JPH02110189A - カイラルスメクチック液晶組成物 - Google Patents
カイラルスメクチック液晶組成物Info
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- JPH02110189A JPH02110189A JP1052466A JP5246689A JPH02110189A JP H02110189 A JPH02110189 A JP H02110189A JP 1052466 A JP1052466 A JP 1052466A JP 5246689 A JP5246689 A JP 5246689A JP H02110189 A JPH02110189 A JP H02110189A
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- compound
- formula
- smectic
- phase
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明はカイラルスメクチックC相を呈する液晶組成
物に関する。さらに詳しくは、大容量や広視角の表示に
適した強誘電性液晶表示に用いるカイラルスメクチック
C相を呈する液晶組成物に関する。
物に関する。さらに詳しくは、大容量や広視角の表示に
適した強誘電性液晶表示に用いるカイラルスメクチック
C相を呈する液晶組成物に関する。
(ロ)従来の技術
現任液晶表示素子では液晶のネマチック相を利用したも
のが主流を占めているが、近年ではこれに加えてスメク
チック相を利用した種々の表示モードの研究も盛んに行
われている。特にカイラルなスメクチックC相を利用し
た強誘電性液晶による液晶表示は大容量表示が可能な点
及び視角が広い点から有望視されている。
のが主流を占めているが、近年ではこれに加えてスメク
チック相を利用した種々の表示モードの研究も盛んに行
われている。特にカイラルなスメクチックC相を利用し
た強誘電性液晶による液晶表示は大容量表示が可能な点
及び視角が広い点から有望視されている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかし、強誘電性液晶表示の場合通常のTN(Twis
ted Nematic)表示と異なりスメクチックC
相でのメモリー特性を利用するため、表示容量が増すに
つれて応答速度の向上が必要となる。例えば、1画面を
1/80secで書き換え、■ラインの書き換えに4つ
のパルスを印加する駆動法を用いると、応答速度τで表
示可能なライン数りとの関係は、 4 X r X L
= l/60secとなり、ライン数の多い大容量液
晶表示素子に適用するためには、液晶に著しく高い応答
速度が要求される。
ted Nematic)表示と異なりスメクチックC
相でのメモリー特性を利用するため、表示容量が増すに
つれて応答速度の向上が必要となる。例えば、1画面を
1/80secで書き換え、■ラインの書き換えに4つ
のパルスを印加する駆動法を用いると、応答速度τで表
示可能なライン数りとの関係は、 4 X r X L
= l/60secとなり、ライン数の多い大容量液
晶表示素子に適用するためには、液晶に著しく高い応答
速度が要求される。
従って、従来強誘電性液晶表示に用いる液晶として、ネ
マチック液晶の場合と同様に液晶に望まれる種々の条件
を満足するよう摸数の化合物を混合した液晶組成物が用
いられるが、現時点では未だ応答速度の点で十分満足の
ゆくものは得られていない。
マチック液晶の場合と同様に液晶に望まれる種々の条件
を満足するよう摸数の化合物を混合した液晶組成物が用
いられるが、現時点では未だ応答速度の点で十分満足の
ゆくものは得られていない。
また、強誘電性液晶表示に用いる液晶組成物に望まれる
性質は上に述べたような高速応答性の他に次のようなも
のがある。まず当然の事ながら室温付近でスメクチック
C相を示すことが必要である。また、良好な液晶の配向
を得るためにrAC(isotropic−smect
icA−smect 1cc)又はINAC(iso
tropic−nemaLic−smectic人−s
mecticc)相系列を液晶組成物が示すことが望ま
しい。
性質は上に述べたような高速応答性の他に次のようなも
のがある。まず当然の事ながら室温付近でスメクチック
C相を示すことが必要である。また、良好な液晶の配向
を得るためにrAC(isotropic−smect
icA−smect 1cc)又はINAC(iso
