JPH0699683B2 - ネマチツク液晶組成物 - Google Patents
ネマチツク液晶組成物Info
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- JPH0699683B2 JPH0699683B2 JP59099138A JP9913884A JPH0699683B2 JP H0699683 B2 JPH0699683 B2 JP H0699683B2 JP 59099138 A JP59099138 A JP 59099138A JP 9913884 A JP9913884 A JP 9913884A JP H0699683 B2 JPH0699683 B2 JP H0699683B2
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- voltage
- crystal composition
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はネマチック液晶組成物、特にダイナミック駆動
に適したネマチック液晶組成物に関する。
に適したネマチック液晶組成物に関する。
タイナミック駆動に用いるネマチツク液晶組成物には下
記の特性が必要である。
記の特性が必要である。
電圧−透過率曲線の閾電圧付近の立ち上がりが急峻で
あること（以後本文中に於て急峻性と略記する）。
あること（以後本文中に於て急峻性と略記する）。
電圧の変化に対して透過率変化の応答速度が早いこ
と。
と。
室温付近で駆動できる事。
化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れる事。
駆動電圧（または閾電圧）が自由に選べる事。
，は表示品位に対して、，は信頼性に対して特
に関係がある。これら〜の重要性は次の通りであ
る。
に関係がある。これら〜の重要性は次の通りであ
る。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした
時、選択電極と非選択電極に印加され相対的な電圧の差
は走査電極の本数が増えるにつれて小さくなる。従つて
十分なコントラストを得るには液晶の点燈電圧〔即ち透
過率（または遮蔽率）の飽和する電圧〕と非点燈電圧
（閾電圧）の差も相対的に小さくなければならない。即
ち単純マトリクス表示体に於て十分なコントラストを
得、しかも走査電極の本数を多くし、画素数を増やすに
は電圧一透過率曲線に於て点燈電圧（飽和電圧）と非点
燈電圧（閾電圧）の間の曲線が急峻であることが必要で
ある。
時、選択電極と非選択電極に印加され相対的な電圧の差
は走査電極の本数が増えるにつれて小さくなる。従つて
十分なコントラストを得るには液晶の点燈電圧〔即ち透
過率（または遮蔽率）の飽和する電圧〕と非点燈電圧
（閾電圧）の差も相対的に小さくなければならない。即
ち単純マトリクス表示体に於て十分なコントラストを
得、しかも走査電極の本数を多くし、画素数を増やすに
は電圧一透過率曲線に於て点燈電圧（飽和電圧）と非点
燈電圧（閾電圧）の間の曲線が急峻であることが必要で
ある。
静止画像を表示する場合応答速度はそれ程問題となら
ない。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサー
などの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高
速応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動
画を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言う
までもない。
ない。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサー
などの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高
速応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動
画を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言う
までもない。
・室内用については従来と変わりない。しかし戸外
用、例えば自動車搭載用など一部の用途についてはの
要求は厳しくなつており、室温のみならず高温側は摂氏
80度以上、低温側は摂氏マイナス30度以下でも駆動でき
る事が望まれる。従つて液晶にもこの温度範囲でネマチ
ツク相を示す事が要求される場合がある。
用、例えば自動車搭載用など一部の用途についてはの
要求は厳しくなつており、室温のみならず高温側は摂氏
