JPS62100585A - 液晶組成物 - Google Patents

液晶組成物

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JPS62100585A
JPS62100585A JP60240937A JP24093785A JPS62100585A JP S62100585 A JPS62100585 A JP S62100585A JP 60240937 A JP60240937 A JP 60240937A JP 24093785 A JP24093785 A JP 24093785A JP S62100585 A JPS62100585 A JP S62100585A
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JP
Japan
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liquid crystal
voltage
transmittance
general formula
temperature
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Pending
Application number
JP60240937A
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English (en)
Inventor
Takaaki Tanaka
孝昭 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示装置用液晶組成物、特に電界効果モードに
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
〔発明の概要〕
本発明は液晶組成物におい°C1少なくとも一般式 R
t−e−coo()Ql’t、 テ表わされる化合物、
一般式 Rs+jQ)−Raで表わされる化合物、及び
一般式 R,ベトCOOベトCNで表わされる化合物を
用いることにより、急峻性が優れるようにしたものであ
る。
〔従来の技術〕
従来、表示装置用液晶組成物は、例えば特開昭54−8
5694号公報などに示されているように、一般式R−
8−COO−8−0−R(R、R’は各々任意の炭素数
の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合・吻(以後
本文中に於てKCHと略記する)などのNn液晶をベー
スにして、これらに一般式RL−o−COO−ンCN(
R1は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わさ
れる化合物(以後本文中に於てP−Eと略記する)など
のNP液晶を添加し、光学的しきい値電圧を低下せしめ
る。但し、NP液晶の添加量が多くなると後述の急峻性
などの電気光学特性が低下するので必要以上にNP液晶
を添加することは得策でない。
〔本発明が解決しようとする問題点及び目的〕今日ネマ
チック液晶組成物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧の付近の立
ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と
略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと■ 化学的に安
定で耐湿性・耐光性に優れるとと ■ 駆動、t8E(まだは、光学的しきい値電圧)が自
由に選べること などがある。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした時
、駆動回路によって選択i!唯部または非選択電極部の
液晶に印/JDされる実幼屯圧を各々Van、Voff
とし、走査成極の本数をn本とすれば、比V o n 
/ V o f fはVon/Voff9汽西=I )
 ・=−(1)なる関係があり、nが多くなるにつれて
van/Voffも小さくなって行く・ 一方、液晶表示装置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該セル4に印
加する実効′a:IIEを変えて行くと第2図に示され
る如き実効電圧−相対透過率曲線が得られる。電圧を上
げて行き透過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい
値電圧vth(本発明細書中に於ては透過率を10%だ
け変化させるのに必要な実効′1圧値をvthとする)
、更に電圧を上げて行き透過率が光学的飽和電圧をV 
s’ a t (本明細書に於ては透過率を90チ変化
させるのに必要な′鑞効亀圧領をVssitとする)と
すると、非選択電極部では印加される実効電圧Voff
が、光学的しきい値電圧vthより小さければ、即ち、 VoffくVth     ・・・・・・・・・のであ
れば電圧が印加されていない時と比較してその透過率は
変化せず全く選択されなく、選択電極部では印加される
実効電圧Vonが飽和電圧Vaatより大きければ、即
ち Von〉Vsat     ・・・・・・・・・(3)
であれば透過率は十分変化し選択された事になる従って
(ト)式を0式で測れば Van       Vsat −〉171− ・・・・・・・・・(4)Voff となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択電極
の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式か
ら となる。走*線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択′J
L極で十分なコントラストを得るにばV m a t 
/ V t hも1に近い方が有利となる。即ち第2図
の電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽
和電圧にかげての勾配が急峻な程、コントラストを一定
(または良くした上に)走査線本数を増やす事ができる
。以上が条件■が必要となる理由でちる。しかし従来、
眠気光学時1生に於ける温度依存性の除去が重9?J!
