JPH0699422B2 - ４―位に液晶性残基を持つ光学活性１，３―ジオキソラン―誘導体、その製造方法および液晶組成物においてのドーパントとしてのそれの用途 - Google Patents
４―位に液晶性残基を持つ光学活性１，３―ジオキソラン―誘導体、その製造方法および液晶組成物においてのドーパントとしてのそれの用途Info
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- JPH0699422B2 JPH0699422B2 JP1186179A JP18617989A JPH0699422B2 JP H0699422 B2 JPH0699422 B2 JP H0699422B2 JP 1186179 A JP1186179 A JP 1186179A JP 18617989 A JP18617989 A JP 18617989A JP H0699422 B2 JPH0699422 B2 JP H0699422B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ 本発明は、４−位に液晶性残基を持つ光学活性1,3−ジ
オキソラン−誘導体、その製造方法および液晶組成物に
おいてのドーパントとしてのそれの用途に関する。
オキソラン−誘導体、その製造方法および液晶組成物に
おいてのドーパントとしてのそれの用途に関する。
［従来技術〕 液晶は特に最近の10年間に、電気光学的性質およびディ
スプレー装置用の性質が要求される種々の技術分野（例
えば、時計−、ポケット型計算器−およびタイプライタ
ー用ディスプレー）に使用されている。これらのディス
プレー装置は、液晶化合物のネマチック−、コレステリ
ック−および／またはスメクチック相における誘電的配
列効果を基礎としており、その際に−誘電異方性の結果
として−化合物の分子長軸が印加された電場において特
に有利な配列をする。これらのディスプレー装置の場合
の通例の切り換え時間は、特異な性質の為にそれ自体が
工業にとって非常に有望な化合物である液晶の多くの他
の潜在的な用途分野にとって非常に長過ぎる。この欠点
は、沢山の画像要素を制御し、結果として比較的大きな
面積を持つ電気器具、例えばビデオ装置、オシログラフ
またはテレビジョン、レーダー、EDV−またはワードプ
ロセッター用スクリーンの製造コストが極めて高く成り
過ぎる。
スプレー装置用の性質が要求される種々の技術分野（例
えば、時計−、ポケット型計算器−およびタイプライタ
ー用ディスプレー）に使用されている。これらのディス
プレー装置は、液晶化合物のネマチック−、コレステリ
ック−および／またはスメクチック相における誘電的配
列効果を基礎としており、その際に−誘電異方性の結果
として−化合物の分子長軸が印加された電場において特
に有利な配列をする。これらのディスプレー装置の場合
の通例の切り換え時間は、特異な性質の為にそれ自体が
工業にとって非常に有望な化合物である液晶の多くの他
の潜在的な用途分野にとって非常に長過ぎる。この欠点
は、沢山の画像要素を制御し、結果として比較的大きな
面積を持つ電気器具、例えばビデオ装置、オシログラフ
またはテレビジョン、レーダー、EDV−またはワードプ
ロセッター用スクリーンの製造コストが極めて高く成り
過ぎる。
極最近の僅か二三年の間にネマチック液晶およびコレス
テリック液晶の他に、光学活性スメクチック液晶相も益
々重要に成ってきている。
テリック液晶の他に、光学活性スメクチック液晶相も益
々重要に成ってきている。
クラーク（Clark）やラガーウエル（Lagerwall）は、非
常に薄いセルにおいて強誘電性液晶系を用いることが、
慣用のTN“捩ネマチック”セルの切り換え時間の1,000
倍まで迅速である切り換え時間を示す電気光学的スイッ
チング装置またはディスプレー要素をもたらすことを証
明することができた（例えば、Lagerwall等、“ディス
プレーの為の強誘電性液晶（Ferroelectric Liquid Cry
stals for Displays）”、SIDシンポジウム、1985年10
月会議、サンジエゴ、カルフォルニア、米国参照）。こ
れらの有利な性質および他の有利な性質−例えば双安定
切り換え性および殆ど視角に無関係なコントラスト−の
為に、強誘電性液晶は原則として上記の用途分野にとっ
て、例えばマトリックス制御による用途分野に非常に適
している。これは、傾斜スメクチック層を形成しそして
それ自体が光学活性である化合物を要求するかまたはこ
れが、この種のスメクチック層を形成するといえども、
それ自体が光学活性でない化合物に混入する為に、光学
活性化合物を用いることによって対掌性の傾斜スメクチ
ック層を誘発することを可能とする。この関係で所望の
相は、できるだけ広い温度範囲に渡って安定であるべき
である。
常に薄いセルにおいて強誘電性液晶系を用いることが、
慣用のTN“捩ネマチック”セルの切り換え時間の1,000
倍まで迅速である切り換え時間を示す電気光学的スイッ
チング装置またはディスプレー要素をもたらすことを証
明することができた（例えば、Lagerwall等、“ディス
プレーの為の強誘電性液晶（Ferroelectric Liquid Cry
stals for Displays）”、SIDシンポジウム、1985年10
月会議、サンジエゴ、カルフォルニア、米国参照）。こ
れらの有利な性質および他の有利な性質−例えば双安定
切り換え性および殆ど視角に無関係なコントラスト−の
為に、強誘電性液晶は原則として上記の用途分野にとっ
て、例えばマトリックス制御による用途分野に非常に適
している。これは、傾斜スメクチック層を形成しそして
それ自体が光学活性である化合物を要求するかまたはこ
れが、この種のスメクチック層を形成するといえども、
それ自体が光学活性でない化合物に混入する為に、光学
活性化合物を用いることによって対掌性の傾斜スメクチ
ック層を誘発することを可能とする。この関係で所望の
相は、できるだけ広い温度範囲に渡って安定であるべき
である。
液晶の均一な平面配向は、電気光学的構造要素において
良好なコントラスト比を達成するのに必要である。SA *
及びSc相における良好な配向は、温度の低下時における
液晶組成物の相順序が以下の通りである場合に得ること
ができる： 等方性→N*→SA *→Sc * N*−相における螺旋のピッチが非常に大きい（10μｍよ
り大きい）かまたはピッチが更に良好に完全に相殺され
ることが前提条件である（T.Matumoto等、第468-470