80度以上、低温側は摂氏マイナス30度以下でも駆動でき
る事が望まれる。従つて液晶にもこの温度範囲でネマチ
ツク相を示す事が要求される場合がある。
液晶表示体は他の表示体と比較して消費電力が小さ
い。液晶が低電圧で駆動できると液晶自身を動かすため
に消費される電力も小さくなるばかりでなく、駆動回路
も低消費電力でしかも価格の安い相補形集積回路が使え
有利となる。しかし電力が十分得られる場所での使用を
目的とし、しかも生産原価より画像品位を優先する場合
は駆動電圧の条件は緩められる。
い。液晶が低電圧で駆動できると液晶自身を動かすため
に消費される電力も小さくなるばかりでなく、駆動回路
も低消費電力でしかも価格の安い相補形集積回路が使え
有利となる。しかし電力が十分得られる場所での使用を
目的とし、しかも生産原価より画像品位を優先する場合
は駆動電圧の条件は緩められる。
液晶組成物に課せられた特性の条件は以上〜に示し
た通りである。しかし従来市販されている液晶組成物は
これらの条件のうち全てを満たしているものはない。例
えば一般式 （R,R′は各々任意の数の炭素数を有する直鎖アルキル
基または直鎖アルコキシ基またはシアノ基を現わす）で
表わされる化合は液晶相を示す温度範囲（以下本文中に
於て液晶温度範囲と略記する）が室温付近を中心として
比較的広く、またこれを用いた液晶組成物の電気光学的
特性も比較的良好である。しかしこの化合物は化学的に
不安定であり水分により容易に分解されてしまい信頼性
に関して十分な特性を有するとは言い難い。
た通りである。しかし従来市販されている液晶組成物は
これらの条件のうち全てを満たしているものはない。例
えば一般式 （R,R′は各々任意の数の炭素数を有する直鎖アルキル
基または直鎖アルコキシ基またはシアノ基を現わす）で
表わされる化合は液晶相を示す温度範囲（以下本文中に
於て液晶温度範囲と略記する）が室温付近を中心として
比較的広く、またこれを用いた液晶組成物の電気光学的
特性も比較的良好である。しかしこの化合物は化学的に
不安定であり水分により容易に分解されてしまい信頼性
に関して十分な特性を有するとは言い難い。
また、一般式 表わされるアゾキシ化合物も液晶温度範囲が室温付近に
あり、これを用いた液晶組成物は電気光学特性が優れて
いる。しかし紫外線及び短波長の可視光を吸収してに光
劣化を起こすため電気抵抗の減少や気泡の発生などが生
じる。劣化を防ぐためには黄色フィルターにより液晶を
外部光から保護する必要があるが、表示が黄っぽく見え
る上フィルターの代価やそれを貼り付ける手間が増える
等の欠点が生じる。従ってアゾキシ化合物の用途は限定
される。
あり、これを用いた液晶組成物は電気光学特性が優れて
いる。しかし紫外線及び短波長の可視光を吸収してに光
劣化を起こすため電気抵抗の減少や気泡の発生などが生
じる。劣化を防ぐためには黄色フィルターにより液晶を
外部光から保護する必要があるが、表示が黄っぽく見え
る上フィルターの代価やそれを貼り付ける手間が増える
等の欠点が生じる。従ってアゾキシ化合物の用途は限定
される。
さらに、一般式 で表わされる化合物及び一般式 で表わされる化合物は液晶温度範囲が広い。これを用い
た液晶組成物は急峻性や視角依存性などの電気光学特性
が優れている。しかし応答速度が遅いためテレビ画像な
どを表示するのには適当でない。
た液晶組成物は急峻性や視角依存性などの電気光学特性
が優れている。しかし応答速度が遅いためテレビ画像な
どを表示するのには適当でない。
以上従来技術による液晶組成物は安定でしかも高品位の
画像表示をするには様々な欠点がある事が明らかであ
る。
画像表示をするには様々な欠点がある事が明らかであ
る。
本発明の目的は従来技術のかかる欠点を取り除き、ダイ
ナミック駆動に於て高いコントラストを得るのに適した
急峻性を持ちしかも応答速度が速く、さらに信頼性の高
いネマチツク液晶組成物を提供することにある。
ナミック駆動に於て高いコントラストを得るのに適した
急峻性を持ちしかも応答速度が速く、さらに信頼性の高
いネマチツク液晶組成物を提供することにある。
本発明のネマチツク液晶組成物は一般式が下記Ａで表わ
される化合物と、一般式が下記Ｂで表わされる化合物
と、一般式が下記Ｃで表わされる化合物を含有すること
を特徴とする。
される化合物と、一般式が下記Ｂで表わされる化合物
と、一般式が下記Ｃで表わされる化合物を含有すること
を特徴とする。
（但し、R,R′は炭素数１〜10の直鎖アルキル基を示
す。） 尚、本発明によるネマチック液晶組成物は、一般式A,B
およびＣで表わされる前記化合物以外にシキロヘキサン
環、ベンゼン環、ナフタレン環などから成る分子骨格を
有し、これにアルキル基およびアルコキシ基などが結合