されていた為条件■そのものを改良する具体的方策が示
されておらず問題である。
これに対して温度依存性はICが安価になった現在温度
補償回路を駆動回路に組み込む事により容易に取り除く
事が出来るように成った。
他の問題点として応答速度がある。
静止画像を表示する場合応答A度はそrt程間罎となら
ない。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサー
などの様に画像を頻繁に切り喚える必要のある場合、高
速応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動
画を表示する場合更に速い応答性が要求されるのはdう
までもない。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の液晶組成物は、少なくとも一般式が下記人で表
わされる化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表
わされる化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記C
で表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴
とする。
A −R+−o−cOO−o−0”t B・・・RstトR4 C・・・Rs −+−C00日pcN 但し、 R9及びR1!は炭素数1〜10個の直鎖アルギル基 R8は炭素数1〜121固の直鎖アルキル基R6は炭素
数1=10個の直鎖アルコキンまたはアルキル基 R3は炭素a1〜10個の直鎖アルキル基を表わす。
一般式Aで表わされる化合物(以下本文中に於て化合物
人と略記する)は急峻性を向上させ、液晶温度範囲を広
げるために用いたものであり、8重tチ未満では効果が
小さくその含有量は多い程良い。しかI〜90チを越え
ると共晶組成からのズレが大きく凝固点降下の効果が得
られないので、従って低温に於て析出するようになるた
め、8重tチ〜90重黛チが望ましい。
一般式Bで表わされる化合物(以下本文中に於て化合物
Bと略記する)は急峻性を向上させ、液晶温度範囲を広
げ、かつ応答速度を速くするために用いたものであり、
10チ未(・屑では効果が小さくその含有量は多い程良
い。しかしながら60重量%を越えると共晶組成からの
ズレが大きく凝固点降下の効果が得られないので10重
重量〜60重喰チが望ましい。
一般式〇で表わされる化合物(以下本文中に於て化合物
Cと略記する)は、NP液晶であり、その含有量の多少
により光学的しきい値電圧を低くまたは高くできる。光
学的しきい値電圧が低ければそれに対応して液晶駆動用
回路の最大定格出力電圧も低くて済み、安価なrcが使
えるため有利となる。しかしp−g液晶の含有量を多く
しすぎると′電気光学特性が低下し液晶温度範囲が狭く
なるなどの好ましくない影響が出るoT能性があるため
含有量は5重量%〜60重量係が望ましい。
〔実施例〕
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の如く行った。
第1図は電気光学特性に対する測定系を表わしたもので
ある。測定セル4はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化・賜などの透明ル極を股げ、更にその面を
有機薄膜で覆い配向処理を施した上、スペーサーの役割
を兼ねたナイロン・フィルム莢の枠を間に挾んで液晶を
一封入し走時液晶層が所望の厚みと成るように二枚の核
ガラス基板な対向させて固定したものであり、該セルの
両面には各々一枚ずつの偏光板を電圧が印υ目されてい
ない時光が透過し、電圧が印710された時光が遮断さ
れるように偏光軸の向きを調整I〜で貼付けである。
尚、本文中に於てガラス基板とガラス基板の間隔(即ち
液晶14の厚さ)をセル厚と略記する。白色光源1から
出た光線はレンズ系5を通りセル4に垂直方向から入射
し、後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定さ
れる。この時セル4には駆動回路5によって任意の実効
値1圧を持つ同波数1千口・ヘルツの交番矩形電圧を印
加されている。第1図の測定系を用いて液晶セルを測定
した実効ル圧−相対透過率曲線が第2図である。第2図
に於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった
時及び最も暗くなった時の透過率?各々100%及び0
%として表わし印加電圧を透過率100チの電圧から始
めて除々に上げて行き透過率が10チだけ変化した時の
実効値電圧を光学的しきい値電圧vthまた更に印加′
1圧を上げて透過率が100%の時から90%変化した
時の実効値電圧を光学的飽和電圧Vsatと各々定める
この時、電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧付近の
立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於けるβ値として定
められる。
β=vtth 点燈時(マトリクス・セルに於て選択された時)の実効
値電圧(Vonと表わす)がVaatに等しく、非点燈
時(非選択時)の実効値電圧(Voffと表わす)がv