頁、Proc.of the 6th Int.Display Resach Conf.、Japa
n Display、1986年９月30〜10月２日、東京、日本;M.Mu
rakami等、同一文献、第344-347頁）。これは、N*−相
において例えば左旋回螺旋を示す対掌性液晶組成物に右
旋回螺旋を生ぜしめる別の光学活性ドーパントを、螺旋
が完全にまたは少なくとも殆ど（ピッチ＞10μｍ）相殺
されるのに充分な量で添加することによって達成され
る。
良好なコントラスト比を達成するのに必要である。SA *
及びSc相における良好な配向は、温度の低下時における
液晶組成物の相順序が以下の通りである場合に得ること
ができる： 等方性→N*→SA *→Sc * N*−相における螺旋のピッチが非常に大きい（10μｍよ
り大きい）かまたはピッチが更に良好に完全に相殺され
ることが前提条件である（T.Matumoto等、第468-470
頁、Proc.of the 6th Int.Display Resach Conf.、Japa
n Display、1986年９月30〜10月２日、東京、日本;M.Mu
rakami等、同一文献、第344-347頁）。これは、N*−相
において例えば左旋回螺旋を示す対掌性液晶組成物に右
旋回螺旋を生ぜしめる別の光学活性ドーパントを、螺旋
が完全にまたは少なくとも殆ど（ピッチ＞10μｍ）相殺
されるのに充分な量で添加することによって達成され
る。
従来技術からは、上述の幾つかの性質を持つ化合物が既
に公知であるが、−化合物の種類及び数に依存して−工
業に適合する液晶組成物の製造は相当に複雑な操作であ
るのでドーピング剤を広範囲から選択することを必要と
している。特に、僅かな添加量で添加した時に高い捻じ
れ能力を示しそして上記の相殺を実現し、その際に要求
され且つ組成物の“成分が持つ”他の性質（例えば、高
い自然偏光Ps）にマイナスの影響を及ぼさない化合物が
探究されている。
に公知であるが、−化合物の種類及び数に依存して−工
業に適合する液晶組成物の製造は相当に複雑な操作であ
るのでドーピング剤を広範囲から選択することを必要と
している。特に、僅かな添加量で添加した時に高い捻じ
れ能力を示しそして上記の相殺を実現し、その際に要求
され且つ組成物の“成分が持つ”他の性質（例えば、高
い自然偏光Ps）にマイナスの影響を及ぼさない化合物が
探究されている。
［発明の解決しようとする課題］ 従って、本発明の課題は、かゝる性質を持ち且つ非常に
広範な液晶組成物との相容性がある新規の化合物を合成
することである。
広範な液晶組成物との相容性がある新規の化合物を合成
することである。
［発明の構成］ 本発明は、４−位に液晶性残基を持ち且つ一般式（Ｉ） 〔式中、R1は または炭素原子数１〜16の直鎖状または分枝状アルキル
基または炭素原子数３〜16の直鎖状または分枝状アルケ
ニル基であり、但しこれらの基自体が不斉炭素原子を有
していてもよく、一つのまたは隣接していない複数の-C
H2-が−Ｏ−、−Ｓ−、−CO−、−Ｏ−CO−および／ま
たは−CO−Ｏ−でそして一つ以上のＨがＦ、Cl、Brまた
はCNで交換されていてもよく、 R2およびR3はそれぞれ水素原子または炭素原子数１〜10
のアルキル基であり、但しアルキル基の一つ以上のＨが
Ｆで交換されていてもよくまたは R2およびR3はジオキソラン環のＣ（２）原子と一緒にな
ってシクロペンタン−、シクロヘキサン−またはシクロ
ヘプタン環またはケト基を形成してもよく、 R4は水素原子または炭素原子数１〜10のアルキル基また
は炭素原子数２〜10のアルケニル基であり、 ｊおよびｌは０、１または２であり、 ｋおよびｍは０または１であり、 ｎは０、１または２であり、 但し、ｊおよび／またはｌが０である場合にはｋは０で
あり、ｎが０である場合にはｍは０でありそしてｊ＋ｌ
＋ｎの合計が１以上且つ３以下であり、 -A1および-A2は -A3は、 -M1および-M2は−CO−Ｏ、−Ｏ−CO、-CH2CH2、−CH＝C
H−、-CH2O、-OCH2または−Ｃ＝Ｃ−でありそして ＸがＯ、ＳまたはＯ−CO−Ｏである。］ で表される光学活性の1,3−ジオキソラン−誘導体に関
する。
基または炭素原子数３〜16の直鎖状または分枝状アルケ
ニル基であり、但しこれらの基自体が不斉炭素原子を有
していてもよく、一つのまたは隣接していない複数の-C
H2-が−Ｏ−、−Ｓ−、−CO−、−Ｏ−CO−および／ま
たは−CO−Ｏ−でそして一つ以上のＨがＦ、Cl、Brまた
はCNで交換されていてもよく、 R2およびR3はそれぞれ水素原子または炭素原子数１〜10
のアルキル基であり、但しアルキル基の一つ以上のＨが
Ｆで交換されていてもよくまたは R2およびR3はジオキソラン環のＣ（２）原子と一緒にな
ってシクロペンタン−、シクロヘキサン−またはシクロ
ヘプタン環またはケト基を形成してもよく、 R4は水素原子または炭素原子数１〜10のアルキル基また
は炭素原子数２〜10のアルケニル基であり、 ｊおよびｌは０、１または２であり、 ｋおよびｍは０または１であり、 ｎは０、１または２であり、 但し、ｊおよび／またはｌが０である場合にはｋは０で
あり、ｎが０である場合にはｍは０でありそしてｊ＋ｌ
＋ｎの合計が１以上且つ３以下であり、 -A1および-A2は -A3は、 -M1および-M2は−CO−Ｏ、−Ｏ−CO、-CH2CH2、−CH＝C
H−、-CH2O、-OCH2または−Ｃ＝Ｃ−でありそして ＸがＯ、ＳまたはＯ−CO−Ｏである。］ で表される光学活性の1,3−ジオキソラン−誘導体に関
する。
上記の式から、最も近似した基が最も右の分子部分に結
合しているように理解できる。
合しているように理解できる。
特に有利な実施形態において、一般式（Ｉ）中の各記号
は以下の意味を有する： R1は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数４〜
14の直鎖状または分枝状アルキル−またはアルケニル
基、またはその際一つの-CH2-が−Ｏ−，−Ｓ−または
−Ｏ−CO−で交換されていてもよくまたは一つ以上のＨ
がＦで交換されていてもよい、 R2、R3、R4が水素原子または炭素原子数１〜５のアルキ
ル基であるか、またはR2およびR3はジオキソラン環のＣ
（２）原子と一緒になってシクロペンタ環、シクロヘキ
サン環またはケト基を形成してもよく、 ｊおよびｌは０または１であり、 ｋ、ｍはおよびｎは０または１であり、 -M1および-M2は−CO−Ｏまたは−Ｏ−COでありそして ＸはＯまたは−Ｏ−CO−Ｏある。