した棒状の低粘性を特徴とする化合物、コレステリック
性を有する光学活性物質、染料あるいは色素を含有して
も良い。また本発明によるネマチック液晶組成物は、一
般式Ａで表わされる化合物が45.0〜84.0重量％、一般式
Ｂで表わされる化合物が4.2〜36.6重量％、一般Ｃで表
わされる化合物が4.0〜3.0重量％組成範囲であることが
望ましい。
す。） 尚、本発明によるネマチック液晶組成物は、一般式A,B
およびＣで表わされる前記化合物以外にシキロヘキサン
環、ベンゼン環、ナフタレン環などから成る分子骨格を
有し、これにアルキル基およびアルコキシ基などが結合
した棒状の低粘性を特徴とする化合物、コレステリック
性を有する光学活性物質、染料あるいは色素を含有して
も良い。また本発明によるネマチック液晶組成物は、一
般式Ａで表わされる化合物が45.0〜84.0重量％、一般式
Ｂで表わされる化合物が4.2〜36.6重量％、一般Ｃで表
わされる化合物が4.0〜3.0重量％組成範囲であることが
望ましい。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の如く行つた。
第１図は電気光学特性に対する測定系を表わしたもので
ある。測定セル３はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理を施した上、スペーサーを兼ねる
ナイロンフイルム製の枠を間に挟んで、液晶組成物を封
入した時、液晶層が一定の厚みになるように、二枚の該
ガラス基板を対向させて固定したものであり、該セルの
両面には各々一枚づつの偏光板を、電圧が印加されてい
ない時光が透過し、電圧が印加された時光が遮断される
ように偏光軸の向きを調整して貼付けてある。なお、以
後液晶層の厚みをセル厚と称する。白色光源１から出た
光線はレンズ系２を通りセル３に垂直方向から入射し、
後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定され
る。この時セル３には駆動回路５によつて任意の実効値
電圧を持つ周波数１キロ・ヘルツの交番矩形電圧が印加
されている。第１図の測定系を用いて液晶セルを測定し
た電圧一透過率曲線が第２図である。第２図に於て透過
率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなつた時及び最も
暗くなつた時の透過率を各々100％及び０％として表わ
し印加電圧を透過率100％の電圧から始めて徐々に上げ
て行き透過率が10％だけ変化した時の実効値電圧を閾電
圧Vth,また更に印加電圧を上げて透過率が100％の時か
ら90％変化した時の実効値電圧を飽和電圧Vsatと各々定
める。この時、電圧一透過率曲線の閾電圧付近の立ち上
がり（即ち急峻性）は下式に於けるβ値として定められ
る。
ある。測定セル３はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理を施した上、スペーサーを兼ねる
ナイロンフイルム製の枠を間に挟んで、液晶組成物を封
入した時、液晶層が一定の厚みになるように、二枚の該
ガラス基板を対向させて固定したものであり、該セルの
両面には各々一枚づつの偏光板を、電圧が印加されてい
ない時光が透過し、電圧が印加された時光が遮断される
ように偏光軸の向きを調整して貼付けてある。なお、以
後液晶層の厚みをセル厚と称する。白色光源１から出た
光線はレンズ系２を通りセル３に垂直方向から入射し、
後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定され
る。この時セル３には駆動回路５によつて任意の実効値
電圧を持つ周波数１キロ・ヘルツの交番矩形電圧が印加
されている。第１図の測定系を用いて液晶セルを測定し
た電圧一透過率曲線が第２図である。第２図に於て透過
率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなつた時及び最も
暗くなつた時の透過率を各々100％及び０％として表わ
し印加電圧を透過率100％の電圧から始めて徐々に上げ
て行き透過率が10％だけ変化した時の実効値電圧を閾電
圧Vth,また更に印加電圧を上げて透過率が100％の時か
ら90％変化した時の実効値電圧を飽和電圧Vsatと各々定
める。この時、電圧一透過率曲線の閾電圧付近の立ち上
がり（即ち急峻性）は下式に於けるβ値として定められ
る。
点燈時（マトリクス・セルに於て選択された時）実効値
電圧（Vonと表わす）がVsatに等しく、非点燈時（非選
択時）の実効値電圧（Voffと表わす）がTthに等しい電
気信号が印加された時各々透過率が90％及び10％と成
り、画素の点燈及び非点燈が認識される事と成る。更に