tropic−nemaLic−smectic人−s
mecticc)相系列を液晶組成物が示すことが望ま
しい。
この発明は、かかる状況下なされたものであり、ことに
、応答速度が高いカイラルスメクチック液晶組成物を提
供しようとするものであり、さらに常温付近でスメクチ
ックC相を示し所望の液晶相系列を示すスメクチック液
晶組成物を提供しようとするものである。
、応答速度が高いカイラルスメクチック液晶組成物を提
供しようとするものであり、さらに常温付近でスメクチ
ックC相を示し所望の液晶相系列を示すスメクチック液
晶組成物を提供しようとするものである。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明の発明者らは、上記観点から鋭意研究を行なっ
た結果、スメクチックC相を呈する液晶化合物中に、式
(A)で示される化合物を少量添加することにより、高
速応答性を示すと共に、先に述べたような強誘電性液晶
表示に用いる液晶組成物に望まれる性質を満足するカイ
ラルスメクチック液晶組成物を得ることができる事実を
見出し、この発明に到達した。
た結果、スメクチックC相を呈する液晶化合物中に、式
(A)で示される化合物を少量添加することにより、高
速応答性を示すと共に、先に述べたような強誘電性液晶
表示に用いる液晶組成物に望まれる性質を満足するカイ
ラルスメクチック液晶組成物を得ることができる事実を
見出し、この発明に到達した。
かくしてこの発明によれば、スメクチックC相を呈する
液晶化合物に、下式(A): (式中、R,とR2は、同−又は異なって、直鎖状又は
分岐状で炭素数1〜12のアルキル基を示す。
液晶化合物に、下式(A): (式中、R,とR2は、同−又は異なって、直鎖状又は
分岐状で炭素数1〜12のアルキル基を示す。
*はそのCが光学活性炭素原子であることを示す)で表
わされる化合物の少なくとも1種を添加してなるカイラ
ルスメクチック液晶組成物が提供される。
わされる化合物の少なくとも1種を添加してなるカイラ
ルスメクチック液晶組成物が提供される。
この発明で用いる上記式(A)化合物はそれ自体文献未
記載の新規化合物である。
記載の新規化合物である。
なお、式(A)ならびに後述の式中で使用する用語、“
直鎖状又は分枝状で炭素数1〜L2のアルキル基”とは
、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、
i−ブチル、t−ブチル、ペンチル、2−メチルブチル
、2.2−ジメチルプロピル、ヘキシル、2又は3−メ
チルペンチル、2.2−ジメチルブチル、4−メチルブ
チル、6−メチルオクチル、n−ヘプチル、2,2−ジ
メチルペンチル、3.3−ジメチルペンチル、2,4−
ジメチルペンチル、n−オクチル、2.2.3.3−テ
トラメチルブチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデ
シルなどが含まれる。これらのアルキル基中で炭素鎖に
不斉炭素が含まれていてもよい。
直鎖状又は分枝状で炭素数1〜L2のアルキル基”とは
、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、
i−ブチル、t−ブチル、ペンチル、2−メチルブチル
、2.2−ジメチルプロピル、ヘキシル、2又は3−メ
チルペンチル、2.2−ジメチルブチル、4−メチルブ
チル、6−メチルオクチル、n−ヘプチル、2,2−ジ
メチルペンチル、3.3−ジメチルペンチル、2,4−
ジメチルペンチル、n−オクチル、2.2.3.3−テ
トラメチルブチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデ
シルなどが含まれる。これらのアルキル基中で炭素鎖に
不斉炭素が含まれていてもよい。
また、“直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のアルコキ
シ基”とは、上記のアルキル基で置換されたアルコキシ
基が含まれる。さらに、アルコキシカルボニル基は、こ
のようなアルコキシ基が結合したカルボニル基が含まれ
る。なお、式(A)の化合物には、シス体とトランス体
とがあるが、いずれもこの発明に用いることができる。
シ基”とは、上記のアルキル基で置換されたアルコキシ
基が含まれる。さらに、アルコキシカルボニル基は、こ
のようなアルコキシ基が結合したカルボニル基が含まれ
る。なお、式(A)の化合物には、シス体とトランス体
とがあるが、いずれもこの発明に用いることができる。
