JPH07100862B2 - バレル型気相成長装置 - Google Patents
バレル型気相成長装置Info
- Publication number
- JPH07100862B2 JPH07100862B2 JP17194587A JP17194587A JPH07100862B2 JP H07100862 B2 JPH07100862 B2 JP H07100862B2 JP 17194587 A JP17194587 A JP 17194587A JP 17194587 A JP17194587 A JP 17194587A JP H07100862 B2 JPH07100862 B2 JP H07100862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow channel
- reaction tube
- gas
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基板上に薄膜を形成するバレル型気相成長装置
に関する。
に関する。
従来より多数の基板を一度に処理する装置としてバレル
型気相成長装置が用いられている。第４図は従来装置の
一例で、頂部にガス導入管１が、下方側部にガス排出管
2,2が連設され、かつ外周にRFコイル３を巻きつけたキ
ャップ状反応管４の内部に上下動及び回転可能な軸部材
５の上端に支持させた保持台６を設け、更にこの上にフ
ローチャンネル７を載置したものである。
型気相成長装置が用いられている。第４図は従来装置の
一例で、頂部にガス導入管１が、下方側部にガス排出管
2,2が連設され、かつ外周にRFコイル３を巻きつけたキ
ャップ状反応管４の内部に上下動及び回転可能な軸部材
５の上端に支持させた保持台６を設け、更にこの上にフ
ローチャンネル７を載置したものである。
保持台６は基板の保持と加熱に用いるもので、カーボン
製の多角錐台状体の側面に基板取付溝6aを設けたもので
ある。また、フローチャンネル７は上方から導入される
気相成長ガスの整流と予備加熱に用いるもので滑らかな
表面を有する弾頭状カバーである。
製の多角錐台状体の側面に基板取付溝6aを設けたもので
ある。また、フローチャンネル７は上方から導入される
気相成長ガスの整流と予備加熱に用いるもので滑らかな
表面を有する弾頭状カバーである。
前記従来装置は基板取付溝6aに基板を取り付けた後、RF
コイル３で保持台６と誘導加熱して前記基板を所定の温
度に保持すると共に、ガス導入管１から気相成長ガスを
導入して基板上に薄膜を形成するものである。即ち、反
応管４内に導入された気相成長ガスはフローチャンネル
７で整流されて円滑に下方に流れ、保持台６からの熱伝
導により高温となっているフローチャンネル７の下端近
傍の加熱部で予備加熱されて熱分解反応を開始し、反応
生成物が基板上に堆積して薄膜が形成される。
コイル３で保持台６と誘導加熱して前記基板を所定の温
度に保持すると共に、ガス導入管１から気相成長ガスを
導入して基板上に薄膜を形成するものである。即ち、反
応管４内に導入された気相成長ガスはフローチャンネル
７で整流されて円滑に下方に流れ、保持台６からの熱伝
導により高温となっているフローチャンネル７の下端近
傍の加熱部で予備加熱されて熱分解反応を開始し、反応
生成物が基板上に堆積して薄膜が形成される。
しかし、前記従来装置では基板上に多重薄膜を形成する
場合急峻な界面が得られない。これは、例えばＡガス,B
ガスの２種類の気相成長ガスを交互に反応管内に導入す
るとこれらＡガス,Bガスが反応管内で一部混合してしま
うからである。そこで従来は前記ＡガスとＢガスの間に
パージガスを流すとにより、前記ガスの混合を防止して
いるがこのため処理時間が長くなり生産性が低下する不
都合があった。
場合急峻な界面が得られない。これは、例えばＡガス,B
ガスの２種類の気相成長ガスを交互に反応管内に導入す
るとこれらＡガス,Bガスが反応管内で一部混合してしま
うからである。そこで従来は前記ＡガスとＢガスの間に
パージガスを流すとにより、前記ガスの混合を防止して
いるがこのため処理時間が長くなり生産性が低下する不
都合があった。
また、前記従来装置では、前記予備加熱により薄膜形成
を良好にしているが、該予備加熱によりフローチャンネ
ル７の下端近傍にも堆積物８が付着し、次第にその量が
増加するに伴って基板面上に剥離，落下して薄膜の品質
を低下させる。そこで、適宜フローチャンネル７を取り
外して清掃する必要があるが、前記の如くフローチャン
ネル７は整流作用を果たすために表面に突起物を設けら
れないので着脱しにくく保守が容易でないという不都合
もあった。
を良好にしているが、該予備加熱によりフローチャンネ
ル７の下端近傍にも堆積物８が付着し、次第にその量が
増加するに伴って基板面上に剥離，落下して薄膜の品質