は以下の意味を有する： R1は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数４〜
14の直鎖状または分枝状アルキル−またはアルケニル
基、またはその際一つの-CH2-が−Ｏ−，−Ｓ−または
−Ｏ−CO−で交換されていてもよくまたは一つ以上のＨ
がＦで交換されていてもよい、 R2、R3、R4が水素原子または炭素原子数１〜５のアルキ
ル基であるか、またはR2およびR3はジオキソラン環のＣ
（２）原子と一緒になってシクロペンタ環、シクロヘキ
サン環またはケト基を形成してもよく、 ｊおよびｌは０または１であり、 ｋ、ｍはおよびｎは０または１であり、 -M1および-M2は−CO−Ｏまたは−Ｏ−COでありそして ＸはＯまたは−Ｏ−CO−Ｏある。
本発明の特に有利な別の実施形態では、1,3−ジオキソ
ラン誘導体は、一般式（IV） 〔式中、R6およびR7がメチル基または、ジオキソラン環
のＣ（２）原子と一緒になってシクロヘキサン環を意味
し、 R5は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数６〜
12の直鎖状または分枝状アルキル−またはアルケニル基
を意味し、 -M3は−Ｏ、−Ｓまたは−Ｏ−COを意味しそして -A4は で表される。
ラン誘導体は、一般式（IV） 〔式中、R6およびR7がメチル基または、ジオキソラン環
のＣ（２）原子と一緒になってシクロヘキサン環を意味
し、 R5は不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数６〜
12の直鎖状または分枝状アルキル−またはアルケニル基
を意味し、 -M3は−Ｏ、−Ｓまたは−Ｏ−COを意味しそして -A4は で表される。
一般式（Ｉ）、特に式（IV）の新規の化合物には、有利
なものとして実施例に名称で挙げた化合物が包含されて
いる。
なものとして実施例に名称で挙げた化合物が包含されて
いる。
一般式（Ｉ）の化合物を製造する為には、一般式（II） R1(-A1)j(-M1)k(-A2)l(-M2)m(-A3)n-X-H （II） で表される液晶性フェノール類、チオフェノ
ール類またはカルボン酸モノエステルを式（III） ［式中、Ｙは適当な脱離基である。］ で表される1,3−ジオキソラン−誘導体と反応させるこ
とによって製造される。
ール類またはカルボン酸モノエステルを式（III） ［式中、Ｙは適当な脱離基である。］ で表される1,3−ジオキソラン−誘導体と反応させるこ
とによって製造される。
式（II）中Ｘ＝Ｏの化合物と式（III）中Ｙ＝OHの化合
物とをアゾジカルボン酸エステル及びチオフェニルホス
フィンの存在下に反応させて（Ｉ）とすることができ
る。これにはミツノブ反応（Mitunobu Reaktion）とし
て当業者に知られている方法を用いる［例えば、J.Che
m.Soc.Perkin Trans1975、第461頁参照］。しかしなが
ら式（III）の化合物とＹが代表的な脱離基、例えばメ
チル−スルホニル、トリフルオルメチルスルホニル、４
−トルエンスルホニルまたは（求核置換反応の標準的な
文献から）当業者に知られている他の脱離基である式
（II）から誘導されるアルカリ金属塩またはアルカリ土
類金属塩とを反応させることもできる。
物とをアゾジカルボン酸エステル及びチオフェニルホス
フィンの存在下に反応させて（Ｉ）とすることができ
る。これにはミツノブ反応（Mitunobu Reaktion）とし
て当業者に知られている方法を用いる［例えば、J.Che
m.Soc.Perkin Trans1975、第461頁参照］。しかしなが
ら式（III）の化合物とＹが代表的な脱離基、例えばメ
チル−スルホニル、トリフルオルメチルスルホニル、４
−トルエンスルホニルまたは（求核置換反応の標準的な
文献から）当業者に知られている他の脱離基である式
（II）から誘導されるアルカリ金属塩またはアルカリ土
類金属塩とを反応させることもできる。
式（II）の種類の化合物の製造方法は、当業者にとって
公知である（例えば、Zaschke等、“Fluessige Kristal
le in Tabellen（表の液晶）”、第Ｉ及びII巻、・・
・〕。即ち、式（II）の種類のカルボン酸モノエステル
は例えば相応するフェノールとホスゲンとから有機系塩
基の存在下に製造される。
公知である（例えば、Zaschke等、“Fluessige Kristal
le in Tabellen（表の液晶）”、第Ｉ及びII巻、・・
・〕。即ち、式（II）の種類のカルボン酸モノエステル
は例えば相応するフェノールとホスゲンとから有機系塩
基の存在下に製造される。
一般に式（III）の化合物は市販されているかまたは文
献、例えばTetrahedron42、447（1986）に従って製造で
きる。化合物（Ｉ）は原則としてクロマトグラフィーお
よび／または結晶化によって精製できる。
献、例えばTetrahedron42、447（1986）に従って製造で
きる。化合物（Ｉ）は原則としてクロマトグラフィーお
よび／または結晶化によって精製できる。
本発明の別の対象である液晶組成物、特に強誘電性液晶
組成物は、液晶相を形成しそして一般式（Ｉ）の光学活
性化合物を少なくとも一種類含有している。
組成物は、液晶相を形成しそして一般式（Ｉ）の光学活
性化合物を少なくとも一種類含有している。
本発明の液晶組成物は液晶相を形成しそして一般式
（Ｉ）の少なくとも一種類の光学活性化合物を含有して
いる。
（Ｉ）の少なくとも一種類の光学活性化合物を含有して
いる。
“液晶相”なる概念にはネマチック−、コレステリック
−、直交性スメクチック−または傾斜スメクチック相、
特にS* C−相を意味する。この液晶組成物は２〜20成
分、２〜15成分より成り、その内の少なくとも一種類が
本発明の対掌性化合物である。
−、直交性スメクチック−または傾斜スメクチック相、
特にS* C−相を意味する。この液晶組成物は２〜20成
分、２〜15成分より成り、その内の少なくとも一種類が
本発明の対掌性化合物である。
他の成分は、ネマチック相、コレステリック相および／
またはスメクチック相を示す公知の化合物から選択する
のが有利である。これら化合物には例えばシッフ塩基、
ビスフェニル類、テルフェニル類（Terphenyle）、フェ
ニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビフェニール
類、Ｎ、ＳまたはＯ−含有ヘテロ環化合物、例えばピリ
ミジン類、桂皮酸エステル、コレステロールエステル、