言えばVonがVsatよりやや大さく、VoffがVthよりやや小
さければ各々の透過率は90％以上と10％以下と成る。こ
の時Von/Voff＞Vsat/Tth＝βである。これとは逆にVon
がVsatより小さく、VoffがVthより大きければ各々の透
過率は90％以下と10％以上と成り視認性が悪くなつてし
まう。即ちVon/Voff＜Vsat/Tth＝βなる信号電圧が印加
された場合視認性が悪くなるのである。この様にβ値が
電気信号の実効電圧比Von/Voffより小さければ視認性の
良い画素表示か得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が
小さい程Von/Voff比も小さくて済む。単純マトリクス表
示体では走査線本数を多くする程Von/Voffが小さくなる
ためβ値も小さい（１に近づく）事が必要である。以上
β値はVon/Voffが許容される最小値を示すためマルチプ
レックス特性の指標となる。
電圧（Vonと表わす）がVsatに等しく、非点燈時（非選
択時）の実効値電圧（Voffと表わす）がTthに等しい電
気信号が印加された時各々透過率が90％及び10％と成
り、画素の点燈及び非点燈が認識される事と成る。更に
言えばVonがVsatよりやや大さく、VoffがVthよりやや小
さければ各々の透過率は90％以上と10％以下と成る。こ
の時Von/Voff＞Vsat/Tth＝βである。これとは逆にVon
がVsatより小さく、VoffがVthより大きければ各々の透
過率は90％以下と10％以上と成り視認性が悪くなつてし
まう。即ちVon/Voff＜Vsat/Tth＝βなる信号電圧が印加
された場合視認性が悪くなるのである。この様にβ値が
電気信号の実効電圧比Von/Voffより小さければ視認性の
良い画素表示か得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が
小さい程Von/Voff比も小さくて済む。単純マトリクス表
示体では走査線本数を多くする程Von/Voffが小さくなる
ためβ値も小さい（１に近づく）事が必要である。以上
β値はVon/Voffが許容される最小値を示すためマルチプ
レックス特性の指標となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にVthからVsatへ切り換えた
時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差
の90％だけ透過率が変化するのに要する時間（即ち透過
率が90％から18％へ変化するのに要する時間）をミリ秒
単位でTonと表わし、同様にVsatからVthへ実効値電圧を
瞬間的に切り換えた時定常状態での各々の実効電圧に対
する透過率同志の差の90％だけ透過率が変化するのに要
する時間（透過率が10％から82％へ変化するのに要する
時間）をミリ秒単位でToffと表わす。TonとToffを足し
たＴ（ミリ秒単位）を以て応答速度の指標とする。
加する実効値電圧を瞬間的にVthからVsatへ切り換えた
時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差
の90％だけ透過率が変化するのに要する時間（即ち透過
率が90％から18％へ変化するのに要する時間）をミリ秒
単位でTonと表わし、同様にVsatからVthへ実効値電圧を
瞬間的に切り換えた時定常状態での各々の実効電圧に対
する透過率同志の差の90％だけ透過率が変化するのに要
する時間（透過率が10％から82％へ変化するのに要する
時間）をミリ秒単位でToffと表わす。TonとToffを足し
たＴ（ミリ秒単位）を以て応答速度の指標とする。
尚、一般に印加電圧を０から任意の電圧υ（Ｖ）へ瞬間
的に切り換えてから透過率が０の状態から90％へ変化す
るのに要する時間をton、印加電圧をυから０へ瞬間的
に切り換えてから透過率が100％の状態から10％変化す
るのに要する時間をtoffとすると下記の式で表わされる
事が知られている（参考文献:M.Schadt,日本学術振興会
情報科学用有機材料第142委員会Ａ部会（液晶グルー
プ）第11回研究会資料,1978年）。
的に切り換えてから透過率が０の状態から90％へ変化す
るのに要する時間をton、印加電圧をυから０へ瞬間的
に切り換えてから透過率が100％の状態から10％変化す
るのに要する時間をtoffとすると下記の式で表わされる
事が知られている（参考文献:M.Schadt,日本学術振興会
情報科学用有機材料第142委員会Ａ部会（液晶グルー
プ）第11回研究会資料,1978年）。
（ここでηはバルク粘度、ε０は真空誘電率、△εは相
対誘電率の異方性、Ｅは電場、K11＋（K33−2K22）/4な