を低下させる。そこで、適宜フローチャンネル７を取り
外して清掃する必要があるが、前記の如くフローチャン
ネル７は整流作用を果たすために表面に突起物を設けら
れないので着脱しにくく保守が容易でないという不都合
もあった。
本発明者は前記不都合に鑑み種々考究した結果、前記従
来装置では反応管４内にガスを導入したときに該反応管
４内の上方に澱み部９ができ、かつ該澱み部９と接して
ガスが流れるため前記ガスの混合が生じることを知見し
た。
来装置では反応管４内にガスを導入したときに該反応管
４内の上方に澱み部９ができ、かつ該澱み部９と接して
ガスが流れるため前記ガスの混合が生じることを知見し
た。
本発明は前記知見に基づいて、急峻な界面を有する多重
薄膜が形成できるバレル型気相成長装置を提供すること
を目的とするものである。
薄膜が形成できるバレル型気相成長装置を提供すること
を目的とするものである。
そこで、本発明は上記目的を達成するため、ガス導入管
とガス排出管とを有するキャップ状反応管の内部に、保
持台とその上に載置するフローチャンネルとを設けてな
るバレル型気相成長装置において、前記フローチャンネ
ルを円筒状に形成すると共に、保持台を反応管内の所定
位置にセットしたときにおける前記円筒状のフローチャ
ンネルの上端近傍に対応する位置の反応管側面に少なく
とも２個所のガス導入管を前記フローチャンネルの中心
軸に向けて設けたことを特徴とする。
とガス排出管とを有するキャップ状反応管の内部に、保
持台とその上に載置するフローチャンネルとを設けてな
るバレル型気相成長装置において、前記フローチャンネ
ルを円筒状に形成すると共に、保持台を反応管内の所定
位置にセットしたときにおける前記円筒状のフローチャ
ンネルの上端近傍に対応する位置の反応管側面に少なく
とも２個所のガス導入管を前記フローチャンネルの中心
軸に向けて設けたことを特徴とする。
以下、第１図乃至第３図を用いて本発明の実施例を説明
するが、図中前記第４図と同一構成部分には同一記号を
付してある。
するが、図中前記第４図と同一構成部分には同一記号を
付してある。
第１図は保持台とフローチャンネルを外面で示す本発明
装置の断面図、第２図は第１図のII−II線断面図であ
る。
装置の断面図、第２図は第１図のII−II線断面図であ
る。
本発明装置が前記第４図の従来装置と異なるのはフロー
チャンネルの形状とガス導入管の配置にある。即ち、本
発明装置のフローチャンネル10は適宜長さの円筒状で、
上端に鍔部10aを有する。11は該フローチャンネル10上
端の任意の位置に設けた着脱用の逆Ｕ字状突起である。
チャンネルの形状とガス導入管の配置にある。即ち、本
発明装置のフローチャンネル10は適宜長さの円筒状で、
上端に鍔部10aを有する。11は該フローチャンネル10上
端の任意の位置に設けた着脱用の逆Ｕ字状突起である。
次にガス導入管12は、図示の如く保持台６を反応管４内
の所定位置にセットしたときにおける前記円筒状のフロ
ーチャンネル10の上端近傍に対応する位置の反応管４の
側面に設けたもので、取付方向は円筒状のフローチャン
ネル10の中心方向とする。ガス導入管12は少なくとも２
個所設ける必要があるがより多個所に設けても良く、ま
た、設置個所は反応管４の外周に沿って等間隔とすのが
望ましい。
の所定位置にセットしたときにおける前記円筒状のフロ
ーチャンネル10の上端近傍に対応する位置の反応管４の
側面に設けたもので、取付方向は円筒状のフローチャン
ネル10の中心方向とする。ガス導入管12は少なくとも２
個所設ける必要があるがより多個所に設けても良く、ま
た、設置個所は反応管４の外周に沿って等間隔とすのが
望ましい。
次に前記の如く構成した本発明装置を用いて基板上に薄
膜を形成する操作を前記同様に行なった。この結果、前
記第４図の従来装置と同等以上に良好な薄膜を形成でき
た。これは、ガス導入管12から噴出した気相成長ガスが
円筒状のフローチャンネル10の胴部を回周して均一に拡
散し、かつ充分な長さの該胴部を流下する過程で整流さ
れ、更に該円筒状のフローチャンネル10の下端近傍の高
温部で予備加熱され好適な薄膜形成状態が得られるから
である。また、多重薄膜の形成ではパージガスを用いな
くても急峻な界面が得られた。これは円筒状のフローチ
ャンネル10上方の自由空間が袋部で、かつガス導入管12
から導入の気相成長ガスの流路と上下に区画されている
ので、該気相成長ガスが前記自由空間と接する割合が前
記従来装置に装置に比べ極めて少ないからである。な
お、本発明装置を気相成長ガスの導入と同時に反応管４
の頂部から水素等をパージガスとして少量導入するよう
構成すれば、前記自由空間がパージガスで充満されるの
でガス導入管12から導入される気相成長ガスへの影響が
更に減少し、より急峻な界面を有する多種薄膜が形成で
きる。また、フローチャンネル10を単に円筒状として鍔