種々の方法で橋架しそして末端極性基を持つｐ−アルキ
ル安息香酸の多核エステルが含まれる。市販の液晶組成
物は一般に、既に光学活性化合物の添加前に、少なくと
も一種類が液晶性である−即ち、誘導体の形−化合物と
してまたは特定の共成分との混合状態で少なくとも一種
類の互変（清澄温度＞溶融温度）のまたは単変（清澄温
度＞溶融温度）のメソ相形成が期待できる液晶相を示
す、非常に広範囲の成分の組成物として存在している。
またはスメクチック相を示す公知の化合物から選択する
のが有利である。これら化合物には例えばシッフ塩基、
ビスフェニル類、テルフェニル類（Terphenyle）、フェ
ニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビフェニール
類、Ｎ、ＳまたはＯ−含有ヘテロ環化合物、例えばピリ
ミジン類、桂皮酸エステル、コレステロールエステル、
種々の方法で橋架しそして末端極性基を持つｐ−アルキ
ル安息香酸の多核エステルが含まれる。市販の液晶組成
物は一般に、既に光学活性化合物の添加前に、少なくと
も一種類が液晶性である−即ち、誘導体の形−化合物と
してまたは特定の共成分との混合状態で少なくとも一種
類の互変（清澄温度＞溶融温度）のまたは単変（清澄温
度＞溶融温度）のメソ相形成が期待できる液晶相を示
す、非常に広範囲の成分の組成物として存在している。
液晶組成物は、本発明の光学活性化合物の少なくとも一
種類の他にSc−相を示すエステル化合物、例えばフェニ
ル−アルコキシ安息香酸、または窒素原子含有ヘテロ環
を持つビアロマチック化合物、例えばアルキルピリミジ
ニル−アルコキシ−ベンゼンを含有しているのが好まし
い。
種類の他にSc−相を示すエステル化合物、例えばフェニ
ル−アルコキシ安息香酸、または窒素原子含有ヘテロ環
を持つビアロマチック化合物、例えばアルキルピリミジ
ニル−アルコキシ−ベンゼンを含有しているのが好まし
い。
液晶組成物は本発明の化合物を一般に0.05〜70重量％、
特に0.1〜50重量％含有している。
特に0.1〜50重量％含有している。
本発明の化合物は、ネマチック−、コレステリック−お
よび／またはスメクチック相を示す液晶組成物、特に強
誘電性液晶組成物の為のドーパントとして特に適してい
る。ネマチック−および／またはコレステリック相にお
いては例えば、これらは高い捻じれ力を示し、僅かな添
加量ですら、ドーピングされた組成物の既に存在する別
の性質に本質的に不利な影響を及ぼすことなく、冒頭に
記載した捻じれ相殺を行うのに充分である。この種の非
常に特異な効果は工業に適合する組成物を開発するのに
極めて有益である。
よび／またはスメクチック相を示す液晶組成物、特に強
誘電性液晶組成物の為のドーパントとして特に適してい
る。ネマチック−および／またはコレステリック相にお
いては例えば、これらは高い捻じれ力を示し、僅かな添
加量ですら、ドーピングされた組成物の既に存在する別
の性質に本質的に不利な影響を及ぼすことなく、冒頭に
記載した捻じれ相殺を行うのに充分である。この種の非
常に特異な効果は工業に適合する組成物を開発するのに
極めて有益である。
特に、本発明に従う組成物はSc相において僅かな自然な
偏光（Ps）しか生じず、その結果極性に殆ど影響するこ
となしに組成物のピッチに顕著に作用する。それ故にこ
れらの化合物はそこに存在する自然な偏光の正負の記号
に無関係に強誘電性組成物において使用するのに有利で
ある［例えばR.B.Meyer等、J.Phys.（Paris）Lett.36、
Ｌ−69（1975）］。また本発明の化合物はSc相において
捻じれを生ぜしめ、この効果がSc *−相において捻じれ
を相殺するのにまたは、実地において使用するのに有利
である特別な値に調整するのに使用できる［例えば、T.
Tsuchiga等、Jpn.J.Appl.Phys.25、Ｌ−27（1986）］。
偏光（Ps）しか生じず、その結果極性に殆ど影響するこ
となしに組成物のピッチに顕著に作用する。それ故にこ
れらの化合物はそこに存在する自然な偏光の正負の記号
に無関係に強誘電性組成物において使用するのに有利で
ある［例えばR.B.Meyer等、J.Phys.（Paris）Lett.36、
Ｌ−69（1975）］。また本発明の化合物はSc相において
捻じれを生ぜしめ、この効果がSc *−相において捻じれ
を相殺するのにまたは、実地において使用するのに有利
である特別な値に調整するのに使用できる［例えば、T.
Tsuchiga等、Jpn.J.Appl.Phys.25、Ｌ−27（1986）］。
本発明の化合物の高い捻じれ力は、ネマチック相でさ
え、以前の“典型的な”ディスプレー技術において用い
ることを有利にも可能とする。しかしながらこの場合に
は、相殺でなく、対掌性ドーパントをできるだけ僅かに
添加することによって捻じれを達成することが重要であ
る。これは、現時点で（未だ）市場を支配するTN（捻じ
れネマチック）［M.Schadt等、Appl.Phys.Lett18、第12
7頁（1971）］及びいわゆるホワイト−タイラー・ディ
スプレー（White-Taylor display）［D.L.White等、J.A
ppl.Phys.45、第4718頁（1974）］またはSBE/STN（超複
屈折効果／超捻じれネマチック）ディスプレー［T.J.Sc
heffer等、Appl.Rhys.Lett.45、第1021頁（1984）］及
びそれの種々の変形ディスプレー、例えばOMI（オプテ
ィカル・モード・インターフェース）ディスプレー［M.
Schadt等、Appl.Phys.Lett.、50、第237頁（1987）］に
適合する。
え、以前の“典型的な”ディスプレー技術において用い
ることを有利にも可能とする。しかしながらこの場合に
は、相殺でなく、対掌性ドーパントをできるだけ僅かに
添加することによって捻じれを達成することが重要であ
る。これは、現時点で（未だ）市場を支配するTN（捻じ
れネマチック）［M.Schadt等、Appl.Phys.Lett18、第12
7頁（1971）］及びいわゆるホワイト−タイラー・ディ
スプレー（White-Taylor display）［D.L.White等、J.A
ppl.Phys.45、第4718頁（1974）］またはSBE/STN（超複
屈折効果／超捻じれネマチック）ディスプレー［T.J.Sc
heffer等、Appl.Rhys.Lett.45、第1021頁（1984）］及
びそれの種々の変形ディスプレー、例えばOMI（オプテ
ィカル・モード・インターフェース）ディスプレー［M.