る弾性定数項、ｄはセル厚を各々表わし，η，△εおよ
びＫは液晶組成物に固有である。
対誘電率の異方性、Ｅは電場、K11＋（K33−2K22）/4な
る弾性定数項、ｄはセル厚を各々表わし，η，△εおよ
びＫは液晶組成物に固有である。
従つて、ton及びtoffは共にd2 12比例して長くなる。
本実施例で定義したＴなる応答速度もセル厚と密接な関
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとＴは短く、
セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は当
業者ならば納得するに難くない。従つて同じ液晶組成物
を用いて液晶表示体を作つた場合セル厚を薄くする程応
答速度を速くする事ができる。
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとＴは短く、
セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は当
業者ならば納得するに難くない。従つて同じ液晶組成物
を用いて液晶表示体を作つた場合セル厚を薄くする程応
答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βはセル厚ｄ（μ）と屈折率異方性△ｎの
積である△ｎ・ｄが0.8付近の時最も小さくなる（最良
となる）事を見出した（参考文献：山崎淑夫，竹下裕，
永田光夫，宮地幸夫,Proceedings of the 3rd Inte
rnational Display Research Conference“JAPAN D
ISPLAY′83",320頁、1983年， SID）。従つてコント
ラストを重視する場合セル厚ｄを△ｎ・ｄが0.8付近に
成る様に液晶表示体を作るのが最も得策であり、液晶組
成物の急峻性の比較もこのセル厚で行うのが最も妥当で
あると考えられる。
積である△ｎ・ｄが0.8付近の時最も小さくなる（最良
となる）事を見出した（参考文献：山崎淑夫，竹下裕，
永田光夫，宮地幸夫,Proceedings of the 3rd Inte
rnational Display Research Conference“JAPAN D
ISPLAY′83",320頁、1983年， SID）。従つてコント
ラストを重視する場合セル厚ｄを△ｎ・ｄが0.8付近に
成る様に液晶表示体を作るのが最も得策であり、液晶組
成物の急峻性の比較もこのセル厚で行うのが最も妥当で
あると考えられる。
応答時間も先に記した如くセル厚と関係するため液晶組
成物の応答時間を比較するには適当な厚みで測定する事
が必要である。
成物の応答時間を比較するには適当な厚みで測定する事
が必要である。
以上を鑑み、本実施例では急峻性を重視する立場から急
峻性、応答速度及び閾電圧の測定は全て△ｎ・ｄが0.8
となるセル厚のセルを用いて測定した。
峻性、応答速度及び閾電圧の測定は全て△ｎ・ｄが0.8
となるセル厚のセルを用いて測定した。
本実施例ではツイスト・セルを用いたため、配向の安定
性を高めるためネマチック液晶組成物へ微量のコレステ
リツク性光学活性剤を添加し、混合した後セルへ封入し
た。
性を高めるためネマチック液晶組成物へ微量のコレステ
リツク性光学活性剤を添加し、混合した後セルへ封入し
た。
以後、表に於て高温液晶性、低温液晶性とは各々、室温
を摂氏20度と想定し、これを標準としてそれより30度高
い温度及び30度低い温度（即ち摂氏50度及び摂氏マイナ
ス10度）に於て液晶組成物が安定にネマチック相を呈す
るか否かを表わし、ネマチック相が安定なら○印、摂氏
50度に於て等方性液体ならI,摂氏マイナス10度に於てス
メクチツク相ならSr,析出する場合は×印で示す。第１
表は従来例として一般式 で表わされるフエニル・シクロヘキサン・エステル化合
物（R,R′は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示し、以
後本文中に於て該化合物をPCE（負）と略記する）及び
一般式 で表わされるアロマテイツク・エステル化合物（以後本
文中に於てARE（正）と略記する）から成る液晶組成物
の組成及び特性を示したものである。ARE（正）の含有
量を変える事により電圧を3.04Vから1.38Vまで変化させ
てある。応答・時間Ｔは全閾電圧に渡ってほぼ340ミリ
秒であり、本発明に於ける目標値200ミリ秒より遥かに
遅い。β値も1.29で一定しているが今日液晶組成物及び
それを用いた表示素子に対してはより一層優れた電気光
学特性が要求されている。
を摂氏20度と想定し、これを標準としてそれより30度高
い温度及び30度低い温度（即ち摂氏50度及び摂氏マイナ