部10aを有さないものとしても良いが、鍔部10aを有する
方が多種薄膜を形成する場合には好ましい。なお、本発
明装置も前記従来装置と同様、予備加熱に伴って円筒状
のフローチャンネル10の下端近傍に堆積物８を生ずるが
これは逆Ｕ字状の突起11を利用して取り外し清掃すれば
良い。
膜を形成する操作を前記同様に行なった。この結果、前
記第４図の従来装置と同等以上に良好な薄膜を形成でき
た。これは、ガス導入管12から噴出した気相成長ガスが
円筒状のフローチャンネル10の胴部を回周して均一に拡
散し、かつ充分な長さの該胴部を流下する過程で整流さ
れ、更に該円筒状のフローチャンネル10の下端近傍の高
温部で予備加熱され好適な薄膜形成状態が得られるから
である。また、多重薄膜の形成ではパージガスを用いな
くても急峻な界面が得られた。これは円筒状のフローチ
ャンネル10上方の自由空間が袋部で、かつガス導入管12
から導入の気相成長ガスの流路と上下に区画されている
ので、該気相成長ガスが前記自由空間と接する割合が前
記従来装置に装置に比べ極めて少ないからである。な
お、本発明装置を気相成長ガスの導入と同時に反応管４
の頂部から水素等をパージガスとして少量導入するよう
構成すれば、前記自由空間がパージガスで充満されるの
でガス導入管12から導入される気相成長ガスへの影響が
更に減少し、より急峻な界面を有する多種薄膜が形成で
きる。また、フローチャンネル10を単に円筒状として鍔
部10aを有さないものとしても良いが、鍔部10aを有する
方が多種薄膜を形成する場合には好ましい。なお、本発
明装置も前記従来装置と同様、予備加熱に伴って円筒状
のフローチャンネル10の下端近傍に堆積物８を生ずるが
これは逆Ｕ字状の突起11を利用して取り外し清掃すれば
良い。
次に第３図を用いて別の実施例を説明する。第３図は円
筒状のフローチャンネル10と保持台５を外面で示す断面
図である。
筒状のフローチャンネル10と保持台５を外面で示す断面
図である。
本実施例では反応管４をガス導入管により上方で上蓋41
と本体42とに分割し、かつ着脱自在に構成すると共に、
該本体42の上方に連接して前記上蓋41を内蔵する前室43
を設けたものである。更に44はパージ管で、一端は上蓋
41の頂部に連設し、他端は前室43の天井部を摺動自在に
貫通してピストンの如き上下動機構45に連設する。46は
パージ管44の上下動に追従できるようにコイル状にした
コイル管である。
と本体42とに分割し、かつ着脱自在に構成すると共に、
該本体42の上方に連接して前記上蓋41を内蔵する前室43
を設けたものである。更に44はパージ管で、一端は上蓋
41の頂部に連設し、他端は前室43の天井部を摺動自在に
貫通してピストンの如き上下動機構45に連設する。46は
パージ管44の上下動に追従できるようにコイル状にした
コイル管である。
前記の如く構成した本装置では基板状に薄膜を形成後、
上蓋41を上動すると共に軸部材５を上動し保持台６を前
室43内に移動して処理済基板と未処理基板を交換する。
これにより反応管４の下方側部に付着する堆積物47の悪
影響を防止することができる。即ち、薄膜形成時には円
筒状のフローチャンネル10の下端近傍に堆積物９が付着
するだけでなく反応管４の下方側部にも堆積物47が付着
し、これはいずれも剥離，落下する。このため、一般的
な気相成長装置では前室を反応管の下方に配置している
ため薄膜形成後に保持台を下げることになり前記堆積物
47の落下による基板の品質低下が生じていた。本実施例
装置は多重薄膜形成に適した構造を有しながらかつ前記
堆積物47の落下による不都合を解決したものである。な
お、本実施例ではパージ管44を用いたが、パージガスを
要しないときは単なる管または棒としても良く、このと
きコイル管46も不要である。
上蓋41を上動すると共に軸部材５を上動し保持台６を前
室43内に移動して処理済基板と未処理基板を交換する。
これにより反応管４の下方側部に付着する堆積物47の悪
影響を防止することができる。即ち、薄膜形成時には円
筒状のフローチャンネル10の下端近傍に堆積物９が付着
するだけでなく反応管４の下方側部にも堆積物47が付着
し、これはいずれも剥離，落下する。このため、一般的
な気相成長装置では前室を反応管の下方に配置している
ため薄膜形成後に保持台を下げることになり前記堆積物
47の落下による基板の品質低下が生じていた。本実施例
装置は多重薄膜形成に適した構造を有しながらかつ前記
堆積物47の落下による不都合を解決したものである。な
お、本実施例ではパージ管44を用いたが、パージガスを
要しないときは単なる管または棒としても良く、このと
きコイル管46も不要である。
本発明装置は前記の如く、フローチャンネルを円筒状に
すると共に、該円筒状のフローチャンネルの中心に向け
て気相成長ガスが吹き付けられるように反応管の側面に
ガス導入管を設けたので従来と同等の薄膜が形成でき、