thに等しい電気信号が印加された時各々透過率が90
e!b及び10%と成り、画素の点燈及び非点燈が認識
される事と成る。更に言えばVonがVs&tよりやや
大きく、Voffがvtbよりやや小さければ各々の透
過率は90チ以上と10チ以下と成る。この時Von/
Voff)Vsat/Vth=:βである。これとは逆
にVonがVsatより小さく、Voffがvthより
大きければ各々の透過率は?0チ以下と10%以上と成
り視認性が悪くなってしまう。即ちVo n/VOf 
f<Vmat/Vth:βなる信号電圧が印加された場
合視認性が悪くなるのである。この様にβ値が電気信号
の実効電圧比Von/Voffより小さければ視認性の
良い画像表示が得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が
小さい程V o n / V o f f比も小さく済
む。単純マトリクス表示体では走査線本数を多くする程
Von/Voffが小さくなるためβ値も小さい(1に
近づく)等が必要である。以上β値はVon/Voff
が許容される最小値を示すためマルチプレンクス特性の
指標となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にvthからVsatへ切り
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90チだけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90%から18チへ変化するのに要する時
間)をミIJ抄単位でTOn表わし、同様にVsatか
らvthへ実効値電圧を瞬間的に切り換えた時定常状態
での各々の実効電圧に対する透過率同志の点の90チだ
け透過率が変化するのに要する時間(透過率が10%か
ら82チへ変化するのに要する時間)をミリ秒単位でT
offと表わす。TOnとToffを足したで(ミリ秒
単位)を以て応答速度の指標とする。
尚、一般に印加電圧を0から任意の電圧υ(V)へ瞬間
的に切り換えてから透過率が0の状態から90%へ変化
するのに要する時間をton、印加電圧なυから0へ瞬
間的に切り換えてから透過率が100%の状態から10
チ変化するのに要する時間をtoffとすると下記の式
で表わされる事が知られている(参考文#:M、5ch
aat、日本学術振興会情報料学用有機材料第142委
員会A部会(液晶グループ)第11回研究会資料、1?
78年)。
tors:η汽ε。ΔεE”−K(ニ)り=d” −7
7/(gυjsυ!H,りtoff=::ワ/K(ニ)
? == d 2・77Kg2 (ここでηはバルク粘度〜ε。はA空肪電率、16は相
対誘電率の異方性、Eは電場、Kは鴇、−1−に、、−
2に工)/4なる弾性定数項、dはセル厚を各々表わし
、η、j&  およびKは液晶組成物に個有である)。
従ってton及びLoftは共にdlに比例して長くな
る。
本実施例で定義したTなる応答速度もセル厚と密接な関
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短かく
、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難くない。従って同じ液晶組成
物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする程
応答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βはセル厚d(μ)と屈折率異方性Δnの
、積であるΔnodがCL8〜1.0付近の時最も小さ
くなる(最良となる)事が見出されている(参考文献:
山崎淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、Proeea
dlngs  of  the  5rdIntern
ational  Display  R@5eare
hConfersne*  ”JAPANDISPLA
Y’83’  320頁; 1983年、◎5ID)。
従ってコントラストを重視する場合セル厚dをΔnod
が[L8〜:1.O付近に成る様に液晶表示体を作るの
が最も得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこのセ
ル厚で行うのが最も妥当であると考えられる。応答時間
も先に記した如くセル厚と関係するため液晶組成物の応
答時間を比較するには適当な厚みで測定する事が必要で
ある。
以上を鑑み、本実施例では急峻性、応答速度及び光学的
しきい値電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚
のセルを用いて測定した。
測定温度は全て摂氏20度とした。
ま念配向の均一性を高めるため本発明のネマチック液晶
組成物に微量のコレステリンク物質を添加したものをセ
ルに封止した。
ネマチック液晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性を以て表わした。
即ち年平均気温の平年値が東京で15c1那覇で22C
である(総理府統計局線「日本の統計」昭和55年度版
、6,7頁)から室温を200と仮定しセルを恒温槽に
膜種し、それより更に60℃高い温度に於てネマチック