Schadt等、Appl.Phys.Lett.、50、第237頁（1987）］に
適合する。
実施例１ （Ｓ）−４−（５−オクチル−ピリミジン−２−イル）
−フェニル（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−４−
イル）−メチルエーテル 1.38gのトリフェニルホスフィンを30mlのテトラヒドロ
フランに溶解した溶液に０℃で0.83mlのジエチル−アゾ
ジカルボキシラートを添加する。15分後に1.5gの４−
（５−オクチル−ピリミジン−２−イル）−フェノール
及び0.7gの（Ｓ）−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
−４−メタノールを添加しそしてこの混合物を２日間25
℃に維持する。溶剤を蒸留によって除きそして残渣をク
ロマトグラフィー（SiO2、95/5 CH2Cl2／酢酸エチル）
によって分離する。114.2℃の融点を有する所望の生成
物0.95gがｎ−ヘキサンでの再結晶処理の後に得られ
る。
−フェニル（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−４−
イル）−メチルエーテル 1.38gのトリフェニルホスフィンを30mlのテトラヒドロ
フランに溶解した溶液に０℃で0.83mlのジエチル−アゾ
ジカルボキシラートを添加する。15分後に1.5gの４−
（５−オクチル−ピリミジン−２−イル）−フェノール
及び0.7gの（Ｓ）−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
−４−メタノールを添加しそしてこの混合物を２日間25
℃に維持する。溶剤を蒸留によって除きそして残渣をク
ロマトグラフィー（SiO2、95/5 CH2Cl2／酢酸エチル）
によって分離する。114.2℃の融点を有する所望の生成
物0.95gがｎ−ヘキサンでの再結晶処理の後に得られ
る。
▲〔α〕22 D▼：＋6.6（ｃ＝５、CHCl3） 同様にして以下の化合物も得られる： 実施例２ （Ｓ）−４−（２−オクチルオキシ−ピリミジン−５−
イル）−フェニル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
−４−イル）−メチルエーテル 融点:90.2℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.1（ｃ＝５、CHCl3） 実施例３ （Ｓ）−４−（５−オクチルチオ−ピリミジン−５−イ
ル）−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
−４−イル）−メチルエーテル 融点:86.8℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.0（ｃ＝５、CHCl3） 実施例４ （Ｓ）−４−（２−オクチル−ピリミジン−５−イル）
−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−４
−イル）−メチルエーテル 融点:95.6℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.4（ｃ＝５、CHCl3） 実施例５ （Ｓ）−４−（５−オクチルオキシ−ピリミジン−２−
イル）−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラ
ン−４−イル）−メチルエーテル 融点:94.2℃ ▲〔α〕22 D▼：＋8.3（ｃ＝５、CHCl3） 実施例６ （Ｓ）−４−［５−（４−ヘキシルフェニル）−ピリミ
ジン−２−イル］−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−
ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:110℃、清澄点:164℃ ▲〔α〕22 D▼：＋3.9（ｃ＝５、CHCl3） 実施例７ （Ｓ）−４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）−
フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−４−
イル）メチルエーテル 融点:70.4℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.9（ｃ＝５、CHCl3） 実施例８ （Ｓ）−〔４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）−ベンゾイルオキシ］−フェニル−（−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテ
ル Ｘ 126 ▲Ｓ* A▼149N*175 Ｉ ▲〔α〕22 D▼：＋3.6（ｃ＝５、CHCl3） この化合物はそれ自体液晶であり、それ故に−対掌性ド
ーパントとしての機能の他に−液晶混合物の▲Ｓ* A▼−
相及びN*相範囲を拡げるのにも使用できる。
イル）−フェニル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
−４−イル）−メチルエーテル 融点:90.2℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.1（ｃ＝５、CHCl3） 実施例３ （Ｓ）−４−（５−オクチルチオ−ピリミジン−５−イ
ル）−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
−４−イル）−メチルエーテル 融点:86.8℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.0（ｃ＝５、CHCl3） 実施例４ （Ｓ）−４−（２−オクチル−ピリミジン−５−イル）
−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−４
−イル）−メチルエーテル 融点:95.6℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.4（ｃ＝５、CHCl3） 実施例５ （Ｓ）−４−（５−オクチルオキシ−ピリミジン−２−
イル）−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラ
ン−４−イル）−メチルエーテル 融点:94.2℃ ▲〔α〕22 D▼：＋8.3（ｃ＝５、CHCl3） 実施例６ （Ｓ）−４−［５−（４−ヘキシルフェニル）−ピリミ
ジン−２−イル］−フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−
ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:110℃、清澄点:164℃ ▲〔α〕22 D▼：＋3.9（ｃ＝５、CHCl3） 実施例７ （Ｓ）−４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）−
フェニル−（2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−４−
イル）メチルエーテル 融点:70.4℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.9（ｃ＝５、CHCl3） 実施例８ （Ｓ）−〔４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）−ベンゾイルオキシ］−フェニル−（−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテ
ル Ｘ 126 ▲Ｓ* A▼149N*175 Ｉ ▲〔α〕22 D▼：＋3.6（ｃ＝５、CHCl3） この化合物はそれ自体液晶であり、それ故に−対掌性ド
ーパントとしての機能の他に−液晶混合物の▲Ｓ* A▼−
相及びN*相範囲を拡げるのにも使用できる。
実施例９ （Ｓ）−４−［５−（1H,1H−ペルフルオロオクチルオ
キシ）−ピリミジン−２−イル］−フェニル（−2,2−
ジメチル−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエ
ーテル 融点:98.9℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.0（ｃ＝５、CHCl3） 実施例10 （Ｓ）−４−［５−（７−メチルノニルオキシ）−ピリ
ミジン−２−イル］−フェニル（−2,2−ジメチル−1,3
−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル Ｘ 56 SA 57 Ｉ ▲〔α〕22 D▼：＋9.7（ｃ＝５、CHCl3） SA−相の発生がこの化合物の、スメクチック相での特に
良好な相溶性をもたらす。
キシ）−ピリミジン−２−イル］−フェニル（−2,2−
ジメチル−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエ
ーテル 融点:98.9℃ ▲〔α〕22 D▼：＋4.0（ｃ＝５、CHCl3） 実施例10 （Ｓ）−４−［５−（７−メチルノニルオキシ）−ピリ
ミジン−２−イル］−フェニル（−2,2−ジメチル−1,3
−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル Ｘ 56 SA 57 Ｉ ▲〔α〕22 D▼：＋9.7（ｃ＝５、CHCl3） SA−相の発生がこの化合物の、スメクチック相での特に
良好な相溶性をもたらす。
以下の化合物を同様にして得るが、（Ｓ）−２−オキソ
−1,3−ジオキソラン−４−メタノールまたは５−プロ
ピル−４−メタノール誘導体を用いる： 実施例11 （Ｓ）−４−（５−オクチル−ピリミジン−２−イル）
−フェニル−（２−オキソ−1,3−ジオキソラン−４−
イル）−メチルエーテル 融点:122.4℃ ▲〔α〕22 D▼：−5.3（ｃ＝５、CHCl3） 実施例12 （Ｓ）−４−（２−（オクチルチオ−ピリミジン−５−
イル）−フェニル−（２−オキソ−1,3−ジオキソラン
−４−イル）−メチルエーテル 融点:104.9℃ ▲〔α〕22 D▼：−10.0（ｃ＝５、CHCl3） 実施例13 （Ｓ）−４−（２−（オクチルオキシ−ピリミジン−５
−イル）−フェニル−（２−オキソ−1,3−ジオキソラ
ン−４−イル）−メチルエーテル 融点:117.8℃ ▲〔α〕22 D▼：−8.9（ｃ＝５、CHCl3） 実施例14 ４−ドデシルオキシビフェニル−４′−イル（２−オキ
ソ−５−プロピル−1,3−ジオキソラン−４−イル）メ
チルエーテル 融点:94℃ 実施例15 シス−４−（４−ドデシルオキシベンゾイルオキシ）−
ビフェニル−４′−イル（２−オキソ−５−プロピル−
1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:122.5℃ 実施例16 トランス−４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）
−ビフェニル−４′−イル（２−オキソ−５−プロピル
−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 相転移:K 133.5 SA 146.5 Ｉ 実施例17 シス−［４−（５−オクチルオキシ−ピリミジン−２−
イル）−フェニル］−（２−オキソ−５−プロピル−1,
3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:100℃ 実施例18 トランス−［４−（５−オクチルオキシ−ピリミジン−
２−イル）−フェニル］−（２−オキソ−５−プロピル
−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:83℃ 実施例19 （Ｓ）−４−（２−オクチルオキシ−ピリミジン−５−
イル）−フェニル−［スピロ（1,3−ジオキソラン−2,
1′−シクロヘキサン）−４−イル］−メチルエーテル 0.72gのNaH（パラフィン油に溶解した50％濃度溶液）
を、100mlのジメチルホルムアミドに3gの４−（２−オ
クチルオキシピリミジン−５−イル）−フェニルを溶解
した溶液に添加し、そして反応が減衰した後に、4.89g
の（Ｓ）−2,3−Ｏ−シクロヘキシリデングリセロール
−トシラートを添加する。４時間後に500mlのH2Oを添加
し、この水性混合物をメチレンクロライドで抽出処理
し、そして抽出物をクロマトグラフィー（SiO2、99/1CH
2Cl2／酢酸エチル）によって分離する。93.4℃の融点を
有する所望の生成物2.0gがｎ−ヘキサンでの再結晶処理
の後に得られる。
−1,3−ジオキソラン−４−メタノールまたは５−プロ
ピル−４−メタノール誘導体を用いる： 実施例11 （Ｓ）−４−（５−オクチル−ピリミジン−２−イル）
−フェニル−（２−オキソ−1,3−ジオキソラン−４−
イル）−メチルエーテル 融点:122.4℃ ▲〔α〕22 D▼：−5.3（ｃ＝５、CHCl3） 実施例12 （Ｓ）−４−（２−（オクチルチオ−ピリミジン−５−
イル）−フェニル−（２−オキソ−1,3−ジオキソラン
−４−イル）−メチルエーテル 融点:104.9℃ ▲〔α〕22 D▼：−10.0（ｃ＝５、CHCl3） 実施例13 （Ｓ）−４−（２−（オクチルオキシ−ピリミジン−５
−イル）−フェニル−（２−オキソ−1,3−ジオキソラ
ン−４−イル）−メチルエーテル 融点:117.8℃ ▲〔α〕22 D▼：−8.9（ｃ＝５、CHCl3） 実施例14 ４−ドデシルオキシビフェニル−４′−イル（２−オキ
ソ−５−プロピル−1,3−ジオキソラン−４−イル）メ
チルエーテル 融点:94℃ 実施例15 シス−４−（４−ドデシルオキシベンゾイルオキシ）−
ビフェニル−４′−イル（２−オキソ−５−プロピル−
1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:122.5℃ 実施例16 トランス−４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）
−ビフェニル−４′−イル（２−オキソ−５−プロピル
−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 相転移:K 133.5 SA 146.5 Ｉ 実施例17 シス−［４−（５−オクチルオキシ−ピリミジン−２−
イル）−フェニル］−（２−オキソ−５−プロピル−1,
3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:100℃ 実施例18 トランス−［４−（５−オクチルオキシ−ピリミジン−
２−イル）−フェニル］−（２−オキソ−５−プロピル
−1,3−ジオキソラン−４−イル）−メチルエーテル 融点:83℃ 実施例19 （Ｓ）−４−（２−オクチルオキシ−ピリミジン−５−
イル）−フェニル−［スピロ（1,3−ジオキソラン−2,
1′−シクロヘキサン）−４−イル］−メチルエーテル 0.72gのNaH（パラフィン油に溶解した50％濃度溶液）
を、100mlのジメチルホルムアミドに3gの４−（２−オ
クチルオキシピリミジン−５−イル）−フェニルを溶解
した溶液に添加し、そして反応が減衰した後に、4.89g
の（Ｓ）−2,3−Ｏ−シクロヘキシリデングリセロール
−トシラートを添加する。４時間後に500mlのH2Oを添加
し、この水性混合物をメチレンクロライドで抽出処理
し、そして抽出物をクロマトグラフィー（SiO2、99/1CH
2Cl2／酢酸エチル）によって分離する。93.4℃の融点を
有する所望の生成物2.0gがｎ−ヘキサンでの再結晶処理
の後に得られる。
▲〔α〕22 D▼：＋8.0（ｃ＝５、CHCl3） 同様にして以下の化合物も得られる： 実施例20 （Ｓ）−４−（２−オクチルチオピリミジン−５−イ
ル）−フェニルオキシ−［スピロ（1,3−ジオキソラン
−2,1′−シクロヘキサン）−４−イル］−メチルエー
テル 融点:80.2℃ ▲〔α〕22 D▼：＋8.6（ｃ＝５、CHCl3） 実施例21 （Ｓ）−４−（２−オクチルピリミジン−５−イル）−
フェニル−［スピロ（1,3−ジオキソラン−2,1′−シル
クロヘキサン）−４−イル］−メチルエーテル 融点:91.3℃ ▲〔α〕22 D▼：＋8.3（ｃ＝５、CHCl3） 実施例22 （Ｓ）−４−［−４＜−（５−オクチルピリミジン−２
−イル）−フェニルオキシ＞−カルボニルオキシ−メチ
ル］−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン トルエンにホスゲンを溶解した15重量％濃度溶液9.9g
を、50mlのトルエンに4.3gの４−（５−オクチル−ピリ
ミジン−２−イル）−フェノール及び2.1gのN,N−ジメ