ス10度）に於て液晶組成物が安定にネマチック相を呈す
るか否かを表わし、ネマチック相が安定なら○印、摂氏
50度に於て等方性液体ならI,摂氏マイナス10度に於てス
メクチツク相ならSr,析出する場合は×印で示す。第１
表は従来例として一般式 で表わされるフエニル・シクロヘキサン・エステル化合
物（R,R′は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示し、以
後本文中に於て該化合物をPCE（負）と略記する）及び
一般式 で表わされるアロマテイツク・エステル化合物（以後本
文中に於てARE（正）と略記する）から成る液晶組成物
の組成及び特性を示したものである。ARE（正）の含有
量を変える事により電圧を3.04Vから1.38Vまで変化させ
てある。応答・時間Ｔは全閾電圧に渡ってほぼ340ミリ
秒であり、本発明に於ける目標値200ミリ秒より遥かに
遅い。β値も1.29で一定しているが今日液晶組成物及び
それを用いた表示素子に対してはより一層優れた電気光
学特性が要求されている。
上記従来例に対して電気光学特性を改善する目的でPCE
（負）に代えて一般式Ａで表わされる化合物として一般
式 で表わされるフェニル・シクロヘキサン化合物（以後本
文中に於てPCH（負）と略記する。）を用いた液晶組成
物を比較例１〜３として第２表に示した。応答時間は18
0ミリ秒台であり著しく改善された。
（負）に代えて一般式Ａで表わされる化合物として一般
式 で表わされるフェニル・シクロヘキサン化合物（以後本
文中に於てPCH（負）と略記する。）を用いた液晶組成
物を比較例１〜３として第２表に示した。応答時間は18
0ミリ秒台であり著しく改善された。
一方、β値は閾電圧2.4V付近の組成では1.27と良好であ
る。しかし閾電圧が1.6V以下と成るような組成ではβ値
が1.29以上と成り全く改善されないばかりか寧ろ悪化す
る傾向がある。組成物に於けるβ値は用いられた化合物
自身の特性のみならず、組み合わされる相手の化合物の
種類及び量に大いに依存している事が本比較例１〜３の
特性から見て取れる。従って、我々は種々の液晶化合物
を用いた各種の組成物について検討した結果本発明に至
つたものである。
る。しかし閾電圧が1.6V以下と成るような組成ではβ値
が1.29以上と成り全く改善されないばかりか寧ろ悪化す
る傾向がある。組成物に於けるβ値は用いられた化合物
自身の特性のみならず、組み合わされる相手の化合物の
種類及び量に大いに依存している事が本比較例１〜３の
特性から見て取れる。従って、我々は種々の液晶化合物
を用いた各種の組成物について検討した結果本発明に至
つたものである。
〔実施例−1,2,3,4〕 一般式Ａで表わされる化合物のＲ−Ｈ−（CH2）２−○
−Ｏ−Ｒ′を60重量％及び45重量％含有してなる本発明
のネマチック液晶組成物が第３表に示す実施例１乃至４
である。
−Ｏ−Ｒ′を60重量％及び45重量％含有してなる本発明
のネマチック液晶組成物が第３表に示す実施例１乃至４
である。
β値は極めて良好であり、応答速度も速い。液晶温度範
囲も十分である。
囲も十分である。
一般式Ｃで表わされる化合物に代えて本発明以外の化合
物である一般式 で表わされる化合物と、一般式Ａで表わされる化合物に
代えて本発明以外の化合物であるPCH（負）からなる組
成物Ｉ（第４表（ａ）にその組成を示す。）を用いた組
成物を比較例４として示した。比較例４は、β値が1.28
とやや劣り、応答時間も243ミリ秒とかなり遅い。
物である一般式 で表わされる化合物と、一般式Ａで表わされる化合物に
代えて本発明以外の化合物であるPCH（負）からなる組
成物Ｉ（第４表（ａ）にその組成を示す。）を用いた組
成物を比較例４として示した。比較例４は、β値が1.28
とやや劣り、応答時間も243ミリ秒とかなり遅い。
以上実施例１乃至４で示された如く本発明によるネマチ
ック液晶組成物は急峻性及び応答性の両特性とも従来技
術による液晶組成物より著しく優れている。また一般式
Ｂで表わされる化合物、すなわち正の誘電異方性を有す
る化合物の含有量を適宜変えることにより閾値電圧の高
低を液晶温度範囲をあまり変えずに調整することができ
る。
ック液晶組成物は急峻性及び応答性の両特性とも従来技
術による液晶組成物より著しく優れている。また一般式
Ｂで表わされる化合物、すなわち正の誘電異方性を有す
る化合物の含有量を適宜変えることにより閾値電圧の高
低を液晶温度範囲をあまり変えずに調整することができ
る。
〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば急峻性すなわちダイ
ナミック特性が格段に改良され且つ応答速度も大幅に速