式(A)の化合物は、例えば、光学活性エピクロルヒド
リンとフェノール類を塩基の存在下で反応させて式(■
): (上式中、R,とR1は、式(A)中の定義と同一の意
味を示しR7はメチル、エチルなどの低級アルキル基を
示す)のマロン酸エステルを塩基の存在下反応すること
により得ろことができる。
リンとフェノール類を塩基の存在下で反応させて式(■
): (上式中、R,とR1は、式(A)中の定義と同一の意
味を示しR7はメチル、エチルなどの低級アルキル基を
示す)のマロン酸エステルを塩基の存在下反応すること
により得ろことができる。
この発明におけるスメクチックC相を呈する液晶化合物
としては、当該分野で知られた種々のスメクチック液晶
を用いることができる。その具体例としては、下式<m
>、CJ)及び(V)で示される化合物が挙げられる。
としては、当該分野で知られた種々のスメクチック液晶
を用いることができる。その具体例としては、下式<m
>、CJ)及び(V)で示される化合物が挙げられる。
R2−CH(COOR7)s
・・・・・・(n)
(式中、A及びBは、それぞれ、単結合又は−COO−
1−OCO−1−CH=CH−COO−1−0CO−C
H=CH−1−〇−1−S−1−ocoo〜もしくは−
C〇−の基を示す。D及びEはそれぞれ、単結合又は−
COO−1−0CO−1−CH=N−1N−CH−1−
CI(=CH−1−C=C−1−CH=CH(−COO
−1−0CO−CH・Cl−1−CH,CH,−1−0
CH,−、−CH,0−1−COS−らしくは−SC〇
−の基を示す。
1−OCO−1−CH=CH−COO−1−0CO−C
H=CH−1−〇−1−S−1−ocoo〜もしくは−
C〇−の基を示す。D及びEはそれぞれ、単結合又は−
COO−1−0CO−1−CH=N−1N−CH−1−
CI(=CH−1−C=C−1−CH=CH(−COO
−1−0CO−CH・Cl−1−CH,CH,−1−0
CH,−、−CH,0−1−COS−らしくは−SC〇
−の基を示す。
■、■およ依すよ、それぞれ独立して、ベンゼン環、ピ
リジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、
ピペラジン環、シクロヘキサン環、ビラン環、ジオキサ
シクロヘキサン環、チアピラン環、ノヂアン環、チアジ
アジン環、ビシクロ[2,2,2]オクタン環、テトラ
ジン環等の六員環を示し、これらの六員環中の水素原子
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニト
ロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は重水素(
D)で置換されていてもよい。R8及びR,はそれぞれ
独立して、直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のアルキ
ルもしくはアルコキン基を示す。pは1又は2の整数を
示す。) もちろん、これらは2種以上混合して用いることができ
る。
リジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、
ピペラジン環、シクロヘキサン環、ビラン環、ジオキサ
シクロヘキサン環、チアピラン環、ノヂアン環、チアジ
アジン環、ビシクロ[2,2,2]オクタン環、テトラ
ジン環等の六員環を示し、これらの六員環中の水素原子
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニト
ロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は重水素(
D)で置換されていてもよい。R8及びR,はそれぞれ
独立して、直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のアルキ
ルもしくはアルコキン基を示す。pは1又は2の整数を
示す。) もちろん、これらは2種以上混合して用いることができ
る。
上記のようなスメクチック液晶化合物のうち、下式(B
): (式中、R1は直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のア
ルキル基又はアルコキシ基、R4は直鎖状又は分枝状で
炭素数1〜12のアルキル基を示す)の化合物は分子軸
に垂直な方向に双極子モーメントを持っているため、得
られるカイラルスメクチック液晶組成物の熱安定性を向
上し、スメクチックC相の温度安定性を充分に確保する
ので好ましい。