チルアニリンを溶解した溶液に添加する。この混合物を
24時間後に濾過し、そして濾液を1.2gのピリジンと混合
し、次いで2gの（Ｓ）−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソ
ラン−４−メタノールを０℃で滴加する。６時間後にこ
の混合物を濾過し、濾液から溶剤を減圧下に除きそして
残渣をクロマトグラフィー（SiO2、CH2Cl2）によって分
離する。47℃の融点を有する所望の生成物1.4gがｎ−ヘ
キサンでの再結晶処理の後に得られる。
ル）−フェニルオキシ−［スピロ（1,3−ジオキソラン
−2,1′−シクロヘキサン）−４−イル］−メチルエー
テル 融点:80.2℃ ▲〔α〕22 D▼：＋8.6（ｃ＝５、CHCl3） 実施例21 （Ｓ）−４−（２−オクチルピリミジン−５−イル）−
フェニル−［スピロ（1,3−ジオキソラン−2,1′−シル
クロヘキサン）−４−イル］−メチルエーテル 融点:91.3℃ ▲〔α〕22 D▼：＋8.3（ｃ＝５、CHCl3） 実施例22 （Ｓ）−４−［−４＜−（５−オクチルピリミジン−２
−イル）−フェニルオキシ＞−カルボニルオキシ−メチ
ル］−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン トルエンにホスゲンを溶解した15重量％濃度溶液9.9g
を、50mlのトルエンに4.3gの４−（５−オクチル−ピリ
ミジン−２−イル）−フェノール及び2.1gのN,N−ジメ
チルアニリンを溶解した溶液に添加する。この混合物を
24時間後に濾過し、そして濾液を1.2gのピリジンと混合
し、次いで2gの（Ｓ）−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソ
ラン−４−メタノールを０℃で滴加する。６時間後にこ
の混合物を濾過し、濾液から溶剤を減圧下に除きそして
残渣をクロマトグラフィー（SiO2、CH2Cl2）によって分
離する。47℃の融点を有する所望の生成物1.4gがｎ−ヘ
キサンでの再結晶処理の後に得られる。
▲〔α〕22 D▼：−5.1（ｃ＝1.5、CHCl3） 測定の為に用いた方法： （非対掌性）溶剤を僅かな量の対掌性化合物と混合する
場合には、平面偏光させた光の平面が（特徴を示す）角
度αだけ捩じれる。この角度は次のように表示される： ▲〔α〕T D▼（ｃ＝ｘ、Ｓ） この場合、ｘは溶液の濃度（g/l）であり、Ｓは溶剤で
あり、Ｄは589nm（NaD−線）をそしてＴは溶液の温度を
意味する。捩じれ角は光が10cm貫通した後に偏光測定装
置で測定する。
場合には、平面偏光させた光の平面が（特徴を示す）角
度αだけ捩じれる。この角度は次のように表示される： ▲〔α〕T D▼（ｃ＝ｘ、Ｓ） この場合、ｘは溶液の濃度（g/l）であり、Ｓは溶剤で
あり、Ｄは589nm（NaD−線）をそしてＴは溶液の温度を
意味する。捩じれ角は光が10cm貫通した後に偏光測定装
置で測定する。
用途例A1〜A13 HTP（螺旋捻じれ力）値の測定−即ち、捻じれ力の測定
−は、Kassubek等、Mol.Cryst.Liq.Cryst.8、第305〜31
4頁（1969）に記載された方法で実施する。これはネマ
チックのホスト混合物中に対掌性ドーパントを混入する
ことによって行う。即ち、平面に置いたくさび型セルに
試験用混合物を充填し、そしてコレステリック螺旋ピッ
チを、偏光マイクロスコープ中の転位線を（セルの既知
のくさび角で）測定することによって測定する。ピッチ
の正負の符号はアナライザーを回転することによって測
定することができる。
−は、Kassubek等、Mol.Cryst.Liq.Cryst.8、第305〜31
4頁（1969）に記載された方法で実施する。これはネマ
チックのホスト混合物中に対掌性ドーパントを混入する
ことによって行う。即ち、平面に置いたくさび型セルに
試験用混合物を充填し、そしてコレステリック螺旋ピッ
チを、偏光マイクロスコープ中の転位線を（セルの既知
のくさび角で）測定することによって測定する。ピッチ
の正負の符号はアナライザーを回転することによって測
定することができる。
ピッチＰが分かった時に、HTPは次の式から算出する： HTP＝1/p.X 式中、Ｘは対掌性ドーパントのモル分率である。用いる
ホスト混合物の量をＡ〜Ｄで示す。HTP値を第１表から
知ることができる。ホスト混合物は以下の範囲のコレス
テリック相を持つ： Ａ 78〜83℃ Ｂ 77〜98℃ Ｃ 90〜105℃ Ｄ 61〜67℃ 結果は、高いHTP値が得られること及び広い幅の所望の
ピッチが僅かな添加量の本発明の化合物にて可能である
ことを示している。
ホスト混合物の量をＡ〜Ｄで示す。HTP値を第１表から
知ることができる。ホスト混合物は以下の範囲のコレス
テリック相を持つ： Ａ 78〜83℃ Ｂ 77〜98℃ Ｃ 90〜105℃ Ｄ 61〜67℃ 結果は、高いHTP値が得られること及び広い幅の所望の
ピッチが僅かな添加量の本発明の化合物にて可能である
ことを示している。
強誘電性（スメクチックC*）液晶組成物のピッチを相殺
する為にドーパントを用いるには、たとえ捻じり力が高
くとも、（スメクチックC*相で）同時に誘発される自然
偏光（Ps）を出来るだけ低くするのが有利であり、その
場合には別の対掌性成分との符号相容性を全くまたは殆
ど注意する必要がない。これは、本発明の化合物を用い
る場合に可能である（第２表参照）。Ps値はSawyer-Tow
er法［K.Skarp等、Ferroelectric Letters6、67（198
6）］に従って、ホスト混合物においてドーパント（ス
メクチックC*相;14〜51℃）の10重量％濃度の混合物で2
5℃で測定する。工業において使用できる混合物は、≧5
nC/cm2のPs値を有するべきである。即ち、低い自然偏光
の所望の対象物が得られる。
する為にドーパントを用いるには、たとえ捻じり力が高
くとも、（スメクチックC*相で）同時に誘発される自然
偏光（Ps）を出来るだけ低くするのが有利であり、その
場合には別の対掌性成分との符号相容性を全くまたは殆
ど注意する必要がない。これは、本発明の化合物を用い
る場合に可能である（第２表参照）。Ps値はSawyer-Tow
er法［K.Skarp等、Ferroelectric Letters6、67（198
6）］に従って、ホスト混合物においてドーパント（ス
メクチックC*相;14〜51℃）の10重量％濃度の混合物で2
5℃で測定する。工業において使用できる混合物は、≧5
nC/cm2のPs値を有するべきである。即ち、低い自然偏光
の所望の対象物が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 417/12 ３１７ 9051−4Ｃ Ｃ０９Ｋ 19/34 9279−4Ｈ 19/54 Ｂ 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 ハンス‐ロルフ・デユバール ドイツ連邦共和国、ケ‐ニッヒシユタイン ／タウヌス、ホイホ‐ルウエーク、６ (72)発明者 クラウス・エッシエル ドイツ連邦共和国、ミユータール、アムゼ ル ウエーク、３ (72)発明者 ウオルフガング・ヘムメルリング ドイツ連邦共和国、ズルツバッハ／タウヌ ス、ビルタール ストラーセ、332 (72)発明者 井野口 義夫 東京都保谷市富士町４―４―12―201 (72)発明者 イングリート・ミユラー ドイツ連邦共和国、ホーフハイム・アム・ タウヌス、アム、プフイングストブルンネ ン、１ (72)発明者 デイーター・オーレンドルフ ドイツ連邦共和国、リーデルバッハ、ア ム・キユーレン、グルント、４ (56)参考文献 欧州特許公開306195（ＥＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】４−位に液晶性残基を持ち且つ一般式
（Ｉ） 〔式中、R1は または炭素原子数１〜16の直鎖状または分枝状アルキル
基または炭素原子数３〜16の直鎖状または分枝状アルケ
ニル基であり、但しこれらの基自体が不斉炭素原子を有
していてもよく、一つのまたは隣接していない複数の-C
H2-が−Ｏ−、−Ｓ−、−CO−、−Ｏ−CO−および／ま
たは−CO−Ｏ−でそして一つ以上のＨがＦ、Cl、Brまた
はCNで交換されていてもよく、 R2およびR3はそれぞれ水素原子または炭素原子数１〜10
のアルキル基であり、但しアルキル基の一つ以上のＨが