くなり、ねじれネマチック型表示素子として用いれば従
来にない優れた画像表示を与える効果がある。
ナミック特性が格段に改良され且つ応答速度も大幅に速
くなり、ねじれネマチック型表示素子として用いれば従
来にない優れた画像表示を与える効果がある。
また本発明のネマチック液晶組成物はシッフ化合物及び
アゾキシ化合物などの化学的または光物理的に弱い化合
物を用いていないため安定で信頼性が高い。
アゾキシ化合物などの化学的または光物理的に弱い化合
物を用いていないため安定で信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】 第１図は実施例において用いた測定装置を示す図。 第２図は第１図の測定装置を用いて一般的に得られる相
対透過率−実効電圧のグラフを示す図。 １……光源 ２……光線 ３……レンズ及びフィルター系 ４……セル ５……受光部（光電増培管）
対透過率−実効電圧のグラフを示す図。 １……光源 ２……光線 ３……レンズ及びフィルター系 ４……セル ５……受光部（光電増培管）
Claims (1)
- 【請求項１】一般式が下記Ａで表わされる化合物と、一
般式が下記Ｂで表わされる化合物と、一般式が下記Ｃで
表わされる化合物を含有することを特徴とするネマチッ
ク液晶組成物。 （但し、R,R′は炭素数１〜10の直鎖アルキル基を示
す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099138A JPH0699683B2 (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | ネマチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099138A JPH0699683B2 (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | ネマチツク液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243193A JPS60243193A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0699683B2 true JPH0699683B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=14239353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59099138A Expired - Fee Related JPH0699683B2 (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | ネマチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0699683B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629426B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1994-04-20 | カシオ計算機株式会社 | 液晶組成物 |
| JPS6178895A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-22 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
| JP2623523B2 (ja) * | 1985-10-25 | 1997-06-25 | カシオ計算機株式会社 | 液晶組成物 |
| JP2531252B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1996-09-04 | カシオ計算機株式会社 | 液晶組成物 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5896673A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Seiko Epson Corp | 液晶組成物 |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59099138A patent/JPH0699683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60243193A (ja) | 1985-12-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |