面電極の一
部をなす受光面バスバー電極６２が形成されている。受
光面バスバー電極６２と受光面フィンガー電極６１とは
、その交叉位置で電気的に接続されており、受光面バス
バー電極６２が幹とすれば、受光面フィンガー電Ｖｉ６
１は幹に対する枝の関係にある。
る。太陽電池素子１は、Ｐ型多結晶シリコン基板である
キャスト基板１１と、該キャスト基板１１の受光面側の
面上に該面をおおって形成された受光面ｎ十型導電層３
と、該受光面導電層に平行線状に形成された受光面電極
と、を備えている。キャスト基板１１の受光面側と反対
側の面（以下裏面という）には、その面をおおって裏面
Ｐ十型導電層４が形成され、該裏面導電層４上には、更
にＡｇ電極である裏面電極５が形成されている。キャス
ト基板１１は、厚さがほぼ４００μｍで、比抵抗がほぼ
１．０Ω／ｍであり、受光面導電層３は，厚さがほぼ０
．３μｍ、シート抵抗がほぼ７ｏΩ／口である。キャス
ト基板１１の受光面側の面には、深さがほぼ５０μｍ、
幅がほぼ１００μｍの直線状の溝２１がほぼ１００μｍ
の間隔で、平行に多数、形成されている。また５前記溝
２１と同じ深さ、幅の直線状の溝２２が、溝２１と直交
する方向に、均一な間隔をおいて、多数形成されている
。前記受光面導電層３は、溝２１．２２の底面，側面に
も、同様な厚さ（ほぼ、０．３μｍ）で形成されている
。また、溝２２内にはＡｇペーストの印刷及び焼成によ
り、前記受光面電極の一部をなす受光面フィンガー電極
６１がほぼ溝を充填するように形成されており、所定の
間隔をおいて選定された溝２１にも、前記受光面フィン
ガー電極６１と同様にして同じく、前記受光面電極の一
部をなす受光面バスバー電極６２が形成されている。受
光面バスバー電極６２と受光面フィンガー電極６１とは
、その交叉位置で電気的に接続されており、受光面バス
バー電極６２が幹とすれば、受光面フィンガー電Ｖｉ６
１は幹に対する枝の関係にある。
このような構造では、太陽電池の集電抵杭の最も大きな
割合を占めている。ｎ十型導電層３から受光面フィンガ
ー電極６１までの間の集電抵抗が小さくなる。すなわち
、ｎ十型導電層の受光面フィンガー電極６１の長手方向
に平行な面での断面積が、溝２１がない場合に比べて、
ほぼ、１．５倍となっているので，集電抵抗は１７１．
５ となる。このことはまた、溝２１がある場合のｎ
十型導電層３のシート抵抗７０Ω／口が、溝がない場合
のシート抵抗５０Ω／口に相当することを意味する。ｎ
十型導電層３のシート抵抗５０Ω／口，受光面フィンガ
ー電極線幅１００μｍに対する最適な受光面フィンガー
間隔は３ｍｍであり、溝２２の間隔、すなわち受光面フ
ィンガー電極６１の間隔は３ｍｍとしてある。このＰ型
多結晶シリコン基板１１の裏面に形成された裏面導電層
４は、Ｐ＋型導電層であり、そのシート抵抗はほぼ３０
Ω／口、厚さほぼ７μｍである。
割合を占めている。ｎ十型導電層３から受光面フィンガ
ー電極６１までの間の集電抵抗が小さくなる。すなわち
、ｎ十型導電層の受光面フィンガー電極６１の長手方向
に平行な面での断面積が、溝２１がない場合に比べて、
ほぼ、１．５倍となっているので，集電抵抗は１７１．
５ となる。このことはまた、溝２１がある場合のｎ
十型導電層３のシート抵抗７０Ω／口が、溝がない場合
のシート抵抗５０Ω／口に相当することを意味する。ｎ
十型導電層３のシート抵抗５０Ω／口，受光面フィンガ
ー電極線幅１００μｍに対する最適な受光面フィンガー
間隔は３ｍｍであり、溝２２の間隔、すなわち受光面フ
ィンガー電極６１の間隔は３ｍｍとしてある。このＰ型
多結晶シリコン基板１１の裏面に形成された裏面導電層
４は、Ｐ＋型導電層であり、そのシート抵抗はほぼ３０
Ω／口、厚さほぼ７μｍである。
上述の構成の太陽電池素子において、溝２１の溝底面に
当った光は、一部素子内に入射し，一部は反射されるが
反射された光のさらに一部は、溝２１の側面に当る。該
側面に当った光は一部が素子内に入射し一部が反射され
る，順次、このような入射，反射が繰り返されるので、
溝２１に入射した光は平坦部（溝でない部分）に入射し
た光に比べ、最終的に素子外に反射される光の量が少な
いので、，光から電気への変換効率が向上する。
当った光は、一部素子内に入射し，一部は反射されるが
反射された光のさらに一部は、溝２１の側面に当る。該
側面に当った光は一部が素子内に入射し一部が反射され
る，順次、このような入射，反射が繰り返されるので、
溝２１に入射した光は平坦部（溝でない部分）に入射し
た光に比べ、最終的に素子外に反射される光の量が少な
いので、，光から電気への変換効率が向上する。
本実施例においては溝の深さをほぼ５０μｍ，溝幅をほ
ぼ１００μｍとしたが，溝幅をせまくし溝深さを深くし
て溝の壁面部分をふやすほど、変換効率の向上に有効で
ある。
ぼ１００μｍとしたが，溝幅をせまくし溝深さを深くし
て溝の壁面部分をふやすほど、変換効率の向上に有効で
ある。
ｎ十型導電層３は、そのシート抵抗が７ｏΩ／口と高い
ことから分るように、不純物濃度が低いこのためオージ
ェー（Ａｕｇｅｒ）効果によるｎ十型導電層の少数キャ