): (式中、R1は直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のア
ルキル基又はアルコキシ基、R4は直鎖状又は分枝状で
炭素数1〜12のアルキル基を示す)の化合物は分子軸
に垂直な方向に双極子モーメントを持っているため、得
られるカイラルスメクチック液晶組成物の熱安定性を向
上し、スメクチックC相の温度安定性を充分に確保する
ので好ましい。
さらに式(B)の化合物と、下式(C):(式中、R1
は直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のアルキル基又は
アルコキン基、R6は直鎖状又は分枝状で炭素数1〜1
2のアルコキシ基又はそのアルコキシ基を育するアルコ
キシカルボニル基を示し、Xは−COO−1−〇C〇−
又は単結合を示す。mとnはそれぞれ1又は2の整数で
ある)で表わされる化合物の11.又は2種以上とを組
合せたスメクチック液晶化合物を用いた場合には、上記
した熱安定性の点がさらに向上すると共に、室温でスメ
クチックC相を呈するカイラルスメクチック液晶組成物
が得られるのでより好ましい。この際の式(B)と(C
)の化合物の混合比は、通常[0:1〜【:3(重量比
)とするのが適している。
は直鎖状又は分岐状で炭素数1〜12のアルキル基又は
アルコキン基、R6は直鎖状又は分枝状で炭素数1〜1
2のアルコキシ基又はそのアルコキシ基を育するアルコ
キシカルボニル基を示し、Xは−COO−1−〇C〇−
又は単結合を示す。mとnはそれぞれ1又は2の整数で
ある)で表わされる化合物の11.又は2種以上とを組
合せたスメクチック液晶化合物を用いた場合には、上記
した熱安定性の点がさらに向上すると共に、室温でスメ
クチックC相を呈するカイラルスメクチック液晶組成物
が得られるのでより好ましい。この際の式(B)と(C
)の化合物の混合比は、通常[0:1〜【:3(重量比
)とするのが適している。
スメクチックC相を呈する液晶化合物に前記した式(A
)の光学活性化合物を混合することにより、この発明の
カイラルスメクチック液晶組成物が得られる。この際の
式(A)の化合物の混合量は、液晶組成物中、0.5〜
20重量%とするのが適しており、1〜10重量%とす
るのが好ましい。0.5重量%未満では、スメクチック
液晶化合物の応答性の向上効果が不充分であり、20重
量%を越えるとスメクチックCFgの熱安定性が不充分
となる点で適さない。
)の光学活性化合物を混合することにより、この発明の
カイラルスメクチック液晶組成物が得られる。この際の
式(A)の化合物の混合量は、液晶組成物中、0.5〜
20重量%とするのが適しており、1〜10重量%とす
るのが好ましい。0.5重量%未満では、スメクチック
液晶化合物の応答性の向上効果が不充分であり、20重
量%を越えるとスメクチックCFgの熱安定性が不充分
となる点で適さない。
なお、この発明のカイラルスメクチック液晶組成物中に
は、ピッチ調整用カイラル化合物、大きなPsを有する
化合物等の種々の添加剤が、この発明の効果が阻害され
ない限り、含有されていてもよい。
は、ピッチ調整用カイラル化合物、大きなPsを有する
化合物等の種々の添加剤が、この発明の効果が阻害され
ない限り、含有されていてもよい。
(ホ)作用
式(A)の化合物は2つの光学活性炭素を有し、これら
の光学活性炭素が剛直な5員環構造の中に組み込まれて
いるため、分子の自由回転を抑制する事ができ、スメク
チック相を呈する液晶化合物と混合すれば液晶組成物と
しての自発分極が増加し応答速度は大きく向上するもの
と考えられる。
の光学活性炭素が剛直な5員環構造の中に組み込まれて
いるため、分子の自由回転を抑制する事ができ、スメク
チック相を呈する液晶化合物と混合すれば液晶組成物と
しての自発分極が増加し応答速度は大きく向上するもの
と考えられる。
そして組合せるスメクチック液晶化合物や混合割合を選
択することにより室温付近でスメクチックC相を呈し、
またIACやINAC等の相系列を有する応答速度の速
い液晶組成物が得られることとなる。
択することにより室温付近でスメクチックC相を呈し、
またIACやINAC等の相系列を有する応答速度の速
い液晶組成物が得られることとなる。
(以下余白)
(へ)実施例
以下実施例により本発明のカイラルスメクチックC相を
何する液晶組成物につき詳細に説明するが、これにより
この発明は限定されるものではない。
何する液晶組成物につき詳細に説明するが、これにより
この発明は限定されるものではない。
なお、以下の各実施例において、本発明の光学活性化合
物(A)のR,S表示は下記の化学式の位置番号に基づ
いて行った。
物(A)のR,S表示は下記の化学式の位置番号に基づ
いて行った。
ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド004gとの
混合物を60℃で撹拌させながら水酸化ナトリウム水溶
液(NaOHO,459、水15村)を20分かけて滴
下し、さらに1時間還流を行った。反応溶液を室温まで
冷却し、エーテル抽出を2回行い、飽和食塩水で1回洗
浄して減圧上溶媒を留去した。
混合物を60℃で撹拌させながら水酸化ナトリウム水溶
液(NaOHO,459、水15村)を20分かけて滴
下し、さらに1時間還流を行った。反応溶液を室温まで
冷却し、エーテル抽出を2回行い、飽和食塩水で1回洗
浄して減圧上溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルクロマトグラフィで精製し、下記化学
式(八゛)で示される(S)−2,3−エポキシプロビ
ル−4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキシル
)フェニルエーテル1.89を得た。
式(八゛)で示される(S)−2,3−エポキシプロビ
ル−4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキシル
)フェニルエーテル1.89を得た。
実施例1−ユ
R−(−)−エピクロルヒドリン(化学純度98.5%
以上、光学純度99%以上) 5.559と、下記化学
式で示される4−(トランス−4−n−ペンチルシクロ
ヘキシル)フェノール2,469、 この化合物(A′)の物理的特性を下記に示す。
以上、光学純度99%以上) 5.559と、下記化学
式で示される4−(トランス−4−n−ペンチルシクロ
ヘキシル)フェノール2,469、 この化合物(A′)の物理的特性を下記に示す。
[α]P +4.44’ (c=1.36. CI
(2C1t)(以下余白) NMR(CDC13) δ: 0.45〜2.50 (21H,m)2.50〜
3.00 (2H,l11)3.15”3.50 (L
H,m) 3.70〜4.30 (2H,m) 6.79 (2H,d、 J=9.0Hz)
7.09 (2H,d、 J =9.0Hz
)次に、鉱油で懸濁させた50重量%水素化ナトリウム
224*gを乾燥エーテルで2回洗浄後、乾燥テトラヒ
ドロフランLOxQを加えた。この懸濁液を40℃で撹
拌しなからn−ブチルマロン酸ジメチル13゜zgを滴
下して5分間撹拌した後、上記で得られた( S )−
2,3−エポキシプロピル−4−(トランス−4−n−
ペンチルシクロヘキシル)フェニルエーテル(A’)1
.41gを滴下し、20時間還流撹拌した。反応液を室
温に戻してから4N塩酸をI)H=1になるまで滴下し
た後、エーテル抽出を2回行い、飽和食塩水で1回洗浄
して減圧上溶媒を留去した。残渣をシリカゲルクロマト
グラフィで分離精製し、下記化学式で示される光学活性
化合物、(2S、4S)体(AI)及び(2R,4S)
体(A、)のγ−ラクトン誘導体をそれぞれ50mg及
び40靭を得た。
(2C1t)(以下余白) NMR(CDC13) δ: 0.45〜2.50 (21H,m)2.50〜
3.00 (2H,l11)3.15”3.50 (L
H,m) 3.70〜4.30 (2H,m) 6.79 (2H,d、 J=9.0Hz)
7.09 (2H,d、 J =9.0Hz
)次に、鉱油で懸濁させた50重量%水素化ナトリウム
224*gを乾燥エーテルで2回洗浄後、乾燥テトラヒ
ドロフランLOxQを加えた。この懸濁液を40℃で撹
拌しなからn−ブチルマロン酸ジメチル13゜zgを滴
下して5分間撹拌した後、上記で得られた( S )−
2,3−エポキシプロピル−4−(トランス−4−n−
ペンチルシクロヘキシル)フェニルエーテル(A’)1
.41gを滴下し、20時間還流撹拌した。反応液を室
温に戻してから4N塩酸をI)H=1になるまで滴下し
た後、エーテル抽出を2回行い、飽和食塩水で1回洗浄
して減圧上溶媒を留去した。残渣をシリカゲルクロマト
グラフィで分離精製し、下記化学式で示される光学活性
化合物、(2S、4S)体(AI)及び(2R,4S)
体(A、)のγ−ラクトン誘導体をそれぞれ50mg及
び40靭を得た。
光学活性化合物、(2S、4S)体の化学式、物理的特
性及び元素分析結果を下記に示す。
性及び元素分析結果を下記に示す。
相転移温度: C−一→I
CaE&’ +33.45° (c =0.658.