Ｆで交換されていてもよくまたは R2およびR3はジオキソラン環のＣ（２）原子と一緒にな
ってシクロペンタン−、シクロヘキサン−またはシクロ
ヘプタン環またはケト基を形成してもよく、 R4は水素原子または炭素原子数１〜10のアルキル基また
は炭素原子数２〜10のアルケニル基であり、 ｊおよびｌは０、１または２であり、 ｋおよびｍは０または１であり、 ｎは０、１または２であり、 但し、ｊおよび／またはｌが０である場合にはｋは０で
あり、ｎが０である場合にはｍは０でありそしてｊ＋ｌ
＋ｎの合計が１以上且つ３以下であり、 -A1および-A2は -A3は、 -M1および-M2は−CO−Ｏ、−Ｏ−CO、-CH2CH2、−CH＝C
H−、-CH2O、-OCH2または−Ｃ＝Ｃ−でありそして ＸがＯ、ＳまたはＯ−CO−Ｏである。］ で表される光学活性の1,3−ジオキソラン−誘導体。 - 【請求項２】請求項１に記載の一般式（Ｉ）で表される
少なくとも一種類の光学活性の1,3−ジオキソラン−誘
導体を含有する液晶組成物。 - 【請求項３】請求項１に記載の一般式（Ｉ）で表される
少なくとも一種類の光学活性の1,3−ジオキソラン−誘
導体を含有する強誘電性液晶組成物。 - 【請求項４】請求項２に記載の液晶組成物を含有する電
気光学的スイッチング−またはディスプレー構成要素。 - 【請求項５】請求項１に記載の一般式（Ｉ）の光学活性
の1,3−ジオキソラン−誘導体を製造するに当たって、
一般式（II） R1(-A1)j(-M1)k(-A2)l(-M2)m(-A3)n-X-H （II） で表される液晶性フェノール類、チオフェノール類また
はカルボン酸モノエステルを式（III） ［式中、Ｙは適当な脱離基である。］ で表される1,3−ジオキソラン−誘導体と反応させるこ
とを特徴とする、上記1,3−ジオキソラン−誘導体の製
造方法。
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| DE3824902A DE3824902A1 (de) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | Optisch aktive, in 4-stellung einen mesogenen rest tragende 1,3-dioxolan-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als dotierstoffe in fluessigkristallmischungen |
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| SG50560A1 (en) * | 1989-11-01 | 2000-10-24 | Rolic Ag | Light control systems with liquid crystals |
| DE4116750A1 (de) * | 1991-05-23 | 1992-11-26 | Hoechst Ag | Optisch aktive 1,3-dioxolane als dotierungskomponenten in fluessigkristallmischungen |
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| WO2014185425A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 液晶化合物、液晶性イオン伝導体、液晶電解質及び色素増感太陽電池 |
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| WO2020122908A1 (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | Gentex Corporation | Low-volatile electro-optic electrolyte solvents containing cylic organic carbonates |
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| CN114853717A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-08-05 | 西北工业大学 | 一种光控离子传输的液晶态电解质及其制备方法 |
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| US4424372A (en) * | 1982-09-20 | 1984-01-03 | Timex Corporation | 4-Substituted phenyl 4'-(5-N-alkyl-1,3-dioxan-2-yl) thiobenzoates |
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| DE3604899A1 (de) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Hoechst Ag | Chirale umsetzungsprodukte aus mesogenen molekuelbausteinen und bifunktionell reaktionsfaehigen butantetraolderivaten und ihre verwendung als dotierstoff in fluessigkristall-phasen |
| JPS63179835A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-07-23 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | シクロペンタン誘導体 |
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| DE3713273A1 (de) * | 1987-04-18 | 1988-11-03 | Hoechst Ag | Verwendung von optisch aktiven 1,3-dioxolan-4-carbonsaeureestern als dotierstoffe in fluessigkristallmischungen, diese enthaltende fluessigkristallmischungen und neue optisch aktive 1,3-dioxolan-4-carbonsaeureester |
| JPS6463571A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-09 | Chisso Corp | Optically active-2,5-diphenylpyridines |
| DE3823154A1 (de) * | 1988-07-08 | 1990-01-11 | Hoechst Ag | Neue ferroelektrische fluessigkristalline polymere |
| DE3832503A1 (de) * | 1988-09-24 | 1990-03-29 | Hoechst Ag | Neue optisch aktive ester der 5-ethyl- und der 5-vinyl-1,3-dioxolan-4-carbonsaeure, ihre verwendung als dotierstoffe in fluessigkristallmischungen und die neuen ester enthaltende fluessigkristallmischungen |
| ATE198195T1 (de) * | 1992-06-09 | 2001-01-15 | Aventis Res & Tech Gmbh & Co | 3-fluorpyridine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in flüssigkristallmischungen |
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-
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