リアライフタイムの低下が少なく光生成電流のｎ十型導
電層における再結合損失が少ない。このため、高い変換
効率が得られる。また５ｎ十型導電層のシート抵抗は理
想的には１５０Ω／口程度、すなわち，シート抵抗が１
５０Ω／口程度になるような不純物濃度であることが望
ましいが、そうするためには、溝２２，受光面フィンガ
ー電極６ｌの幅を狭くして本数を増やし，がつ溝２２お
よび受光面フィンガー電極６１の深さを深くする必要が
ある。
ことから分るように、不純物濃度が低いこのためオージ
ェー（Ａｕｇｅｒ）効果によるｎ十型導電層の少数キャ
リアライフタイムの低下が少なく光生成電流のｎ十型導
電層における再結合損失が少ない。このため、高い変換
効率が得られる。また５ｎ十型導電層のシート抵抗は理
想的には１５０Ω／口程度、すなわち，シート抵抗が１
５０Ω／口程度になるような不純物濃度であることが望
ましいが、そうするためには、溝２２，受光面フィンガ
ー電極６ｌの幅を狭くして本数を増やし，がつ溝２２お
よび受光面フィンガー電極６１の深さを深くする必要が
ある。
また、本実施例．は、Ｐ型多結晶シリコン基板に受光面
ｎ十型導電層，裏面Ｐ十型導電層を設けたものであるが
、ｎ十型多結晶シリコン基板に、受光面Ｐ十型導電層，
裏面ｎ十型導電層を設けてもよい。
ｎ十型導電層，裏面Ｐ十型導電層を設けたものであるが
、ｎ十型多結晶シリコン基板に、受光面Ｐ十型導電層，
裏面ｎ十型導電層を設けてもよい。
本実施例の製造方法を次に説明する。まず、Ｐ型多結晶
シリコン基板１１の受光面に、耐薬品性のレジストが、
スクリーン印刷される。このとき互いに直交する２方向
の溝となる部分以外の部分にレジストが付着されるよう
に印刷される。このときのレジストとレジストの最小間
隔は、スクリーン印刷では、ほぼ５０μｍが最小限界で
あり，前述の実施例においてはレジストの間隔として、
この数値が採用された。次にスクリーン印刷された面に
弗硝酸エッチングが行われ、シリコン基板受光而の前記
レジストでおおわれていない部分に、深さがほぼ５０μ
ｍ．幅がほぼ７０μｍの溝が形成される。次に前記印刷
されたレジストが洗浄，除去される。次いでシリコン基
板全体に対してアルカリ溶液によるテクスチャーエッチ
ングが行われ、溝深さほぼ５０μｍ、溝幅ほぼ１００μ
ｍの溝が形成される。次に拡散法により、受光面にシー
ト抵抗がほぼ７０Ω／口、厚みがほぼ０．３μｍのｎ十
型導電層（受光面導電層）３が形成される。次にシリコ
ン基板の裏面全面にアルミニウムペーストが印刷され、
これが焼成されて、裏面Ｐ十型導電層４およびＡＱ−Ｓ
ｉ合金層が形成される。次に前記ＡＱ−Ｓｉ合金層が王
水により除去され、除去面にＡｇペーストが印刷・焼成
されてＡｇ電極である裏面電極が形成される。次に受光
面に形成された溝のうちの、間隔３■ごとに形成された
溝および、これに直交する溝の一部にＡｇペーストが印
刷され、焼成されて、受光面フィンガー電極６１および
受光面バスバー電極６２が形成される。このようにして
製造された太陽電池素子が通常複数個組み合わされ，電
力を取り出すターミナルが設けられて太陽電池となる。
シリコン基板１１の受光面に、耐薬品性のレジストが、
スクリーン印刷される。このとき互いに直交する２方向
の溝となる部分以外の部分にレジストが付着されるよう
に印刷される。このときのレジストとレジストの最小間
隔は、スクリーン印刷では、ほぼ５０μｍが最小限界で
あり，前述の実施例においてはレジストの間隔として、
この数値が採用された。次にスクリーン印刷された面に
弗硝酸エッチングが行われ、シリコン基板受光而の前記
レジストでおおわれていない部分に、深さがほぼ５０μ
ｍ．幅がほぼ７０μｍの溝が形成される。次に前記印刷
されたレジストが洗浄，除去される。次いでシリコン基
板全体に対してアルカリ溶液によるテクスチャーエッチ
ングが行われ、溝深さほぼ５０μｍ、溝幅ほぼ１００μ
ｍの溝が形成される。次に拡散法により、受光面にシー
ト抵抗がほぼ７０Ω／口、厚みがほぼ０．３μｍのｎ十
型導電層（受光面導電層）３が形成される。次にシリコ
ン基板の裏面全面にアルミニウムペーストが印刷され、
これが焼成されて、裏面Ｐ十型導電層４およびＡＱ−Ｓ
ｉ合金層が形成される。次に前記ＡＱ−Ｓｉ合金層が王
水により除去され、除去面にＡｇペーストが印刷・焼成
されてＡｇ電極である裏面電極が形成される。次に受光
面に形成された溝のうちの、間隔３■ごとに形成された
溝および、これに直交する溝の一部にＡｇペーストが印
刷され、焼成されて、受光面フィンガー電極６１および
受光面バスバー電極６２が形成される。このようにして
製造された太陽電池素子が通常複数個組み合わされ，電
力を取り出すターミナルが設けられて太陽電池となる。
このようにして製作された太陽電池の表面の反射は，テ
クスチャーエッチングされた多結晶シリコン基板を用い
た太陽電池に比べほぼ５０％に低減された。また集電抵
抗は従来の溝なしのシート抵抗７０Ω／口に対して、ほ
ぼ７０％に低減された。また、変換効率は、従来の太陽
電池に比べほぼその１５％向上した。