CHtC!、)N M R(CD Cl 3 ) δ: 0.88〜1.98 (30H,m)2.38〜
2.67 (3H,m) 4.07〜4.13 (2H,m) 4.67〜4.73 (LH,i) 6.83 (2H,d、 J =8.3Hz)7
.12 (2H,d、 J=8.3Hz)I R
(KBr) 1762cm−(以下余白) 元素分FR(CtsHioOsとして)H 理論値(%)77.95 10.0?実測IC%)
77.91 10.12光学活性化合物、(2R,
4S)体の化学式及び物理的特性を下記に示す。
CHtC!、)N M R(CD Cl 3 ) δ: 0.88〜1.98 (30H,m)2.38〜
2.67 (3H,m) 4.07〜4.13 (2H,m) 4.67〜4.73 (LH,i) 6.83 (2H,d、 J =8.3Hz)7
.12 (2H,d、 J=8.3Hz)I R
(KBr) 1762cm−(以下余白) 元素分FR(CtsHioOsとして)H 理論値(%)77.95 10.0?実測IC%)
77.91 10.12光学活性化合物、(2R,
4S)体の化学式及び物理的特性を下記に示す。
相転移温度IC−1
[ff ]P + 20.37° (、C=1.05
. CI(、C1りNMR(CDCI、) δ: 0.70〜2.95 (33H,1ll)4.0
0〜4.25 (2H,i) 4.50〜4.95 (LH,m) 6.77 (2H,d、 J=8.4Hz)
?、Ll (2H,d、 J=11.4Hz
)I R(K B r) 1762cm−実施例
1−b 50%水素化ナトリウム163m9の乾燥1.2−ジメ
トキシエタン懸濁液に、ジメチル−n−へブチルマロネ
ート71619の1.2−ジメトキシエタン溶液を加え
、撹拌下に5分間反応させた後、(S)−2,3−エポ
キシプロピル−4−(トランス−4〜n−ベンチルンク
ロヘキシル)フェニルエーテル94Qxgの1.2−ジ
メトキシエタン溶液を加え、2時間半加熱撹拌した。
. CI(、C1りNMR(CDCI、) δ: 0.70〜2.95 (33H,1ll)4.0
0〜4.25 (2H,i) 4.50〜4.95 (LH,m) 6.77 (2H,d、 J=8.4Hz)
?、Ll (2H,d、 J=11.4Hz
)I R(K B r) 1762cm−実施例
1−b 50%水素化ナトリウム163m9の乾燥1.2−ジメ
トキシエタン懸濁液に、ジメチル−n−へブチルマロネ
ート71619の1.2−ジメトキシエタン溶液を加え
、撹拌下に5分間反応させた後、(S)−2,3−エポ
キシプロピル−4−(トランス−4〜n−ベンチルンク
ロヘキシル)フェニルエーテル94Qxgの1.2−ジ
メトキシエタン溶液を加え、2時間半加熱撹拌した。
反応液を塩酸酸性とした後、エーテル抽出し、溶媒留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次
の化学式(A3)で示される光学活性化合物(2S、4
S)本のみのγ−ラクトン誘導体を得た。
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次
の化学式(A3)で示される光学活性化合物(2S、4
S)本のみのγ−ラクトン誘導体を得た。
上記光学活性化合物(A、)の物理的特性を下3己1こ
示す。
示す。
110℃
相転移温度:C−1
[fZ]P +27,61°CC=0.04. CI(
、CIl)NMR(CDC1,) δ: 0.88−1.98 (36H,a+)2、lO
〜2.83 (3H,m) 3.96−4.16 (2H,l) 4.87〜4.73 (IH,m) 6.75 (2H,d、 J =8.3Hz
)7.10 (2H,d、 J =8.3H
z)I R(KBr) 1765cmカイラルス
メクチック液晶組成物の調製実施例2 第1表に示す組成のカイラルスメクチックC相を有する
液晶組成物を作製した。相転移温度ら併せて示す。
、CIl)NMR(CDC1,) δ: 0.88−1.98 (36H,a+)2、lO
〜2.83 (3H,m) 3.96−4.16 (2H,l) 4.87〜4.73 (IH,m) 6.75 (2H,d、 J =8.3Hz
)7.10 (2H,d、 J =8.3H
z)I R(KBr) 1765cmカイラルス
メクチック液晶組成物の調製実施例2 第1表に示す組成のカイラルスメクチックC相を有する
液晶組成物を作製した。相転移温度ら併せて示す。
組成物!及び2共に室温付近でスメクチックC田を示し
、組成物lはIAC相系列を、組成物2はrNAc相系
列を示す。
、組成物lはIAC相系列を、組成物2はrNAc相系
列を示す。
なお、ネマチック(N)相、スメクチックA(SA)相
、スメクチックC(Sc)相等の液晶相の同定はホット
ステージ付偏光顕微鏡による組織観察及び既知液晶化合
物の液晶相との相溶性を確認するための二成分系の相図
作成によって行なった。
、スメクチックC(Sc)相等の液晶相の同定はホット
ステージ付偏光顕微鏡による組織観察及び既知液晶化合
物の液晶相との相溶性を確認するための二成分系の相図
作成によって行なった。
また、同表中の化合物のうち、2M4.2MS、4M6
.6M8はそれぞれ光学活性の2−メチル−ブチル基、
3−メチル−ペンチル基、4−メチル−ヘキシル基、6
−メチル−オクチル基を示す。
.6M8はそれぞれ光学活性の2−メチル−ブチル基、
3−メチル−ペンチル基、4−メチル−ヘキシル基、6
−メチル−オクチル基を示す。
実施例3
実施例2で調製した液晶組成物を用いて液晶表示装置を
作製した。2枚のガラス基板上にITO膜を形成し、ナ
イロン膜を塗布しラビングする。
作製した。2枚のガラス基板上にITO膜を形成し、ナ
イロン膜を塗布しラビングする。
次にこの2枚のガラス基板をラビング方向が同一・にな
るようにしてセル厚2μ曙で張り合わせる。このセルに
第1表に示す液晶組成物1.2を注入した。この液晶素
子を2枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加し
、透過光強度の変化を観察した。Vp−p=20Vの電
界を25℃で印加した時の透過光強度の変化より求めた
応答速度を第1表中に併せて示した。
るようにしてセル厚2μ曙で張り合わせる。このセルに
第1表に示す液晶組成物1.2を注入した。この液晶素
子を2枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加し
、透過光強度の変化を観察した。Vp−p=20Vの電
界を25℃で印加した時の透過光強度の変化より求めた
応答速度を第1表中に併せて示した。
このようにカイラルスメクチックC相を呈する液晶組成
物を用いた液晶表示装置においては第1表に示すように
良好な配向性と高速応答性が得られた。
物を用いた液晶表示装置においては第1表に示すように
良好な配向性と高速応答性が得られた。
実施例4
実施例!−1の4−(トランス−4−n−ベンチルンク
ロヘキシル)フェノールのn−ペンチル基を、下記第2
表のRIで示される置換基の1つで置換して調製された
フェノール類と、同表のR2で示される置換基の1つで
置換して調製されたマロン酸エステルとを用いる以外は
、実施例1−2L及び実施例1−bと同様にして、化合
物A4〜A11を調製した。これらの化合物の物理的特
性を併せて第2表に示した。
ロヘキシル)フェノールのn−ペンチル基を、下記第2
表のRIで示される置換基の1つで置換して調製された
フェノール類と、同表のR2で示される置換基の1つで
置換して調製されたマロン酸エステルとを用いる以外は
、実施例1−2L及び実施例1−bと同様にして、化合
物A4〜A11を調製した。これらの化合物の物理的特
性を併せて第2表に示した。
実施例5
カイラルスメクチックC相を示す種々の液晶組成物を、
第3表に示す各組成でそれぞれ調製した。
第3表に示す各組成でそれぞれ調製した。
同表には各液晶組成物について、相転移温度及び実施例
3と同様にして測定された応答速度を合わせて示した。
3と同様にして測定された応答速度を合わせて示した。
(以下余白)
(ト)発明の効果
この発明によれば、大容量、広視角の強誘電性液晶表示
に適した高速応答性を有するカイラルスメクチック液晶
組成物が得られる。さらに加え、常温付近でスメクチッ
クC相を示し理想的な液晶用系列を示す液晶組成物を得
ることができる。
に適した高速応答性を有するカイラルスメクチック液晶
組成物が得られる。さらに加え、常温付近でスメクチッ
クC相を示し理想的な液晶用系列を示す液晶組成物を得
ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、スメクチックC相を呈する液晶化合物に、下式(A
): ▲数式、化学式、表等があります▼……(A) (式中、R_1とR_2は、同一又は異なって、直鎖状
又は分枝状で炭素数1〜12のアルキル基を示す。 *はそのCが光学活性炭素原子であることを示す)で表
わされる化合物の少なくとも1種を添加してなるカイラ
ルスメクチック液晶組成物。 2、スメクチックC相を呈する液晶化合物が、下式(B
): ▲数式、化学式、表等があります▼……(B) (式中、R_3は直鎖状又は分枝状で炭素数1〜12の
アルキル基又はアルコキシ基、R_4は直鎖状又は分枝
状で炭素数1〜12のアルキル基を示す)で表わされる
化合物の1種又は2種以上からなる請求項1記載の液晶
組成物。 3、スメクチックC相を呈する液晶化合物が前記式(B
)で表わされる化合物の1種又は2種以上と、下式(C
): ▲数式、化学式、表等があります▼……(C) (式中、R_5は直鎖状又は分枝状で炭素数1〜12の
アルキル基又はアルコキシ基、R_6は直鎖状又は分枝
状で炭素数1〜12のアルコキシ基又はそのアルコキシ
基を有するアルコキシカルボニル基を示し、Xは−CO
O−、−OCO−又は単結合を示す。mとnはそれぞれ
1又は2の整数である。) で表わされる化合物の1種又は2種以上とからなる請求
項2記載の液晶組成物。 4、請求項1〜3のいずれかに記載のカイラルスメクチ
ック液晶組成物を用いてなる液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052466A JPH0742460B2 (ja) | 1988-03-04 | 1989-03-03 | カイラルスメクチック液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181888 | 1988-03-04 | ||
| JP63-51818 | 1988-03-04 | ||
| JP1052466A JPH0742460B2 (ja) | 1988-03-04 | 1989-03-03 | カイラルスメクチック液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110189A true JPH02110189A (ja) | 1990-04-23 |
| JPH0742460B2 JPH0742460B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=26392394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052466A Expired - Lifetime JPH0742460B2 (ja) | 1988-03-04 | 1989-03-03 | カイラルスメクチック液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742460B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05165031A (ja) * | 1991-12-11 | 1993-06-29 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH05173144A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1052466A patent/JPH0742460B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05165031A (ja) * | 1991-12-11 | 1993-06-29 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH05173144A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0742460B2 (ja) | 1995-05-10 |
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