特に多重薄膜の形成では、反応管側面から導入される気
相成長ガスが円筒状のフローチャンネルの上方の自由空
間による影響を受けにくいので、パージガスを途中に介
さずに異種の気相成長ガスを順次反応管内に導入しても
急峻な界面を有する多重薄膜が得られるので、パージガ
ス使用量の低減と処理時間の低減が図れ従来より大幅に
生産性を向上することができる。また、本発明装置で
は、円筒状フローチャンネルの頂部は特別な作用を有さ
ないのでここに着脱用の突起を設けることができ、フロ
ーチャンネルの保守を容易にすることができる。
すると共に、該円筒状のフローチャンネルの中心に向け
て気相成長ガスが吹き付けられるように反応管の側面に
ガス導入管を設けたので従来と同等の薄膜が形成でき、
特に多重薄膜の形成では、反応管側面から導入される気
相成長ガスが円筒状のフローチャンネルの上方の自由空
間による影響を受けにくいので、パージガスを途中に介
さずに異種の気相成長ガスを順次反応管内に導入しても
急峻な界面を有する多重薄膜が得られるので、パージガ
ス使用量の低減と処理時間の低減が図れ従来より大幅に
生産性を向上することができる。また、本発明装置で
は、円筒状フローチャンネルの頂部は特別な作用を有さ
ないのでここに着脱用の突起を設けることができ、フロ
ーチャンネルの保守を容易にすることができる。
また、反応管をガス導入管の上方位置で上蓋と本体とに
着脱自在に構成すると共に、該反応管の上方に前室を設
ける構成とすれば、反応管の下方側部に付着する堆積物
による悪影響をも防止することができる。
着脱自在に構成すると共に、該反応管の上方に前室を設
ける構成とすれば、反応管の下方側部に付着する堆積物
による悪影響をも防止することができる。
第１図は本発明装置の一実施例を示す断面正面図、第２
図は第１図のII−II線断面図、第３図は本発明装置の他
の実施例を示す断面正面図、第４図は従来装置の一例を
示す断面正面図である。 ２…ガス排出管、３…RFコイル、４…反応管、５…軸部
材、６…保持台、10…フローチャンネル、12…ガス導入
管、41…反応管４の上蓋、42…反応管４の本体、43…前
室
図は第１図のII−II線断面図、第３図は本発明装置の他
の実施例を示す断面正面図、第４図は従来装置の一例を
示す断面正面図である。 ２…ガス排出管、３…RFコイル、４…反応管、５…軸部
材、６…保持台、10…フローチャンネル、12…ガス導入
管、41…反応管４の上蓋、42…反応管４の本体、43…前
室
Claims (2)
- 【請求項１】ガス導入管とガス排出管とを有するキャッ
プ状反応管の内部に、保持台とその上に載置するフロー
チャンネルとを設けてなるバレル型気相成長装置におい
て、前記フローチャンネルを円筒状に形成すると共に、
保持台を反応管内の所定位置にセットしたときにおける
前記円筒状のフローチャンネルの上端近傍に対応する位
置の反応管側面に少なくとも２個所のガス導入管を前記
フローチャンネルの中心軸に向けて設けたことを特徴と
するバレル型気相成長装置。 - 【請求項２】側面ガス導入管を有する前記反応管が、該
ガス導入管設置位置の上方で上蓋と本体とに着脱可能に
構成され、かつ該反応管の前記本体の上方に連設して上
蓋を内蔵する前室を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のバレル型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17194587A JPH07100862B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | バレル型気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17194587A JPH07100862B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | バレル型気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6415374A JPS6415374A (en) | 1989-01-19 |
| JPH07100862B2 true JPH07100862B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=15932713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17194587A Expired - Lifetime JPH07100862B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | バレル型気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100862B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0643548B2 (ja) * | 1990-08-22 | 1994-06-08 | 東洋紡績株式会社 | 制振材料用粘弾性樹脂組成物 |