クスチャーエッチングされた多結晶シリコン基板を用い
た太陽電池に比べほぼ５０％に低減された。また集電抵
抗は従来の溝なしのシート抵抗７０Ω／口に対して、ほ
ぼ７０％に低減された。また、変換効率は、従来の太陽
電池に比べほぼその１５％向上した。
次に、本発明の第２の実施例を第５図〜第８図により説
明する。第２の実施例は、本発明を太陽電池素子の受光
面及び裏面に適用したもので，本実施例の太陽電池素子
は多結晶シリコン基板１１の受光面に先の実施例を同様
の構造（溝２１，２２，受光面導電層３，溝内に形成さ
れ，互いに直交する受光面フィンガー電極６１，受光面
バス／＜−６２）を備え，裏面に、受光面側の溝２１と
平行な溝２３及び溝２２と平行な溝２４が多数形成され
ている。溝２３と溝２４の深さはほぼ等しく，その幅も
ほぼ等しい。溝２３の間隔は溝２２の間隔と同しくほぼ
１００μｍである。前記シリコン基板１の裏面には、前
記溝２３．２４の底面側面を含めて、裏面導電層４が全
面に形成されており、溝２４内には裏面フィンガー電極
５１が受光面側の電極と同様の方法で形成されている。
明する。第２の実施例は、本発明を太陽電池素子の受光
面及び裏面に適用したもので，本実施例の太陽電池素子
は多結晶シリコン基板１１の受光面に先の実施例を同様
の構造（溝２１，２２，受光面導電層３，溝内に形成さ
れ，互いに直交する受光面フィンガー電極６１，受光面
バス／＜−６２）を備え，裏面に、受光面側の溝２１と
平行な溝２３及び溝２２と平行な溝２４が多数形成され
ている。溝２３と溝２４の深さはほぼ等しく，その幅も
ほぼ等しい。溝２３の間隔は溝２２の間隔と同しくほぼ
１００μｍである。前記シリコン基板１の裏面には、前
記溝２３．２４の底面側面を含めて、裏面導電層４が全
面に形成されており、溝２４内には裏面フィンガー電極
５１が受光面側の電極と同様の方法で形成されている。
また、裏面フィンガー電極５１と直交する溝２３のいく
つかには、裏面バスバー電極５２が形成され前記裏面フ
ィンガー電極５１と電気的に接続されている。溝２４の
間隔は、集電抵抗を小さくするには狭くした方が良いが
、狭くすると電極を形成するＡｇペーストの費用が嵩む
。本実施例においては、溝２４の側壁面による導電層の
断面増加による集電抵抗低下を考慮して、溝２４の間隔
を１ｍとし、従来の全面に形成された裏面電極に比べ、
材料費の低減が可能となった。また、受光面の溝２１．
２２の形成位置と、裏面の溝２３．２４の形成位置をず
らすことにより溝部でのシリコン基板の厚みの減少を少
なくし、素子製作時の割れを少なくできた。
つかには、裏面バスバー電極５２が形成され前記裏面フ
ィンガー電極５１と電気的に接続されている。溝２４の
間隔は、集電抵抗を小さくするには狭くした方が良いが
、狭くすると電極を形成するＡｇペーストの費用が嵩む
。本実施例においては、溝２４の側壁面による導電層の
断面増加による集電抵抗低下を考慮して、溝２４の間隔
を１ｍとし、従来の全面に形成された裏面電極に比べ、
材料費の低減が可能となった。また、受光面の溝２１．
２２の形成位置と、裏面の溝２３．２４の形成位置をず
らすことにより溝部でのシリコン基板の厚みの減少を少
なくし、素子製作時の割れを少なくできた。
第９図は、本発明の第３の実施例を示し、受光面に形成
される溝２１が，直線状でなく、たがいに平行な曲線状
をなしている例である．本実施例によれば、光線の入射
方向が溝２１の方向と一致することがなく，入射方向に
よる反射率の差が低減される。
される溝２１が，直線状でなく、たがいに平行な曲線状
をなしている例である．本実施例によれば、光線の入射
方向が溝２１の方向と一致することがなく，入射方向に
よる反射率の差が低減される。
第１０図は本発明の第４実施例を示し，受光面に溝２１
のかわりに多数のたがいに接する穴状のくぼみ２１Ａが
設けられている。本実施例によれば、光の入射方向によ
る差がさらに少なくなるとともに、受光面導電層の断面
積も増加し、集電抵抗低下の効果がある。
のかわりに多数のたがいに接する穴状のくぼみ２１Ａが
設けられている。本実施例によれば、光の入射方向によ
る差がさらに少なくなるとともに、受光面導電層の断面
積も増加し、集電抵抗低下の効果がある。
本発明によれば、太陽電池素子の受光面に多数のくぼみ
が形成され、受光面導電層が該くぼみの面をおおって形
成されているので、入射した光の反射が少なくなるとと
もに，素子内の集電抵抗が低減され、変換効率が向上す
る効果がある。
が形成され、受光面導電層が該くぼみの面をおおって形
成されているので、入射した光の反射が少なくなるとと
もに，素子内の集電抵抗が低減され、変換効率が向上す
る効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例である太陽電池素子の受
光面を示す平面図、第２図は第１図のＡ部詳細を示す平
面図、第３図は第２図の■一■線矢視断面図、第４図は
第２図のｒＶ−ｒＶ線矢視断面図、第５図は本発明の第
２の実施例である太陽電池素子の裏面を示す平面図、第
６図は第５図のＡ部詳細を示す平面図、第７図は第６図
の■−■線矢視断面図、第８図は第６図の■−■線矢視
断面図、第９図は本発明の第３の実施例を示す斜視図で
，第１０図は本発明の第４の実施例を示す斜視図である
。 １・・・太陽電池素子、３・・受光面導電層、４・・・
裏面導電層、５・・裏面電極、１１・・・基板（多結晶
シリコン基板）．２１，２２，２３．２４・・・凹み（
溝）２１Ａ・・・凹み（穴）．５１．５２・・・裏面電
極、６１・・・受光面電極（受光面フィンガー電極）、
６２・・受光面電極（受光面バスバー電極）。
光面を示す平面図、第２図は第１図のＡ部詳細を示す平
面図、第３図は第２図の■一■線矢視断面図、第４図は
第２図のｒＶ−ｒＶ線矢視断面図、第５図は本発明の第
２の実施例である太陽電池素子の裏面を示す平面図、第
６図は第５図のＡ部詳細を示す平面図、第７図は第６図
の■−■線矢視断面図、第８図は第６図の■−■線矢視
断面図、第９図は本発明の第３の実施例を示す斜視図で
，第１０図は本発明の第４の実施例を示す斜視図である
。 １・・・太陽電池素子、３・・受光面導電層、４・・・
裏面導電層、５・・裏面電極、１１・・・基板（多結晶
シリコン基板）．２１，２２，２３．２４・・・凹み（
溝）２１Ａ・・・凹み（穴）．５１．５２・・・裏面電
極、６１・・・受光面電極（受光面フィンガー電極）、
６２・・受光面電極（受光面バスバー電極）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された受光面導電層と、該受光面導電
層に接して形成され発生する電流を集電する受光面電極
と、を備えた太陽電池素子において、前記基板の受光面
に多数の凹みが設けられ、前記受光面導電層は該凹みの
面を覆って形成されていることを特徴とする太陽電池素
子。 ２、凹みが、基板の受光面に形成された、互いに平行な
複数の溝であることを特徴とする請求項１に記載の太陽
電池素子。 ３、凹みが、基板の受光面に形成された、互いに接する
複数の穴であることを特徴とする請求項１に記載の太陽
電池素子。 ４、基板の受光面に互いに平行な複数の溝が形成されて
いることと、受光面電極は前記基板の受光面に前記複数
の溝に交叉する方向に設けられた溝に形成されているこ
とと、を特徴とする請求項２に記載の太陽電池素子。 ５、基板上に形成された受光面導電層と、該受光面導電
層に接して形成され発生する電流を集電する受光面電極
と、前記基板の前記受光面導電層が形成されている面の
反対側の面に形成された裏面導電層と、該裏面導電層に
接して形成された裏面電極と、を備えた太陽電池素子に
おいて、前記基板の受光面及び裏面に多数の凹みが設け
られ、前記受光面導電層及び前記裏面導電層は該多数の
凹みをおおって形成されていることを特徴とする太陽電
池素子。 ６、受光面導電層及び裏面導電層に設けられた凹みが、
互いに平行な複数の溝であることを特徴とする請求項５
に記載の太陽電池素子。 ７、受光面導電層側の溝の位置と、これに対応する裏面
導電層側の溝の位置が異なっていることを特徴とする請
求項６に記載の太陽電池素子。 ８、請求項１乃至７に記載の太陽電池素子を備えた太陽
電池。 ９、平行な２面を有するシリコン基板の一方の面に耐薬
品性のレジストをスクリーン印刷する手順と、前記シリ
コン基板の該耐薬品性のレジストが印刷された面を弗硝
酸エッチングして該基板面に溝を形成する手順と、弗硝
酸エッチング終了後に前記シリコン基板から前記レジス
トを洗浄除去する手順と、レジストが除去された前記シ
リコン基板全体をアルカリ溶液によってテクスチャーエ
ッチングする手順と、前記シリコン基板の溝が形成され
ている側の面に、導電層を形成する手順と、を備えた太
陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012606A JPH0697700B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012606A JPH0697700B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218684A true JPH03218684A (ja) | 1991-09-26 |
| JPH0697700B2 JPH0697700B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=11810014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012606A Expired - Fee Related JPH0697700B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697700B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084175A (en) * | 1993-05-20 | 2000-07-04 | Amoco/Enron Solar | Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts |
| KR100446593B1 (ko) * | 1997-03-05 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘태양전지및그제조방법 |
| JP2006286822A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136087A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-26 | Sharp Kk | |
| JPS57124483A (en) * | 1980-12-16 | 1982-08-03 | Siemens Ag | High efficiency solar battery |
| JPS57125551U (ja) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | ||
| JPS57143873A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of solar cell |
| JPS6169178A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS6466974A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Sharp Kk | Solar cell |
| JPH021991A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 光電変換デバイス |
| JPH0334583A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JPH0371677A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sharp Corp | 光電変換装置用基板の加工方法 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2012606A patent/JPH0697700B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136087A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-26 | Sharp Kk | |
| JPS57124483A (en) * | 1980-12-16 | 1982-08-03 | Siemens Ag | High efficiency solar battery |
| JPS57125551U (ja) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | ||
| JPS57143873A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of solar cell |
| JPS6169178A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS6466974A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Sharp Kk | Solar cell |
| JPH021991A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 光電変換デバイス |
| JPH0334583A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JPH0371677A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sharp Corp | 光電変換装置用基板の加工方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084175A (en) * | 1993-05-20 | 2000-07-04 | Amoco/Enron Solar | Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts |
| KR100446593B1 (ko) * | 1997-03-05 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘태양전지및그제조방법 |
| JP2006286822A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697700B2 (ja) | 1994-11-30 |
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