相が安定か否かを高温液晶性と称することにし、ネマチ
ック相が安定ならO印、等方性液体(isotropi
e  目quid)ならIで表わす。低温液晶性はセル
を設置した恒温槽の温度を200から始め1日につき5
Cづつ下げて行った時、室温として仮定した20Cより
30C低くなった時(即ち恒温槽温度−10C)、ネマ
チック液晶相が安定か否かを低温液晶と称し、ネマチッ
ク相が安定なら○印を、スメクチック液晶相なら、固体
状態を呈しているかまたは析出を生じていればX印を以
って表わす。
〔実施例1.2〕 本発明による実施例−1の組成及び特性を第1表に示す
。また、実施例−2の組成及び特性を第2表に示す。但
し本実施例は化合物Bとして一般式R5−o−01−R
< C式中RsB炭素数1〜12m(7)直鎖アルキル
基、R4は炭X61〜10個の直鎖アルコキンまたはア
ルキル基を示す)で表わされる化合物を含有しているこ
とを特徴としている。
また、従来例としてECH及びp−zをざ有して成る液
晶組成物の組成及び特性を第5表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値が1.265であるの
に対して実施例−1のβ値は1.24、実施例−2のβ
値は1.24と良好である。すなわち単純マトリクヌ電
極を用いた液晶パネルに於て透過率を選択電極で10%
以下(暗状態)に、非選択′電極で90チ以上(明状態
)にするためには、従来例−1では走査電極の数は17
本以下しか駆動できないのに対して実施例−1、実施例
−2では共に22本以上駆動することができる。
光学的しきい値電圧も従来例が2.59Vであるのに対
して、実施例−1では2.42V、実施例−2で2.5
4Vと、いずれも極めて良好である。
応答速度は従来例−1が444ミリ秒であるのに対して
、実施例−1が16 y、 s ミ+)秒、実施例−2
が15 a 2 ミリ秒といずれもかなり改善されてい
る。
実施例−1,2は摂氏50度における高温液晶性があり
、低温液晶性については実施例−1で摂氏マイナス15
度、実施例−2では摂氏マイナス40度まで十分安定で
、通常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液晶
温度範囲を有している。特に実施例−2については摂氏
マイナス40度までネマチック範囲を有しており、かな
り厳しい条件下においても表示体として使用可能である
以上、従来例−1のβ値が1.265であるのに対して
、本発明による実施例−1,2共に1.24と極めて良
好、光学的しきい値電圧も低く、応答速度も速い。更に
ネマチック液晶温度範囲も十分である。
第1表 第2表 第3表 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、少なくとも一般式
 R1−e−COOiトO−で表わされる化合物、一般
式 R$ e R4で表わされる化合物、及び一般式 
R1−〇−COO−+−CNで表わされる化合物を用い
てネマチック液晶組成物を構成した事により、最もネマ
チック液晶範囲の広いもので摂氏マイナス40度から摂
氏50度まで駆動でき、急峻性が浸れ、応答速度が速く
、光学的しきい値′電圧も適当でありダイナミック駆動
特性に優れたネマチック液晶組成物を得る事ができた。
本発明によるネマチック液晶組成物を用いれば各種表示
素子に於て優れた表示コントラストを得るのに多大な効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施列に於て用いた測定装置を表わすハード図
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効′1圧の変化を示した曲線図。 1・・・光源          2・・・光線6・・
・レンズ及ヒフイルター系 4・・・セル5・・・受光
部(光電増倍管)。 以上 ニ貞tlJで=★唸、ji−7,4二dす第1図 灸麦石 ’IJ辷  (■ン 東vEも五−廁η紐奔鉱く一図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の少なく
    とも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の少なく
    とも一種、及び一般式が下記Cで表わされる化合物の少
    なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 A・・・▲数式、化学式、表等があります▼ B・・・▲数式、化学式、表等があります▼ C・・・▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、 R_1及びR_2は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R_3は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基R_4は炭
    素数1〜10個の直鎖アルコキシまたはアルキル基 R_5は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基
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