| JP3121260B2 (ja) * | 1996-04-08 | 2000-12-25 | 大阪瓦斯株式会社 | 管路の補強技術 |
| JP4250131B2 (ja) | 2004-09-16 | 2009-04-08 | カナフレックスコーポレーション株式会社 | 排水管補修方法 |
-
1987
- 1987-07-09 JP JP17194587A patent/JPH07100862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6415374A (en) | 1989-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW466541B (en) | Wafer pedestal with a purge ring | |
| US20090064935A1 (en) | Cvd reactor having a process-chamber ceiling which can be lowered | |
| DE102022114717A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer ein Element der V. Hauptgruppe enthaltenen Schicht in einer Prozesskammer und anschließenden Reinigen der Prozesskammer | |
| US4316430A (en) | Vapor phase deposition apparatus | |
| JPS591671A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US3407783A (en) | Vapor deposition apparatus | |
| US3138435A (en) | Deposition apparatus and method for forming a pyrolytic graphite article | |
| JPH0196370A (ja) | 蒸着用の蒸発源 | |
| EP0164928A2 (en) | Vertical hot wall CVD reactor | |
| JPH07100862B2 (ja) | バレル型気相成長装置 | |
| JPH09246192A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| US3206331A (en) | Method for coating articles with pyrolitic graphite | |
| JP2006108312A (ja) | 気相成長装置 | |
| DE69111540T2 (de) | Vorrichtung zum Herstellen einer Schicht im Vacuum. | |
| JPS60172302A (ja) | トラツプおよびその方法 | |
| JPH0568096B2 (ja) | ||
| WO1998014644A1 (en) | A device for epitaxially growing objects and method for such a growth | |
| JPH0779088B2 (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JP2006108311A (ja) | 気相成長装置 | |
| US2245098A (en) | Method of making metallic phthalocyanine compounds | |
| JPH0512279Y2 (ja) | ||
| US3640762A (en) | Method for vaporizing molten metal | |
| JP2004107686A (ja) | 大気開放型ｃｖｄ装置 | |
| JPS55128578A (en) | Method and apparatus for vacuum deposition plating of metal | |
| JPS573706A (en) | Vapor-phase deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071101 Year of fee payment: 12 |